JPH0821662B2 - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPH0821662B2 JPH0821662B2 JP1025587A JP1025587A JPH0821662B2 JP H0821662 B2 JPH0821662 B2 JP H0821662B2 JP 1025587 A JP1025587 A JP 1025587A JP 1025587 A JP1025587 A JP 1025587A JP H0821662 B2 JPH0821662 B2 JP H0821662B2
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- Japan
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- tab
- lead
- semiconductor device
- lead frame
- mold
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームに関し、半導体
装置等を搭載して樹脂封止する半導体装置用リードフレ
ームに関する。
装置等を搭載して樹脂封止する半導体装置用リードフレ
ームに関する。
従来のかかる半導体装置用リードフレームはFe−Ni合
金あるいはcu系合金からなる板材をプレス加工もしくは
エッチング加工により所定の形状とし、接続用リードの
先端部のみを貴金属めっきし、これらを樹脂封止した構
造になっている。
金あるいはcu系合金からなる板材をプレス加工もしくは
エッチング加工により所定の形状とし、接続用リードの
先端部のみを貴金属めっきし、これらを樹脂封止した構
造になっている。
第３図はかかる従来の一例を示すリードフレームの上
面図である。
面図である。
第３図に示すように、リードフレーム１は半導体素子
を搭載するためのタブ２とこのタブ２を支持するための
タブリード３と前記半導体素子を電気的に外部に導出す
るための接続用リード４とを有している。この接続用リ
ード４と前記半導体素子は通常Au等のワイヤによって接
続されるが、前記Auワイヤとリードとの接続性を良くす
るため、Au,Ag等の貴金属めっきが行なわれる。６はこ
れらリードの先端に貴金属めっきされた貴金属めっき領
域である。かかる貴金属めっきの形成後、ボンディング
接続等を経て樹脂封止が行われモールド領域８までモー
ルドが施される。このとき、アンカーホール９に前記樹
脂が流れこみ、各リードを保護した半導体装置が形成さ
れる。
を搭載するためのタブ２とこのタブ２を支持するための
タブリード３と前記半導体素子を電気的に外部に導出す
るための接続用リード４とを有している。この接続用リ
ード４と前記半導体素子は通常Au等のワイヤによって接
続されるが、前記Auワイヤとリードとの接続性を良くす
るため、Au,Ag等の貴金属めっきが行なわれる。６はこ
れらリードの先端に貴金属めっきされた貴金属めっき領
域である。かかる貴金属めっきの形成後、ボンディング
接続等を経て樹脂封止が行われモールド領域８までモー
ルドが施される。このとき、アンカーホール９に前記樹
脂が流れこみ、各リードを保護した半導体装置が形成さ
れる。
また、前記板材と前記封止樹脂との熱膨張係数の差、
およびモールド封止時の収縮差の剪断力による隙間の発
生を樹脂とリードフレームとの密着性を向上させて防止
するため、Alをクラッドする方法も行われている。Alの
密着性の良い理由はAlが酸化し表面層がAl2O3となって
おり、、そのAl2O3とモールド樹脂との密着性が良いた
めである。
およびモールド封止時の収縮差の剪断力による隙間の発
生を樹脂とリードフレームとの密着性を向上させて防止
するため、Alをクラッドする方法も行われている。Alの
密着性の良い理由はAlが酸化し表面層がAl2O3となって
おり、、そのAl2O3とモールド樹脂との密着性が良いた
めである。
上述した従来のモールド封止型半導体装置用リードフ
レームにおいて、Ag,Au等の貴金属めっきを施した場合
でも、熱膨張係数差（例えば、エポキシ樹脂:24×10-6/
℃，鉄−ニッケル42％合金:5.0×10-6/℃）によるモー
ルド封止時の収縮差の剪断力により、Au,Agの貴金属と
モールド樹脂との密着性が弱く隙間を生ずるため、水分
が半導体装置の内部に浸入し易くなり耐湿性の面で劣る
という欠点を有していた。
レームにおいて、Ag,Au等の貴金属めっきを施した場合
でも、熱膨張係数差（例えば、エポキシ樹脂:24×10-6/
℃，鉄−ニッケル42％合金:5.0×10-6/℃）によるモー
ルド封止時の収縮差の剪断力により、Au,Agの貴金属と
モールド樹脂との密着性が弱く隙間を生ずるため、水分
が半導体装置の内部に浸入し易くなり耐湿性の面で劣る
という欠点を有していた。
また、従来のAlをクラッドした半導体装置用リードフ
レームにおいては、半導体装置が使用される熱環境によ
りボンディング用Au線とAlとの間の金属間化合物が形成
され易く且つ断線が生じ易いという欠点を有していた。
また、Alを薄く（0.5〜1.5μｍ）付けた場合、Fe−Ni合
金またはCu系合金からなる下地が半導体装置の組立（素
子マウント,Auワイヤボンディング）工程における加熱
拡散によりAl表面に表われて酸化され、著しくAuボンデ
ィング性を損うという欠点を有している。また一方、Al
が厚い場合は、Al表面で安定なAl2O3が出来るため酸化
は進まず、ボンディング性を損うことは一応解決され
る。しかしながら、この場合は前述のとおり、Au−Al金
属間化合物が形成され易くボンディング条件（特に温
度）の制約を受けるという欠点を有している。
レームにおいては、半導体装置が使用される熱環境によ
りボンディング用Au線とAlとの間の金属間化合物が形成
され易く且つ断線が生じ易いという欠点を有していた。
また、Alを薄く（0.5〜1.5μｍ）付けた場合、Fe−Ni合
金またはCu系合金からなる下地が半導体装置の組立（素
子マウント,Auワイヤボンディング）工程における加熱
拡散によりAl表面に表われて酸化され、著しくAuボンデ
ィング性を損うという欠点を有している。また一方、Al
が厚い場合は、Al表面で安定なAl2O3が出来るため酸化
は進まず、ボンディング性を損うことは一応解決され
る。しかしながら、この場合は前述のとおり、Au−Al金
属間化合物が形成され易くボンディング条件（特に温
度）の制約を受けるという欠点を有している。
本発明の目的は、従来のモールド封止用樹脂とリード
フレーム間に隙間を発生させず耐湿性に優れ、且つ半導
体装置の組立作業性（特に、Auボンディング性）が良好
で金属間化合物形成による断線が生じない半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
フレーム間に隙間を発生させず耐湿性に優れ、且つ半導
体装置の組立作業性（特に、Auボンディング性）が良好
で金属間化合物形成による断線が生じない半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
本発明は、半導体素子を搭載するタブと、前記タブを
両側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体素
子を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを有
し且つこれらを含むようにモールド掛止する半導体装置
用のリードフレームにおいて、前記タブ寄りの前記接続
用リードの先端部の外周囲面の一部領域および前記タブ
寄りの前記タブリードの前記タブを支持する側の先端部
の外周囲面の一部領域に貴金属めっきを施し、且つ前記
貴金属めっきを施した前記領域を含んだモールド領域内
の前記タブリードおよび前記接続用リードの外周囲面の
全領域にAlまたはAl2O3膜を形成して構成される。
両側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体素
子を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを有
し且つこれらを含むようにモールド掛止する半導体装置
用のリードフレームにおいて、前記タブ寄りの前記接続
用リードの先端部の外周囲面の一部領域および前記タブ
寄りの前記タブリードの前記タブを支持する側の先端部
の外周囲面の一部領域に貴金属めっきを施し、且つ前記
貴金属めっきを施した前記領域を含んだモールド領域内
の前記タブリードおよび前記接続用リードの外周囲面の
全領域にAlまたはAl2O3膜を形成して構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの上
面図である。
面図である。
第１図に示すように、リードフレーム１は従来のリー
ドフレームと同様にFe−Ni合金,Cu系合金等からなる材
質で構成されたフレームである。このフレーム１は中央
に形成しIC素子等を搭載するタブ２と、このタブ２の両
側に接続されたタブリード３と、端子用リード４とを有
する。このタブリード３および端子用リード４のタブ側
先端部５には、厚さ1.5〜10μｍのAgめっきを施し、Ag
めっき領域６を形成する。また、前記リードのタブ側先
端部５を含むモールド領域８内にAl又はAl2O3を厚さ０
＜ｘ≦1.5μｍの範囲になるよう蒸着法あるいはスパッ
タ法等により被着され、AlもしくはAl2O3領域７を形成
する。かかるリードフレームは最終的にはモールド領域
８のところまで樹脂封止が行われる。尚、９はアンカー
ホールである。
ドフレームと同様にFe−Ni合金,Cu系合金等からなる材
質で構成されたフレームである。このフレーム１は中央
に形成しIC素子等を搭載するタブ２と、このタブ２の両
側に接続されたタブリード３と、端子用リード４とを有
する。このタブリード３および端子用リード４のタブ側
先端部５には、厚さ1.5〜10μｍのAgめっきを施し、Ag
めっき領域６を形成する。また、前記リードのタブ側先
端部５を含むモールド領域８内にAl又はAl2O3を厚さ０
＜ｘ≦1.5μｍの範囲になるよう蒸着法あるいはスパッ
タ法等により被着され、AlもしくはAl2O3領域７を形成
する。かかるリードフレームは最終的にはモールド領域
８のところまで樹脂封止が行われる。尚、９はアンカー
ホールである。
第２図は第１図に示すリードフレームのＹ−Ｙ′縦断
面図である。
面図である。
第２図に示すように、リードフレームの中央に一段と
低く形成されるタブ２はタブリード３によって支持さ
れ、また中央に向かうように接続用リード４が形成され
る。この接続用リード４はタブ側リード先端部５の表面
にAgめっきが施され、それらの上にAlもしくはAl2O3膜
７が形成される。尚、９は前述したように、接続用リー
ド４に形成されたアンカーホールであり、このアンカー
ホール９は樹脂封止したあと、各接続用リード４を固定
する役目も有している。
低く形成されるタブ２はタブリード３によって支持さ
れ、また中央に向かうように接続用リード４が形成され
る。この接続用リード４はタブ側リード先端部５の表面
にAgめっきが施され、それらの上にAlもしくはAl2O3膜
７が形成される。尚、９は前述したように、接続用リー
ド４に形成されたアンカーホールであり、このアンカー
ホール９は樹脂封止したあと、各接続用リード４を固定
する役目も有している。
かかるリードフレームにおいて、Agめっき６はFe−Ni
合金等のフレーム１との密着性を良くするために、Cuス
トライクめっきあるいはAuストライクめっきを下地めっ
きとして施した方がよい。
合金等のフレーム１との密着性を良くするために、Cuス
トライクめっきあるいはAuストライクめっきを下地めっ
きとして施した方がよい。
また、前述したAlまたはAl2O3膜７はモールド領域８
の範囲内ではできるだけ広く付いた方がよいが、モール
ド領域８以外の個所では付いても付かなくてどちらでも
よい。
の範囲内ではできるだけ広く付いた方がよいが、モール
ド領域８以外の個所では付いても付かなくてどちらでも
よい。
以上説明したように、本発明の半導体装置用リードフ
レームにおいては、Al又はAl2O3をAgめっき領域を含む
モールド領域内に施すことにより、モールド封止用樹脂
との密着性が良くなるので、モールド封止樹脂とリード
フレーム間での隙間を生じることなく耐湿性の優れたフ
レームを得られる効果がある。更に、Al又はAl2O3厚を
1.5μｍ以下と薄くしているので、Au線のボンディング
ワイヤはAgめっきと拡散反応によりAu−Ag−Al3元合金
として接続されるか、又はAu線とAgめっきとが直接接続
され、Au−Al金属間化合物による断線を防止することが
できる効果がある。
レームにおいては、Al又はAl2O3をAgめっき領域を含む
モールド領域内に施すことにより、モールド封止用樹脂
との密着性が良くなるので、モールド封止樹脂とリード
フレーム間での隙間を生じることなく耐湿性の優れたフ
レームを得られる効果がある。更に、Al又はAl2O3厚を
1.5μｍ以下と薄くしているので、Au線のボンディング
ワイヤはAgめっきと拡散反応によりAu−Ag−Al3元合金
として接続されるか、又はAu線とAgめっきとが直接接続
され、Au−Al金属間化合物による断線を防止することが
できる効果がある。
尚、ボンデイング接合性は、Agめっきが施されている
ので、組立条件による熱拡散が生じても酸化され難く、
Au線の接合性を悪くさせることはない。
ので、組立条件による熱拡散が生じても酸化され難く、
Au線の接合性を悪くさせることはない。
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの上面
図、第２図は第１図におけるＹ−Ｙ′線の縦断面図、第
３図は従来の一例を示すリードフレームの上面図であ
る。 １……リードフレーム、２……タブ、３……タブリー
ド、４……接続用リード、５……タブ側リード先端部、
６……Agめっき領域、７……AlもしくはAl2O3領域、８
……モールド領域。
図、第２図は第１図におけるＹ−Ｙ′線の縦断面図、第
３図は従来の一例を示すリードフレームの上面図であ
る。 １……リードフレーム、２……タブ、３……タブリー
ド、４……接続用リード、５……タブ側リード先端部、
６……Agめっき領域、７……AlもしくはAl2O3領域、８
……モールド領域。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子を搭載するとタブと、前記タブ
を両側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体
素子を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを
有し且つこれらを含むようにモールド封止する半導体装
置用リードフレームにおいて、前記タブ寄りの前記接続
用リードの先端部の外周囲面の一部領域および前記タブ
寄りの前記タブリードの前記タブを支持する側の先端部
の外周囲面の一部領域に貴金属めっきを施し、且つ前記
貴金属めっきを施した前記領域を含んだモールド領域内
の前記タブリードおよび前記接続用リードの外周囲面の
全領域にAlまたはAl2O3膜を形成したことを特徴とする
半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】AlまたはAl2O3膜の膜厚を０＜ｘ≦1.5μｍ
になるようにした特許請求範囲第１項記載の半導体装置
用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025587A JPH0821662B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025587A JPH0821662B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177543A JPS63177543A (ja) | 1988-07-21 |
| JPH0821662B2 true JPH0821662B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=11745209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025587A Expired - Fee Related JPH0821662B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821662B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920007132A (ko) * | 1990-09-24 | 1992-04-28 | 엔. 라이스 머레트 | 집적회로용 절연리드 프레임 및 그의 제조방법 |
| KR960006970B1 (ko) * | 1993-05-03 | 1996-05-25 | 삼성전자주식회사 | 필름 캐리어 및 그 제조방법 |
| CA2232843C (en) * | 1997-03-25 | 2002-03-12 | Koichi Haruta | Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package |
| WO1999043032A2 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement mit strukturiertem leadframe und verfahren zu dessen herstellung |
| KR100299697B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2001-09-06 | 김 무 | 니켈-철합금 베이스를 갖는 리드프레임 모재 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP1025587A patent/JPH0821662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63177543A (ja) | 1988-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |