JPH01258455A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH01258455A JPH01258455A JP63086562A JP8656288A JPH01258455A JP H01258455 A JPH01258455 A JP H01258455A JP 63086562 A JP63086562 A JP 63086562A JP 8656288 A JP8656288 A JP 8656288A JP H01258455 A JPH01258455 A JP H01258455A
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、実装基板に面付は
実装される面付は実装用リードを備えた半導体装置に適
用して有効な技術に関するものである。
実装される面付は実装用リードを備えた半導体装置に適
用して有効な技術に関するものである。
半導体装置の一つに、リードのピッチ(リードの中心か
ら隣りのリードの中心までの間隔)をできるだけ小さく
してパッケージを小型にするため、アウターリードの実
装部を実装基板に面付は実装するようにした面付は実装
型の半導体装置がある。
ら隣りのリードの中心までの間隔)をできるだけ小さく
してパッケージを小型にするため、アウターリードの実
装部を実装基板に面付は実装するようにした面付は実装
型の半導体装置がある。
この半導体装置の前記アウターリードは、根本の部分す
なわちパッケージから出たところの径と、先端の径が同
じにされていた。このような面付は実装型の半導体装置
は特開昭61−120449号に開示されている。
なわちパッケージから出たところの径と、先端の径が同
じにされていた。このような面付は実装型の半導体装置
は特開昭61−120449号に開示されている。
本発明者は、前記面付は実装型半導体装置のアウターリ
ードについて検討した結果1次の問題点を見出した。
ードについて検討した結果1次の問題点を見出した。
すなわち、前記のようにアウターリードの根本と先端の
径が同じになっていると、リードの本数が増えてピッチ
が小さくなったとき、リードの実装部と実装部の間隔が
非常°に狭くなり、実装部を実装基板の電極に半田で接
続するとき、実装部同志が半田でショート(ブリッジ)
し易くなるという問題があった。そこで、リードの実装
部の間隔を広くするため、リード全体を細くするとリー
ドの機械的強度が弱くなり、半導体装置の搬送時や実装
時にリードが曲り易くなるという問題があった。
径が同じになっていると、リードの本数が増えてピッチ
が小さくなったとき、リードの実装部と実装部の間隔が
非常°に狭くなり、実装部を実装基板の電極に半田で接
続するとき、実装部同志が半田でショート(ブリッジ)
し易くなるという問題があった。そこで、リードの実装
部の間隔を広くするため、リード全体を細くするとリー
ドの機械的強度が弱くなり、半導体装置の搬送時や実装
時にリードが曲り易くなるという問題があった。
本発明の目的は、半導体装置のリードの機械的強度を向
上し、またリードの実装部間のショートを(ブリッジ)
を低減して実装の信頼性を向上することができる技術を
提供することにある。
上し、またリードの実装部間のショートを(ブリッジ)
を低減して実装の信頼性を向上することができる技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は1本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
(課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、実装基板に面付は実装される面付は実装用リ
ードを備えた半導体装置において、前記面付は実装用リ
ードの実装部を先に行くほど細くしたものである。
ードを備えた半導体装置において、前記面付は実装用リ
ードの実装部を先に行くほど細くしたものである。
上述した手段によれば、リードの径が根本から先端まで
同じ場合よりリードの実装部の間隔が広くなるので、実
装時のリードの間が半田でショート(ブリッジ)しにく
くなり、実装の信頼性を向上することができる。また、
リードの根本の径が先端より太くなっていることから、
リードの根本から先端までの全体を細くしてリードの実
装部の間隔を広くした場合よりリードの機械的強度を向
上することができる。
同じ場合よりリードの実装部の間隔が広くなるので、実
装時のリードの間が半田でショート(ブリッジ)しにく
くなり、実装の信頼性を向上することができる。また、
リードの根本の径が先端より太くなっていることから、
リードの根本から先端までの全体を細くしてリードの実
装部の間隔を広くした場合よりリードの機械的強度を向
上することができる。
以下、本発明の実施例Iを図面を用いて説明する。
第1図は1本発明の実施例■の半導体装置の平面図、
第2図は、第1図に示した半導体装置のn−n切断線に
おける断面図である。
おける断面図である。
第1図及び第2図において、1は例えばレジンからなる
樹脂封止型パッケージであり、中に半導体チップ2が封
止されている。半導体チップ2は例えばAgペース等の
接着剤3によってタブ54に接着されている。パッケー
ジ1の両側部からは、それぞれ複数本のり−ド55が出
ている。リード55のパッケージ1の中に入っている部
分(インナーリード)と、半導体チップ2の図示されて
いないポンディングパッドとの間は、例えば金(Au)
からなるボンディングワイヤ4で接続されている。
樹脂封止型パッケージであり、中に半導体チップ2が封
止されている。半導体チップ2は例えばAgペース等の
接着剤3によってタブ54に接着されている。パッケー
ジ1の両側部からは、それぞれ複数本のり−ド55が出
ている。リード55のパッケージ1の中に入っている部
分(インナーリード)と、半導体チップ2の図示されて
いないポンディングパッドとの間は、例えば金(Au)
からなるボンディングワイヤ4で接続されている。
前記イナーリードのボンディングワイヤ4が接続されて
いる表面には銀(Ag)メツキが形成しである。55A
はリード55の実装部であり、実装基板6(第3図乃至
第5図参照)のパッド電極(端子)7に面付けされる部
分である。
いる表面には銀(Ag)メツキが形成しである。55A
はリード55の実装部であり、実装基板6(第3図乃至
第5図参照)のパッド電極(端子)7に面付けされる部
分である。
次に、第1図の一点鎖線で囲んだ部分■を第3図に拡大
して示す。
して示す。
第4図は、第3図に示したリードの正面図、第5図は、
第3図に示したリードの側面図である。
第3図に示したリードの側面図である。
第3図乃至第5図において、6は実装基板であり、それ
ぞれのり−ド55の実装部55Aに対応した位置にパッ
ド電極7が設けられている。
ぞれのり−ド55の実装部55Aに対応した位置にパッ
ド電極7が設けられている。
本実施例Iの半導体装置のリード55は、アウターリー
ドの根本の径Ω3より実装部55Aのパッケージ1側の
径Ω2か細く、さらに径Q2より実装部55Aの先端の
径ρ3か細くなっている。このようにアウターリードの
平面の形状は、楔形すなわちパッケージ1側の端部から
先端に行くにしたがってしだいに細くなっている。ここ
で、前記り一ド55のパッケージ1側の径a3は、例え
ば0.2mm程度あるいはそれ以下である。また、リー
ド55の間のピッチL(第4図参照)は、例えば0゜5
mm以下である。前記実装部55Aは半田8でパッド電
極7に面付けされている。8Aは実装時に、半田8の実
装部55Aの側面に表面張力ではい上がった三方状(メ
ニスカス)の部分である。
ドの根本の径Ω3より実装部55Aのパッケージ1側の
径Ω2か細く、さらに径Q2より実装部55Aの先端の
径ρ3か細くなっている。このようにアウターリードの
平面の形状は、楔形すなわちパッケージ1側の端部から
先端に行くにしたがってしだいに細くなっている。ここ
で、前記り一ド55のパッケージ1側の径a3は、例え
ば0.2mm程度あるいはそれ以下である。また、リー
ド55の間のピッチL(第4図参照)は、例えば0゜5
mm以下である。前記実装部55Aは半田8でパッド電
極7に面付けされている。8Aは実装時に、半田8の実
装部55Aの側面に表面張力ではい上がった三方状(メ
ニスカス)の部分である。
次に、本実施例■の半導体装置の組立方法を簡単に説明
する。
する。
本実施例Iの半導体装置に用いたリードフレームは、例
えば第6図に示すような構造をしている。
えば第6図に示すような構造をしている。
第6図は1本実施例夏の半導体装置に用いたリードフレ
ームの一例を示した平面図である。
ームの一例を示した平面図である。
第6図において、50はリードフレームであり、外枠5
1.ダムバー52.タブ吊りリード53.タブ54から
なっている。このリードフレーム50は、例えば銅(C
u)、またはニッケル(Ni)と鉄(Fe)の合金、ま
たは鉄(Fe)、またはアルミニラム(AΩ)の合金等
からなる基体の表面に錫(Sn)メツキを形成し、この
上にニッケル(Ni)メツキを形成し、さらにインナー
リードのボンディングワイヤ4が接続される部分に銀(
Ag)メツキを形成したものからなっている。そして、
リード55は、アウターリードの部分(破線で囲んだ部
分1より外の部分)が先に行くほどすなわち外枠51に
近ずくほど細くなっている。このリードフレーム50の
タブ54の上に銀(Ag)ペースト等の接着剤3で半導
体チップ2を接着する。この後、ボンディングワイヤ4
の一端を半導体チップ2のポンディングパッドに例えば
ウェッジ・ポールボンディング法で接続し、他端を超音
波振動を併用した熱圧着で接続する1次に、破線で囲ん
だ部分1をレジンでモールドしてパッケージ1を形成し
。
1.ダムバー52.タブ吊りリード53.タブ54から
なっている。このリードフレーム50は、例えば銅(C
u)、またはニッケル(Ni)と鉄(Fe)の合金、ま
たは鉄(Fe)、またはアルミニラム(AΩ)の合金等
からなる基体の表面に錫(Sn)メツキを形成し、この
上にニッケル(Ni)メツキを形成し、さらにインナー
リードのボンディングワイヤ4が接続される部分に銀(
Ag)メツキを形成したものからなっている。そして、
リード55は、アウターリードの部分(破線で囲んだ部
分1より外の部分)が先に行くほどすなわち外枠51に
近ずくほど細くなっている。このリードフレーム50の
タブ54の上に銀(Ag)ペースト等の接着剤3で半導
体チップ2を接着する。この後、ボンディングワイヤ4
の一端を半導体チップ2のポンディングパッドに例えば
ウェッジ・ポールボンディング法で接続し、他端を超音
波振動を併用した熱圧着で接続する1次に、破線で囲ん
だ部分1をレジンでモールドしてパッケージ1を形成し
。
この後、リードフレーム50から外枠51.ダムバー5
2を切り落す。次に、リード55のアウターリードの部
分を所定の形状に成形した後、そのアウターリードに例
えばディッピング法で半田メツキをする。この後、実装
基板6のパッド電極7の上にリード55の実装部55A
を接続する。この接続は、予じめパッド電極7の上に半
田層8を形成しておき。
2を切り落す。次に、リード55のアウターリードの部
分を所定の形状に成形した後、そのアウターリードに例
えばディッピング法で半田メツキをする。この後、実装
基板6のパッド電極7の上にリード55の実装部55A
を接続する。この接続は、予じめパッド電極7の上に半
田層8を形成しておき。
この上に例えば接着剤等で前記実装部55Aを仮止めし
た後、リフロー炉の中で150〜300℃に加熱して行
う、または、ベーパフェイズ・ソルダリング法、赤外線
リフロー法、ヒートコレット法等で前記実装部55Aと
実装基板6のパッド電極7を接続するようにしてもよい
。
た後、リフロー炉の中で150〜300℃に加熱して行
う、または、ベーパフェイズ・ソルダリング法、赤外線
リフロー法、ヒートコレット法等で前記実装部55Aと
実装基板6のパッド電極7を接続するようにしてもよい
。
以上の説明から分るように、本実施例■によれば、実装
基板6に面付は実装される面付は実装用リード55を備
えた半導体装置において、前記面付は実装用リード55
の実装部55Aを先端に行くほど細くしたことにより、
アウターリードの径が根本から先端まで同じ(fl3−
FI2=Q1)場合より実装部55Aと実装部55Aの
間隔を広くできる。これにより、実装時に実装部55A
の間が半田でショート(ブリッジ)するのが低減される
ので、実装の信頼性を向上することができる。
基板6に面付は実装される面付は実装用リード55を備
えた半導体装置において、前記面付は実装用リード55
の実装部55Aを先端に行くほど細くしたことにより、
アウターリードの径が根本から先端まで同じ(fl3−
FI2=Q1)場合より実装部55Aと実装部55Aの
間隔を広くできる。これにより、実装時に実装部55A
の間が半田でショート(ブリッジ)するのが低減される
ので、実装の信頼性を向上することができる。
また、前記のように、実装部55Aの間隔が広くなるの
で、実装部55Aの側部に厚いメニスカスの部分8Aを
形成できる。これにより、実装部55Aとパッド電極7
の接続の機械的強度を強くできる。
で、実装部55Aの側部に厚いメニスカスの部分8Aを
形成できる。これにより、実装部55Aとパッド電極7
の接続の機械的強度を強くできる。
また、リード55の根本の径が先端より太くなっている
(fl 3)[1)ことから、リード55の根本から先
端までの全体を細くしてリード55の実装部55Aの間
隔を広くした場合よりリード55の機械的強度を向上す
ることができる。これにより、半導体装置の搬送時や実
装時等にアウターリードが曲りにくくなるので、実装部
55Aとパッド電極7とを確実に接続することができ、
信頼性を向上することができる。
(fl 3)[1)ことから、リード55の根本から先
端までの全体を細くしてリード55の実装部55Aの間
隔を広くした場合よりリード55の機械的強度を向上す
ることができる。これにより、半導体装置の搬送時や実
装時等にアウターリードが曲りにくくなるので、実装部
55Aとパッド電極7とを確実に接続することができ、
信頼性を向上することができる。
第7図は、本発明の実施例■の半導体装置のリードの平
面図、 第8図は、第7図の■−■切断線における断面図である
。
面図、 第8図は、第7図の■−■切断線における断面図である
。
本実施例■の半導体装置のリード55は、第7図及び第
8図に示すように、パッケージ1から出たところから実
装部55Aのパッケージ1側の端部までを同じ径(Ω2
=Q3)にし、実装部55Aのみを先端に行くほど細く
して、ρ2〉Qlにしたものである。
8図に示すように、パッケージ1から出たところから実
装部55Aのパッケージ1側の端部までを同じ径(Ω2
=Q3)にし、実装部55Aのみを先端に行くほど細く
して、ρ2〉Qlにしたものである。
本実施例■においても、前記実施例Iと同様の効果を得
ることができる。
ることができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、パッケージ1はセラミックでもよく。
またリード55はパッケージ1の両側のみならず例えば
特開昭61−241953号に開示されているように四
方向の全てに設けられてもよい。
特開昭61−241953号に開示されているように四
方向の全てに設けられてもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
リードの径が根本から先端まで同じ場合よりリードの実
装部の間隔が広くなるので、実装時のリードの間が半田
でショート(ブリッジ)シ辷<<なり、実装の信頼性を
向上することができる。また、リードの根本の径が先端
より太くなっていることから、リードの根本から先端ま
での全体を細くしてリードの実装部の間隔を広くした場
合よりリードの機械的強度を向上することができる。
装部の間隔が広くなるので、実装時のリードの間が半田
でショート(ブリッジ)シ辷<<なり、実装の信頼性を
向上することができる。また、リードの根本の径が先端
より太くなっていることから、リードの根本から先端ま
での全体を細くしてリードの実装部の間隔を広くした場
合よりリードの機械的強度を向上することができる。
第1図は、本発明の実施例Iの半導体装置の平面図、
第2図は、第1図に示した半導体装置の■−■切断線に
おける断面図、 第3図は、第1図の一点鎖線で囲んだ部分■の拡大平面
図。 第4図は、第3図に示したリードの正面図、第5図は、
第3図に示したリードの側面図、第6図は、本実施例I
の半導体装置の製造工程で用いるリードフレームの一例
を示した平面図、第7図は、本発明の実施例■の半導体
装置のリードの平面図、 第8図は、第7図の■−■切断線における断面図である
。 図中、1・・・パッケージ、2・・・半導体チップ、3
・・・接着剤、4・・・ボンディングワイヤ、6・・実
装基板、7・・・パッド電極、8・・・半田、8A・・
・メニスカスの部分、50・・・リードフレーム、51
・・・外枠、52・・・ダムバー、53・・・タブリー
ド、54・・・タブ、55・・・リード、55A・・・
実装部である。
おける断面図、 第3図は、第1図の一点鎖線で囲んだ部分■の拡大平面
図。 第4図は、第3図に示したリードの正面図、第5図は、
第3図に示したリードの側面図、第6図は、本実施例I
の半導体装置の製造工程で用いるリードフレームの一例
を示した平面図、第7図は、本発明の実施例■の半導体
装置のリードの平面図、 第8図は、第7図の■−■切断線における断面図である
。 図中、1・・・パッケージ、2・・・半導体チップ、3
・・・接着剤、4・・・ボンディングワイヤ、6・・実
装基板、7・・・パッド電極、8・・・半田、8A・・
・メニスカスの部分、50・・・リードフレーム、51
・・・外枠、52・・・ダムバー、53・・・タブリー
ド、54・・・タブ、55・・・リード、55A・・・
実装部である。
Claims (1)
- 1、実装基板に面付け実装される面付け実装用リードを
備えた半導体装置において、前記面付け実装用リードの
実装部が先端に行くほど細くされていることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63086562A JPH01258455A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63086562A JPH01258455A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01258455A true JPH01258455A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=13890452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63086562A Pending JPH01258455A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01258455A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195462A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
US5877937A (en) * | 1995-12-28 | 1999-03-02 | Rohm Co., Ltd. | Encapsulated semiconductor device and electronic circuit board mounting same |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63086562A patent/JPH01258455A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195462A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
US5877937A (en) * | 1995-12-28 | 1999-03-02 | Rohm Co., Ltd. | Encapsulated semiconductor device and electronic circuit board mounting same |
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