JPH07153866A - セラミック回路基板 - Google Patents
セラミック回路基板Info
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- JPH07153866A JPH07153866A JP5295642A JP29564293A JPH07153866A JP H07153866 A JPH07153866 A JP H07153866A JP 5295642 A JP5295642 A JP 5295642A JP 29564293 A JP29564293 A JP 29564293A JP H07153866 A JPH07153866 A JP H07153866A
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- circuit board
- bonding
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 Ａｇを主成分とする被膜が施されてなるＣｕ
を主成分とする導体とセラミック体とが接合してなるセ
ラミック回路基板。 【効果】 １．酸化雰囲気においても導体の主成分であ
るＣｕが酸化されない。 ２．Ａｇを主成分とする被膜部に、ワイヤボンディング
を行うとき或いはガラスによる封止をおこなうとき、４
５０℃以下の温度領域においても、ボンディング部の接
合強度及び電気抵抗値は好適な値であって、半導体素子
を搭載するセラミック回路基板として有用である。 ３．Ｃｕを主成分とする導体に直接ワイヤボンディング
した場合に生じていたＣｕとワイヤ成分、例えばＡｌと
の金属間化合物の発生を防止することができる。
を主成分とする導体とセラミック体とが接合してなるセ
ラミック回路基板。 【効果】 １．酸化雰囲気においても導体の主成分であ
るＣｕが酸化されない。 ２．Ａｇを主成分とする被膜部に、ワイヤボンディング
を行うとき或いはガラスによる封止をおこなうとき、４
５０℃以下の温度領域においても、ボンディング部の接
合強度及び電気抵抗値は好適な値であって、半導体素子
を搭載するセラミック回路基板として有用である。 ３．Ｃｕを主成分とする導体に直接ワイヤボンディング
した場合に生じていたＣｕとワイヤ成分、例えばＡｌと
の金属間化合物の発生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃｕを主成分とする導
体とセラミック体とが接合してなるセラミック回路基板
に関する。より詳しくは、ワイヤボンディングを好適に
行いうるセラミック回路基板に関する。
体とセラミック体とが接合してなるセラミック回路基板
に関する。より詳しくは、ワイヤボンディングを好適に
行いうるセラミック回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック回路基板の導体として、従
来、Ｗを主成分とするものが広く用いられている。そし
て、このＷを主成分とする導体の表面に、目的に応じ
て、更に他の金属成分からなる鍍金を施す、例えばＷを
主成分とする導体の表面にＮｉメッキを施し、ろう材に
て金属ピンを接合した後、更に表面にＮｉ、Ａｕを順次
鍍金することも知られている。
来、Ｗを主成分とするものが広く用いられている。そし
て、このＷを主成分とする導体の表面に、目的に応じ
て、更に他の金属成分からなる鍍金を施す、例えばＷを
主成分とする導体の表面にＮｉメッキを施し、ろう材に
て金属ピンを接合した後、更に表面にＮｉ、Ａｕを順次
鍍金することも知られている。
【０００３】しかしながら、上記したＷを主成分とする
導体が接合した従来のセラミック回路基板には、超高周
波帯での信号の伝搬損失が大きいという問題点がある。
この原因として、Ｗの抵抗が高いということが挙げられ
る。また、前記したように、導体としてＷを主成分とす
るものを使用すると、製造コストも高くなる。
導体が接合した従来のセラミック回路基板には、超高周
波帯での信号の伝搬損失が大きいという問題点がある。
この原因として、Ｗの抵抗が高いということが挙げられ
る。また、前記したように、導体としてＷを主成分とす
るものを使用すると、製造コストも高くなる。
【０００４】そこで、セラミック回路基板の配線抵抗を
小さくするため、もしくは超高周波帯での信号の伝搬損
失を少なくするため、導体として、比抵抗がＷの１／５
〜１／４であるＣｕを主成分とする導体を用いることが
知られている。
小さくするため、もしくは超高周波帯での信号の伝搬損
失を少なくするため、導体として、比抵抗がＷの１／５
〜１／４であるＣｕを主成分とする導体を用いることが
知られている。
【０００５】このように導体としてＣｕを主成分とする
ものを用いる場合においても、半導体素子とＣｕを主成
分とする導体とは、直接ワイヤボンディングにより電気
的に接続される。
ものを用いる場合においても、半導体素子とＣｕを主成
分とする導体とは、直接ワイヤボンディングにより電気
的に接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子とＣｕを主成分とする導体とを直接ワイヤボンディ
ングにより電気的に接続する場合、その前後に酸化雰囲
気中の熱処理工程が入る場合は、導体の主成分であるＣ
ｕがＯ2 と反応して脆い酸化物を形成しやすいことによ
る問題が発生する。即ち、例えば酸化雰囲気中、４３０
℃〜４８０℃程度の加熱を必要とするガラス封止タイプ
のパッケージを製造する場合、該セラミック回路基板の
導体として銅を主成分とするものを用いると、ボンディ
ング引張強度の低下、及びボンディング部の電気抵抗値
の上昇が起こる。従って、ガラス封止タイプのパッケー
ジのセラミック回路基板として、Ｃｕを主成分とする導
体が接合されてなるものを使用することはできなかっ
た。
素子とＣｕを主成分とする導体とを直接ワイヤボンディ
ングにより電気的に接続する場合、その前後に酸化雰囲
気中の熱処理工程が入る場合は、導体の主成分であるＣ
ｕがＯ2 と反応して脆い酸化物を形成しやすいことによ
る問題が発生する。即ち、例えば酸化雰囲気中、４３０
℃〜４８０℃程度の加熱を必要とするガラス封止タイプ
のパッケージを製造する場合、該セラミック回路基板の
導体として銅を主成分とするものを用いると、ボンディ
ング引張強度の低下、及びボンディング部の電気抵抗値
の上昇が起こる。従って、ガラス封止タイプのパッケー
ジのセラミック回路基板として、Ｃｕを主成分とする導
体が接合されてなるものを使用することはできなかっ
た。
【０００７】そこで、セラミック回路基板の導体として
Ｃｕを主成分とするものを使用したパッケージの封止
は、比較的低融点（１８０℃〜３００℃）であり、非酸
化雰囲気中で封止を行いうる金属系の封止剤、Ｐｂ−Ｓ
ｎ系封止剤、Ａｕ−Ｓｎ系封止剤等を使用して行われ
る。
Ｃｕを主成分とするものを使用したパッケージの封止
は、比較的低融点（１８０℃〜３００℃）であり、非酸
化雰囲気中で封止を行いうる金属系の封止剤、Ｐｂ−Ｓ
ｎ系封止剤、Ａｕ−Ｓｎ系封止剤等を使用して行われ
る。
【０００８】ところが、上記した金属系の封止剤を用い
る場合、セラミック体と封止剤との濡れ性が悪いため
に、セラミック体と封止剤とを直接接合させることがで
きない。そのため、金属系の封止剤による封止の前に、
予めセラミック体の表面上に、メタライズ層を同時焼成
法、蒸着法、スパッタ法等を採用して形成しなければな
らなかった。
る場合、セラミック体と封止剤との濡れ性が悪いため
に、セラミック体と封止剤とを直接接合させることがで
きない。そのため、金属系の封止剤による封止の前に、
予めセラミック体の表面上に、メタライズ層を同時焼成
法、蒸着法、スパッタ法等を採用して形成しなければな
らなかった。
【０００９】このほか、Ｃｕを主成分とする導体に直接
ワイヤボンディングされるワイヤとして、耐酸化性の良
好なＡｌを主成分とするワイヤを使用した場合、封止に
際しての加熱により、ＣｕとＡｌとの金属間化合物が生
成しやすくなり、ボンディング引張強度の経時的低下、
又はボンディング部の電気抵抗値の経時的上昇が起こる
ことが少なくないという問題がある。
ワイヤボンディングされるワイヤとして、耐酸化性の良
好なＡｌを主成分とするワイヤを使用した場合、封止に
際しての加熱により、ＣｕとＡｌとの金属間化合物が生
成しやすくなり、ボンディング引張強度の経時的低下、
又はボンディング部の電気抵抗値の経時的上昇が起こる
ことが少なくないという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するために、Ｃｕを主成分とする導体の表面を、Ｃ
ｕ以外の金属成分により被覆することを試みた。
解決するために、Ｃｕを主成分とする導体の表面を、Ｃ
ｕ以外の金属成分により被覆することを試みた。
【００１１】しかしながら、Ｃｕを主成分とする導体の
表面を被覆するのに好適な金属成分を見いだすべく、諸
々の金属成分を試してみたが、適当なものがなかなか見
つからなかった。例えば、Ｎｉメッキ、Ｎｉ−Ｃｏ合金
メッキを施した場合には、ガラス封止のときと同様の加
熱、即ち酸化雰囲気中での４８０℃の加熱を行うと、何
も被覆しないときと同様に酸化物が形成され、ワイヤボ
ンディングを好適に行うことが困難であった。
表面を被覆するのに好適な金属成分を見いだすべく、諸
々の金属成分を試してみたが、適当なものがなかなか見
つからなかった。例えば、Ｎｉメッキ、Ｎｉ−Ｃｏ合金
メッキを施した場合には、ガラス封止のときと同様の加
熱、即ち酸化雰囲気中での４８０℃の加熱を行うと、何
も被覆しないときと同様に酸化物が形成され、ワイヤボ
ンディングを好適に行うことが困難であった。
【００１２】かかる状況において、Ｃｕを主成分とする
導体の表面上に、Ａｇを主成分とする被膜を施したとこ
ろ、意外にも好ましい結果が得られること、例えば４８
０℃の加熱後においてもワイヤボンディングが可能であ
り、更にワイヤボンディング後４３０℃の酸化雰囲気中
の加熱においてもワイヤボンディング引張強度、電気抵
抗が良好な値であることを見いだし、本発明を完成する
に至った。
導体の表面上に、Ａｇを主成分とする被膜を施したとこ
ろ、意外にも好ましい結果が得られること、例えば４８
０℃の加熱後においてもワイヤボンディングが可能であ
り、更にワイヤボンディング後４３０℃の酸化雰囲気中
の加熱においてもワイヤボンディング引張強度、電気抵
抗が良好な値であることを見いだし、本発明を完成する
に至った。
【００１３】即ち、本発明はＣｕを主成分とする導体と
セラミック体とが接合してなるセラミック回路基板であ
って、前記導体の表面上にＡｇを主成分とする被膜が施
されてなるセラミック回路基板である。
セラミック体とが接合してなるセラミック回路基板であ
って、前記導体の表面上にＡｇを主成分とする被膜が施
されてなるセラミック回路基板である。
【００１４】本発明では、Ｃｕを主成分とする導体の表
面上にＡｇを主成分とする被膜を施すことにより、例え
ばガラス封止タイプのパッケージを作成する場合に於い
ても、４８０℃酸化雰囲気中でのガラスによるリード固
着や４３０℃酸化雰囲気中でのパッケージ封止に際して
導体の主成分であるＣｕが酸化されること無いため、ボ
ンディング引っ張り強度や電気特性は良好である。
面上にＡｇを主成分とする被膜を施すことにより、例え
ばガラス封止タイプのパッケージを作成する場合に於い
ても、４８０℃酸化雰囲気中でのガラスによるリード固
着や４３０℃酸化雰囲気中でのパッケージ封止に際して
導体の主成分であるＣｕが酸化されること無いため、ボ
ンディング引っ張り強度や電気特性は良好である。
【００１５】本発明において、Ｃｕを主成分とする導体
の表面上におけるＡｇを主成分とする被膜が施される部
位は、特に限定されないが、前記導体の表面の少なくと
もワイヤボンディングが行われる部分とすると、ワイヤ
ボンディング部の接合強度が高まり、ワイヤボンディン
グ部の電気抵抗を低く維持することができるので好まし
い。
の表面上におけるＡｇを主成分とする被膜が施される部
位は、特に限定されないが、前記導体の表面の少なくと
もワイヤボンディングが行われる部分とすると、ワイヤ
ボンディング部の接合強度が高まり、ワイヤボンディン
グ部の電気抵抗を低く維持することができるので好まし
い。
【００１６】本発明において、Ａｇを主成分とする被膜
の厚さは特に限定されないが、０．３μｍ以上とする
と、Ｃｕを主成分とする導体の酸化保護被覆として充分
に機能するために好ましい。
の厚さは特に限定されないが、０．３μｍ以上とする
と、Ｃｕを主成分とする導体の酸化保護被覆として充分
に機能するために好ましい。
【００１７】但し、Ａｇを主成分とする被膜を施すに際
して、Ａｇ系のペースト剤を用いてＡｇを主成分とする
被膜を固着させて施す場合には、その固着温度は、通常
７８０℃以上という比較的高い温度にする。その際、固
着時に被膜の主成分であるＡｇと導体の主成分であるＣ
ｕとが固溶体を形成してしまうおそれがある。この為、
Ａｇ系のペーストを用いる場合は、Ｃｕを主成分とする
導体の厚みと、Ａｇを主成分とする被膜の厚みとの比
を、１（Ｃｕ）：１０以上（Ａｇ）とすることが好まし
い。
して、Ａｇ系のペースト剤を用いてＡｇを主成分とする
被膜を固着させて施す場合には、その固着温度は、通常
７８０℃以上という比較的高い温度にする。その際、固
着時に被膜の主成分であるＡｇと導体の主成分であるＣ
ｕとが固溶体を形成してしまうおそれがある。この為、
Ａｇ系のペーストを用いる場合は、Ｃｕを主成分とする
導体の厚みと、Ａｇを主成分とする被膜の厚みとの比
を、１（Ｃｕ）：１０以上（Ａｇ）とすることが好まし
い。
【００１８】本発明のセラミック回路基板を製造する方
法は、特に限定されないが、例えばメッキを行う方法、
ペーストを使用する方法、Ａｇ箔を超音波あるいはスポ
ット溶接にて接合する方法等が挙げられる。前記メッキ
を行う方法において、メッキされる成分は特に限定され
ないが、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金等が例
示される。また、前記ペーストを使用する方法におい
て、使用されるペーストは特に限定されないが、Ａｇペ
ースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、Ａｇ−Ｐｔペースト等が
例示される。
法は、特に限定されないが、例えばメッキを行う方法、
ペーストを使用する方法、Ａｇ箔を超音波あるいはスポ
ット溶接にて接合する方法等が挙げられる。前記メッキ
を行う方法において、メッキされる成分は特に限定され
ないが、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金等が例
示される。また、前記ペーストを使用する方法におい
て、使用されるペーストは特に限定されないが、Ａｇペ
ースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、Ａｇ−Ｐｔペースト等が
例示される。
【００１９】さらに、Ａｇを主成分とする被膜とＣｕを
主成分とする導体との間に、Ｎｉメッキ層、Ｎｉ−Ｃｏ
メッキ層、Ｃｒメッキ層、白金族のメッキ層、例えばＰ
ｔメッキ、Ｒｈメッキより選ばれた一種又は二種以上の
層を組み合わせで介在させることは、耐酸化性、ワイヤ
がＡｌからなるときのワイヤボンディング引っ張り強度
をさらに良くするために好ましい。
主成分とする導体との間に、Ｎｉメッキ層、Ｎｉ−Ｃｏ
メッキ層、Ｃｒメッキ層、白金族のメッキ層、例えばＰ
ｔメッキ、Ｒｈメッキより選ばれた一種又は二種以上の
層を組み合わせで介在させることは、耐酸化性、ワイヤ
がＡｌからなるときのワイヤボンディング引っ張り強度
をさらに良くするために好ましい。
【００２０】本発明のセラミック回路基板は、通常４８
０℃程度の酸化雰囲気中で行われるリードフレーム固着
においても、該回路基板のＣｕを主成分とする導体の酸
化は起こらず、又、４３０℃程度の酸化雰囲気中で行わ
れるパッケージ封止においても、被膜の主成分であるＡ
ｇとワイヤの主成分、例えばＡｌ、Ａｕ等との間では、
金属間化合物を形成しないために、ボンディング引っ張
り強度は良好な値を示し、かつ電気抵抗は充分に低い点
で非常に好適なものである。
０℃程度の酸化雰囲気中で行われるリードフレーム固着
においても、該回路基板のＣｕを主成分とする導体の酸
化は起こらず、又、４３０℃程度の酸化雰囲気中で行わ
れるパッケージ封止においても、被膜の主成分であるＡ
ｇとワイヤの主成分、例えばＡｌ、Ａｕ等との間では、
金属間化合物を形成しないために、ボンディング引っ張
り強度は良好な値を示し、かつ電気抵抗は充分に低い点
で非常に好適なものである。
【００２１】次に、本発明のセラミック回路基板の具体
的態様を、図１及び図２を参照しながら説明する。図１
は本発明の一具体例を示す要部の断面図、図２は図１の
リードフレームがＡｌＮ部材１’を介して固着されたＡ
ｌＮ回路基板にＡｌＮ製キャップ１”を施したものの断
面図である。この図２において、３’は封止用ガラスで
ある。
的態様を、図１及び図２を参照しながら説明する。図１
は本発明の一具体例を示す要部の断面図、図２は図１の
リードフレームがＡｌＮ部材１’を介して固着されたＡ
ｌＮ回路基板にＡｌＮ製キャップ１”を施したものの断
面図である。この図２において、３’は封止用ガラスで
ある。
【００２２】ＡｌＮ基板上１の片面の一部には、図１に
示すように金属箔より成るＣｕ導体２が接合され、該Ｃ
ｕ導体２にはＡｌＮ部材１’が接合されている。前記の
Ｃｕ導体としては、金属箔からなるもののほかに、Ｃｕ
系厚膜ペーストを用いたもの、Ｃｕ薄膜からなるもの等
を使用することができる。
示すように金属箔より成るＣｕ導体２が接合され、該Ｃ
ｕ導体２にはＡｌＮ部材１’が接合されている。前記の
Ｃｕ導体としては、金属箔からなるもののほかに、Ｃｕ
系厚膜ペーストを用いたもの、Ｃｕ薄膜からなるもの等
を使用することができる。
【００２３】そして、Ｃｕ導体２の表面の一部には、Ａ
ｇを主成分とする被膜４が施されている。更に、ＡｌＮ
部材１’には、鉛ホウケイ酸系ガラス３を用いてリード
フレーム７が固着されている。
ｇを主成分とする被膜４が施されている。更に、ＡｌＮ
部材１’には、鉛ホウケイ酸系ガラス３を用いてリード
フレーム７が固着されている。
【００２４】上記の図１及び図２に示すセラミック回路
基板においては、セラミック１，１’，１”としてＡｌ
Ｎ製のものを用いているが、他に例として、１，１’，
１”としてＡｌ2Ｏ3製セラミックを使用する場合、１，
１’としてＡｌＮ製セラミック、１”としてムライト製
セラミックを使用する場合、１，１’，１”としてガラ
ス系セラミック、例えばアルミナ＋ホウケイ酸ガラスよ
り成るもの等を使用する場合、１，１’として炭化珪素
製セラミック、１”としてムライト製セラミックを使用
する場合等が挙げられる。このようなＡｌＮ，Ａｌ
2Ｏ3，ムライト等のセラミックとしては、黒色に着色し
たものも用いることができる。
基板においては、セラミック１，１’，１”としてＡｌ
Ｎ製のものを用いているが、他に例として、１，１’，
１”としてＡｌ2Ｏ3製セラミックを使用する場合、１，
１’としてＡｌＮ製セラミック、１”としてムライト製
セラミックを使用する場合、１，１’，１”としてガラ
ス系セラミック、例えばアルミナ＋ホウケイ酸ガラスよ
り成るもの等を使用する場合、１，１’として炭化珪素
製セラミック、１”としてムライト製セラミックを使用
する場合等が挙げられる。このようなＡｌＮ，Ａｌ
2Ｏ3，ムライト等のセラミックとしては、黒色に着色し
たものも用いることができる。
【００２５】また、導体の主成分であるＣｕの材質とし
て、例えば無酸素銅、タフピッチ銅、リン脱酸銅、丹
銅、黄銅、リン青銅、洋白、ベリリウム銅等の純金属、
合金の他、Ｃｕ−Ａｇ系合金、Ｃ１９４の様なＣｕ−Ｆ
ｅ−Ｚｎ−Ｐ系合金、Ｃ１５１の様なＣｕ−Ｚｒ系合
金、ＯＭＣＬ−１の様なＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ−Ｍｇ−Ｓｉ
系合金、耐熱銅合金を含む合金等が挙げられる。
て、例えば無酸素銅、タフピッチ銅、リン脱酸銅、丹
銅、黄銅、リン青銅、洋白、ベリリウム銅等の純金属、
合金の他、Ｃｕ−Ａｇ系合金、Ｃ１９４の様なＣｕ−Ｆ
ｅ−Ｚｎ−Ｐ系合金、Ｃ１５１の様なＣｕ−Ｚｒ系合
金、ＯＭＣＬ−１の様なＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ−Ｍｇ−Ｓｉ
系合金、耐熱銅合金を含む合金等が挙げられる。
【００２６】ボンディングに使用されるワイヤとして
は、後述する実施例では、すべてＡｌ−Ｓｉ合金からな
り、φ２５μｍのものを用いているが、この構成成分、
線径に限定されず、例えばφ５００μｍ程度の太いＡｌ
線を用いても問題はない。
は、後述する実施例では、すべてＡｌ−Ｓｉ合金からな
り、φ２５μｍのものを用いているが、この構成成分、
線径に限定されず、例えばφ５００μｍ程度の太いＡｌ
線を用いても問題はない。
【００２７】
【実施例】本発明を具体的に説明するために実施例及び
比較例を挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら
限定されるものではない。
比較例を挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら
限定されるものではない。
【００２８】比較例１（実験Ｎｏ．１） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にリードフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を
使用して酸化雰囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で
リードフレームを固着させて、Ｃｕ導体２が露出してい
る以外は図１に示すものと同様のセラミック回路基板を
作製した。次に、Ｃｕ導体２と半導体素子６との間でＡ
ｌワイヤボンディング５による接合を試みたが、Ｃｕ表
面に酸化物が形成されており、ボンディングできなかっ
た。
定の箇所にリードフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を
使用して酸化雰囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で
リードフレームを固着させて、Ｃｕ導体２が露出してい
る以外は図１に示すものと同様のセラミック回路基板を
作製した。次に、Ｃｕ導体２と半導体素子６との間でＡ
ｌワイヤボンディング５による接合を試みたが、Ｃｕ表
面に酸化物が形成されており、ボンディングできなかっ
た。
【００２９】比較例２（実験Ｎｏ．２） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にＮｉメッキを１０μｍ施し、リードフレーム
固着用ホウケイ酸ガラス３を酸化雰囲気中、４８０℃、
１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて、Ｃ
ｕ導体２の表面のメッキ成分がＮｉである以外は図１に
示すものと同様のセラミック回路基板を作製した。次
に、Ｎｉと半導体素子６との間でＡｌワイヤボンディン
グ５による接合を試みたが、Ｎｉ表面が酸化されて、ボ
ンディングできなかった。
定の箇所にＮｉメッキを１０μｍ施し、リードフレーム
固着用ホウケイ酸ガラス３を酸化雰囲気中、４８０℃、
１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて、Ｃ
ｕ導体２の表面のメッキ成分がＮｉである以外は図１に
示すものと同様のセラミック回路基板を作製した。次
に、Ｎｉと半導体素子６との間でＡｌワイヤボンディン
グ５による接合を試みたが、Ｎｉ表面が酸化されて、ボ
ンディングできなかった。
【００３０】比較例３（実験Ｎｏ．３） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にＮｉ−Ｃｏ合金メッキを１０μｍ施し、リー
ドフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレー
ムを固着させて、Ｃｕ導体２の表面のメッキ成分がＮｉ
−Ｃｏ合金である以外は図１に示すものと同様のセラミ
ック回路基板を作製した。次に、Ｎｉ−Ｃｏと半導体素
子６との間でＡｌワイヤボンディング５による接合を試
みたが、Ｎｉ−Ｃｏ表面が酸化されて、ボンディングで
きなかった。
定の箇所にＮｉ−Ｃｏ合金メッキを１０μｍ施し、リー
ドフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレー
ムを固着させて、Ｃｕ導体２の表面のメッキ成分がＮｉ
−Ｃｏ合金である以外は図１に示すものと同様のセラミ
ック回路基板を作製した。次に、Ｎｉ−Ｃｏと半導体素
子６との間でＡｌワイヤボンディング５による接合を試
みたが、Ｎｉ−Ｃｏ表面が酸化されて、ボンディングで
きなかった。
【００３１】実施例１（実験Ｎｏ．４） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所に、Ａｇメッキを０．３〜２０μｍ施し、リー
ドフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を用いて、酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱により、リードフ
レームを固着させて図１に示すセラミック回路基板を作
製した。次に、前記Ａｇメッキ４と半導体素子６とをＡ
ｌワイヤボンディング５で接続した。このワイヤ部５に
ついて引っ張り強度測定を行なったところ、ボンディン
グ引っ張り強度はいずれも良好であった。
定の箇所に、Ａｇメッキを０．３〜２０μｍ施し、リー
ドフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を用いて、酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱により、リードフ
レームを固着させて図１に示すセラミック回路基板を作
製した。次に、前記Ａｇメッキ４と半導体素子６とをＡ
ｌワイヤボンディング５で接続した。このワイヤ部５に
ついて引っ張り強度測定を行なったところ、ボンディン
グ引っ張り強度はいずれも良好であった。
【００３２】次に、キャップ封止を、酸化雰囲気中で４
３０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
３０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００３３】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００３４】実施例２（実験Ｎｏ．５） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所に、Ａｇ−Ｐｄ（１４％）合金メッキを２μｍ
施し、リードフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を使用
して酸化雰囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リ
ードフレームを固着させて図１に示すセラミック回路基
板を作製した。次に、Ａｇ−Ｐｄメッキ４と半導体素子
６とをＡｌワイヤボンディング５で接合した。このワイ
ヤ部５について引っ張り強度測定を行なったところ、ボ
ンディング引っ張り強度はいずれも良好であった。
定の箇所に、Ａｇ−Ｐｄ（１４％）合金メッキを２μｍ
施し、リードフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を使用
して酸化雰囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リ
ードフレームを固着させて図１に示すセラミック回路基
板を作製した。次に、Ａｇ−Ｐｄメッキ４と半導体素子
６とをＡｌワイヤボンディング５で接合した。このワイ
ヤ部５について引っ張り強度測定を行なったところ、ボ
ンディング引っ張り強度はいずれも良好であった。
【００３５】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００３６】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００３７】実施例３（実験Ｎｏ．６） Ｃｕ導体２（薄膜：厚み３μｍ）の表面の所定の箇所に
Ａｇペーストを１００μｍ施し、８５０℃加熱で該ペー
ストを基板に固着させた。次いで、リードフレーム固着
用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０
℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて
図１に示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇ
ペースト４と半導体素子６をＡｌワイヤボンディング５
で接合した。このワイヤ部５について引っ張り強度測定
を行なったところ、ボンディング引っ張り強度はいずれ
も良好であった。
Ａｇペーストを１００μｍ施し、８５０℃加熱で該ペー
ストを基板に固着させた。次いで、リードフレーム固着
用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０
℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて
図１に示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇ
ペースト４と半導体素子６をＡｌワイヤボンディング５
で接合した。このワイヤ部５について引っ張り強度測定
を行なったところ、ボンディング引っ張り強度はいずれ
も良好であった。
【００３８】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００３９】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００４０】実施例４（実験Ｎｏ．７） Ｃｕ導体２（薄膜：厚み３μｍ）の表面の所定の箇所に
Ａｇ−Ｐｄ（９％）ペーストを１００μｍ施し、８５０
℃加熱で該ペーストを基板に固着させた。次いで、リー
ドフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレー
ムを固着させて図１に示すセラミック回路基板を作製し
た。次に、Ａｇ−Ｐｄペースト４と半導体素子６とをＡ
ｌワイヤボンディング５で接合した。このワイヤ部５に
ついて引っ張り強度測定を行なったところ、ボンディン
グ引っ張り強度はいずれも良好であった。
Ａｇ−Ｐｄ（９％）ペーストを１００μｍ施し、８５０
℃加熱で該ペーストを基板に固着させた。次いで、リー
ドフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレー
ムを固着させて図１に示すセラミック回路基板を作製し
た。次に、Ａｇ−Ｐｄペースト４と半導体素子６とをＡ
ｌワイヤボンディング５で接合した。このワイヤ部５に
ついて引っ張り強度測定を行なったところ、ボンディン
グ引っ張り強度はいずれも良好であった。
【００４１】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００４２】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００４３】実施例５（実験Ｎｏ．８） Ｃｕ導体２（Ｃｕペースト：厚み１０μｍ、９００℃で
基板に固着）の表面の所定の箇所にＡｇ−Ｐｔ（１％）
ペーストを１００μｍ施し、８５０℃加熱で該ペースト
を基板に固着させた。次いで、リードフレーム固着用ホ
ウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０℃、
１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて図１
に示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇ−Ｐ
ｔペースト４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディン
グ５で接合した。このワイヤ部５について引っ張り強度
測定を行なったところ、ボンディング引っ張り強度はい
ずれも良好な値であった。
基板に固着）の表面の所定の箇所にＡｇ−Ｐｔ（１％）
ペーストを１００μｍ施し、８５０℃加熱で該ペースト
を基板に固着させた。次いで、リードフレーム固着用ホ
ウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０℃、
１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて図１
に示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇ−Ｐ
ｔペースト４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディン
グ５で接合した。このワイヤ部５について引っ張り強度
測定を行なったところ、ボンディング引っ張り強度はい
ずれも良好な値であった。
【００４４】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００４５】上記の封止後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００４６】実施例６（実験Ｎｏ．９） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にＡｇ箔１００μｍを超音波接合した。次い
で、リードフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレー
ムを固着させて図１に示すセラミック回路基板を作製し
た。次に、Ａｇ箔４と半導体素子６とをＡｌワイヤボン
ディング５で接合した。このワイヤ部５について引っ張
り強度測定を行なったところ、ボンディング引っ張り強
度はいずれも良好であった。
定の箇所にＡｇ箔１００μｍを超音波接合した。次い
で、リードフレーム固着用ホウケイ酸ガラス３を酸化雰
囲気中、４８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレー
ムを固着させて図１に示すセラミック回路基板を作製し
た。次に、Ａｇ箔４と半導体素子６とをＡｌワイヤボン
ディング５で接合した。このワイヤ部５について引っ張
り強度測定を行なったところ、ボンディング引っ張り強
度はいずれも良好であった。
【００４７】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００４８】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００４９】実施例７（実験Ｎｏ．１０） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にＮｉメッキを５μｍ施し、その上にＡｇメッ
キを５μｍ施した。次いで、リードフレーム固着用ホウ
ケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０℃、１
０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて図１に
示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇメッキ
４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディング５で接合
した。このワイヤ部５について引張り強度測定を行った
ところ、ボンディング引張り強度はいずれも良好であっ
た。
定の箇所にＮｉメッキを５μｍ施し、その上にＡｇメッ
キを５μｍ施した。次いで、リードフレーム固着用ホウ
ケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０℃、１
０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させて図１に
示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇメッキ
４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディング５で接合
した。このワイヤ部５について引張り強度測定を行った
ところ、ボンディング引張り強度はいずれも良好であっ
た。
【００５０】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００５１】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引張り強度、配線抵抗を測定
したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引張り強度、配線抵抗を測定
したところ、いずれも良好な値であった。
【００５２】実施例８（実験Ｎｏ．１１） Ｃｕ導体２（Ｃ１５１箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にＮｉメッキ２μｍ、その上にＣｒメッキ２μ
ｍ、その上にＮｉメッキ２μｍ、その上にＡｇメッキを
５μｍ施した。次いで、リードフレーム固着用ホウケイ
酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０℃、１０ｍ
ｉｎの加熱でリードフレームを固着させて図１に示すセ
ラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇメッキ４と半
導体素子６とをＡｌワイヤボンディング５で接合した。
このワイヤ部５について引張り強度測定を行ったとこ
ろ、ボンディング引張り強度はいずれも良好な値であっ
た。
定の箇所にＮｉメッキ２μｍ、その上にＣｒメッキ２μ
ｍ、その上にＮｉメッキ２μｍ、その上にＡｇメッキを
５μｍ施した。次いで、リードフレーム固着用ホウケイ
酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８０℃、１０ｍ
ｉｎの加熱でリードフレームを固着させて図１に示すセ
ラミック回路基板を作製した。次に、Ａｇメッキ４と半
導体素子６とをＡｌワイヤボンディング５で接合した。
このワイヤ部５について引張り強度測定を行ったとこ
ろ、ボンディング引張り強度はいずれも良好な値であっ
た。
【００５３】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００５４】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引張り強度、配線抵抗を測定
したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引張り強度、配線抵抗を測定
したところ、いずれも良好な値であった。
【００５５】実施例９（実験Ｎｏ．１２） Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表面の所
定の箇所にＮｉメッキ２μｍ、Ｃｒメッキ２μｍ及びＡ
ｇメッキ５μｍを順次施した。次いで、リードフレーム
固着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４
８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着さ
せて図１に示すセラミック回路基板を作製した。次に、
Ａｇ箔４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディング５
で接合した。このワイヤ部５について引っ張り強度測定
を行なったところ、ボンディング引っ張り強度はいずれ
も良好であった。
定の箇所にＮｉメッキ２μｍ、Ｃｒメッキ２μｍ及びＡ
ｇメッキ５μｍを順次施した。次いで、リードフレーム
固着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４
８０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着さ
せて図１に示すセラミック回路基板を作製した。次に、
Ａｇ箔４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディング５
で接合した。このワイヤ部５について引っ張り強度測定
を行なったところ、ボンディング引っ張り強度はいずれ
も良好であった。
【００５６】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００５７】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引っ張り強度、配線抵抗を測
定したところ、いずれも良好な値であった。
【００５８】実施例１０（実験Ｎｏ．１３〜１６） （１）Ｃｕ導体２（無酸素銅箔：厚み１５０μｍ）の表
面の所定の箇所にＣｒメッキを５μｍ施し、その上にＡ
ｇメッキを５μｍ施した（実験Ｎｏ．１３）。
面の所定の箇所にＣｒメッキを５μｍ施し、その上にＡ
ｇメッキを５μｍ施した（実験Ｎｏ．１３）。
【００５９】（２）Ｃｕ導体２（ＯＭＣＬ−１箔：厚み
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＮｉメッキを５μｍ、
Ｒｈメッキを０．０６μｍ施し、その上にＡｇメッキを
５μｍ施した（実験Ｎｏ．１４）。
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＮｉメッキを５μｍ、
Ｒｈメッキを０．０６μｍ施し、その上にＡｇメッキを
５μｍ施した（実験Ｎｏ．１４）。
【００６０】（３）Ｃｕ導体２（ＯＭＣＬ−１箔：厚み
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＮｉメッキを５μｍ、
Ｐｔメッキを０．２μｍ施し、その上にＡｇメッキを５
μｍ施した（実験Ｎｏ．１５）。
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＮｉメッキを５μｍ、
Ｐｔメッキを０．２μｍ施し、その上にＡｇメッキを５
μｍ施した（実験Ｎｏ．１５）。
【００６１】（４）Ｃｕ導体２（ＯＭＣＬ−１箔：厚み
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＲｈメッキを０．０６
μｍ施し、その上にＡｇメッキを５μｍ施した（実験Ｎ
ｏ．１６）。
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＲｈメッキを０．０６
μｍ施し、その上にＡｇメッキを５μｍ施した（実験Ｎ
ｏ．１６）。
【００６２】（５）Ｃｕ導体２（ＯＭＣＬ−１箔：厚み
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＰｔメッキを０．２μ
ｍ施し、その上にＡｇメッキを５μｍ施した（実験Ｎ
ｏ．１７）。
５０μｍ）の表面の所定の箇所にＰｔメッキを０．２μ
ｍ施し、その上にＡｇメッキを５μｍ施した（実験Ｎ
ｏ．１７）。
【００６３】以上の処理を施した後、リードフレーム固
着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８
０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させ
て図１に示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａ
ｇメッキ４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディング
５で接合した。このワイヤ部５について引張り強度測定
を行ったところ、ボンディング引張り強度はいずれも良
好であった。
着用ホウケイ酸ガラス３を使用して酸化雰囲気中、４８
０℃、１０ｍｉｎの加熱で、リードフレームを固着させ
て図１に示すセラミック回路基板を作製した。次に、Ａ
ｇメッキ４と半導体素子６とをＡｌワイヤボンディング
５で接合した。このワイヤ部５について引張り強度測定
を行ったところ、ボンディング引張り強度はいずれも良
好であった。
【００６４】次に、キャップ封止を酸化雰囲気中で４３
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
０℃、１０ｍｉｎの加熱で行った。
【００６５】上記封止の後、回路基板のキャップ１”を
取り外して、ボンディング引張り強度、配線抵抗を測定
したところ、いずれも良好な値であった。
取り外して、ボンディング引張り強度、配線抵抗を測定
したところ、いずれも良好な値であった。
【００６６】比較例１〜３、実施例１〜１０の結果につ
いて以下表１にまとめた。
いて以下表１にまとめた。
【００６７】（表中のＮｏ．は実験Ｎｏ．を表わす。）
【００６８】
【表１】
【００６９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のセラミ
ック回路基板は、簡単に製造することができるにもかか
わらず、下記の顕著なる効果を奏しうるものである。
ック回路基板は、簡単に製造することができるにもかか
わらず、下記の顕著なる効果を奏しうるものである。
【００７０】１．酸化雰囲気においても導体の主成分で
あるＣｕが酸化されないために、Ｃｕを主成分とする導
体の機能の低下を効果的に防止しうる。
あるＣｕが酸化されないために、Ｃｕを主成分とする導
体の機能の低下を効果的に防止しうる。
【００７１】２．Ａｇを主成分とする被膜部に、ワイヤ
ボンディングを行うとき或いはガラスによる封止を行う
とき、４５０℃以下の温度領域においても、ボンディン
グ部の接合強度及び電気抵抗値は好適な値であって、半
導体素子を搭載するセラミック回路基板として本発明の
ものは非常に有用である。
ボンディングを行うとき或いはガラスによる封止を行う
とき、４５０℃以下の温度領域においても、ボンディン
グ部の接合強度及び電気抵抗値は好適な値であって、半
導体素子を搭載するセラミック回路基板として本発明の
ものは非常に有用である。
【００７２】３．Ｃｕを主成分とする導体に直接ワイヤ
ボンディングした場合に生じていたＣｕとワイヤ成分、
例えばＡｌとの金属間化合物の発生を防止することがで
きる。このため、ボンディング部の接合強度の経時的低
下及び電気抵抗値の経時的上昇も起こり得ない。
ボンディングした場合に生じていたＣｕとワイヤ成分、
例えばＡｌとの金属間化合物の発生を防止することがで
きる。このため、ボンディング部の接合強度の経時的低
下及び電気抵抗値の経時的上昇も起こり得ない。
【図１】 本発明のセラミック回路基板の一具体例の要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】 本発明のセラミック回路基板の一具体例の要
部断面図である。
部断面図である。
１ ＡｌＮセラミック基板 １’ ＡｌＮ部材 １” ＡｌＮ製キャップ ２ Ｃｕ導体 ３，３’ 鉛ホウケイ酸ガラス ４ Ａｇ被膜 ５ 金属ワイヤ ６ 半導体素子 ７ リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｃｕを主成分とする導体とセラミック体
とが接合してなるセラミック回路基板であって、前記導
体の表面上にＡｇを主成分とする被膜が施されてなるセ
ラミック回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5295642A JPH07153866A (ja) | 1993-10-04 | 1993-11-25 | セラミック回路基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24776893 | 1993-10-04 | ||
| JP5-247768 | 1993-10-04 | ||
| JP5295642A JPH07153866A (ja) | 1993-10-04 | 1993-11-25 | セラミック回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153866A true JPH07153866A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=26538409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5295642A Pending JPH07153866A (ja) | 1993-10-04 | 1993-11-25 | セラミック回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153866A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012128327A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 日本発條株式会社 | 積層体、導電材料および積層体の製造方法 |
| JPWO2015174462A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2017-05-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
| JP2017143246A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-08-17 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 厚膜ペーストを用いて改善された直接接合銅（ｄｉｒｅｃｔ−ｂｏｎｄｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）基板 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5295642A patent/JPH07153866A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012128327A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 日本発條株式会社 | 積層体、導電材料および積層体の製造方法 |
| JP2012201890A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Nhk Spring Co Ltd | 積層体、導電材料および積層体の製造方法 |
| JPWO2015174462A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2017-05-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
| JP2017143246A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-08-17 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 厚膜ペーストを用いて改善された直接接合銅（ｄｉｒｅｃｔ−ｂｏｎｄｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）基板 |
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