JPH09321205A

JPH09321205A - 半導体装置の製造方法およびその方法で用いるリードフレームならびにリードフレームの製造方法

Info

Publication number: JPH09321205A
Application number: JP8134971A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Sasamura; 聡笹村
Original assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Systems Co Ltd
Priority date: 1996-05-29
Filing date: 1996-05-29
Publication date: 1997-12-12

Abstract

(57)【要約】【課題】リードフレームの樹脂流路領域に形成された
樹脂部分の引き剥がしを容易かつ確実にする。【解決手段】樹脂による封止体が形成される封止領域
および前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路領域
を有するリードフレームを用意する工程と、前記封止領
域に対して組み立てを行う工程と、トランスファモール
ド装置のモールド型に前記リードフレームを型締めした
後前記モールド型のキャビティに溶けた樹脂を注入して
前記封止体を形成する工程と、前記モールド型からリー
ドフレームを取り外し前記樹脂流路領域に形成された樹
脂部分を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法
であって、前記封止工程前に、前記リードフレームの前
記樹脂流路領域の表面または前記樹脂流路領域の表面と
他の領域面の一部または全部を梨地状の凹凸面に形成
し、その後封止を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型の半導
体装置の製造方法およびその方法で用いるリードフレー
ムならびにリードフレームの製造方法に関し、特に、モ
ールド型の樹脂流路を通してキャビティに溶けた樹脂を
流し込み、リードフレームの一部に封止体（パッケー
ジ）を形成する技術において、樹脂流路内で硬化してリ
ードフレーム面に張り付いた樹脂部分の引き剥がし技術
に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（集積回路装置）等の半導体装置に
おいて、半導体チップ等を封止する封止（パッケージ）
構造として樹脂（レジン）による封止構造が知られてい
る。

【０００３】樹脂封止（レジンパッケージ）型半導体装
置は、リードフレームを使用して製造される。リードフ
レームは、薄い金属板をエッチングや精密プレスによっ
てパターニングすることによって形成される。

【０００４】リードフレームの一例としては、矩形の枠
体と、この枠体の中央に位置し、前記枠体から延在する
複数本の支持リードに支持される支持板と、前記枠体か
ら延在して先端を前記支持板の周囲に近接させる複数の
リードと、前記リードや枠体を連結するとともに、トラ
ンスファモールド時に溶けた樹脂の流出を防止するダム
等とからなっている。

【０００５】樹脂封止型半導体装置の製造においては、
最初に前記支持板の主面に半導体チップを固定する。そ
の後、前記半導体チップの電極とリードの先端を導電性
のワイヤで接続する。つぎに、トランスファモールド装
置のモールド型にリードフレームを型締めした後、モー
ルド型のキャビティに樹脂流路を通して溶けた樹脂を注
入して封止体（パッケージ）で半導体チップやワイヤ等
を被う。また、トランスファモールド後は、前記樹脂流
路内で硬化しリードフレーム面に張り付いた樹脂部分を
除去するとともに、不要なリードフレーム部分を切断除
去する。また、、パッケージから突出するリードを所望
の形状に成形することによって所望の半導体装置を製造
する。

【０００６】リードフレームについては、たとえば、工
業調査会発行「電子材料」1980年11月号、同年11月１日
発行、P96〜P100に記載されている。同文献には、全面
に銀メッキを設けたリードフレームについて記載されて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
の製造において、モールド型に組立が終了したリードフ
レームを型締めした後、モールド型のキャビティにラン
ナーやゲート等の樹脂流路を通して溶けた樹脂を注入
し、かつ硬化させて封止体を形成している。モールド型
から取り出されたリードフレームの一面には、前記樹脂
流路内で硬化した樹脂部分が張り付いている。この樹脂
部分はリードフレーム面から引き剥がされる。

【０００８】従来、前記樹脂流路内で硬化した樹脂部分
をリードフレーム面から取り外し（引き剥がし）易くす
るため、リードフレームの全面または前記樹脂流路領域
となるリードフレーム面部分に銀メッキを設けている。

【０００９】しかし、銀は高価であり、また、メッキ加
工は加工コストが高い。この結果、リードフレームのコ
ストが高くなり、製造される半導体装置の単価の低減が
妨げられている。

【００１０】また、前記樹脂流路領域の表面に銀メッキ
を設けたリードフレームでは、リードフレームを重ねて
おいた場合、１枚ずつリードフレームを掴んで搬送する
場合、上下のリードフレームが相互に張り付く２枚重ね
現象が起き、リードフレームの１枚搬送ができない場合
があり、搬送異常が発生する。

【００１１】本発明の目的は、製造単価の低減が達成で
きる半導体装置の製造方法を提供することにある。

【００１２】本発明の他の目的は、樹脂流路領域に形成
された樹脂部分の取り外しが容易になる低コストのリー
ドフレームおよびその製造方法を提供する。

【００１３】本発明の他の目的は、リードフレームの取
扱時、相互の張り付きによる２枚重ね現象が起き難いリ
ードフレームおよびその製造方法を提供することにあ
る。

【００１４】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１６】（１）樹脂による封止体が形成される封止
領域および前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路
領域を有するリードフレームを用意する工程と、前記封
止領域に対して組み立てを行う工程と、トランスファモ
ールド装置のモールド型に前記リードフレームを型締め
して前記封止体を形成する工程と、前記モールド型から
リードフレームを取り外し前記樹脂流路領域に形成され
た樹脂部分を除去する工程とを有する半導体装置の製造
方法であって、前記封止工程前に、前記リードフレーム
の前記樹脂流路領域の表面または前記樹脂流路領域の表
面と他の領域面の一部または全部を非先鋭な凹凸面（梨
地状凹凸面）に形成し、その後封止を行う。たとえば、
前記凹凸面は前記樹脂流路領域の表面に設けられる。前
記リードフレームは支持板および前記支持板に向かって
延在する複数のリードを少なくとも有する構造となり、
前記支持板上に半導体チップを固定した後、前記半導体
チップの電極と前記リードを導電性のワイヤで電気的に
接続し、その後トランスファモールド装置のモールド型
に前記リードフレームを型締めして封止体を形成する。
また、前記トランスファモールドにおいて、前記リード
フレーム面上を流れる樹脂を途中で複数に分岐させて相
互に異なる封止領域に導いて封止を行う。

【００１７】リードフレームは、樹脂による封止体が形
成される封止領域および前記封止領域に連なる樹脂が流
れる樹脂流路領域を有するリードフレームであって、前
記樹脂流路領域の表面は非先鋭な凹凸面になっている。
前記樹脂流路領域は途中で複数に分岐しそれぞれの分岐
樹脂流路領域が相互に異なる封止領域に連なっている。
前記凹凸面は機械的押し潰し、たとえばプレスや圧延に
よる塑性変形加工によって形成される。

【００１８】（２）前記手段（１）の構成において、配
線基板および前記配線基板に向かって延在する複数のリ
ードを少なくとも有するリードフレームを用意した後、
前記配線基板上に半導体チップや受動部品等の電子部品
を固定し、その後前記電子部品の電極および配線基板の
配線ならびに前記リードの所定部分間を導電性のワイヤ
で電気的に接続し、ついでトランスファモールド装置の
モールド型に前記リードフレームを型締めして封止体を
形成する。

【００１９】（３）前記手段（１）の構成において、前
記凹凸面は放電加工またはレーザ加工を行った後エッチ
ング加工することによって形成する。

【００２０】（４）前記手段（１）の構成において、前
記凹凸面はショットブラストによって形成する。

【００２１】前記（１）の手段によれば、樹脂流路内で
硬化してリードフレーム面に張り付いた樹脂部分は、非
先鋭な凹凸面（梨地状凹凸面）に形成されるため、前記
樹脂部分を取り外す際、樹脂部分に外力を加えた場合、
非先鋭故に相互の食込力が小さいことから、凹凸面の斜
面部分で容易に滑りが生じ、樹脂部分はリードフレーム
から剥離し易くなる。

【００２２】また、リードフレームの樹脂流路領域の表
面となる梨地状凹凸面は、プレスや圧延によって形成す
ることから、製造コストが安価になる。この結果、製造
コストの安価なリードフレームの使用によって半導体装
置の製造コストの低減が達成できる。

【００２３】また、リードフレームの樹脂が流れる領域
面（樹脂流路領域の表面）は、梨地状凹凸面となってい
ることから、リードフレームを順次重ね合わせても、上
下のリードフレーム間には、密着しない非接触領域が生
じるため、リードフレームを上方から１枚ずつ掴んで搬
送する場合、前記非接触領域の空気がリードフレーム間
に広がり易くなり、リードフレーム相互の張り付きによ
る２枚重ね現象が起き難くなる。この結果、リードフレ
ームの１枚搬送が確実となり、搬送故障が発生し難くな
る。

【００２４】前記（２）の手段によれば、前記手段
（１）の構成による作用に加えて、リードフレームには
配線基板が固定され、この配線基板には半導体チップや
受動部品等の電子部品が固定されるため、混成集積回路
構造の半導体装置の製造も達成できる。

【００２５】前記（３）の手段によれば、前記樹脂流路
領域の表面または前記樹脂流路領域の表面と他の領域面
の一部または全部を非先鋭な凹凸面（梨地状凹凸面）に
形成する場合、放電加工またはレーザ加工によって凹凸
面を形成した後、放電加工またはレーザ加工で形成した
凹凸面の先鋭な凸部および凹部をエッチングによってな
だらかにすることから、前記凹凸面上に樹脂部分を形成
した場合、凹凸面に樹脂が強く食い込まなくなり、樹脂
部分がリードフレーム面から引き剥がし易くなる。

【００２６】前記（４）の手段によれば、前記凹凸面は
ショットブラストによって形成することから凸部および
凹部が先鋭とならない凹凸面を容易に形成することがで
きる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００２８】（実施形態１）図１乃至図９は本発明の一
実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造に係わ
る図であって、図１はトランスファモールド状態を示す
断面図、図２は半導体装置を示す断面図、図３はモール
ドされた下型上のリードフレームを示す一部の模式的平
面図、図４は製造に使用するリードフレームの一部を示
す平面図、図５はリードフレームの一部を示す底面図、
図６はリードフレームに設けられる凹凸面の形成状態を
示す模式的断面図、図７は凹凸面の断面状態を示す模式
的断面図、図８は封止体が形成されたリードフレームの
一部を示す平面図、図９は封止体が形成されたリードフ
レームの一部を示す底面図である。

【００２９】本実施形態１の半導体装置１は、図２に示
すように、外観的には偏平な樹脂（レジン）からなる封
止体（パッケージ）２と、このパッケージ２の周面、４
辺から突出する複数のリード３とからなっている。たと
えば、前記パッケージ１の厚さは略１ｍｍ程度である。

【００３０】前記リード３はパッケージ２の内外に亘っ
て延在するとともに、ガルウィング型となっている。前
記パッケージ２の内部には支持板４が位置している。こ
の支持板４はタブとも称され、同図では図示しない支持
リード（タブ吊りリード）によって支持されている。前
記支持板４の主面、すなわち図中上面には図示しない接
合材を介してＩＣ等を構成する半導体チップ６が固定さ
れている。また、半導体チップ６の上面の図示しない電
極と、前記パッケージ２内に延在するリード３の先端は
導電性のワイヤ７を介して電気的に接続されている。

【００３１】つぎに、本実施形態１の半導体装置の製造
方法について説明する。半導体装置１の製造において
は、図４に示すようなリードフレーム１５が用意され
る。

【００３２】リードフレーム１０は、０．１５ｍｍ程度
の厚さの鉄−ニッケル系合金板，銅板，銅合金板等をエ
ッチングまたは精密プレスによってパターニングするこ
とによって形成される。本実施形態１で使用するリード
フレーム１０は、単位リードパターンを２列に複数配置
した短冊体となっている。すなわち、リードフレーム１
０は、図３および図４に示すように、平行に延在する一
対の縦枠１１と、前記一対の縦枠１１の中間に延在しか
つ前記縦枠１１に平行に延在する縦中枠１２と、前記縦
枠１１に直交しかつ前記一対の縦枠１１および縦中枠１
２を一定間隔位置で連結する横枠１３とからなってい
る。前記横枠１３は、前記縦枠１１および縦中枠１２の
両端部分にも形成されている。

【００３３】単位リードパターン１５は、図３にも示す
ように、前記縦中枠１２の両側にそれぞれ形成され、本
実施形態１の場合は、たとえば、２列８行（連）形成さ
れている。図３は、モールド型の下型３１上に載置され
たリードフレーム１０を示すものであり、各単位リード
パターン１５の中央部分にパッケージ２が形成された状
態を示すものである。下型３１のカル３３からはそれぞ
れランナー３４が延在し、このランナー３４はキャビテ
ィ３６に繋がっている。また、キャビティ３６とランナ
ー３４との連結部分は細いゲート３５を形成している。
トランスファモールド後のキュアーによって溶けた樹脂
は前記カル３３，ランナー３４部分でも硬化し樹脂部分
３７を形成する。

【００３４】本実施形態１では、キャビティ３６に繋が
るランナー３４およびゲート３５は下型３１に形成され
るため、図３ではリードフレーム１０部分ではリードフ
レーム１０の下面に位置することになる。図３におい
て、露出する樹脂部分３７は点々を施して示してある。

【００３５】なお、図３では図示しないが、パッケージ
２の周囲４辺からリード３がそれぞれ平行に延在してい
る（図８参照）。

【００３６】単位リードパターン１５は、図４に示すよ
うに、一対の隣り合う横枠１３と、縦枠１１および縦中
枠１２とによって形成される矩形枠１４内に形成されて
いる。前記一方の横枠１３は幅が広くなっている。前記
矩形枠１４の中央には、半導体チップを搭載するための
矩形状の支持板（タブ）４が設けられている。この支持
板４は、前記枠の４隅に張り出した支持片１６から延在
する支持リード（タブ吊りリード）１７に支持されてい
る。

【００３７】一方、前記矩形枠１４の縦枠１１，縦中枠
１２，横枠１３の内側から矩形枠１４の中央に向かって
複数のリード３が延在している。前記リード３は、枠の
各辺ごとに相互に平行となり、一部は途中で折れ曲が
り、先端を前記支持板４の周囲に近接させるパターンと
なっている。また、各辺において、前記リード３は、前
記支持片１６間に亘って設けられた細いダム２０と交差
するパターンとなっている。したがって、各リード３は
前記ダム２０によってその途中を支持されることにな
る。前記ダム２０は、後述するトランスファモールド
時、溶けたレジンの流出を阻止するダムとして作用す
る。また、このダム２０の内側の片持梁状のリード部分
を一般にインナーリードと呼称し、外側の部分をアウタ
ーリードと呼称する。

【００３８】前記支持リード１７は、途中で一段階段状
に折れ曲がっている。この結果、前記支持板４はリード
３よりも一段低くなる（図２参照）。

【００３９】他方、これが本発明の特徴の一つである
が、図５に示すように、リードフレーム１０の底面（裏
面）には、梨地状の凹凸面２１が形成されている。この
凹凸面２１は、点々を施して示すように、樹脂による封
止体（パッケージ）２が形成される封止領域２２に連な
る樹脂が流れる樹脂流路領域２３の表面に設けられてい
る。本実施形態１では、前記樹脂流路領域２３は、途中
で分岐し、それぞれの分岐樹脂流路領域がそれぞれ独立
した封止領域２２に連なるようになっている。前記樹脂
流路領域２３は、幅広の横枠１３部分に設けられてい
る。

【００４０】リードフレーム１０の表面の樹脂流路領域
２３は、前記封止領域２２に樹脂を案内するモールド型
のランナー３４およびゲート３５に対応する注入部２４
と、前記封止領域２２の空気をモールド型の外に排出す
るエアーベントに対応する排出部２５とからなるが、本
実施形態１では、前記凹凸面２１は前記注入部２４およ
び排出部２５に設けられる。

【００４１】前記凹凸面２１は、図７に示すように、そ
の凸部２６の先端および凹部２７の底がそれぞれ丸みを
帯びるように形成され、非先鋭な凹凸面となっている。

【００４２】トランスファモールドによって形成された
樹脂部分３７と、凹凸面２１部分は、その接触界面の面
積は凹凸面故に広くなり、接着力は増大するが、前記凹
凸面２１の凸部２６の先端および凹部２７の底が鋭利と
ならずなだらかになり、相互の食い込み力が小さいこと
から、樹脂部分３７に取り外し（引き剥がし）のための
外力を加えた場合、凹凸部分の斜面の界面部分でリード
フレーム１０と樹脂部分３７間に滑りが生じ易くなり、
樹脂部分３７はリードフレーム１０から剥離し易くな
る。

【００４３】なお、本実施形態１では分岐は１個所であ
るが、複数個所でもよい。その場合、分岐樹脂流路の数
に対応して封止領域２２を配置する必要がある。また、
分岐は１個所であっても分岐は３分岐以上でもよい。そ
して、本発明においては、前記樹脂流路領域２３の長さ
（面積）が長い（大きい）程効果がある。すなわち、樹
脂流路領域２３の長さが長い程、樹脂流路領域２３に張
り付く樹脂部分３７の量も多くなり、除去部分が多くな
る。したがって、多量の樹脂部分３７の割れ，欠けのな
いきれいな除去は困難となるが、本発明のように非先鋭
な凹凸面２１を設け、この凹凸面２１上に樹脂部分３７
を形成するようにすれば、樹脂部分３７を割れ，欠けを
起こすことなく除去できることになる。

【００４４】前記梨地状の凹凸面２１は、リードフレー
ム１０の所望部分を機械的押し潰しによる塑性変形によ
って形成する。たとえば、図６に示すように、プレス機
の上型（ポンチ）４１のプレス面に凹凸面４２を形成し
ておき、プレス機の下型（ダイス）４０と上型４１でリ
ードフレーム１０をコイニングすることによって形成す
る。この場合、前記上型４１のプレス面に設ける凹凸面
４２の凸部の先端および凹部の底はなだらかに形成して
おき、図７に示すような非先鋭な凹凸面２１をリードフ
レーム１０の表面に形成する。

【００４５】リードフレーム１０の縦枠１１には、ガイ
ド孔２８ａ，２８ｂ，２８ｃが設けられている。このガ
イド孔２８，２９は、リードフレーム１０の移送や位置
決め等のガイドとして利用される。なお、前記リードフ
レーム１０は必要に応じて所望個所にメッキが施され
る。

【００４６】つぎに、前記リードフレーム１０に対して
組み立てが行われる。すなわち、リードフレーム１０の
支持板４の主面に所定の接合材等を介して半導体チップ
６が固定される。また、前記半導体チップ６の図示しな
い電極と、対応するリード３の先端とが導電性のワイヤ
７で電気的に接続される。

【００４７】なお、本実施形態１では、支持板４に一つ
の半導体チップ６を固定する例について説明するが、半
導体チップは複数個でもよい。

【００４８】つぎに、組立が終了したリードフレーム１
０を、図１に示すように、トランスファモールド装置の
モールド型３０に型締めした後、樹脂注入を行ってパッ
ケージ２を形成する。換言するならば、リードフレーム
１０をモールド型３０の下型３１上に載置した後、上型
３２を上型３２に重ね合わせて型締めする。これによっ
て、前記支持板４，支持板４に固定された半導体チップ
６，半導体チップ６の電極とリード３の先端を接続する
ワイヤ７，リード３の先端部分は、モールド型３０によ
って形成されるキャビティ３６内に位置する。すなわ
ち、リードフレーム１０の封止領域２２がキャビティ３
６内に位置することになる。

【００４９】また、リードフレーム１０の注入部２４と
なる樹脂流路領域２３に設けられた凹凸面２１はランナ
ー３４およびゲート３５に対面し、排出部２５となる樹
脂流路領域２３に設けられた凹凸面２１はエアーベント
３８に対面する。そこで、ランナー３４を通してキャビ
ティ３６内に溶けた樹脂３９を注入する。前記キャビテ
ィ３６内は溶けた樹脂３９によって充満するとともに、
キャビティ３６内の空気はエアーベント３８からキャビ
ティ３６の外に押し出される。キャビティ３６内に空気
が残留しないように樹脂の充填が行われることから、エ
アーベント３８のキャビティ３６寄りの部分にも溶けた
樹脂３９が到達することになる。

【００５０】モールド後のキュアによって、溶けた樹脂
３９は硬化し、図８および図９に示すように、キャビテ
ィ３６部分（封止領域２２）にはパッケージ２が形成さ
れ、樹脂流路領域２３には樹脂部分３７が形成される。
樹脂部分３７は非先鋭な凹凸面２１上に形成される。

【００５１】つぎに、モールド型３０からリードフレー
ム１０を取り出し、リードフレーム１０の表面に張り付
いている樹脂部分３７を取り外す（引き剥がす）。この
引き剥がしにおいて、前記樹脂部分３７と凹凸面２１部
分は、その接触界面の面積が凹凸面故に広くなることか
ら接着力は増大するが、前記凹凸面２１の凸部２６の先
端および凹部２７の底が鋭利とならずなだらかになり、
相互の食い込み力が小さいことから、樹脂部分３７に引
き剥がしのための外力を加えた場合、凹凸部分の斜面の
界面部分でリードフレーム１０と樹脂部分３７間に滑り
が生じ易くなり、樹脂部分３７はリードフレーム１０か
ら容易にかつ割れや欠けを起こすことなくきれいに剥離
する。したがって、樹脂部分３７の除去の際、樹脂部分
３７が割れたり、欠けたりすることがなく、周囲を汚す
こともなくなる。これは、後述するリードの切断やリー
ド成形時、金型に微細樹脂片が付着して発生するリード
曲がりや金型破損の発生を抑えることになる。

【００５２】つぎに、リードフレーム１０の不要部分が
切断除去される。また、パッケージ２の周囲から突出す
るリード３は成形されてガルウィング型とされる。これ
によって、図２に示すような半導体装置１が製造され
る。

【００５３】本実施形態１の半導体装置の製造方法によ
れば、樹脂流路領域表面を非先鋭な凹凸面２１としたリ
ードフレーム１０を使用して半導体装置１を製造するこ
とから、トランスファモールド時に形成されたリードフ
レーム１０の表面に張り付く樹脂部分３７は、容易にか
つきれいに除去することができる。

【００５４】また、本実施形態１のリードフレームは、
樹脂流路領域２３の表面に形成する非先鋭な凹凸面２１
は、プレスによって形成するため容易かつ安価に製造す
ることができる。

【００５５】また、本実施形態１のリードフレーム１０
は、樹脂流路領域２３の表面が梨地状の凹凸面２１とな
っていることから、リードフレーム１０を順次重ね合わ
せても、上下のリードフレーム間には、密着しない非接
触領域が生じるため、リードフレーム１０を上方から１
枚ずつ掴んで搬送する場合、前記非接触領域の空気がリ
ードフレーム間に広がり易くなり、リードフレーム相互
の張り付きによる２枚重ね現象が起き難くなる。この結
果、リードフレームの１枚搬送が確実となり、搬送故障
が発生し難くなる。

【００５６】なお、前記凹凸面２１を機械的押し潰しに
よって形成する場合、圧延によって形成してもよい。こ
の場合、リードフレーム面全面を凹凸面としてもよい。
リードフレームの全面を凹凸面とした場合、前記リード
フレーム相互の張り付きによる２枚重ね現象はさらに起
き難くなる。圧延では、一対の圧延ローラのうちの一つ
の圧延ローラの表面に非先鋭な凹凸面を形成しておき、
一対の圧延ローラ間をリードフレーム素材を通過させる
だけで非先鋭な凹凸面を有するリードフレーム素材を形
成することができる。そして、リードフレーム素材をパ
ターニングしてリードフレームとする。リードフレーム
素材の状態で圧延によって凹凸面を形成することから、
安価にリードフレームを製造することができる。

【００５７】また、リードフレーム素材表面をショット
ブラストによって非先鋭な凹凸面２１としてもよい。シ
ョットブラストは硬質粒子をリードフレーム素材面に衝
突させて梨地状の凹凸面を形成するため、凹凸面は非先
鋭な凹凸面となる。ショットブラストも加工コストが安
価であることから、リードフレームの製造コストの低減
が可能となる。

【００５８】（実施形態２）図１０（ａ），（ｂ）は、
本発明の他の実施形態（実施形態２）である非先鋭な凹
凸面の形成方法、すなわち、リードフレームの製造方法
を示す説明図である。本実施形態２では、リードフレー
ム１０の表面に非先鋭な凹凸面２１を形成する場合、放
電加工またはレーザ加工によって凹凸面を形成する。放
電加工またはレーザ加工で形成した凹凸面５０は、図１
０（ａ）に示すように、凸部２６の先端および凹部２７
の底が先鋭となる。この状態では、前記凹凸面５０の表
面に樹脂部分３７を形成した場合、樹脂部分３７と凹凸
面５０との接着力が大きくなり、樹脂部分３７を凹凸面
５０から引き剥がす際、樹脂部分３７が割れたり欠けた
りする。また、部分的に凹部２７に樹脂が残留すること
もある。そこで、前記凹凸面５０を非先鋭な凹凸面にす
るため、前記リードフレーム１０をウエットエッチング
する。このエッチング処理によって、前記凹凸面５０の
先鋭な凸部２６および凹部２７は、図１０（ｂ）に示す
ように、凸部２６の先端および凹部２７の底がなだらか
となる凹凸面２１が形成される。

【００５９】（実施形態３）図１１は本発明の他の実施
形態（実施形態３）である混成集積回路構造の半導体装
置を示す断面図、図１２は本実施形態３の混成集積回路
構造の半導体装置の製造に使用されるリードフレームを
示す平面図である。

【００６０】本実施形態３の混成集積回路構造の半導体
装置１は、配線基板を固定したリードフレームを使用し
て製造される。

【００６１】本実施形態２の半導体装置１は、図１１に
示すように、外観的には、前記実施形態１と同様に矩形
偏平状のレジンで形成されるパッケージ２と、このパッ
ケージ２の周囲から突出するガルウィング型の複数のリ
ード３とからなっている。前記パッケージ２の厚さは、
前記実施形態１に比較して厚く、たとえば、２〜３ｍｍ
程度である。

【００６２】本実施形態３の半導体装置１においては、
パッケージ２内に埋め込まれる支持板４は、図１２に示
すように矩形枠形状となっている。そして、この支持板
４の主面に矩形状の配線基板６０が接合材で固定された
構造となっている。

【００６３】配線基板６０は、特に図示はしないが、主
面に配線や電極（パッド）が設けられている。たとえ
ば、半導体チップ６を搭載する部分には固定用パッドが
設けられている。また、チップコンデンサやチップ抵抗
等の受動部品６１を搭載する部分には、前記受動部品６
１の電極が固定されるパッド（電極）が設けられてい
る。また、前記半導体チップ６の周囲には、ワイヤボン
ディング用のパッド（電極）が設けられている。さら
に、配線基板６０の周辺部分には、リード３に接続され
るワイヤ７を接続するためのパッド（電極）が設けられ
ている。

【００６４】図１１では、配線基板６０の主面に２つの
半導体チップ６と１つの受動部品６１が固定された状態
を示す。また、前記半導体チップ６の電極と配線基板６
０のパッド（あるいは配線）は導電性のワイヤ７によっ
て電気的に接続されている。また、配線基板６０の周辺
部分のパッドとパッケージ２内に延在するリード３の先
端は導電性のワイヤ７で接続されている。

【００６５】本実施形態３の混成集積回路構造の半導体
装置１はつぎの方法によって製造される。

【００６６】半導体装置１の製造において、図１２に示
すような配線基板付きリードフレームが用意される。

【００６７】このリードフレーム１０は、平行に延在す
る一対の縦枠１１と、この縦枠１１に直交する方向に相
互に平行となって延在する横枠１３による矩形枠１４内
に単位リードパターン１５が形成された形状となってい
る。矩形枠１４の中央には枠状の支持板４が位置してい
る。この支持板４は、矩形枠１４の４隅の支持片１６か
ら延在する支持リード１７によって支持されている。そ
して、前記支持板４に矩形状の配線基板６０が図示しな
い接合材を介して固定されている。

【００６８】また、前記縦枠１１および横枠１３の内側
から、前記支持板４に向かって延在するリード３が複数
設けられている。これらのリード３は、隣合う支持片１
６間に亘って延在するダム２０によって支持されてい
る。

【００６９】配線基板６０は、特に図示はしないが、前
述のように主面（上面）に配線や電極（パッド）が設け
られている。たとえば、半導体チップ６を搭載する部分
には固定用パッドが設けられ、チップコンデンサやチッ
プ抵抗等の受動部品６１を搭載する部分には前記受動部
品６１の電極が固定されるパッド（電極）が設けられ、
前記半導体チップ６の周囲の面にはワイヤボンディング
用のパッド（電極）が設けられ、配線基板６０の周辺部
分にはリード３に接続されるワイヤ７を接続するための
パッド（電極）が設けられている。

【００７０】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、二点鎖線で示す封止領域２２に連なる樹脂流路領域
２３の表面は、前記実施形態１と同様に非先鋭な凹凸面
２１となっている。同図で凹凸面２１を点々を施して示
す。前記凹凸面２１は、モールド型のランナー３４もゲ
ート３５に対応するリードフレーム面部分（注入部２
４）と、エアーベント３８に対応するリードフレーム面
部分（排出部２５）に設けられている。

【００７１】半導体装置１の組立においては、前記リー
ドフレーム１５の配線基板６０の主面に、常用のボンデ
ィング方法によって複数の半導体チップ６や受動部品６
１が搭載される。図１１では、配線基板６０の主面に２
つの半導体チップ６と１つの受動部品６１が固定された
状態を示す。

【００７２】つぎに、常用のワイヤボンディング方法に
よって、前記半導体チップ６の電極と配線基板６０のパ
ッド（あるいは配線）は導電性のワイヤ７によって電気
的に接続される。また、同様に配線基板６０の周辺部分
のパッドと、前記配線基板６０の周囲に先端を近接させ
るリード３の先端部分が導電性のワイヤ７で接続され
る。

【００７３】つぎに、組立が終了したリードフレーム１
０をトランスファモールド装置のモールド型に型締め
し、モールドを行い、パッケージ２を形成する。

【００７４】つぎに、モールド型からリードフレーム１
０が取り出して、不要な樹脂部分３７を取り外す。つい
で、不要なリードフレーム部分を切断除去するととも
に、成形を行ってパッケージ２から突出するリード３を
ガルウィング型に形成する。これによって、図１１に示
す混成集積回路構造の半導体装置１が製造される。

【００７５】本実施形態３の混成集積回路構造の半導体
装置１は、前記実施形態１による作用効果に加えて、リ
ードフレーム１０には配線基板６０が固定され、この配
線基板６０には半導体チップ６や受動部品６１等の電子
部品が固定されるため、混成集積回路構造の半導体装置
の製造も達成できる。

【００７６】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。すなわ
ち、リードフレーム１０において、封止領域２２に連な
る樹脂流路領域２３の表面を非先鋭な凹凸面２１とする
ならば、封止領域２２の形状，構造は他のものでもよ
い。

【００７７】本発明は少なくともトランスファモールド
技術には適用できる。

【００７８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００７９】（１）樹脂流路内で硬化してリードフレー
ム面に張り付いた樹脂部分は、非先鋭な凹凸面に形成さ
れるため、前記樹脂部分を取り外す際、樹脂部分に外力
をくわえた場合、凹凸面の斜面部分で容易に滑りが生
じ、樹脂部分はリードフレームから剥離し易くなる。

【００８０】（２）リードフレームの樹脂流路領域の表
面に形成される非先鋭な凹凸面は、プレスや圧延によっ
て形成することから、製造コストが安価になる。

【００８１】（３）製造コストの安価なリードフレーム
の使用によって半導体装置の製造コストの低減が達成で
きる。

【００８２】（４）リードフレームの一面には凹凸面が
形成されていることから、リードフレームを順次重ね合
わせても、上下のリードフレーム間には、密着しない非
接触領域が生じるため、リードフレームを上方から１枚
ずつ掴んで搬送する場合、前記非接触領域の空気がリー
ドフレーム間に広がり易くなり、リードフレーム相互の
張り付きによる２枚重ね現象が起き難くなる。この結
果、リードフレームの１枚搬送が確実となり、搬送故障
が発生し難くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置の製造におけるトランスファモールド状態を示す
断面図である。

【図２】本実施形態１の半導体装置を示す断面図であ
る。

【図３】本実施形態１の半導体装置の製造におけるモー
ルドされた下型上のリードフレームを示す一部の模式的
平面図である。

【図４】本実施形態１で使用するリードフレームの一部
を示す平面図である。

【図５】本実施形態１で使用するリードフレームの一部
を示す底面図である。

【図６】本実施形態１で使用するリードフレームに設け
られる凹凸面の形成状態を示す模式的断面図である。

【図７】リードフレームの凹凸面部分の断面状態を示す
模式的断面図である。

【図８】本実施形態１の半導体装置の製造において、封
止体が形成されたリードフレームの一部を示す平面図で
ある。

【図９】本実施形態１の半導体装置の製造において、封
止体が形成されたリードフレームの一部を示す底面図で
ある。

【図１０】本発明の他の実施形態（実施形態２）である
凹凸面をリードフレーム面に形成する方法を示す模式図
である。

【図１１】本発明の他の実施形態（実施形態３）である
混成集積回路構造の半導体装置を示す断面図である。

【図１２】本実施形態３の混成集積回路構造の半導体装
置の製造に使用されるリードフレームを示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード、４…支
持板、６…半導体チップ、７…ワイヤ、１０…リードフ
レーム、１１…縦枠、１２…縦中枠、１３…横枠、１４
…矩形枠、１５…単位リードパターン、１６…支持片、
１７…支持リード、２０…ダム、２１…凹凸面、２２…
封止領域、２３…樹脂流路領域、２４…注入部、２５…
排出部、２６…凸部、２７…凹部、２８ａ，２８ｂ，２
８ｃ…ガイド孔、３０…モールド型、３１…下型、３２
…上型、３３…カル、３４…ランナー、３５…ゲート、
３６…キャビティ、３７…樹脂部分、３８…エアーベン
ト、３９…溶けた樹脂、４０…下型、４１…上型、４２
…凹凸面、５０…凹凸面、６０…配線基板、６１…受動
部品。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂による封止体が形成される封止領域
および前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路領域
を有するリードフレームを用意する工程と、前記封止領
域に対して組み立てを行う工程と、トランスファモール
ド装置のモールド型に前記リードフレームを型締めして
前記封止体を形成する工程と、前記モールド型からリー
ドフレームを取り外し前記樹脂流路領域に形成された樹
脂部分を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法
であって、前記封止工程前に、前記リードフレームの前
記樹脂流路領域の表面または前記樹脂流路領域の表面と
他の領域面の一部または全部を非先鋭な凹凸面に形成
し、その後封止を行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項２】支持板および前記支持板に向かって延在
する複数のリードを少なくとも有するリードフレームを
用意する工程と、前記支持板上に半導体チップを固定す
る工程と、前記半導体チップの電極と前記リードを電気
的に接続する工程と、トランスファモールド装置のモー
ルド型に前記リードフレームを型締めして封止体を形成
する工程とを有することを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項３】配線基板および前記配線基板に向かって
延在する複数のリードを少なくとも有するリードフレー
ムを用意する工程と、前記配線基板上に半導体チップや
受動部品等の電子部品を固定する工程と、前記電子部品
の電極および配線基板の配線ならびに前記リードの所定
部分間を電気的に接続する工程と、トランスファモール
ド装置のモールド型に前記リードフレームを型締めして
封止体を形成する工程とを有することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記トランスファモールドにおいて、前
記リードフレーム面上を流れる樹脂を途中で複数に分岐
させて相互に異なる封止領域に導いて封止を行うことを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項５】樹脂による封止体が形成される封止領域
および前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路領域
を有するリードフレームであって、前記樹脂流路領域の
表面または前記樹脂流路領域の表面と他の領域面の一部
または全部は非先鋭な凹凸面になっていることを特徴と
するリードフレーム。
【請求項６】前記樹脂流路領域は途中で複数に分岐し
それぞれの分岐樹脂流路領域が相互に異なる封止領域に
連なっていることを特徴とする請求項５記載のリードフ
レーム。
【請求項７】樹脂による封止体が形成される封止領域
と、前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路領域と
を有し、前記樹脂流路領域の表面または前記樹脂流路領
域の表面と他の領域面の一部または全部が非先鋭な凹凸
面になっていることを特徴とするリードフレームの製造
方法であって、前記凹凸面は機械的押し潰しによる塑性
変形によって形成することを特徴とするリードフレーム
の製造方法。
【請求項８】樹脂による封止体が形成される封止領域
と、前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路領域と
を有し、前記樹脂流路領域の表面または前記樹脂流路領
域の表面と他の領域面の一部または全部が非先鋭な凹凸
面になっていることを特徴とするリードフレームの製造
方法であって、前記凹凸面は、放電加工またはレーザ加
工を行った後エッチング加工することによって形成する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項９】樹脂による封止体が形成される封止領域
と、前記封止領域に連なる樹脂が流れる樹脂流路領域と
を有し、前記樹脂流路領域の表面または前記樹脂流路領
域の表面と他の領域面の一部または全部が非先鋭な凹凸
面になっていることを特徴とするリードフレームの製造
方法であって、前記凹凸面は、ショットブラストによっ
て形成することを特徴とするリードフレームの製造方
法。