JPH01310563A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01310563A JPH01310563A JP14100488A JP14100488A JPH01310563A JP H01310563 A JPH01310563 A JP H01310563A JP 14100488 A JP14100488 A JP 14100488A JP 14100488 A JP14100488 A JP 14100488A JP H01310563 A JPH01310563 A JP H01310563A
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- JP
- Japan
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- crack
- junction
- semiconductor device
- interfaces
- lid
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は中空構造をとる半導体装置に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
第５図は従来の半導体装置を示す図で、（ａ）は外観図
、（ｂ）はＡ−Ａ′ラインの断面における封止状態を示
す断面図である。図において、（１）はパッケージのふ
た、（２）は半導体素子を収納する台、（３）はパッケ
ージ内部と外部を電気的に接続するためのリードフレー
ム、（４）はふた（１）、台（２）およびリードフレー
ム（３）を封止・接着させているシール材である。
、（ｂ）はＡ−Ａ′ラインの断面における封止状態を示
す断面図である。図において、（１）はパッケージのふ
た、（２）は半導体素子を収納する台、（３）はパッケ
ージ内部と外部を電気的に接続するためのリードフレー
ム、（４）はふた（１）、台（２）およびリードフレー
ム（３）を封止・接着させているシール材である。
これら半導体装置における素材はパッケージの台、ふた
がセラミックやプラスチック、リードフレームは４２７
０イや銅、シール材は低融点ガラスや有機系接着剤、特
にエポキシ系樹脂が用いられている。
がセラミックやプラスチック、リードフレームは４２７
０イや銅、シール材は低融点ガラスや有機系接着剤、特
にエポキシ系樹脂が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
半導体装置の素材はふた、台、リードフレーム、シール
材と異なっているので、半田付は工程や使用時のビート
サイクルなどにより、ふた〜シール材、台〜シール材ま
たはリードフレーム−シール材の界面にクラックの発生
や伸展により信頼性を損うという問題がある。
材と異なっているので、半田付は工程や使用時のビート
サイクルなどにより、ふた〜シール材、台〜シール材ま
たはリードフレーム−シール材の界面にクラックの発生
や伸展により信頼性を損うという問題がある。
この発明は上・記のような問題を解消するためになされ
たもので、シール部分の界面におけるクラック発生や伸
展を抑えるとともに、シール部分の接着性を改善した半
導体装置を得ることを目的とする。
たもので、シール部分の界面におけるクラック発生や伸
展を抑えるとともに、シール部分の接着性を改善した半
導体装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明による半導体装置はふた、台およびリードフレ
ームの各接合部分をサンドブラスト処理や化学エツチン
グ処理などにより粗面化したものである。
ームの各接合部分をサンドブラスト処理や化学エツチン
グ処理などにより粗面化したものである。
［作用］
この発明における接合部分の粗面化はアンカー効果やシ
ール材との濡れ性により接着力が向上され、また、接合
界面にミクロなりラックが発生しても、界面が凹凸状で
あるため、クラックの伸展が防止される。
ール材との濡れ性により接着力が向上され、また、接合
界面にミクロなりラックが発生しても、界面が凹凸状で
あるため、クラックの伸展が防止される。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１０）はふた（１）の粗面化した接
合面、（１１）は台（２）の粗面化した接合面、（１２
）はリードフレーム（３）の粗面化された接合面、（４
）は粗面化された各接合面（１０） 、 （１１） 、
（１２）を接合、封止しているシール材である。
合面、（１１）は台（２）の粗面化した接合面、（１２
）はリードフレーム（３）の粗面化された接合面、（４
）は粗面化された各接合面（１０） 、 （１１） 、
（１２）を接合、封止しているシール材である。
以下の如くシール材（４）とふた（１）、台（２）、リ
ードフレーム（３）の各接合界面は粗面化により凹凸状
になっており、アンカー効果により従来の平滑な接合界
面に比較して接着力が向上する。その結果、熱ストレス
への耐性が改善されて界面でのクラックが発生しにくな
り、半導体装置としての信頼性も向上する。
ードフレーム（３）の各接合界面は粗面化により凹凸状
になっており、アンカー効果により従来の平滑な接合界
面に比較して接着力が向上する。その結果、熱ストレス
への耐性が改善されて界面でのクラックが発生しにくな
り、半導体装置としての信頼性も向上する。
また、接合部分にクラックが発生した場合でも、従来の
平滑な接合界面ではクランクガ容易に申展していくのに
比べ、この発明の接合界面では凹凸によりクラック伸展
を妨げる効果があり、クラック起因による故障を防ぐ働
きもする。
平滑な接合界面ではクランクガ容易に申展していくのに
比べ、この発明の接合界面では凹凸によりクラック伸展
を妨げる効果があり、クラック起因による故障を防ぐ働
きもする。
この発明の接合部分の粗化度は半導体装置に使用する各
素材の組み合せにより最適値は異なるが、表面あらさと
して５〜５０μＩあることが好ましい。
素材の組み合せにより最適値は異なるが、表面あらさと
して５〜５０μＩあることが好ましい。
半導体装置の組立てに使用する前の一実施例としてのふ
た、台、リードフレームの図を第２図、第３図、第４図
に示す。
た、台、リードフレームの図を第２図、第３図、第４図
に示す。
第２図において、（１０）はふた（１）の接合部分の粗
面化範囲で、サンドブラスト処理、化学エツチング処理
等により粗面化が実施される。第３図において、（１１
）は台（２）の接合部分の粗面化範囲で、ふた（１）と
同様の方法で粗面化が実施される。また、第４図（ａ）
において、（１２）はリードフレーム（３）のシール材
との接合部分の粗面化した状態で、図中の破線は封止さ
れた時のシール材との接合エリアをあられしている。ま
た（ｂ）はＢ−Ｂ′断面を示す。リードフレームの粗面
化は化学エツチングによる粗面化、プレスによる表面粗
面化等により実施される。
面化範囲で、サンドブラスト処理、化学エツチング処理
等により粗面化が実施される。第３図において、（１１
）は台（２）の接合部分の粗面化範囲で、ふた（１）と
同様の方法で粗面化が実施される。また、第４図（ａ）
において、（１２）はリードフレーム（３）のシール材
との接合部分の粗面化した状態で、図中の破線は封止さ
れた時のシール材との接合エリアをあられしている。ま
た（ｂ）はＢ−Ｂ′断面を示す。リードフレームの粗面
化は化学エツチングによる粗面化、プレスによる表面粗
面化等により実施される。
上記実施例では、ふた、台、フレームの３つを粗面化し
た場合を示したが、この発明ではこれに限るものではな
く、ふた、台がセラミック、シール材がガラスのような
組合せでは、特に接着性に乏しいリードフレームを粗面
化した第４図のようなリードフレームのみを使用するだ
けでも、この発明の効果が得られ、この発明の実施例に
含まれることは言うまでもない。
た場合を示したが、この発明ではこれに限るものではな
く、ふた、台がセラミック、シール材がガラスのような
組合せでは、特に接着性に乏しいリードフレームを粗面
化した第４図のようなリードフレームのみを使用するだ
けでも、この発明の効果が得られ、この発明の実施例に
含まれることは言うまでもない。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、シール材と接合される
面を粗面化した表面状態にして接合封止するように構成
したので、接着力が向上し、接合界面のクラック発生・
伸展を防止でき、また、信頼性の良いものが得られる効
果がある。
面を粗面化した表面状態にして接合封止するように構成
したので、接着力が向上し、接合界面のクラック発生・
伸展を防止でき、また、信頼性の良いものが得られる効
果がある。
第１（ａ）（ｂ）はこの発明の一実施例による半導体装
置を示す外観図および断面図、第２図はこの発明で使用
されるふたの外観図、第３図はこの発明で使用される台
の外観図、第４図（ａ） （ｂ）はこの発明で使用され
るリードフレームの外観図および断面図、第５図（ａ）
（ｂ）は従来の半導体装置を示す外観図および断面図で
ある。 図において、（１）はふた、（２）は台、（３）はリー
ドフレーム、（４）はシール材、（ｌＯ）はふた（１）
の粗面な接合面、（１１）は台２の粗面な接合面、（１
２）はリードフレーム（３）の粗面な接合面を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
置を示す外観図および断面図、第２図はこの発明で使用
されるふたの外観図、第３図はこの発明で使用される台
の外観図、第４図（ａ） （ｂ）はこの発明で使用され
るリードフレームの外観図および断面図、第５図（ａ）
（ｂ）は従来の半導体装置を示す外観図および断面図で
ある。 図において、（１）はふた、（２）は台、（３）はリー
ドフレーム、（４）はシール材、（ｌＯ）はふた（１）
の粗面な接合面、（１１）は台２の粗面な接合面、（１
２）はリードフレーム（３）の粗面な接合面を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップを収納するパッケージ台およびふた、電
気的に接続をはかるリードフレームをシール材で封止す
る中空構造の半導体装置において、台、ふたおよびリー
ドフレームの封止される部分を一部又は全面的に粗面化
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14100488A JPH01310563A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14100488A JPH01310563A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01310563A true JPH01310563A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15281943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14100488A Pending JPH01310563A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01310563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014003134A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ |
| JP2020136495A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 中央電子工業株式会社 | 中空パッケージ構造およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606236B2 (ja) * | 1981-02-16 | 1985-02-16 | 株式会社クラレ | 水膨潤性止水剤 |
| JPS6139556A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14100488A patent/JPH01310563A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606236B2 (ja) * | 1981-02-16 | 1985-02-16 | 株式会社クラレ | 水膨潤性止水剤 |
| JPS6139556A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014003134A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ |
| JP2020136495A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 中央電子工業株式会社 | 中空パッケージ構造およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
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