JP2004134703A

JP2004134703A - 端子付き回路基板

Info

Publication number: JP2004134703A
Application number: JP2002300206A
Authority: JP
Inventors: Takao Shirai; 白井　隆雄
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-10-15
Filing date: 2002-10-15
Publication date: 2004-04-30

Abstract

【課題】通電容量が大きく基板の割れが少なく、信頼性および耐久性に優れ、高出力・高容量の半導体モジュールの組立工程を簡略化でき大電力用パワーデバイス用回路基板として好適な端子付き回路基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素セラミックスを主成分とするセラミックス基板１２の少なくとも一方の表面に金属回路板３，４を接合し、この金属回路板３の表面にさらに外部端子１７をろう付けにより一体に接合した端子付き回路基板１１であり、上記ろう付けにより接合される外部端子１７の接合部の厚さが３ｍｍ以上であることを特徴とする端子付き回路基板１１である。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は端子付き回路基板に係り、特に通電容量が大きく基板の割れが少なく、信頼性および耐久性に優れ、高出力・高容量の半導体モジュールの組立工程を簡略化でき大電力用パワーデバイス用回路基板として好適な端子付き回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、所定の配線パターン形状に形成した金属回路板をセラミックス基板上に直接接合したり、活性金属を含有するろう材層を介してセラミックス基板上に一体に接合したセラミックス回路基板またはセラミックス基板表面に一体に接合した金属板をエッチングによりパターニングして形成したセラミックス回路基板が各種電子機器や半導体装置に広く使用されている。
【０００３】
特に発熱量が大きい高出力半導体素子を搭載する大電力パワートランジスタに用いられるセラミックス回路基板においては、回路基板全体の放熱性を良好にするため、セラミックス基板として高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を用いる一方、金属回路板としては同じく高い通電容量と熱伝導率とを有する銅（Ｃｕ）などの金属板が使用されている。
【０００４】
図２は従来のセラミックス回路基板の構成例を示す断面図である。このセラミックス回路基板１は、例えばＡｌ_２Ｏ_３やＡｌＮなどのセラミックス焼結体から成るセラミックス基板２表面に銅などから成る金属回路板３等を直接配置した状態で加熱し、加熱によって発生する金属成分と酸素との共晶化合物を接合材としてセラミックス基板２表面に銅などの金属板を直接強固に接合するＤＢＣ法（ダイレクトボンディングカッパー法）やＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ペーストなど活性金属を含有した接合用ろう材を介してセラミックス基板２と金属回路板３とを一体に接合する活性金属法などによって製造されていた。
【０００５】
またセラミックス基板２の裏面には、基板２表面側の金属回路板３とセラミックス基板２との熱膨張差による反りを防止する等のために、裏金属板（裏銅板）４が一体に接合されている。さらに、表面側の金属回路板３の所定位置に、Ｐｂ−Ｓｎ系半田から成る接合材層５を介して半導体素子（Ｓｉチップ）６が接合される。また、回路基板１から電力を導出するための外部端子（電力端子）７が、同じくＰｂ−Ｓｎ系半田から成る接合材層５を介して金属回路板３に接合される。
【０００６】
特に上記セラミックス回路基板を大電力パワーデバイス用半導体回路基板として利用する場合、回路基板から外部へ大電力を取り出す必要があることから、通電容量が大きい太い端子もしくは小容量であれば多数の外部端子を回路基板に取付けてパワーモジュールとする必要がある。この場合、モジュール作製時に半田付けにて外部端子を接合する方法もしくはＡｌ太線から成るのワイヤボンディングを多数配線する方法を用いることにより、回路基板の必要電力に対応した通電容量を有する電力端子を形成する方式が一般的に採用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半田付けにより外部端子を接続する構成では、半導体素子（Ｓｉチップ）が搭載された状態で、半田溶融のための加熱接合操作が実施されるため、半導体素子に作用する熱履歴が問題になり易く品質上の欠陥を生じ易い。また、Ａｇ−Ｃｕ系のろう材と比較して接合温度が低い低融点のＰｂ−Ｓｎ系半田を接合材として使用した場合には、半導体素子に対する熱影響が相対的に少ない利点がある反面、半田自体が脆性を有するため経時的に接合強度が低下しやすく，回路基板としての信頼性が低くなるという問題点があった。
【０００８】
また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板のように脆弱なセラミックス基板に接合した金属回路板表面に、断面積が大きく通電容量が高い外部端子を接合した場合には、繰返して作用する熱応力によってセラミックス基板に割れが発生し易く、回路基板としての信頼性および耐久性が低下し易いという問題点もある。
【０００９】
さらに、回路基板から外部に大電力を取り出すための電力端子として多数のワイヤボンディングを打設する場合には回路基板上に広面積のボンディングスペースを確保する必要があるためモジュールが必然的に大きくなり、このモジュールを使用した半導体装置の小型化が困難になるという問題点もあった。さらに、ボンディング操作そのものも多数回に及ぶため、モジュールへの加工時間および製造コストが増大化する問題点もあった。
【００１０】
本発明は、上記従来の課題を解決するために成されたものであり、特に通電容量が大きく基板の割れが少なく、信頼性および耐久性に優れ、高出力・高容量の半導体モジュールの組立工程を簡略化でき大電力用パワーデバイス用回路基板として好適な端子付き回路基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記目的を達成するために、通電容量が大きい大型の外部端子を安定した状態で接合できる構造について鋭意検討した。その結果、特に構造強度および靭性値に優れた窒化けい素（Ｓｉ_３Ｏ_４）基板に金属回路板を接合し、さらにこの金属回路板の表面に外部端子をろう付けにより接合したときに、外部端子が大型のものであっても、熱応力によるセラミックス基板の割れや損傷が少なく、通電容量が大きく信頼性および耐久性に優れ、モジュールの組立工程を簡略化できる端子付きセラミックス回路基板が初めて得られるという知見を得た。
【００１２】
本発明は上記知見に基づいて完成されたものである。すなわち本発明に係る端子付き回路基板は、窒化珪素セラミックスを主成分とするセラミックス基板の少なくとも一方の表面に金属回路板を接合し、この金属回路板表面にさらに外部端子をろう付けにより一体に接合した端子付き回路基板であり、上記ろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さが３ｍｍ以上であることを特徴とする。
【００１３】
また上記端子付き回路基板において、前記ろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さが５ｍｍ以上であることが、回路基板の通電容量を高める上で好ましい。
【００１４】
さらに上記端子付き回路基板において、前記外部端子を接合するろう材が、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種の活性金属を５質量％以下含有するＡｇ−Ｃｕ共晶組成を有することが、接合強度をさらに高めて回路基板の耐久性を改善する上で好ましい。
【００１５】
また上記端子付き回路基板において、前記セラミックス基板を構成する窒化珪素セラミックスの熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが、回路基板の放熱性を高め、半導体装置の高容量化および高出力化に対応させる上で好ましい。
【００１６】
さらに上記端子付き回路基板において、前記外部端子を金属回路板表面に接合した後に、外部端子表面にめっき層を形成して保護することにより、外部端子の耐食性を高めることができ、端子付き回路基板の耐久性を高める上で好ましい。
【００１７】
また上記端子付き回路基板において、前記金属回路板の厚さを０．２ｍｍ以上とすることにより、金属回路板の通電容量をより高めることが可能になるため好ましい。
【００１８】
本発明の端子付き回路基板を構成するセラミックス基板としては、特に大型の外部端子をろう付けにより強固に接合した場合においても、われや損傷を生じることがなく熱応力に十分耐える構造強度や破壊靭性値を有する窒化けい素セラミックスを主成分とする焼結体から成るセラミックス基板が使用される。特に窒化けい素（Ｓｉ_３Ｎ_４）焼結体は他のセラミックス焼結体と比較して本来的に高い曲げ強度を有し、また熱抵抗を減少させるために薄く形成することが可能であるため、本発明の端子付き回路基板の構成材料として好適である。
【００１９】
具体的には、本出願人に係る先行出願である特開２０００−３４１７２号公報に記載されているような、３点曲げ強度が６５０ＭＰａ以上、破壊靭性値が６．０ＭＮ／ｍ^３／２以上であり、１．５体積％以下の気孔率および６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性を有し、粒界相の少なくとも一部を結晶化させた高熱伝導性窒化けい素焼結体から成る窒化けい素基板を使用することが好適である。
【００２０】
上記高強度高熱伝導性窒化けい素焼結体は、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５質量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０質量％，不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３質量％以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上であるように構成される。
【００２１】
さらに上記高強度高熱伝導性窒化けい素焼結体は以下のような製造方法により調製される。すなわち、酸素を１．７質量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３質量％以下、α相型窒化けい素を９０質量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５質量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０質量％と、必要に応じてＣａおよびＳｒの少なくとも一方を酸化物に換算して１．５質量％以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１７００〜１９００℃で常圧焼結または雰囲気加圧焼結し、上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結時に形成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することにより製造される。
【００２２】
上記製造方法において使用され、焼結体の主成分となる窒化けい素粉末としては、焼結性、強度および熱伝導率を考慮して、酸素含有量が１．７質量％以下、好ましくは０．５〜１．５質量％、Ａｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂなどの不純物陽イオン元素含有量が合計で０．３質量％以下、好ましくは０．２質量％以下に抑制されたα相型窒化けい素を９０質量％以上、好ましくは９３質量％以上含有し、平均粒径が１．０μｍ以下、好ましくは０．４〜０．８μｍ程度の微細な窒化けい素粉末を使用することができる。
【００２３】
平均粒径が１．０μｍ以下の微細な原料粉末を使用することにより、少量の焼結助剤であっても気孔率が２．５％以下の緻密な焼結体を形成することが可能であり、また焼結助剤が熱伝導特性を阻害するおそれも減少する。
【００２４】
またＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂの不純物陽イオン元素も熱伝導性を阻害する物質となるため、６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を確保するためには、上記不純物陽イオン元素の含有量は合計で０．３質量％以下とすることにより達成可能である。特に同様の理由により、上記不純物陽イオン元素の含有量は合計で０．２質量％以下とすることが、さらに好ましい。ここで通常の窒化けい素焼結体を得るために使用される窒化けい素粉末には、特にＦｅ，Ａｌが比較的に多く含有されているため、Ｆｅ，Ａｌの合計量が上記不純物陽イオン元素の合計含有量の目安となる。
【００２５】
さらに、β相型と比較して焼結性に優れたα相型窒化けい素を９０質量％以上含有する窒化けい素原料粉末を使用することにより、高密度の焼結体を製造することができる。
【００２６】
特に上記セラミックス基板を構成する窒化珪素セラミックスの熱伝導率を６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることにより、回路基板の放熱性を高めることが可能になり、回路基板を使用した半導体装置の高容量化および高出力化に十分に対応させることが可能になる。
【００２７】
また金属回路板および外部端子を構成する金属としては、特に限定されないが銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの電気伝導性を有するに金属材料が使用される。特に電気伝導性および熱伝導率（放熱性）を高める観点から銅（Ｃｕ）から成る金属回路板が好適に使用できる。
【００２８】
上記金属回路板は、特に高い接合強度を実現するために、前記活性金属法やＤＢＣ法などの接合方法によって窒化けい素セラミックス基板表面に接合することが望ましい。そして、接合した金属回路板の所定位置に、活性金属法に準拠したろう付けにより接合材層を形成して外部端子を接合することにより、本発明に係る端子付き回路基板が調製される。
【００２９】
また上記金属回路板の厚さを０．２ｍｍ以上とすることにより、回路基板の通電容量をさらに高めることが可能になり、より高出力化に対応した端子付き回路基板が得られる。
【００３０】
本発明に係る端子付き回路基板において、上記金属回路板を接合するための接合材層を構成するろう材は、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種の活性金属を５質量％以下含有するＡｇ−Ｃｕ共晶組成（おおよそ７２％Ａｇ−２８％Ｃｕ）を有することが好ましい。上記接合材層は、このろう材組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストをセラミックス基板表面にスクリーン印刷する等の方法で形成される。
【００３１】
上記接合用組成物ペーストの具体例としては、質量％でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種の活性金属を５質量％以下含有し、残部が実質的にＡｇから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを使用すると良い。また、錫（Ｓｎ）等を１０〜１５質量％含有させた組成でも良い。上記活性金属はセラミックス基板に対するろう材の濡れ性を改善して高い接合強度を実現するための成分であり、特に窒化けい素基板に対して有効である。上記活性金属の含有量が５質量％を超えるように過量に添加しても上記改善効果の増加は少ない。
【００３２】
上記ろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さを３ｍｍ以上とすることにより、通電容量が高く、かつ接合部の信頼性が高い回路基板が得られる。特に構造強度に優れた窒化けい素基板を採用し、ろう付けによって外部端子を強固に接合しているため、接合部の厚さが３ｍｍ以上である大型の外部端子を接合した場合においても、窒化けい素基板に割れや損傷が発生することが少なく耐久性および信頼性に優れた回路基板が得られる。
【００３３】
また本発明に係る端子付き回路基板において、前記ろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さを５ｍｍ以上とすることにより、さらに通電容量を高めることが可能になり、より高出力化に対応した端子付き回路基板が得られる。
【００３４】
さらに上記端子付き回路基板において、前記外部端子を金属回路板表面に接合した後に、外部端子表面にめっき層を形成して保護することにより、外部端子の耐食性を高めることができ、端子付き回路基板の耐久性を高める上で好ましい。ここで上記めっき層としては、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）から成るめっき層を１〜５μｍ程度の厚さで形成することが望ましい。
【００３５】
なお、上記外部端子を金属回路板表面に接合する前にめっき層を形成した場合には、接合界面においてろう材が十分に付かないことがあり、外部端子の接合強度が大幅に低下する危険性がある。そのため上記外部端子にめっき層を形成して保護する場合には、外部端子を金属回路板表面に接合した後にめっき処理を実施することが好ましい。
【００３６】
上記構成に係る端子付き回路基板によれば、特に構造強度に優れた窒化けい素基板を採用し金属回路基板上にろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さを３ｍｍ以上としているため、通電容量が高く、かつ接合部の信頼性が高い端子付き回路基板が得られる。換言すれば、構造強度に優れた窒化けい素基板を採用し、ろう付けによって外部端子を強固に接合しているため、接合部の厚さが３ｍｍ以上である大型の外部端子を接合した場合においても、窒化けい素基板に割れや損傷が発生することが少なく耐久性および信頼性に優れた端子付き回路基板が得られる。
【００３７】
すなわち、セラミックス基板として窒化珪素を用いており、この窒化珪素はセラミックス自身の機械的特性に優れており、高いろう付け温度に起因する熱応力に対しても十分な耐性を有し、さらには大型の電力導出用の外部端子を接合した際の接合界面の応力にも耐え得ることが可能であり、耐久性および信頼性に優れた端子付き回路基板を実現することができる。
【００３８】
また、予め回路基板に外部端子（電力端子）が接合されているため、この回路基板を使用するモジュールの組立工程が簡略化され、さらには外部端子の信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
次に本発明に係る端子付き回路基板の実施形態について以下の実施例および添付図面を参照して具体的に説明する。
【００４０】
【実施例１〜５】
表１に示すように、６０〜９０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率と厚さとを有する窒化珪素焼結体から成る各種セラミックス基板の表面側に、表１に示す接合材組成を有するろう材を使用した活性金属法により、表１に示す厚さを有するＣｕ回路板を金属回路板として一体に接合する一方、各セラミックス基板の裏面側に、厚さ０．２ｍｍのＣｕ板を裏金属板として一体に接合した。なお、上記活性金属法による接合時の加熱温度は７５０〜８００℃とした。
【００４１】
一方、表１に示す材質（Ｃｕ）から成り、上記窒化けい素基板上の金属回路板に対する接合部の厚さＴ（図１参照）がそれぞれ表１に示す値であり、幅が１０ｍｍであるＬ字型の側面形状を有する外部端子をそれぞれ調製した。
【００４２】
次に、上記のように調製した各外部端子を、それぞれ組成が６０％Ａｇ−１０％Ｓｎ−３０％ＣｕであるＢＡＧ１８ろう材箔を介装した状態で金属回路板の所定位置に当接し温度７５０℃に加熱することにより、各Ｃｕ製のＬ字状外部端子を金属回路板表面に接合して、各実施例に係る端子付き回路基板を多数製造した。
【００４３】
各実施例に係る端子付き回路基板１１は、図１に示すように、窒化けい素基板１２の表面側にＣｕから成る金属回路板３がＡｇ−Ｃｕ系ろう材から成る活性金属接合材層を介して一体に接合される一方、裏面側にＣｕから成る裏金属板４が同じく活性金属接合材層を介して一体に接合されており、さらに、金属回路板３の所定位置にＢＡＧ１８ろう材から成る接合材層１５を介して外部端子１７が強固に接合された構造を有する。
【００４４】
【比較例１〜６】
一方、比較例として表１に示すような熱伝導率と厚さとを有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体またはアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）から成るセラミックス基板の表面側に、実施例１〜５と同様に活性金属法により、表１に示す厚さを有するＣｕ回路板を金属回路板として一体に接合する一方、各セラミックス基板の裏面側に、厚さ０．２ｍｍのＣｕ板を裏金属板として一体に接合した。なお、上記活性金属法による接合時の加熱温度は７５０〜８００℃とした。
【００４５】
一方、表１に示す材質（Ｃｕ）から成り、上記各セラミックス基板上の金属回路板に対する接合部の厚さＴ（図１参照）がそれぞれ表１に示す値であり、幅が１０ｍｍであるＬ字型の側面形状を有する外部端子をそれぞれ調製した。
【００４６】
次に、上記のように調製した各外部端子を、組成がＰｂ−５０％ＳｎであるＰｂ−Ｓｎ共晶半田を用い温度４００℃に加熱することにより、各Ｃｕ製のＬ字状外部端子を金属回路板表面に接合して、各比較例に係る端子付き回路基板を多数製造した。
【００４７】
上記のように調製した各実施例および比較例に係る端子付き回路基板について、その耐久性および信頼性を評価するために下記のような耐熱サイクル試験（ヒートサイクル試験：ＴＣＴ）を実施し、各回路基板におけるクラック発生状況を比較調査した。耐熱サイクル試験は、温度−４０℃から＋１２５℃までの範囲で加熱し、引き続いて温度＋１２５℃から−４０℃まで冷却するまでを１サイクルとする昇温−降温サイクルを３００サイクル以上繰返して付加するものとした。そして３００サイクル経過後において、セラミックス基板に割れ・損傷を生じた欠陥数や金属回路板に剥離等の欠陥を生じた割合を測定して、下記表１に示す測定結果を得た。
【００４８】
【表１】

【００４９】
上記表１に示す結果から明らかなように、セラミック基板として構造強度に優れた窒化けい素基板の金属回路板にろう付けによって外部端子を接合した各実施例に係る端子付き回路基板においては、３００サイクルの耐熱サイクル試験を実施した後においても、窒化けい素基板の割れ・損傷が皆無であり、優れた耐久性と信頼性とを有することが確認できた。
【００５０】
一方、従来の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体またはアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）から成るセラミックス基板を用い、さらにＰｂ−Ｓｎ共晶半田を用いて外部端子を金属回路板表面に接合した各比較例に係る端子付き回路基板においては、繰り返しの熱応力によってセラミックス基板の接合部や半田接合部で破壊を生じ、回路基板としての耐久性および信頼性が低いことが再確認された。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明の通り、本発明に係る端子付き回路基板によれば、特に構造強度に優れた窒化けい素基板を採用し金属回路基板上にろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さを３ｍｍ以上としているため、通電容量が高く、かつ接合部の信頼性が高い端子付き回路基板が得られる。換言すれば、構造強度に優れた窒化けい素基板を採用し、ろう付けによって外部端子を強固に接合しているため、接合部の厚さが３ｍｍ以上である大型の外部端子を接合した場合においても、窒化けい素基板に割れや損傷が発生することが少なく耐久性および信頼性に優れた端子付き回路基板が得られる。
【００５２】
すなわち、セラミックス基板として窒化珪素を用いており、この窒化珪素はセラミックス自身の機械的特性に優れており、高いろう付け温度に起因する熱応力に対しても十分な耐性を有し、さらには大型の電力導出用の外部端子を接合した際の接合界面の応力にも耐え得ることが可能であり、耐久性および信頼性に優れた端子付き回路基板を実現することができる。
【００５３】
また、予め回路基板に外部端子（電力端子）が接合されているため、この回路基板を使用する大電力パワーモジュールの組立工程が簡略化され、さらには外部端子の信頼性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る端子付き回路基板の一実施例の構成を示す断面図。
【図２】従来のセラミックス回路基板を使用したモジュールの構成例を示す断面図。
【符号の説明】
１　セラミックス回路基板
２　セラミックス基板（ＡｌＮ基板、Ａｌ_２Ｏ_３基板）
３　金属回路板（Ｃｕ回路板）
４　裏金属板（裏銅板）
５　接合材層（Ｐｂ−Ｓｎ系半田）
６　半導体素子（Ｓｉチップ）
７　外部端子（電力端子）
１１　端子付き回路基板
１２　窒化けい素基板（Ｓｉ_３Ｎ_４基板）
１５　接合材層（ＢＡＧ１８ろう材層）
１７　外部端子（電力端子）

Claims

窒化珪素セラミックスを主成分とするセラミックス基板の少なくとも一方の表面に金属回路板を接合し、この金属回路板表面にさらに外部端子をろう付けにより一体に接合した端子付き回路基板であり、上記ろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さが３ｍｍ以上であることを特徴とする端子付き回路基板。
請求項１記載の端子付き回路基板において、前記ろう付けにより接合される外部端子の接合部の厚さが５ｍｍ以上であることを特徴とする端子付き回路基板。
請求項１記載の端子付き回路基板において、前記外部端子を接合するろう材が、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種の活性金属を５質量％以下含有するＡｇ−Ｃｕ共晶組成を有することを特徴とする端子付き回路基板。
請求項１記載の端子付き回路基板において、前記セラミックス基板を構成する窒化珪素セラミックスの熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする端子付き回路基板。
請求項１記載の端子付き回路基板において、前記外部端子を金属回路板表面に接合した後に、外部端子表面にめっき層が形成されていることを特徴とする端子付き回路基板。
請求項１記載の端子付き回路基板において、前記金属回路板の厚さが０．２ｍｍ以上であることを特徴とする端子付き回路基板。