JPS62183542A - 炭化珪素系セラミツクスの接合部材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、炭化珪素系セラミックス焼結体を他のセラミ
ックス焼結体或は金属と接合してなる接合部材およびそ
の接合方法に係る。炭化珪素系セラミックスを他のセラ
ミックス焼結体に接合したものとして例えば半導体装置
を収納するセラミックスパッケージがあり、本発明はか
かるセラミックスパッケージに適用するのに好適である
。

〔従来の技術〕

セラミックス焼結体を他のセラミックス焼結体又は金属
と接合する場合に、セラミックス焼結体表面を金属化（
メタライズ）することが知られている。−例として、特
開昭５５−１１３６８３号公報には、炭化物系セラミッ
クス焼結体の表面に元素周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ
、■ａ族の少なくとも１種以上の粉末を塗布し、非酸化
性雰囲気中で焼成して金属化することが記載されている
。そして、このようにして金属化した表面にニッケル、
銅等のめっきを行ったのち、種々の金属と半田付は或い
はろう付することが記載されている。

〔発明が解決しようとしている問題点〕前記従来技術に
は、炭化物系セラミックス焼結体を金属或いは他のセラ
ミックス焼結体に実際に接合した例は記載されておらず
、接合時の問題点について全く配慮されていない。

本発明の目的は、炭化珪素系セラミックス焼結体の表面
を金属化し、他のセラミックス焼結体又は金属とろう付
するときの問題点を解決し、信頼性の高い接合部が得ら
れるようにした接合部材およびその製造方法を提供する
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、炭化珪素系セラミックス焼結体の被接合面を
金属化し、他のセラミックス焼結体又は金属とろう付し
てなる接合部材において、前記炭化珪素系セラミックス
焼結体の被接合面にクロムシリサイドとクロム炭化物と
の混在層、その上にクロム層およびニッケルと鋼の少な
くとも１つよりなる層を有し、且つ前記他のセラミック
ス焼結体又は金属と、ろう何面間に熱応力緩和材を有す
ることを特徴とするものである。

〔作用〕

炭化珪素系セラミックス焼結体の被接合面にクロム層を
形成し、その上にニッケルと銅と銀の少なくとも１つよ
りなる層を形成してろう付することにより、ろう材部或
いはニッケルと銅の少なくとも１つよりなる層から剥離
するのを防止することができる。

しかし、炭化珪素系セラミックス焼結体の表面にクロム
層を直接形成したのでは、ろう付部に熱疲労試験を行っ
たときに焼結体とクロム層との界面から剥離してしまう
ことがわかった。

本発明者らは、炭化珪素系セラミックス焼結体の表面に
クロムシリサイドとクロム炭化物との混在層を有し、そ
の上にクロム層を有するときに、クロム層から剥離しな
くなることを究明した。このようにクロム層の剥離を防
止できるのは、クロムシリサイドとクロム炭化物との混
在層が、炭化珪素系セラミックス焼結体とクロム層とを
強固に結合する作用をなし、しかもこの混在層がろう付
温度に耐える耐熱性を有していることに基づいている。

なお、炭化珪素系セラミックス焼結体を他のセラミック
ス焼結体又は金属とろう付する場合に、両者の間に熱膨
張率の違いがあり、しかもろう材との間にも熱膨張率差
があるので、ろう付後の冷却過程で熱応力が発生し、炭
化珪素系セラミックス焼結体が割れることがわかった。

−例として炭化珪素系セラミックス焼結体とアルミナと
をろう付した場合には、ろう付後の冷却過程で炭化珪素
系セラミックス焼結体が割れた。なお、この場合の炭化
珪素セラミックスの熱膨張係数は約３．７１象 Ｘ　１０−６／Ｔ：であり、アルミナの熱膨張係数を約
７．０Ｘ１０−Ｂ／’Ｃである。この割れは、炭化珪素
糸セラミックス焼結体表面の金属化層の有無に関係なく
生ずる。

熱応力による炭化珪素系セラミックス焼結体の割れを防
止するために、ろう何部に熱応力緩和材を介在させるこ
とが必要である。炭化珪素系セラ参 ミックス焼結体の割れるのは、ろう付後の冷却過程での
ろう材の収縮にセラミックス焼結体が追従していかず熱
応力を生ずることが原因である。熱応力緩和材をろう′
何面に介在させ、この熱応力緩和材をろう材の収縮に追
従させることにより、炭化珪素系セラミックス焼結体の
割れを防止できた。

熱応力緩和材の厚さは、１００μｍ以上が好ましく、特
に１００μｍ〜１０００μｍの薄板を用いることが好ま
しい。熱応力緩和材の材料としては。

ろう付性がよくしかも熱伝導性のよい銀、銅或いはそれ
らの合金を用いることが好ましい。

本発明において、炭化珪素系セラミックス焼結体の被接
合面にクロムシリサイドとクロム炭化物との混在層を形
成し、その上にクロム層を形成する方法としては、下記
の方法が非常に好ましい。

すなわち、炭化珪素系セラミックス焼結体の表面にクロ
ム粉末を塗布し、非酸化性雰囲気中で加熱して焼成する
方法である。加熱温度は９００〜１３００℃の範囲が好
ましい。加熱雰囲気は不活性雰囲気又は酸素分圧が１０
−”ｔｏｒｒ以下の雰囲気が好ましい。この焼成によっ
て、炭化珪素系セラミックス焼結体表面にクロムシリサ
イドとクロム炭化物との混在層が生成し、その上にクロ
ム層が生成し、更にその上にクロム酸化物を含む層が生
成する。この後、クロム酸化物を含む層を除去しクロム
層を露出させる。

クロム酸化物層又はクロム酸化物を含む層の上にニッケ
ルと銅の少なくとも１つよりなる層を形成してろう付す
ると、クロム酸化物とその上の層との界面から剥離する
ので、避けなればならない。

本発明の炭化珪素セラミックス接合部材における相手材
には、炭化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、
非酸化物系セラミックス及び各種の金属を用いることが
できる。炭化物系セラミラックスとしては同種の炭化珪
素系セラミックスを用いることができる。酸化物系セラ
ミックスの例としてはアルミナがある。

炭化珪素系セラミックス焼結体を他のセラミックス焼結
体にろう付した具体例として半導体装置用パッケージが
ある。半導体装置の高密度化、高速度化に伴って発熱量
が増加し、パッケージの放熱性を高めることが要求され
、この結果、炭化珪素系セラミックス焼結体をアルミナ
に接合してパッケージとすることが行われるようになっ
た。集積回路を有する半導体装置を搭載した炭化珪素系
セラミックス焼結体基板をアルミナ枠体にろう付し、炭
化珪素系セラミックス焼結体基板に放熱フィンを取付け
て放熱性を改善しようというものである。

令 本発明の接置部材およびその製造方法を、かかる半導体
装置用パッケージに適用することはきわあて有効であり
、接合強度および気密性の点できわめて信頼性の高いセ
ラミックスパッケージを得ることができる。

セラミックス焼結体の表面を金属化する他の方（ｌＯ） 法として、アルミナ等の酸化物系セラミックスの表面に
マンガンとモリブデンの混合粉末を塗布し、フォーミン
グガス中で高温に加熱して焼成する方法があるが、この
方法は炭化物系セラミックスには適用できない。

特開昭５９−１９５５９０号公報には、Ｆｅ、Ｎｉ。

Ｃｒ、Ｍｎのうち少なくとも１種類以上の金属成分と、
Ｃ，Ｓｉ、Ｈのうち少なくとも１種類以上の成分を混合
した組成物を、粉末あるいは箔の形で窒化物系セラミッ
クス体の表面に載置し、非酸化性または弱酸化性雰囲気
下において前記組成物を溶融させることが記載されてい
るが、炭化珪素系セラミックスについては述べられてい
ない。

炭化珪素系セラミックスのメタライズ方法として、特開
昭５８−９９１８４号公報にはＷｅ　Ｍｏ、Ｔｉ。

Ｍｎ等の粉末を塗付し、これを非酸化性雰囲気内Ａ／ ノで焼成する方法が記載されているが、焼成温度が１４
００℃以上と高いため、メタライズ時の熱応力が大きく
信頼性のあるメタライズ部が得られない。

【実施例〕

本発明者らは、炭化珪素系セラミックス表面に各種金属
の粉末を塗付し、これを非酸化性雰囲気内で１０００℃
に加熱した場合の該セラミックスと金属との反応状態を
調べた、その結果、次のような新しい現象を発見した。

すなわち、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ等の元素周期を 律表第１Ｖａ族及び第Ｖａ族の金属を塗付した場合、１
０００℃の加熱温度では反応が進まず、結合反応を生じ
させるためには１０００℃を越えて該金属の融点近くま
で加熱温度を高める必要がある。しかし、加熱温度を融
点近くまで高めるとメタライズド界面に該金属の炭化物
及びシリサイド等の脆い化合物層が厚く形成し、十分な
メタライズ強度が得られないことが判明した。

また、前記金属粉によって形成されたメタライズ層の厚
さは炭化珪素セラミックス表面に塗布、または印刷した
該金属粉末の厚さと同程度の１０μｍ以上となった。こ
のため該セラミックス表面に生ずる熱応力によって該セ
ラミックスの破壊が生じた。

Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｏ等の第■ａ族及び第牟 ■ａ族金属を塗付した場合には、１０００℃の加熱温度
で該セラミックスとの結合反応が過剰に進み、接合界面
には該金属の脆いシリサイドまたは炭化物層及び遊離炭
素が厚く形成されて十分なメタライズ強度が得られない
ことが判明した。

スの母相上にＣｒシリサイドとＣｒ炭化物との混在層、
更にその外側上に金属クロム層が全体で１０μｍ以下と
薄く形成されることが判明した。

このＣｒシリサイドとＣｒ炭化物との混在層およれす、
加熱温度が９００〜１３００℃の場合全体で１〜１０μ
ｍと極めて薄いことが判明した。このため、該セラミッ
クス表面に生ずるＩ熱応力も小さくなり、該セラミック
スの熱応力破壊が生ぜずメタライズ強度が向上する。

炭化珪素セラミックス表面にクロム粉末を塗布して非酸
化性雰囲気中で焼成した場合、金属クロム層の外側に更
にＣｒ５Ｏｓ等のクロム酸化物を一部含む未反応Ｃｒ層
が比較的厚く形成される。この未反応クロム層はクロム
メタライズ層との結合力が弱い、このような未反応クム
ロム層を、前記クロムでメタライズされた面への金属部
材の接合前に除去することによって、該金属部材の接合
強度に悪影響を及ぼさないようにすることができる。

このクロム酸化物を含む未反応クロム層の除去にも は、研摩、ブラシにより除去、ホーニング等の方法を用
いればよい。

本発明において、炭化珪素系セラミックスの中でも焼結
助剤として１〜２重量％のＢｅｏを添加した炭化珪素系
セラミックスが特に高強度のメタライス層が得られた。

なお、該セラミックス表面に形成したＣｒメタライズ層
のままでは他の金属又はセラミックスと接合するための
ろう付性またははんだ付性が十分でないため、該クロム
層表面にＣｕまたはＡｇまたはＮｉ層を設けた後、該金
属又は他のセラミツクスをろう材により接合することが
望ましい、該Ｃｒ層の表面にＣｕまたはＮｉ層を形成す
るには、電気めっき、化学めっき、蒸着スパッタリング
等の方法が可能である。これらの層の厚さは３〜８μｍ
とすることが望ましい。更に該Ｃｒ層とＣｕまたはＮｉ
層との結合状態を高めるため５００℃〜８００℃の温度
で再び拡散処理を行うのが望ましいが、ろう付をこの温
度範囲で行う場合には、省略できる。

前記方法により炭化珪素系セラミックス表面にメタライ
ズ膜をクロムで形成後、ろう材により他の金属部材と接
合することにより、２０ｋｇ／■２以上の曲げ強度が得
られ、耐熱性も６００℃以上ム粉末の粒径は１００μｍ
以下であり、好ましくは５０μｍ以下が望ましい。これ
より大きい粒径では、結果として、形成された金属クロ
ム層で覆われないセラミックス面の部分が生じ易い。ま
た部 クロム粉末の塗付厚は１０μｍ〜３０μｍが好ましく、
少なすぎると結果的に金属クロム層で覆われないセラミ
ックス表面部ができ易く、多すぎるとクロム酸化物を含
む未反応層が増すだけで経済的に好ましくない。クロム
粉末は適宜のペースト牟 剤と共にペースト状にして塗付するのがよい。り牟 ロム粉末を塗付したセラミックスを９００℃〜１３００
℃に加熱する時間は１０分以上１時間以内が望ましい。

なお、Ｃｒメタライズの焼成温度が９００℃以下ではＣ
ｒメタライズ層が形成されず、１３００℃以上ではＣｒ
メタライズ層の厚さが１０μｍ以上になり、Ｃｒメタラ
イズ層の強度が極端に低下する。熱応力緩和材にはろう
材がぬれ易く、融点がろう付温度より高く、弾性係数（
Ｅ）の小さい銀（Ｅ＝７．７Ｘ１０”ｋｇｆ／■２）、
銅（Ｅ＝１１　Ｘ　１０８ｋｇｆ　／ｍ’）を用いるこ
とが好ましい。

アルミニウム（Ｅ＝７．ＯＸ１０８ｋｇｆ／ｍ＋”　）
を用いることもできるが、この場合には表面にニッケル
又は銅の薄層を形成しておくことが好ましい。

熱応力緩和材の厚みは薄すぎると緩和効果が小さく１６
） くなったり、ろう材による食われの問題があるので０．
１−以上が好ましい。また上限厚さは１ｍより厚いと熱
応力緩和効果が乏しい。０．１〜０．８閣の厚さが好適
である。

ろう何時の雰囲気は非酸化性雰囲気であればよく、不活
性ガス雰囲気、還元性ガス雰囲気あるいは真空中のいず
れでも良い。使用するろう材の成分によって雰囲気を使
い分けることが望ましい。

例えば銀７２重量％−銅２８重量％の共晶ろうを用いる
場合には、いずれの雰囲気でもよいが、蒸気圧の高いＺ
ｎ、Ｃｄ等が入っている銀ろう材を用いる場合には、不
活性ガス雰囲気または還元性ガス雰囲気とすることが望
ましい、不活性ガスあるいは窒素ガスと水素ガスの混合
ガス雰囲気も効果がある。

実施例１ 約２重量％のＢｅｏを焼結助剤とする厚さ１ｍｍ。

縦・横各２０ｗｍのホットプレス製炭化珪素系セラミッ
クス板の一面にジメチルエチルセルローズによりペース
ト状にしたＣｒ粉末を約ＩＩＩＩＩ＋の厚さで全面に塗
袷し、これをＡｒ雰囲気内で１１００℃、３０分間焼成
後自然冷却した。この結果、該セラミックスの母板の表
面には約３μｍ厚さのＣｒシリサイドおよびＣｒ炭化物
の混在層が形成されその上に金属Ｃｒ層が形成され、最
外層にＣｒ酸化物を一部含む未反応Ｃｒ層が形成された
。次に該未反応Ｃｒ層を刃物により除去しクロム層を露
出させた。そしてＣｒ層にＣｕ膜を電気めっきによって
約５μｍ形成した。

上記方法により形成されたメタライズ膜を有する炭化珪
素焼結体と厚さ１ｍ、幅５ｍのステンレス鋼板とを厚さ
５００μｍ、帽５ｍのＣｕ板よりなる熱応力緩和材を介
してＡｇろう付で接合した。

接合後、引張試験を行ったところ、２０ｋｇ／ｍｍ”の
引張強度が得られた。

また、このメタライズ部の耐熱性試験を行った結果、７
００℃まで接合強度の低下は認められなかった。

実施例２ 約５重量％のＡＱＮを焼結助剤とする厚さ２ｍ＋＋縦・
横各２０ｍのホットプレス製炭化珪素セラミックス板の
一面に前記実施例１と同様のペースト状にしたＣｒ粉末
を約０．５ｍの厚さで全面に塗卸 付し、これを１０一番ｔｏｒｒの真空中で１０５０℃、
３０分間焼成後、自然冷却した。その結果、該セラミッ
クス表面に厚さ約５μｍのＣｒシリサイドおよびＣｒ炭
化物の混在層およびその上に金属Ｃｒ層が形成され、最
外層にＣｒ酸化物を含む未反応Ｃｒ層が形成された０次
に最外層に形成された該未反応Ｃｒ層を研摩により除去
し、該セラミックス表面の該金属Ｃｒ層にＮｉを約５μ
ｍ電気めっきした。

上記方法により形成されたメタライズ膜を有する炭化珪
素セラミックス焼結体と、厚さ１閣２幅５Ｉのステンレ
ス鋼板とを熱応力緩和材として厚さ５００μｍ、帽５■
の銀板を介して銀ろう付した。銀ろうにはＰｄ−Ａｇろ
うを用い、９００℃で接合した。その後、引張試験を行
ったところ、約３０ｋｇ／＋ｍ”の引張強度が得られ、
７００℃まで接合強度の低下は認められなかった。

実施例３ 本発明における半導体装置用パッケージを第１図および
第２図によって説明する。

厚さ１閣、縦・横各１５ｍｍ、焼結助剤として２重量％
のＢｅＯを含む高熱伝導性炭化珪素セラミックスを冷却
基板１として、該冷却基板１の片面の外縁に沿って幅２
ｍのＣｒメタライズ層を形成した。形成条件はジメチル
セルローズによりペースト状にした粒径１０μｍのＣｒ
粉末を約３０μｍの厚さで所定の位置に塗布し、これを
Ａｒ雰囲気内で１０５０℃、３０分間焼成後自然冷却し
た。

次に最外層のＣｒ酸化物層をブラシ研摩により除却し、
金属Ｃｒ層２に電気めっきによって約５μｍのＮｉ層３
を形成した。

上記方法により形成されたメタライズ膜を有する冷却基
板１に対向しているアルミナセラミックス枠体４は三層
構造を有しており層間には配線パターン８がある。冷却
基板１と接合される該枠体４の最上層（第１層と呼ぶ）
はその中央に半導体装置を収納するに十分な開孔を有し
、第２層、第３層と順次開口部は大きくなっていて、入
出力ピン１０と配線パターン８に接続している配線部９
がある。該配線部９は冷却基板１にＡ　ｕ　−Ｓ　ｉメ
る タライズ層１１によって接合され半導体装置の電極部と
の接続端子である。諒枠体４の第１層表面にはＭ　ｏ　
−Ｍ　ｎメタライズ層５とＮｉ層３が冷却基板１のメタ
ライズ部に合う位置に施しである。

冷却基板１と枠体４の接合は銀ろう付によって行った。

ろう付方法は、５０μｍの銀ろう（ＢＡｇ−７：　５６
重量％Ａｇ−２２重量％Ｃｕ−１７重量％Ｚｎ−５重量
％Ｓｎ）箔７および所定の厚みの熱応力緩和材６（銀板
、無酸素鋼板）をメタライズドパターンに打抜き、銀ろ
う箔７．熱応力緩和材６．銀ろう箔７の順で冷却基板１
と枠体４の中間に設置し、流量５　、５　Ｑ　／ｗｉｎ
のＮｔ−１０％Ｈ２ガス雰囲気中で７００〜７１０℃に
加熱してろう付した。冷却速度は５００℃までは２０℃
／ｍｉｎ、５００℃以下は５〜ｂ ℃まで炉中冷却を行い、その後大気中で室温まで自然冷
却した。

次にろう何機の半導体パッケージのＨｅリークテストを
行った。リークテストを熱疲労試験前後について行い、
その条件は一５０℃〜＋１５０℃を１時間１サイクルと
した熱サイクルで１０００サイクル行った。リークテス
トの合格ラインを１×１０−’ａｔ１１−ω／Ｓとした
場合の試験結果を第１表に示す。

第１表 熱疲労試験に合格した半導体装置用パッケージ開孔部の
Ａ　ｕ　−Ｓ　ｉメタライズ部１１にＬＳＩを接合して
、該ＬＳＩの電極部と枠体４の配線部９をＡＱ細線によ
り接続し、外気に触れないよう密封した。また冷却基板
１上面には炭化珪素セラミックスの放熱フィン１２を熱
伝導性接着剤１３により接着し、半導体装置用パッケー
ジとした。

実施例４ 実施例３に用いたのと同じ冷却基板１と枠体４の接合に
おいて、熱応力緩和材、ろう材及びろう付条件を変えて
製作した接合体の熱サイクルによる疲労試験後のＨｅリ
ークテスト結果を第２表に示す。尚、熱応力緩和材の厚
みは５００μｍとし、Ａｒの流量は８　Ｑ　／ｗｉｎ、
真空度は５　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒである。

実施例５ 実施例３に用いたものと同じ冷却基板１の片面の外縁に
沿った幅２■のＣｒ層２およびＮｉめつき層３を形成す
る時に、該冷却基板１の中央領域にもＣｒメタライズ層
およびＮｉめつき層３を形成した。外縁および中央領域
のメタライズ層間距離は狭い部分で約１００μｍ、広い
部分で約２５０μｍであった。枠体４との接合には５０
μｍの銀ろう（ＢＡｇ−７）箔７を用い、Ｎ５−１０％
叛 Ｈ２ガス雰囲、中で行った。ろう付温度は７１０℃であ
る。熱応力緩和材６には５００μｍのＡｇ板を用いた。

ろう付後、該冷却基板１の中央領域に約３μｍの金蒸着
層を施し、半導体装置をダイボンディングにより接合し
た。

本実施例によれば、熱応力緩和材を介して強固に結合さ
れたクロムメタライズ膜を有する炭化珪素セラミックス
冷却基板と積層セラミックス枠体を高い接合強度を以っ
て接合できるので、気密封止に効果のある半導体装置用
パッケージが得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、ろう付後の冷却過
程で炭化珪素系セラミックス焼結体が割れたすせず、し
かも金属化層から剥離するのを防止することができ、信
頼性の高い接合部材を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置用パッケー
ジの断面図、第２図は第１図のＡ部の拡大図である。 １・・・冷却基板、２・・・Ｃｒ層、３・・・Ｎｉ層、
４・・・アルミナセラミックス枠体、５・・・Ｍ　ｏ　
−Ｍ　ｎメタライズ層、６・・・熱応力緩和材、７・・
・銀ろう箔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被接合面に金属化層を有する炭化珪素系セラミック
   ス焼結体と他のセラミックス又は金属との接合部材にお
   いて、前記金属化層がクロムシリサイドとクロム炭化物
   との混在層、その上のクロム層およびニッケルと銅の少
   なくとも１つよりなる最外層の三層構造からなり、前記
   他のセラミックスまたは金属との接合面間に熱応力緩和
   材を有することを特徴とする炭化珪素系セラミックスの
   接合部材。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記熱応力緩和材
   が銀、銅の少なくとも１つよりなることを特徴とする炭
   化珪素系セラミックスの接合部材。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記熱応力緩和材
   の厚さが１００〜１０００μｍよりなることを特徴とす
   る炭化珪素系セラミックスの接合部材。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記他のセラミッ
   クスがアルミナよりなることを特徴とする炭化珪素系セ
   ラミックスの接合部材。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記金属化層にお
   けるクロムシリサイドとクロム炭化物の混在層およびそ
   の上のクロム層が、前記炭化珪素系セラミックス焼結体
   表面にクロム粉末を塗布して非酸化性雰囲気で焼成し、
   最外層に形成されるクロム酸化物を含む層を除去して得
   られることを特徴とする炭化珪素系セラミックスの接合
   部材。 ６、特許請求の範囲第１項において、前記炭化珪素系セ
   ラミックス焼結体がベリリウム酸化物を１〜２重量％含
   むことを特徴とする炭化珪素系セラミックスの接合部材
   。 ７、被接合面に金属化層を有する炭化珪素系セラミック
   ス焼結体を他のセラミックスまたは金属と接合してなる
   接合部材の製法において、前記金属化層の形成工程とし
   て、前記炭化珪素系セラミックス焼結体表面にクロム粉
   を塗布後非酸化性雰囲気中で加熱してクロムシリサイド
   とクロム炭化物の混在層、その上のクロム層およびクロ
   ム酸化物を含む最外層を形成する工程、前記最外層を除
   去する工程およびその後、ニッケルと銅の少なくとも１
   つを被覆する工程を含み、前記金属化層と前記他のセラ
   ミックス又は金属との接合面間に熱応力緩和材を介して
   ろう付することを特徴とする炭化珪素系セラミックス接
   合部材の製造方法。 ８、特許請求の範囲第７項において、前記非酸化性雰囲
   気で９００〜１３００℃の温度に加熱することを特徴と
   する炭化珪素系セラミックス接合部材の製造方法。 ９、特許請求の範囲第７項において、前記熱応力緩和材
   として銅、銀の少なくとも１つを用いることを特徴とす
   る炭化珪素系セラミックス接合部材の製造方法。 １０、特許請求の範囲第８項において、厚さ１００〜１
   ０００μｍの熱応力緩和材を介在させることを特徴とす
   る炭化珪素系セラミックス焼結体の製造方法。 １１、特許請求の範囲第７項において、前記ろう付を銀
   ろうを用いて施すことを特徴とする炭化珪素系セラミッ
   クス接合部材の製造方法。