JPS62213270A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS62213270A JPS62213270A JP61056508A JP5650886A JPS62213270A JP S62213270 A JPS62213270 A JP S62213270A JP 61056508 A JP61056508 A JP 61056508A JP 5650886 A JP5650886 A JP 5650886A JP S62213270 A JPS62213270 A JP S62213270A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
本発明はプラスチック封止型半導体装置用リードフレー
ム、特にアウターリード部を封止プラスチックの底面側
に曲げて使用するいわゆるリード付チップキャリアに適
用できるリードフレームに関する。
ム、特にアウターリード部を封止プラスチックの底面側
に曲げて使用するいわゆるリード付チップキャリアに適
用できるリードフレームに関する。
プラスチック封止型リード付チップキャリアにおいては
、リードフレーム１は第２図に示す如く、中央部に半導
体素子２を金や銀等の接合層５を介して塔載するタブ３
、及びタブ３の周縁部に向けて配置した複数のリード４
を備えており、リード４は封止プラスチック６内に半導
体素子２等と共に封止されるインナーリード部４ａと封
止プラスチック６外に伸びるアウターリード部４ｂとか
らなっている。インナーリード部４ａの先端には接合層
５が設けられボンディングワイヤ７により半導体素子２
の電極と結線され、アウターリード部４ｂの先端は封止
プラスチック６の底面側に屈曲されてプリント基板等に
半田付けされる。
、リードフレーム１は第２図に示す如く、中央部に半導
体素子２を金や銀等の接合層５を介して塔載するタブ３
、及びタブ３の周縁部に向けて配置した複数のリード４
を備えており、リード４は封止プラスチック６内に半導
体素子２等と共に封止されるインナーリード部４ａと封
止プラスチック６外に伸びるアウターリード部４ｂとか
らなっている。インナーリード部４ａの先端には接合層
５が設けられボンディングワイヤ７により半導体素子２
の電極と結線され、アウターリード部４ｂの先端は封止
プラスチック６の底面側に屈曲されてプリント基板等に
半田付けされる。
か＼るリードフレームの材質は一般にＦθ−４２％Ｎ１
に代表される鉄系合金あるいは銅系合金が使用されてい
る。鉄系合金材料は半導体素子と熱膨張係数が近似して
いるので、動作時の熱ストレスにより半導体素子にクラ
ックが発生する危険はないが、材料コストが高いうえに
曲げ加工性が悪いためにアウターリード部を大きな曲げ
率で曲げてスプリングバックなくその状態で安定形状を
保持する必要のあるリード付チップキャリアには適用が
困難である。他方、銅系合金材料は低コストと良好な曲
げ加工性のためにリード付チップキャリア用として近年
盤々利用されているが、半導体素子と熱膨張係数の差が
大きく、熱ストレスにより半導体素子にクラックが発生
する危険があり、大型半導体素子の搭載には適用できな
い現状である。
に代表される鉄系合金あるいは銅系合金が使用されてい
る。鉄系合金材料は半導体素子と熱膨張係数が近似して
いるので、動作時の熱ストレスにより半導体素子にクラ
ックが発生する危険はないが、材料コストが高いうえに
曲げ加工性が悪いためにアウターリード部を大きな曲げ
率で曲げてスプリングバックなくその状態で安定形状を
保持する必要のあるリード付チップキャリアには適用が
困難である。他方、銅系合金材料は低コストと良好な曲
げ加工性のためにリード付チップキャリア用として近年
盤々利用されているが、半導体素子と熱膨張係数の差が
大きく、熱ストレスにより半導体素子にクラックが発生
する危険があり、大型半導体素子の搭載には適用できな
い現状である。
プラスチック封止型リード付チップキャリアは量産性に
優れ、外部接続の信頼性が高いことから需要が増える傾
向にあるが、アウターリード部の曲げ加工性を確保する
ために銅系合金材料のリードフレームを使用しているの
で、半導体素子と熱膨張係数の差が大きく、大型半導体
素子を塔載した場合、出力時の熱ストレスにより半導体
素子にクラックが発生しやすかった。
優れ、外部接続の信頼性が高いことから需要が増える傾
向にあるが、アウターリード部の曲げ加工性を確保する
ために銅系合金材料のリードフレームを使用しているの
で、半導体素子と熱膨張係数の差が大きく、大型半導体
素子を塔載した場合、出力時の熱ストレスにより半導体
素子にクラックが発生しやすかった。
本発明は上記の問題点に鑑み、プラスチック封止型リー
ド付チップキャリアに適用できる優れた曲げ加工性を有
すると共に、半導体素子との熱ストレスが少なく、従っ
て大型半導体素子の塔載も可能な半導体装置用リードフ
レームを提供することを目的とする。
ド付チップキャリアに適用できる優れた曲げ加工性を有
すると共に、半導体素子との熱ストレスが少なく、従っ
て大型半導体素子の塔載も可能な半導体装置用リードフ
レームを提供することを目的とする。
本発明の半導体装置用リードフレームは、リードは抗張
力が４０勢愉以下であって破断伸びが１０％以上である
材料からなり、タブは熱膨張係数が１、 ＯＸ １０−
’／ｄｅｇ以下である材料からなることを特徴とする。
力が４０勢愉以下であって破断伸びが１０％以上である
材料からなり、タブは熱膨張係数が１、 ＯＸ １０−
’／ｄｅｇ以下である材料からなることを特徴とする。
抗張力が４０臀−以下であって破断伸びが１０％以上で
あるリード材料としては、錫入り鋼合金（Ｏｕ−０，１
〜８％Ｓｎ）及び鉄入り鋼合金（Ｃｕ−０，１〜３％Ｆ
ｅ）等を使用できる。
あるリード材料としては、錫入り鋼合金（Ｏｕ−０，１
〜８％Ｓｎ）及び鉄入り鋼合金（Ｃｕ−０，１〜３％Ｆ
ｅ）等を使用できる。
熱膨張係数が１． ＯＸ １０−’／ｄｅｇ以下である
タブ材料としては、４２合金（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）及び
フバール（？ｅ−２９％Ｎｉ−１７％ｃｏ）等の鉄系合
金材料がある。
タブ材料としては、４２合金（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）及び
フバール（？ｅ−２９％Ｎｉ−１７％ｃｏ）等の鉄系合
金材料がある。
本発明のリードフレームはタブとリードが別材料からな
るので、その製造は例えばタブとタブを除いた形状のリ
ードとをフォトエツチング又はスタンピング等により作
成し、両者？スポット溶接又は半田付けにより接合し、
必要に応じてタブ表面及びリード先端部に貴金属を接合
層としてメンキすれば良い。
るので、その製造は例えばタブとタブを除いた形状のリ
ードとをフォトエツチング又はスタンピング等により作
成し、両者？スポット溶接又は半田付けにより接合し、
必要に応じてタブ表面及びリード先端部に貴金属を接合
層としてメンキすれば良い。
リード材料の抗張力が４０〜−を超えるか、又は破断伸
びが１０％未満では、曲げ加工性が不充分であり、リー
ド付チップキャリア用として安定した曲げ形状が得られ
ない。
びが１０％未満では、曲げ加工性が不充分であり、リー
ド付チップキャリア用として安定した曲げ形状が得られ
ない。
タブ材料の熱膨張係数が１． ＯＸ １０−’／ｄｅｇ
を超えると、半導体素子との熱膨張係数の差が大きくな
り熱ストレスにより半導体素子にクラックが発生しやす
くなる。
を超えると、半導体素子との熱膨張係数の差が大きくな
り熱ストレスにより半導体素子にクラックが発生しやす
くなる。
第１図は本発明のリードフレームを用いて製作したプラ
スチック封止型リード付チップキャリアの一実施例の断
面図である。
スチック封止型リード付チップキャリアの一実施例の断
面図である。
このリードフレーム１０は、タブ３′が熱膨張係数が１
． ＯＸ １０−’／ｄｅ ｇ以下であるＦｅ−４２％
Ｎ１合金からなり、リード４′が抗張力４０峰−以下で
破断伸びが１０ ％以上であるＯｕ −３％Ｓｎ合°金
からなる。
． ＯＸ １０−’／ｄｅ ｇ以下であるＦｅ−４２％
Ｎ１合金からなり、リード４′が抗張力４０峰−以下で
破断伸びが１０ ％以上であるＯｕ −３％Ｓｎ合°金
からなる。
タブ３′とリード４′をスタンピングにより別々に製造
した後、スポット溶接により結合させたものである。タ
ブ３′には銀ペーストの接合層５を介して半導体素子２
を塔載し、リード４′のインナーリード部４ａの先端に
付着させた接合層５と半導体素子２をポンディングワイ
ヤ７で結線する。最後に、半導体素子２及びインナーリ
ード部４＆ｆｒ：封止プラスチック６で封止し、アウタ
ーリード部４ｂの先端は封止プラスチック６の底面側に
屈曲させてプリント基板等に半田付けしてチップキャリ
アとする０ 〔発明の効果〕 本発明によれば、タブとリードとを別材料で形成し、タ
ブと半導体素子と熱膨張係数の差を小さくしたので大型
半導体素子を塔載した場合でも出力時の熱ストレスによ
り半導体素子にクラックが発生することがない。又、リ
ードはプラスチック封止型リード付チップキャリアに適
用するために必須の要件である優れた曲げ加工性を有す
る材料で構成したので、プラスチック封止型リード付チ
ップキャリアに大型半導体素子の搭載が可能になった。
した後、スポット溶接により結合させたものである。タ
ブ３′には銀ペーストの接合層５を介して半導体素子２
を塔載し、リード４′のインナーリード部４ａの先端に
付着させた接合層５と半導体素子２をポンディングワイ
ヤ７で結線する。最後に、半導体素子２及びインナーリ
ード部４＆ｆｒ：封止プラスチック６で封止し、アウタ
ーリード部４ｂの先端は封止プラスチック６の底面側に
屈曲させてプリント基板等に半田付けしてチップキャリ
アとする０ 〔発明の効果〕 本発明によれば、タブとリードとを別材料で形成し、タ
ブと半導体素子と熱膨張係数の差を小さくしたので大型
半導体素子を塔載した場合でも出力時の熱ストレスによ
り半導体素子にクラックが発生することがない。又、リ
ードはプラスチック封止型リード付チップキャリアに適
用するために必須の要件である優れた曲げ加工性を有す
る材料で構成したので、プラスチック封止型リード付チ
ップキャリアに大型半導体素子の搭載が可能になった。
第１図は本発明のリードフレームを用いて製作したプラ
スチック封止型リード付チップキャリアの一例の断面図
であり、第２図は従来のプラスチック封止型リード付チ
ップキャリアの断面図である。 １．１０・・リードフレーム ２・・半導体素子３．３
′・・タブ ４．４′・・リード４ａ・・インナーリー
ド部 ４ｂ・・アウターリード部 ５・・接合層 ６・
・封止プラスチック７・・ポンディングワイヤー 第１因 第２図
スチック封止型リード付チップキャリアの一例の断面図
であり、第２図は従来のプラスチック封止型リード付チ
ップキャリアの断面図である。 １．１０・・リードフレーム ２・・半導体素子３．３
′・・タブ ４．４′・・リード４ａ・・インナーリー
ド部 ４ｂ・・アウターリード部 ５・・接合層 ６・
・封止プラスチック７・・ポンディングワイヤー 第１因 第２図
Claims (1)
- （１）複数のリードとタブとからなる半導体装置用リー
ドフレームにおいて、リードは抗張力が４０ｋｇ／ｍｍ
＾２以下であつて破断伸びが１０％以上である材料から
なり、タブは熱膨張係数が１．０×１０＾−＾５／ｄｅ
ｇ以下である材料からなることを特徴とする半導体装置
用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056508A JPS62213270A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056508A JPS62213270A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213270A true JPS62213270A (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=13029066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056508A Pending JPS62213270A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315528A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム |
| WO1999044234A1 (de) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Robert Bosch Gmbh | Leadframevorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren |
| KR100799200B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및 그것의 제조 방법 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61056508A patent/JPS62213270A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315528A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム |
| US6528868B1 (en) | 1998-02-21 | 2003-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Lead frame device and method for producing the same |
| WO1999044234A1 (de) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Robert Bosch Gmbh | Leadframevorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren |
| KR100799200B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및 그것의 제조 방법 |
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