JPS63177543A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームに関し、半導体装
置等を搭載して樹脂封止する半導体装置用リードフレー
ムに関する。

〔従来の技術〕

従来のかかる半導体装置用リードフレームはＦｅ−Ｎｉ
合金あるいはＣｕ系合金からなる板材をプレス加工もし
くはエツチング加工により所定の形状とし、接続用リー
ドの先端部のみを貴金属めっきし、これらを樹脂封止し
た構造になっている。

第３図はかかる従来の一例を示すリードフレームの上面
図である。

第３図に示すように、リードフレーム１は半導体素子を
搭載するためのタブ２とこのタブ２を支持するためのタ
ブリード３と前記半導体素子を電気的に外部に導出する
ための接続用リード４とを有している。この接続用リー
ド４と前記半導体素子は通常Ａｕ等のワイヤによって接
続されるが、前記入〇ワイヤとリードとの接続性を良く
するため、＾ｕ、Ａ４等の貴金属めっきが行なわれる。

６はこれらリードの先端に貴金属めっきされた貴金属め
っき領域である。かかる貴金属めっきの形成後、ポンデ
ィ、ング接続等を経て樹脂封止が行われモールド領域８
までモールドが施される。このとき、アンカーホール９
に前記樹脂が流れこみ、各リードを保護した半導体装置
が形成される。

また、前記板材と前記封止樹脂との熱膨張係数の差、お
よびモールド封止時の収縮差の剪断力による隙間の発生
を樹脂とリードフレームとの密着性を向上させて防止す
るため、Ａｆｆをクラッドする方法も行われている。Ａ
ｆｆの密着性の良い理由はＡｅが酸化し表面層が＾１！
２０３となっており、その人！！２０３とモールド樹脂
との密着性が良いためである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のモールド封止型半導体装置用リードフレ
ームにおいて、＾ｇ、＾Ｕ等の貴金属めっきを施した場
合でも、熱膨張係数差（例えば、エポキシ樹脂：　２４
Ｘ１０−ｂ／℃、鉄−ニッケル４２％合金：　５．ＯＸ
　１０−６／℃）によるモールド封止時の収縮差の剪断
力により、Ａｕ、八ｇの貴金属とモールド樹脂との密着
性が弱く隙間を生ずるため、水分が半導体装置の内部に
浸入し易くなり耐湿性の面で劣るという欠点を有してい
た。

また、従来のＡｅをクラッドした半導体装置用リードフ
レームにおいては、半導体装置が使用される熱環境によ
りボンディング用Ａｕ線とＡＩ！どの間の金属間化合物
が形成され易く且つ断線が生じ易いという欠点を有して
いた。また、Ａｇを薄く（０，５〜１．５　μｍ　）付
けた場合、Ｆｅ−Ｎｉ合金またはＣｕ系合金からなる下
地が半導体装置の組立（素子マウンｌ”、Ａｕワイヤボ
ンディング）工程における加熱拡散によりへ１表面に表
われて酸化され、著しくＡｕボンディング性を損うとい
う欠点を有している。また一方、人ｆｆが厚い場合は、
１７表面で安定なＡｊ？２０．が出来るため酸化は進ま
ず、ボンディング性を損うことは一応解決される。しか
しながら、この場合は前述のとおり、＾ｕ−Ａｆ金属間
化合物が形成され易くボンディング条件（特に温度）の
制約を受けるという欠点を有している。

本発明の目的は、従来のモールド封止用樹脂とリードフ
レーム間に隙間を発生させず耐湿性に優れ、且つ半導体
装置の組立作業性（特に、Ａｕボンディング性）が良好
で金属間化合物形成による断線が生じない半導体装置用
リードフレームを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、半導体素子を搭載するタブと、このタブを両
側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体素子
を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを有し
且つこれらを含むようにモールド封止する半導体素子用
リードフレームにおいて、少なくとも前記接続用リード
の前記タブ側先端部に貴金属めっきを施し、且つ前記貴
金属めっきを施した領域を含むモールド領域内の前記タ
ブリードおよび前記接続用リードの表面および裏面に人
！またはＡＪＩ’２０３膜を形成するように構成される
。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面分参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示すり′−ドフレームの上
面図である。

第１図に示すように、リードフレーム１は従来のリード
フレームと同様にＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ系合金等からな
る材質で構成されたフレームである。このフレーム１は
中央に形成し■ｃ素子等を搭載するタブ２と、このタブ
２の両側に接続されたタブリード３と、端子用リード４
とを有する。このタブリード３および端子用リード４の
タブ側先端部５には、厚さ１．５〜１０μｍのＡｇめっ
きを施し、Ａｇめっき領域６を形成する。また、前記リ
ードのタブ側先端部５を含むモールド領域８内にＡｌ２
又はＡｇ２０３を厚さＯ（ｘ≦１．５μｍの範囲になる
よう蒸着法あるいはスパッタ法等により被着させ、八！
もしくは＾１２ｏ３領域７を形成する。がかるリードフ
レームは最終的にはモールド領域８のところまで樹脂封
止が行われる。尚、９はアンカーホールである。

第２図は第１図に示すリードフレームのＹ−Ｙ′縦断面
図である。

第２図に示すように、リードフレームの中央に一段と低
く形成されるタブ２はタブリード３によって支持され、
また中央に向かうように接続用リード４が形成される。

この接続用リード４はタブ側リード先端部５の表面にＡ
ｇめつきが施され、それらの上にｋｅもしくはＡｅ２０
３膜７が形成される。尚、９は前述したように、接続用
リード４に形成さ紛たアンカーホールであり、このアン
カーホール９は樹脂封止したあと、各接続用り−ド４を
固定する役目も有している。

かかるリードフレームにおいて、Ａｇめつき６はＦｅ−
Ｎｉ合金等のフレーム１との密着性を良くするために、
ＣｏストライクめつきあるいはＡｕストライクめっきを
下地めっきとして施した方がよい。

また、前述したｌ’または入ｅ２０３膜６はモールド領
域８の範囲内ではできるだけ広く付いた方がよいが、モ
ールド領域８以外の個所では付いても付かなくてどちら
でもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の半導体装置用リードフレ
ームにおいては、Ａｆｆ又はＡｅ□０．をＡｇめっき領
域を含むモールド領域内に施すことにより、モールド封
止用樹脂との密着性が良くなるので、モールド封止樹脂
とリードフレーム間での隙間を生じることなく耐湿性の
優れたフレームを得られる効果がある。更に、Ａｆ又は
ｋｅ２０３厚を１．５μｍ以下と薄くしているので、Ａ
ｕ線のボンディングワイヤはＡｇめっきと拡散反応によ
りＡｕ　−Ａｇ−Ａｅ３元合金として接続されるか、又
はＡｕ線とｋｇめっきとが直接接続され、Ａｕ−ｋｌ金
属間化合物による断線を防止することができる効果があ
る。

尚、ボンディング接合性は、Ａｇめっきが施されている
ので、組立条件による熱拡散が生じても酸化され難（、
Ａｕ線の接合性を悪くさせることはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの上面
図、第２図は第１図におけるＹ−Ｙ’線の縦断面図、第
３図は従来の一例を示すリードフレームの上面図である
。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・タブ
リード、４・・・接続用リード、５・・・タブ側リード
先端部６・・・Ａｇめっき領域、７・・・八ｌもしくは
Ａｆｆ２０．領域、８・・・モールド領域。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子を搭載するタブと、このタブを両側より
   支持するタブリードと、搭載する前記半導体素子を電気
   的に外部へ導出するための接続用リードとを有し且つこ
   れらを含むようにモールド封止する半導体素子用リード
   フレームにおいて、少なくとも前記接続用リードの前記
   タブ側先端部に貴金属めっきを施し、且つ前記貴金属め
   っきを施した領域を含むモールド領域内の前記タブリー
   ドおよび前記接続用リードの表面および裏面にＡｌまた
   はＡｌ＿２Ｏ＿３膜を形成したことを特徴とする半導体
   装置用リードフレーム。 ２、ＡｌまたはＡｌ＿２Ｏ＿３膜の膜厚を０＜ｘ≦１．
   ５μｍになるようにした特許請求の範囲第１項記載の半
   導体装置用リードフレーム。