JPS6370545A - 半導体パツケ−ジ - Google Patents
半導体パツケ−ジInfo
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- JPS6370545A JPS6370545A JP21392986A JP21392986A JPS6370545A JP S6370545 A JPS6370545 A JP S6370545A JP 21392986 A JP21392986 A JP 21392986A JP 21392986 A JP21392986 A JP 21392986A JP S6370545 A JPS6370545 A JP S6370545A
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- aluminum nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体パッケージに係り、特に、その構造部材
の一部分に高熱伝導、電気絶縁性ＡＱＮ（窒化アルミニ
ウム）セラミックスを採用して熱放散特性を改善し、こ
れらの部材をＴｉ、Ｚｒの一種以上を含有したろう材で
接合したことを特徴とする半導体用セラミックスパッケ
ージの構造に関する。
の一部分に高熱伝導、電気絶縁性ＡＱＮ（窒化アルミニ
ウム）セラミックスを採用して熱放散特性を改善し、こ
れらの部材をＴｉ、Ｚｒの一種以上を含有したろう材で
接合したことを特徴とする半導体用セラミックスパッケ
ージの構造に関する。
少量のＣａＯ，又は、Ｙ ｘ Ｏｓを含有するホットプ
レス焼結、あるいは、無加圧Ａｌ２Ｎ （窒化アルミニ
ウム）セラミックスの優九た熱伝導性及び電気絶縁性に
着目して、これを半導体パッケージの構成材料に採用す
ることは既に公知の技術である。
レス焼結、あるいは、無加圧Ａｌ２Ｎ （窒化アルミニ
ウム）セラミックスの優九た熱伝導性及び電気絶縁性に
着目して、これを半導体パッケージの構成材料に採用す
ることは既に公知の技術である。
半導体、特に高集積密度ＬＳＩからの放熱を促進し、半
導体中のｐｎ接合の温度を一定値以下に保持するため、
既にさまざまな冷却方式が提案されているが、特開昭５
３−１０２３１０号公報に示す熱伝導性基板では主要部
材にＡＱＮセラミックスが使用されている。
導体中のｐｎ接合の温度を一定値以下に保持するため、
既にさまざまな冷却方式が提案されているが、特開昭５
３−１０２３１０号公報に示す熱伝導性基板では主要部
材にＡＱＮセラミックスが使用されている。
しかし、Ａｌ２Ｎセラミックスと金属材料、あるいは、
ＡｆｌＮセラミックス同士、又は、ＡＱＮセラミックス
とＡ ｎ ｘ Ｏａセラミックス等を、半導体パッケー
ジに十分使用実績があり、安定して信頼性の高に接合技
術は未開発であり、上記公報の中にはＡｌ２Ｎ表面にＡ
ＱｚＯｓ等を形成させてメタライズする方法が検討され
ている。しかし、この方法では、あらかじめ、ＡｎＮの
表面をメタライズを容易にするためにＡＱｚＯｓ膜を形
成する工程があり、次に、Ａ Ａ ｚ Ｏｓ膜と反応し
易い高融点金属化法、いわゆる１Ｍ ＯＭ ｕペースト
等によりメタライズ化（めっき処理も含む）を図る。そ
の後、ＡＱＮセラミックスと相手材を一般的なろう材を
用いて接合して構造体とする。
ＡｆｌＮセラミックス同士、又は、ＡＱＮセラミックス
とＡ ｎ ｘ Ｏａセラミックス等を、半導体パッケー
ジに十分使用実績があり、安定して信頼性の高に接合技
術は未開発であり、上記公報の中にはＡｌ２Ｎ表面にＡ
ＱｚＯｓ等を形成させてメタライズする方法が検討され
ている。しかし、この方法では、あらかじめ、ＡｎＮの
表面をメタライズを容易にするためにＡＱｚＯｓ膜を形
成する工程があり、次に、Ａ Ａ ｚ Ｏｓ膜と反応し
易い高融点金属化法、いわゆる１Ｍ ＯＭ ｕペースト
等によりメタライズ化（めっき処理も含む）を図る。そ
の後、ＡＱＮセラミックスと相手材を一般的なろう材を
用いて接合して構造体とする。
このように多くの工程が（必要とされる）という問題点
もあるが、パッケージの必要条件である十分な気密性（
例えば５ Ｘ １０−” ａｔｍ−ｃ ｃ／Ｓ以下）が
必要であるという点でも、まだ十分なものではない。
もあるが、パッケージの必要条件である十分な気密性（
例えば５ Ｘ １０−” ａｔｍ−ｃ ｃ／Ｓ以下）が
必要であるという点でも、まだ十分なものではない。
上記従来例ではＡΩＮセラミックスと金属。
Ａ ＩＩ Ｎセラミックス同士あるいは、Ａｌ２Ｎセラ
ミックスと他のセラミックスとを十分な気密性をもって
接合する接合技術が未確立であったため、高熱伝導・電
気絶縁性ＡΩＮセラミックスの特性を十分活用するよう
に半導パッケージの構造を自由に選択できないという欠
点があった。
ミックスと他のセラミックスとを十分な気密性をもって
接合する接合技術が未確立であったため、高熱伝導・電
気絶縁性ＡΩＮセラミックスの特性を十分活用するよう
に半導パッケージの構造を自由に選択できないという欠
点があった。
本発明はＡＱＮセラミックスの表面をメタライゼーショ
ン（金属化）することなく、直接接合できる技術を用い
ることにより、ＡＱＮセラミックスを利用する構造の選
定が大幅に自由になった半導体用セラミックスパッケー
ジを提供することにある。
ン（金属化）することなく、直接接合できる技術を用い
ることにより、ＡＱＮセラミックスを利用する構造の選
定が大幅に自由になった半導体用セラミックスパッケー
ジを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、回路基板上に半導体チップをもち、この半導
体チップを外気から密閉する封止部材をもつ半導体パッ
ケージにおいて１回路基板と封止部材の少なくとも一方
の少なくとも一部が電気絶縁性非酸化物系セラミックス
焼結体により構成され、この焼結体の隣接部材との間が
Ｔｉ、あるいは、Ｚｒの少なくとも一種を含有するろう
材によって接合されたものである。
体チップを外気から密閉する封止部材をもつ半導体パッ
ケージにおいて１回路基板と封止部材の少なくとも一方
の少なくとも一部が電気絶縁性非酸化物系セラミックス
焼結体により構成され、この焼結体の隣接部材との間が
Ｔｉ、あるいは、Ｚｒの少なくとも一種を含有するろう
材によって接合されたものである。
前述のろう材はＴｉ又はＺｒの他にＭｇｔ Ｈｆ。
Ａ ｇ ｐ Ｃｕ ｔ Ｎ ｌ ＋ Ｚ ｎ ｓ Ｃｄ
ｇ Ｓ ｎ ｇ Ｍ ｎ ｐＭｏ、Ｗ及びＦｅからな
る群より選ばれた二種以上の元素から成る。
ｇ Ｓ ｎ ｇ Ｍ ｎ ｐＭｏ、Ｗ及びＦｅからな
る群より選ばれた二種以上の元素から成る。
非酸化物系セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムセ
ラミックス焼結体よりなることが好ましく、窒化アルミ
ニウムセラミックス焼結体はＣａ Ｏを０．５〜１．５
重量％、又は、Ｙ ｘ Ｏａを０．５〜２重量％含み、
熱伝導率１４０〜２６０Ｗ／ｍ−″Ｋ、体積抵抗率≧１
×１０１２Ω”ａｍをもつ窒化アルミニウムセラミック
ス焼結体よりなることが好ましい。
ラミックス焼結体よりなることが好ましく、窒化アルミ
ニウムセラミックス焼結体はＣａ Ｏを０．５〜１．５
重量％、又は、Ｙ ｘ Ｏａを０．５〜２重量％含み、
熱伝導率１４０〜２６０Ｗ／ｍ−″Ｋ、体積抵抗率≧１
×１０１２Ω”ａｍをもつ窒化アルミニウムセラミック
ス焼結体よりなることが好ましい。
例えばＡΩＮセラミックス同士の構成を組立てるには、
Ｔｉ粉末と３重量％とＡ ｇ −Ｃｕ合金粉末９７重量
％をジエチレングリコールとカルピトールのビヒクルで
ペースト状とし、このペーストろう材で接合する６ 接合方法はＡ Ｑ Ｎセラミックスの接合面に上記組成
のペーストを３０〜１００μｍの厚さで塗り。
Ｔｉ粉末と３重量％とＡ ｇ −Ｃｕ合金粉末９７重量
％をジエチレングリコールとカルピトールのビヒクルで
ペースト状とし、このペーストろう材で接合する６ 接合方法はＡ Ｑ Ｎセラミックスの接合面に上記組成
のペーストを３０〜１００μｍの厚さで塗り。
約１００℃の炉中、又は１．ヒータ上で有機溶剤を蒸発
させる。次に、非酸化雰囲気、好ましくは８Ｘ １０”
ｔｏｒｒ以下の真空中で、約８２０℃に加熱をする。こ
の加熱によってＡρＮセラミックスとＡ Ｉ２Ｎセラミ
ックスはろう材を介して強固に、また、ち密に接合され
る。
させる。次に、非酸化雰囲気、好ましくは８Ｘ １０”
ｔｏｒｒ以下の真空中で、約８２０℃に加熱をする。こ
の加熱によってＡρＮセラミックスとＡ Ｉ２Ｎセラミ
ックスはろう材を介して強固に、また、ち密に接合され
る。
このような組成のろう材を用いる場合は接合温度を極力
低くするために、ＡｇとＣｕの芝晶点近傍を選び、そこ
へ、Ｔｉの粉末を添加する形式を授った＋＋ Ｔ ｘの
添加量は今迄の実験結果から１〜１０重量％の範囲迄有
効であることが確認された。
低くするために、ＡｇとＣｕの芝晶点近傍を選び、そこ
へ、Ｔｉの粉末を添加する形式を授った＋＋ Ｔ ｘの
添加量は今迄の実験結果から１〜１０重量％の範囲迄有
効であることが確認された。
以上の接合方法によりＡＱＮセラミックスの表面にＡＱ
２０１１皮膜を形成することなく、Ａ Ｑ Ｎセラミッ
クスを直接接合できることが明らかとなった。
２０１１皮膜を形成することなく、Ａ Ｑ Ｎセラミッ
クスを直接接合できることが明らかとなった。
この基本構成を用いることにより、半導体パッケージの
構造を従来よりはるかに自由に構成することが可能とな
る。
構造を従来よりはるかに自由に構成することが可能とな
る。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図、第２図は本発明の代表的一実施例を示す、１は
アルミナ、又は、ムライト、又は、窒化アルミニウムセ
ラミックスよりなり、印刷焼成プロセスにより製造され
た多層回路基板である。２は高集積密度のＬＳＩチップ
（Ｓｉチップ）で、例えば、９５重量％Ｐｂ−５重量％
Ｓｎといった組成をもつはんだボール３（複数）を介し
て多層回路基板１に接続されている。７はＳｉチップの
背面上に接続された高熱伝導・電気絶縁性ＡｆｌＮセラ
ツクス製フィレフインィン）で、Ｓｉチップ２中に発生
した熱は下フィン７を通り同材質のＡＱＮキャップ５に
一体的に形成されている上フィン６へと伝達される。
アルミナ、又は、ムライト、又は、窒化アルミニウムセ
ラミックスよりなり、印刷焼成プロセスにより製造され
た多層回路基板である。２は高集積密度のＬＳＩチップ
（Ｓｉチップ）で、例えば、９５重量％Ｐｂ−５重量％
Ｓｎといった組成をもつはんだボール３（複数）を介し
て多層回路基板１に接続されている。７はＳｉチップの
背面上に接続された高熱伝導・電気絶縁性ＡｆｌＮセラ
ツクス製フィレフインィン）で、Ｓｉチップ２中に発生
した熱は下フィン７を通り同材質のＡＱＮキャップ５に
一体的に形成されている上フィン６へと伝達される。
フレーム４はＡΩＮセラミックス、または、超硬合金（
ＷＣ粉末とコバルト粉末との焼結合金）である。第１図
のＡ部ではＡＱＮセラミックス製のキャップ５とＡＱＮ
セラミックス製のフレーム４の間に重量で７２％Ａｇと
２８％のＣｕ合金粉末を９７％としてそれに３％のＴｉ
を添加したペースト状のろう材を厚さ１００μｍ ”Ｊ
［するとともにフレームのＢ部側にも同じろう材を設
置し、続いて１００℃のヒータで乾燥させる。次に、２
×１Ｏ−６ｔｏｒｒの真空中で８２０℃に加熱して直接
接合した。なお、接合後のろう材８の厚みは約５０μｍ
であった。また、この接合によりフレームのＢ部には、
同じろう材によるメタライズ層２６が形成される。
ＷＣ粉末とコバルト粉末との焼結合金）である。第１図
のＡ部ではＡＱＮセラミックス製のキャップ５とＡＱＮ
セラミックス製のフレーム４の間に重量で７２％Ａｇと
２８％のＣｕ合金粉末を９７％としてそれに３％のＴｉ
を添加したペースト状のろう材を厚さ１００μｍ ”Ｊ
［するとともにフレームのＢ部側にも同じろう材を設
置し、続いて１００℃のヒータで乾燥させる。次に、２
×１Ｏ−６ｔｏｒｒの真空中で８２０℃に加熱して直接
接合した。なお、接合後のろう材８の厚みは約５０μｍ
であった。また、この接合によりフレームのＢ部には、
同じろう材によるメタライズ層２６が形成される。
なお、超硬合金製のフレームには予めＮｉめつきを施し
ておきその後、ろう材でこれもまた直接接合を行った。
ておきその後、ろう材でこれもまた直接接合を行った。
ろう体条件は２ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ真空中で８００
℃に加熱して接合した。この二種の接合はろうのぬれ性
は極めて良好で、かつ、熱歪は極めて少なく、Ｈａガス
９のリークの恐れ等のない極めて健全な部材が得られた
。
℃に加熱して接合した。この二種の接合はろうのぬれ性
は極めて良好で、かつ、熱歪は極めて少なく、Ｈａガス
９のリークの恐れ等のない極めて健全な部材が得られた
。
一方、多廖回路基板１上には、はんだボール３を介して
複数個のＳｉチップ２を接続した。なお、この多層回路
基板の外周部には、第２図（第１図の■部拡大図）に示
すようにはんだ何月メタライゼーションＭ１０が形成さ
れている。このメタライゼーションには、アルミナ、ム
ライトにはＭ。
複数個のＳｉチップ２を接続した。なお、この多層回路
基板の外周部には、第２図（第１図の■部拡大図）に示
すようにはんだ何月メタライゼーションＭ１０が形成さ
れている。このメタライゼーションには、アルミナ、ム
ライトにはＭ。
−Ｍ ｎ ＠を、窒化アルコニウムには３％Ｔｉ添加の
Ａｇ−Ｃｕ合金ろうを用いた。このアルミナ基板１と、
Ａ部の接合に用いたＴｉ＋ＡｇｔＣｕペーストろうによ
るものと同じろう材でメタライズＭ２６が形成されたフ
レーム４の部材とを組合せ、Ｈｅガス中で、はんだボー
ル３が再溶融しない温度で溶融する別種のはんだ（例え
ば重量で６０％５ｎ−４０％ｐｂはんだ）を用いて、は
んだ付１１を行ったｅＴｘ添加のろう相部はこのはんだ
付によって全く影響されず、従って、健全な接合部をも
つ冷却特性の優れた半導体パッケージを得ることができ
た。
Ａｇ−Ｃｕ合金ろうを用いた。このアルミナ基板１と、
Ａ部の接合に用いたＴｉ＋ＡｇｔＣｕペーストろうによ
るものと同じろう材でメタライズＭ２６が形成されたフ
レーム４の部材とを組合せ、Ｈｅガス中で、はんだボー
ル３が再溶融しない温度で溶融する別種のはんだ（例え
ば重量で６０％５ｎ−４０％ｐｂはんだ）を用いて、は
んだ付１１を行ったｅＴｘ添加のろう相部はこのはんだ
付によって全く影響されず、従って、健全な接合部をも
つ冷却特性の優れた半導体パッケージを得ることができ
た。
第３図ないし第５図は本発明の他の実施例を示す、第４
図は第３図の■部拡大図、第５図は第３図のＶ部拡大図
である。１２は高熱伝導・電気絶縁性のＡＱＮセラミッ
クスの上に電気回路が形成されている基板であるやフレ
ーム１３も、また、ＡＱＮセラミックスである。まず、
ＡｆｌＮ回路基板にＴｉ添加の銀ろう層１４を形成し、
次いで、金属ペースト印刷の手法によりＡｕペーストで
ＡΩＮセラミックス上に電気回路を形成した。このＡＱ
Ｎ回路基板１２とフレーム１３との間に実施例１と同じ
要領で、Ｔｉ＋ Ａｇ、ｃｕ金含有ペースト状ろう材を
設置して組立て、２Ｘ１０−’ｔｏｒｒの真空中で８２
０℃でろう付１５を行った。
図は第３図の■部拡大図、第５図は第３図のＶ部拡大図
である。１２は高熱伝導・電気絶縁性のＡＱＮセラミッ
クスの上に電気回路が形成されている基板であるやフレ
ーム１３も、また、ＡＱＮセラミックスである。まず、
ＡｆｌＮ回路基板にＴｉ添加の銀ろう層１４を形成し、
次いで、金属ペースト印刷の手法によりＡｕペーストで
ＡΩＮセラミックス上に電気回路を形成した。このＡＱ
Ｎ回路基板１２とフレーム１３との間に実施例１と同じ
要領で、Ｔｉ＋ Ａｇ、ｃｕ金含有ペースト状ろう材を
設置して組立て、２Ｘ１０−’ｔｏｒｒの真空中で８２
０℃でろう付１５を行った。
次に、回路基板１２のＡｕパッド上にＡ ｕ −５ｉ共
晶はんだ付の手法を用いてＳｉ （ＬＳＩ）チップ１６
をはんだ付けし、ＬＳＩのパッド（複数）と回路基板上
の（複数）の間をＡｕワイヤを用いてワイヤボンディン
グ１７を行った６一方。
晶はんだ付の手法を用いてＳｉ （ＬＳＩ）チップ１６
をはんだ付けし、ＬＳＩのパッド（複数）と回路基板上
の（複数）の間をＡｕワイヤを用いてワイヤボンディン
グ１７を行った６一方。
Ａｌ２Ｎセラミックスのキやツブ１８とＡ Ｑ Ｎセラ
ミックスのフレーム１３の外周の接合部に予めＴｉ添加
の銀ろうでメタライズ層１９を施して、その後、Ｎｘ＋
Ｈｘガス２０中で低温はんだを用も）で、キャップ１８
をはんだ付２１した。
ミックスのフレーム１３の外周の接合部に予めＴｉ添加
の銀ろうでメタライズ層１９を施して、その後、Ｎｘ＋
Ｈｘガス２０中で低温はんだを用も）で、キャップ１８
をはんだ付２１した。
このような構造を採用することにより、Ｓｉチップ１５
から熱除去性能の極めて優れたワイヤボンディング用半
導体パッケージをうることができた。
から熱除去性能の極めて優れたワイヤボンディング用半
導体パッケージをうることができた。
第６図は第３図の実施例を変形した他の実施例を示す。
そして、第７図に■部の拡大図を示す。
第３図との主な相違点は、２２のアルミナセラミックス
多層回路基板とＡΩＮセラミックスのフレーム２３がろ
う付によって接合されることである。
多層回路基板とＡΩＮセラミックスのフレーム２３がろ
う付によって接合されることである。
本実施例では、中間材２４として５００μｍの厚さの純
Ａｇの箔を用い、その接合方法は実施例１で示した同じ
要領で、純Ａｇ箔の両接合面にＴｉ添加のＡ ｇ 、
Ｃ： ｕ含有のペーストを塗り、アルミンセラミックス
多層回路基板２２とＡＱＮセラミックスのフレーム２３
との間にｆ１！し、Ｎｚ＋１０％Ｈ２中で、８５０℃に
加熱して接合した。
Ａｇの箔を用い、その接合方法は実施例１で示した同じ
要領で、純Ａｇ箔の両接合面にＴｉ添加のＡ ｇ 、
Ｃ： ｕ含有のペーストを塗り、アルミンセラミックス
多層回路基板２２とＡＱＮセラミックスのフレーム２３
との間にｆ１！し、Ｎｚ＋１０％Ｈ２中で、８５０℃に
加熱して接合した。
接合層は２５及び２６のＴｉ、Ａｇ、Ｃｕ等のろう層が
形成された。他のキャップとフレームは、第３区に示し
たように、低温はんだを用いてはんだ付した。
形成された。他のキャップとフレームは、第３区に示し
たように、低温はんだを用いてはんだ付した。
このような構成を採用することにより、ろう何時にＡＱ
ｚＯδセラミックス回路基板とＡｆｌＮセラミックスフ
レームとの材質差・寸法差からひき起される大きな熱応
力と熱歪とを吸収し、健全なろう付を行うことができる
ので、半導体パッケージの構造や構成材料の選定の自由
度を高め、且つ、ろう付の歩留りを高めることにより、
生産コストの引下げを図ることができる。
ｚＯδセラミックス回路基板とＡｆｌＮセラミックスフ
レームとの材質差・寸法差からひき起される大きな熱応
力と熱歪とを吸収し、健全なろう付を行うことができる
ので、半導体パッケージの構造や構成材料の選定の自由
度を高め、且つ、ろう付の歩留りを高めることにより、
生産コストの引下げを図ることができる。
本発明によれば、窒化アルミニウムセラミックス焼結体
を用いた半導体パッケージの構造の選定が大福に自由に
なり、且つ、予めメタライズすることなく直接接合がで
きるので組立個所の信頼性が向上し、更に冷却特性の良
い半導体パッケージを設計することができる。
を用いた半導体パッケージの構造の選定が大福に自由に
なり、且つ、予めメタライズすることなく直接接合がで
きるので組立個所の信頼性が向上し、更に冷却特性の良
い半導体パッケージを設計することができる。
第１図、第２図はフレームに常圧焼結ＡＱＮまたはタン
グステンカーバイドを用い冷却フィンを設けた本発明の
一実施例の半導体パッケージの断面図、第３図ないし第
５図は多層回路基板に八〇Ｎを用いた半導体パッケージ
の断面図、第６図、第７図はＡＱｚＯｓ多層回路基板と
ＡΩＮのフレームを用いた半導体パッケージの断面図で
ある。 名 ＩＩＳ］ ３ ／ｊんたネール ４ フし−ム ５ キマγデ ム ニブイン ７ 丁フィン １０ ！４回ｔ６破メクライ乞−ンタン纂ｚｆＥｒ 第３ 口 ２σ−−Ｎｚｔｌ−１ｚ＋７ス ＸＩ −−−＋すんｆビイ正ｒ 茶 ６ 回 第７ 回
グステンカーバイドを用い冷却フィンを設けた本発明の
一実施例の半導体パッケージの断面図、第３図ないし第
５図は多層回路基板に八〇Ｎを用いた半導体パッケージ
の断面図、第６図、第７図はＡＱｚＯｓ多層回路基板と
ＡΩＮのフレームを用いた半導体パッケージの断面図で
ある。 名 ＩＩＳ］ ３ ／ｊんたネール ４ フし−ム ５ キマγデ ム ニブイン ７ 丁フィン １０ ！４回ｔ６破メクライ乞−ンタン纂ｚｆＥｒ 第３ 口 ２σ−−Ｎｚｔｌ−１ｚ＋７ス ＸＩ −−−＋すんｆビイ正ｒ 茶 ６ 回 第７ 回
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、回路基板上に半導体チップを設け、前記半導体チッ
プを外気から密閉する封止部材を設けた半導体パッケー
ジにおいて、 前記回路基板と前記封止部材の少なくとも一方の少なく
とも一部が電気絶縁性非酸化物系セラミックス焼結体に
より構成され前記セラミックス焼結体とその隣接部材と
の間がＴｉあるいはＺｒの少なくとも一種を含有するろ
う材によつて接合されていることを特徴とする半導体パ
ッケージ。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記セラミックス焼結体が高熱伝導性、電気絶縁性の窒
化アルミニウム焼結体よりなることを特徴とする半導体
パッケージ。 ３、特許請求の範囲第１項において、 前記封止部材の一部に前記半導体チップの放熱フィンを
設け、前記放熱フィンが高熱伝導性、電気絶縁性の窒化
アルミニウムセラミックス焼結体よりなることを特徴と
する半導体パッケージ。 ４、特許請求の範囲第３項において、 前記封止部材の残り部分がコバール、超硬合金又はＡｇ
により構成され、且つ、前記窒化アルミニウムセラミッ
クス焼結体と接合される面がＴｉあるいはＺｒの少なく
とも一種を含有するろう材層をもつことを特徴とする半
導体パッケージ。 ５、特許請求の範囲第１項において、 前記ＴｉあるいはＺｒの少なくとも一種を含有するろう
材の組成がＴｉ、Ｚｒの他にＭｇ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ及びＦｅから
なる群より選ばれた二種以上の元素からなることを特徴
とする半導体パッケージ。 ６、特許請求の範囲第１項において、 前記回路基板の前記半導体チップを搭載した部分がムラ
イトセラミックス又はアルミナセラミックス焼結体によ
り構成され、残りの部分が窒化アルミニウムセラミック
ス焼結体により構成されることを特徴とする半導体パッ
ケージ。 ７、特許請求の範囲第６項において、 前記ムライトセラミックス又は前記アルミナセラミック
ス焼結体と前記窒化アルミニウム焼結体とが接合される
前記窒化アルミニウムの面にＴｉあるいはＺｒの少なく
とも一種を含有するろう材によつてメタライゼーシヨン
層を形成していることを特徴とする半導体パッケージ。 ８、特許請求の範囲第２項、第３項または第６項におい
て、 前記セラミックス焼結体が、ＣａＯを０．５〜１．５重
量％、又は、Ｙ＿２Ｏ＿３を０．５〜２重量％含み、熱
伝導率１４０〜２６０Ｗ／ｍ・°Ｋ、体積抵抗率≧１×
１０＾１＾２Ω・ｃｍをもつ窒化アルミニウム焼結体よ
りなることを特徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21392986A JPS6370545A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 半導体パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21392986A JPS6370545A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 半導体パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370545A true JPS6370545A (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=16647377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21392986A Pending JPS6370545A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 半導体パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370545A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0644593A2 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module |
| KR100389716B1 (ko) * | 2000-07-21 | 2003-06-27 | 엘지전자 주식회사 | 프로젝터의 램프 어셈블리 |
| WO2008128944A1 (de) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Ceramtec Ag | Bauteil mit einem keramikkörper, dessen oberfläche metallisiert ist |
| WO2008128945A1 (de) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Ceramtec Ag | Bauteil mit einem keramischen körper mit metallisierter oberfläche |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP21392986A patent/JPS6370545A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0644593A2 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module |
| EP0644593A3 (en) * | 1993-09-20 | 1995-10-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device module. |
| US5705850A (en) * | 1993-09-20 | 1998-01-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module |
| KR100389716B1 (ko) * | 2000-07-21 | 2003-06-27 | 엘지전자 주식회사 | 프로젝터의 램프 어셈블리 |
| WO2008128944A1 (de) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Ceramtec Ag | Bauteil mit einem keramikkörper, dessen oberfläche metallisiert ist |
| WO2008128945A1 (de) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Ceramtec Ag | Bauteil mit einem keramischen körper mit metallisierter oberfläche |
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