CN1199170C - 制作具有凹凸的光记录介质、及其原版盘和压模的方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于制作具有凹凸的光记录介质的原版盘的制造方法,包括:在基板(1)的表面上形成光致抗蚀剂层(2)的步骤,该光致抗蚀剂层具有与凹凸一致的精细图案;通过使用光致抗蚀剂层作为掩模并利用反应离子蚀刻,在基板表面上形成凹凸(3)的第一蚀刻步骤;以及在第一蚀刻步骤完成后,在基板(1)上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤。通过由此改善表面性质和去除尖锐次沟槽,改善了盘的噪声。
Description
技术领域
本发明涉及用于制作具有凹凸的光记录介质的原版盘(a master disk)、用于制作具有凹凸的光记录介质的压模(stamper)、以及具有凹凸的光记录介质的制造方法,其中,光盘的噪声得以改善。
背景技术
通常,在复制和/或记录通过光来进行的光记录介质,例如CD-ROM(光盘只读存储器)、具有磁光记录层的磁光记录介质、具有相变记录层的相变记录介质等中,在例如光盘、卡片等的基板上形成例如记录凹坑(recordingpit)、轨道槽等的凹凸。
至于制作这种具有凹凸的光记录介质的方法,就是通过使用一种压模、用注模法或者采用所谓的2P法(光聚合法)的成型法来制作具有所需凹凸的光记录介质基板,该压模具有与该凹凸相应的相反的凹凸图形。
在具有凹凸图形的光记录介质基板上,形成上述磁光记录层或类似的相变记录层、以及保护层。这样便能够制造出所需的光记录介质。
至于上述压模的制作,通常是制作原版盘,并给原版盘镀上例如镍,并将镍镀层从原版盘剥离。就这样转印和制作出压模。或者,原版压模由原版盘转印和制作。通过转印和复制原版压模制作出母压模。由该母压模,转印和制作出上述注模法或2P成型法中要用到的压模。
至于原版盘的制作,就是在由例如含碱玻璃、石英或金属等制成的基板的光滑表面上涂覆光致抗蚀剂层,并实施图案曝光和显影。结果,获得了其上形成有凹凸图形的原版盘。凹凸图形在高度上由光致抗蚀剂层自身的厚度确定。
如果试图在不改变当前具有例如约4.7GB的记录容量的DVD(数字化视频光盘)的尺寸的条件下获得如15GB的记录容量,则需将光盘上的凹凸做得更精细。
将凹凸制作得更精细取决于光致抗蚀剂层的图案曝光(the patternexposure)的分辨率。作为确定分辨率的因素,包括曝光光源的波长和其聚光器物镜的数值孔径(N.A.)。
假定曝光波长是λ,则使用光致抗蚀剂时获得的分辨率R由Raighly分辨率极限等式(1)来表示。
R=0.61×λ/N.A. (1)
图5显示了基于等式(1)的,曝光波长λ、最小凹坑长度和光盘的轨道间距之间的关系,该光盘由一种原版盘获得,而原版盘通过采用曝光波长λ来制作。N.A.设置为0.9。
当波长是351nm时,以等式(1)为基础,分辨率极限大约为0.240μm。在最小凹坑长度为0.25μm,轨道间距tp为0.47μm,以及DVD尺寸下,在该原版盘的基础上制作的光盘可以具有约12GB的容量。
另一方面,如果使用λ=266nm的光源,则分辨率极限约为0.18μm。在最小凹坑长度为0.41μm,轨道间距tp为0.19μm,以及该DVD尺寸下,可实现约15GB的容量。
通过使用酚醛清漆光致抗蚀剂作为光致抗蚀剂层,并通过由波长为266nm且物镜N.A.为0.90的光学系统实施的曝光,可以制作出原版盘。通过使用这样制作出来的原版盘,可以制作压模。在使用该压模制作出的光盘中,通过波长为532nm且N.A.=0.94的复制光学系统,获得容量15GB下6.6%的实际抖动值。
然而,近年来,对光盘不仅要求精细图案的简单形成,而且还要求各个图案保持一致,所形成的图案的边缘粗糙度降低,而且能控制凹凸的侧壁的倾斜角。
现在就来描述一下其原因。随着光记录介质的记录密度越高,光记录介质的复制光的波长就越短,例如从近红外线到蓝紫光(blue-violet)。此外,增加了光学拾取器中光学透镜的N.A.。结果,减少了复制光的光斑尺寸。因此,MTF(调制传递函数(Modulation Transfer Function))就增加了。此时还没有成为抖动的起因的凹凸形状对抖动产生了影响。那就是原因。
简单地将具有波长为780nm且透镜N.A.为0.45的CD的光斑尺寸与使用蓝紫色光,波长为405nm且透镜N.A.为0.85的情形下的读取光斑尺寸进行比较,这个尺寸已经缩小到0.27倍。这就可以作为一个重要的理由。
光盘抖动(jitter)的原因可用下面的等式(2)来表示。
(抖动)2=(光盘噪声)2+(串扰)2+(符号间干扰的影响)2+(电噪声)2 (2)
这样,不稳定信号原因就被分为以下几个类别:由台地区和凹坑形状引起的光盘噪声、来自相邻轨道的串扰影响、凹坑前后的符号间干扰的影响、以及取决于播放机等的电噪声。
至于串扰和它们之间的符号间干扰,已经对CD进行了处理以通过引入记录补偿来减少该些干扰。
换句话说,例如,分析复制信号的波形。并实施模拟,以通过稍微前后移动凹坑位置来使符号间干扰和串扰减至最小。其结果反馈到信号发生器,并再次实施剪辑。采用通过重复这一系列过程来减少符号间的干扰噪声的方法。
然而至于光盘噪声,其由通过曝光和显影形成的光致抗蚀剂材料图案的不一致、边缘粗糙度、和光致抗蚀剂自身的粗糙度引起。由于它们的数量是随机的,因此,要使用电路来去除噪声是非常困难的,而且在许多情况下,还需要调整光致抗蚀剂的成分。
随着通过更短的波长和更大的N.A.来促进高密度光盘的发展,光盘噪声就占主要地位了。
以20GB的ROM光盘为例进行说明。在轨道间距为0.36μm、位长(bitlength)为0.13μm/bit、光入射侧的记录层之间的透光层的厚度为100μm、记录层后面配置有反射层这样的反射因素的光盘结构中,利用具有波长为407nm的氪激光器和0.85的N.A.的复制光学系统来测量抖动值,并分析其原因。结果如下。
总抖动 8.60%
光盘噪声 5.30%
串扰 4.90%
符号间干扰 4.40%
电噪声 1.50%
这样看来,光盘噪声占了主要地位。如果要使用传统制造方法来减少光盘噪声,那是非常困难的。
在利用蓝紫色光在光记录介质中自膜形成侧实施记录/复制操作的情况下,反光膜和记录层的形状非常重要。这时必须控制例如玻璃原版盘上的凹凸形状等(即侧壁倾角)、侧壁表面的粗糙度、以及凹坑边缘形状或沟槽形状。
为了解决上述问题,这些形状的控制近来倾向于通过在例如光盘的光记录介质的原版盘制作过程中引进利用反应离子蚀刻的干蚀刻法来改善。
但是,正如图6的截面示意图所显示的那样,即使使用这种方法,在沟槽,也就是通过典型干蚀刻法形成在基板100上的凹进部分101的底部的转角部位处,依然存在空洞,也就是所谓的次沟槽102。
因此,次沟槽的形状转印到使用原版盘形成的压模上。在通过使用该压模和注模法或2P法制作的光记录介质基板上,在其凸起部位或凹进部位会存在由次沟槽引起的形状不规则。如果在由此形成的凹凸上形成反光膜和形成信息记录层的记录层,那么膜成形的覆盖性便会降低且不一致,从而导致干扰,例如误码率的增加或光盘噪声的增加。
发明内容
本发明的目的在于改善光盘噪声和抖动,此噪声和抖动在采用反应离子蚀刻法制作用于制作所需光记录介质的原版盘时引起问题。
根据本发明,制作具有凹凸的光记录介质所用的原版盘的一种制造方法包括:形成光致抗蚀剂层的步骤,该光致抗蚀剂层使用与形成原版盘的基板的表面上的凹凸一致的精细图案来形成;通过使用光致抗蚀剂层作为掩模和使用反应离子蚀刻法,在基板表面上形成凹凸的第一蚀刻步骤;以及第一蚀刻步骤完成后,在去除了光致抗蚀剂层或没有去除光致抗蚀剂层的基板上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤。
在原版盘的制造方法中,在第二个蚀刻步骤里,原版盘基板的表面粗糙度,即侧壁、底部和顶部表面的粗糙度(此下简称为表面粗糙度)的rms(均方根)在第二蚀刻步骤中达到0.3nm或更小。
此外,用于制作具有凹凸的光记录介质的压模的制造方法包括:在形成原版盘的基板表面上使用与凹凸一致的精细图案来形成光致抗蚀剂层的步骤;使用光致抗蚀剂层作为掩模并利用反应离子蚀刻,在基板表面上形成凹凸的第一蚀刻步骤;以及第一蚀刻步骤后,在基板上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤。这样就制作出具有凹凸的原版盘了。原版盘的凹凸至少被转印一次。换句话说,用于制作光记录介质的所需压模就是通过实施一次转印而制作出来的。或者,用于制作光记录介质的所需压模就是通过转印多次并制作原版压模(master stamper)和母压模而制作出来的。
此外,具有凹凸的光记录介质的制造方法包括:在构成原版盘的基板表面上使用与凹凸一致的精细图案来形成光致抗蚀剂层的步骤;使用光致抗蚀剂层作为掩模和使用反应离子蚀刻,在基板表面上形成凹凸的第一蚀刻步骤;第一蚀刻步骤后,在基板上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤;借助成形步骤、第一蚀刻步骤和第二蚀刻步骤制造用于制造光记录介质的原版盘,通过至少转印一次原版盘而制作压模,并使用该压模形成具有凹凸的光记录介质基板的步骤;以及在光记录介质基板的具有凹凸的表面上形成信息记录层的步骤。这样就制作出光记录介质。
换句话说,在制作根据本发明的原版盘或压模的过程中,制作光致抗蚀剂层的图案,并通过将该图案作为掩模来进行利用可控性极好的干蚀刻的第一蚀刻。此后,在不去除光致抗蚀剂的情况下,或者在去除光致抗蚀剂之后,实施氧离子蚀刻。发现,由第一蚀刻产生的且参照图6所述的次沟槽可以去除。结果,可以改善表面粗糙度。
换句话说,根据本发明发现,在采用与传统常识(不能通过氧离子来进行蚀刻)相反的方法时,次沟槽被排除了,而且还能避免沟槽底部的转角部位呈尖锐形状。
用于形成光记录介质的压模,或用于转印压模的原版压模或母压模可以通过转印原版盘来制作。因此,最终可以通过注模法或用2P法的成型法来制作成形性能和表面性质都极好的光记录介质。由此获得误码率和介质噪声都得到改善的光记录介质。
本发明中得到的用于制作光记录介质的原版盘可以用来制作压模。然而,原版盘自身可以用作用于制作光记录介质的压模,或用作用于制作压模的原版压模或母压模。
附图说明
图1A、1B和1C是显示本发明的用于制作光记录介质的压模的制造方法实施例的第一工序图;
图2A、2B、2C和2D是显示本发明的用于制作光记录介质的制造方法实施例的第二工序图;
图3A是显示蚀刻率与氧离子蚀刻的离子入射角之间的关系的示意图;
图3B是显示氧离子蚀刻的蚀刻情形的截面示意图;
图4是显示氧离子蚀刻的表面粗糙度与氧离子蚀刻时间之间关系的测量结果的示意图;
图5是显示原版盘制作过程中用于光致抗蚀剂的曝光光源波长λ、与使用该原版盘在光盘上形成的最小凹陷长度和轨道间距之间关系的示意图;以及
图6是通过使用反应离子蚀刻进行的干蚀刻形成的凹进部位的截面示意图。
具体实施方式
首先,参考图1来描述本发明原版盘的制造方法的实施例的一个示例,该原版盘用于获得光记录介质的制作压模。
如图1A所示,准备好用于原版盘制作的基板,例如含碱玻璃基板、石英基板、硅基板、或金属基板。基板1的表面形成光滑表面。
在基板1的光滑面上,形成光致抗蚀剂层2,该光致抗蚀剂层具有与所需光记录介质的凹凸图案一致的图形。
可以通过被覆和成形光致抗蚀剂层、图案曝光和显影处理来形成光致抗蚀剂层2的图案。
至于光致抗蚀剂层的曝光,可以通过根据公知方法借助曝光掩模将预定图案暴露在如激光、电子束或X射线下,或者通过用受到开关调制的曝光光束来扫描光致抗蚀剂层,使预定图案得到曝光。
此后,通过使用如有机或无机碱显影溶液来使在图案中显露出来的光致抗蚀剂层2显影。这样就形成具有所需图案的开口2W。
例如,在光致抗蚀剂层2为正型光致抗蚀剂的情形下,开口2W就形成在曝光部分中。
接下来,如图1B所示,通过使用光致抗蚀剂层2作为蚀刻掩模,并使用反应气体,如CHF3、CF4、C3F8、C4F8、或C5F8、或通过将这些气体中的一种与氧气或氩气混合而得到的气体,经由光致抗蚀剂层2的开口2W在基板表面上进行利用干蚀刻的第一蚀刻。通过该第一蚀刻,形成凹凸3,该凹凸具有形成在基板表面上的凹进部位3G。
这样形成的凹凸3的凹进部位3G的底部上存在次沟槽3S。
此后,如图1C所示,光致抗蚀剂层2被去除。将具有使用第一蚀刻形成的凹凸3的基板1布置在干蚀刻系统的腔室中,腔室中有氧气流动。提供高频电源来形成等离子体,并实施第二蚀刻。
通过这样的方式,由次沟槽3S形成的尖锐部分就消失了。此外,形成的凹凸在其侧壁、底部和顶部上具有优异的表面性质。原因如下。腔室中的氧气以O2 +的形式离子化。它与阴极电位侧的基板1碰撞。基板1的离子碰撞面的组成原子,例如玻璃基板、石英基板、或SiO2基板上的硅原子,被溅出。就这样将离子碰撞面的原子去除。
用这种方式,形成一个具有凹凸的原版盘4,该凹凸的成形性能和表面性质优异,其表面粗糙度达0.3nm或更少。
现在参考图2来描述本发明用于制造压模和具有凹凸的光记录介质的方法的实施例的一个例子。
在该实施例中,原版盘4通过使用上面所述的与图1A-1C类似的方法来制作。如图2A所示,通过使用例如镍化学镀和电镀术在原版盘4上形成压模材料5。
如图2B所示,从原版盘4上剥下压模材料5。用这种方式,形成一个已经转印有原版盘4的凹凸3的压模6,即压模6具有的凹凸13是原版盘上凹凸3的反图形。
由于在原版盘4的凹凸3中,排除了次沟槽,而且凹凸的表面性质优异,所以通过使用本发明的方法形成的压模6的凹凸13同样具有极为均匀一致的形状和好的表面性质,表面粗糙度为0.3nm或更少。
在本发明中,通过使用这样形成的压模6制作出光记录介质。
为了实现该目的,如图2C所示,通过使用注模法或2P法,首先制作出一个已经转印了压模6的凹凸13的光记录介质基板7,例如光盘基板,也就是说,光记录介质基板7具有凹凸3。
例如,在使用CD-ROM的光记录介质的成形过程中,通过溅镀例如铝反光膜到形成凹凸3的光记录介质基板7表面上来形成信息记录层8,于是形成图2D所示那样。例如在一次写入CD、磁光记录介质和相变光记录介质中,形成颜料层、磁光记录层、相变材料层、介电层和反光膜,以形成信息记录层8。此外,通过使用旋涂透明树脂,在信息记录层8上形成保护膜9。这样就制作出所需的光记录介质10。
在这样形成的光记录介质10中,光记录介质基板7的凹凸上没有次沟槽。因此,凹凸上形成的信息记录层的覆盖性、形状均匀性和表面性质优异。结果,改善了误码率和噪声。形成的光记录介质10的光盘噪声为-70dB或更少。
在上述实施例中,通过转印上述原版盘4形成压模6。然而在另一个实施例中,也可以通过从原版盘4的转印来形成原版压模,通过从原版压模的转印来形成母压模,并通过从母压模的转印来制作压模6。
在上述实施例中,制作出原版盘4,并使用原版盘4制作出压模6。然而在如图1所示的原版盘4的生产过程中,可以说原版盘自身可以直接用作压模6,或者可以用作形成压模6的原版压模或母压模。在这些情况下,选择光致抗蚀剂层2的曝光图案,以形成凹凸3或凹凸13,该凹凸13是通过适当颠倒凹凸3获得的。
如上所述,本发明的一个特征在于使用氧离子辐照来进行第二蚀刻。通过该氧离子蚀刻形成的凹凸具有极好的表面性质和成形性能。
可以认为,这是由以下现象引起的。通过氧离子实施的溅射蚀刻率取决于氧离子的入射角,如图3A所示。在入射角为45°时蚀刻率达到最大。
现在假定在例如SiO2上进行氧离子蚀刻,SiO2具有如图3B中虚线所示的其初始形状那样的直角平行六面体形状。该蚀刻过程从顶面推进,形成一个大致平行于顶面的平面“a”。然而在尖锐的肩部,蚀刻同样在侧壁上进行。由于45°处蚀刻率最大,所以产生了约45°的斜坡。然而在凹凸的凹进部位的侧壁“c”上,很难发生氧离子的碰撞,因此蚀刻进行极少。
在图3A中,“a”至“c”代表与图3B的面“a”至“c”相应的蚀刻率。
因此,在肩部和参考图6描述的次沟槽的尖锐底部,优选地进行利用氧离子辐照的蚀刻。次沟槽消失,形成光滑的转角部位。此外,还在粗糙表面上,以同样的方式进行着蚀刻,并且改善了表面性质。
现在参考实施例描述氧离子蚀刻。
第一实施例
将厚度为100nm的光致抗蚀剂层(GX250ESL:JSR)被覆到直径为200mm、厚度为6mm的石英基板上。通过使用N.A.为0.9的物镜和波长为413nm的Kr激光,实施图案曝光,并且实施显影以形成所需图案。
通过将光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模,从基板1表面进行第一蚀刻,第一蚀刻是使用CF4气体的干蚀刻。结果,形成各自与凹进部位一致的沟槽,即此情况下的轨道沟槽(tracking guide groove)。
此后,通过灰化(ashing)去除光致抗蚀剂层。将其上形成有沟槽的基板1插入利用超级感应磁控管技术的干蚀刻系统(NE 730:Japan VacuumTechnology),并且进行氧离子蚀刻。图4显示了此时在基板1的凹凸的平坦端面上表面粗糙度(rms:均方根)随蚀刻时间变化的测量结果。
通过使用AFM(原子力显微镜)测量表面粗糙度。在基板1表面上,在切线方向上1μm和径向上300nm的范围内的十个位置上实施了测量,并得到了rms值。
在这种情况下,起始粗糙度0.48nm被缩减到0.3nm或更少,也就是说,1200秒(20分钟)后为0.28nm,3600秒(60分钟)后缩减到0.22nm。
在沟槽中也显示了类似的趋势。虽然原始的均方根数值是0.51nm,但是,通过氧气等离子体蚀刻后降低到0.3nm或更少。也就是说,在氧气等离子体蚀刻过程进行20分钟后,rms值降到0.24nm。
由原版盘制作参考图2描述的镍压模。通过使用该压模和注模法,制作了盘厚度为0.5mm的聚碳酸酯(PC)树脂制造的光盘基板。在其上没有形成任何膜的情况下,通过使用复制测定装置测定了光盘噪声。
以下示出了用于第一实施例中凹凸的氧离子蚀刻条件、沟槽布置图案和复制测定装置系统。
氧离子蚀刻条件:
天线功率 200W
偏置(bias)功率 20W
氧气流量 25sccm
压力 1.0Pa
基板冷却温度 20℃
沟槽布置图案:
沟槽间距 0.76μm
沟槽负荷(duty) 50%
沟槽深度 35nm
复制测定系统:
激光波长 403nm
激光功率 2.5mW
光学系统的N.A. 0.60
线速度 4m/秒
累积频率 500Hz至10MHz
此时,表面粗糙度和光盘噪声得以测量。
在氧离子蚀刻以前的起始状态时,台地部分(沟槽之间的表面上)的表面粗糙度rms测量值为0.48nm,光盘噪声测量值为-68.2dB。在沟槽中,表面粗糙度rms测量值为0.51nm,光盘噪声测量值为-63.7dB。
第二蚀刻过程中在上述条件下对光盘进行20分钟的氧气等离子体蚀刻,在该第二蚀刻过程后,台地部分的表面粗糙度rms测量值为0.28nm,台地部分的光盘噪声测量值为-78.4dB,然而沟槽中表面粗糙度rms测量值为0.24nm,沟槽中光盘噪声测量为-81.5dB。这样可以证实,表面粗糙度和光盘噪声已经得到大大地改善。
第二实施例
将厚度为100nm的光致抗蚀剂被覆到与第一实施例类似的石英基板上。通过使用0.9的N.A.和波长为413nm的Kr激光,实施图案曝光。进行显影处理以形成光致抗蚀剂图案。
对基板表面进行使用CF4并使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模的干蚀刻。于是形成沟槽,该沟槽各自以与第一实施例相同的方式作为凹凸。
此后,通过使用有机抗蚀剂去除剂(Tokyo Ohka:Breaking Away Solution105)来去除光致抗蚀剂层。
此后,通过使用与第一实施例类似的干蚀刻系统来进行氧离子蚀刻。下面列出蚀刻条件。
天线功率 300W
偏置功率 10W
氧气流量 50sccm
压力 1.0Pa
基板冷却温度 15℃
在该蚀刻条件下,进行氧离子蚀刻。
通过使用这样形成的压模,通过注模法,以与第一实施例一样的方式制作聚碳酸酯(PC)树脂制造的、且盘厚为0.5mm的光盘基板。
表1显示了在进行5分钟氧离子蚀刻的情形下和在进行25分钟氧离子蚀刻的情形下第二实施例中原版盘上沟槽形状改变的测量结果,即上端侧和底侧的各侧面的倾角、沟槽负荷、以及沟槽的次沟槽高度。
[表1]
沟槽倾斜角 | 沟槽负荷(%) | 次沟槽高度(nm) | ||
上端侧(度) | 底端侧(度) | |||
氧蚀刻5分钟氧蚀刻25分钟 | 4542.5 | 38.428 | 4750 | 1.60 |
如上所述,根据本发明制造方法制造的原版盘在凹凸的成形性能上得到改善。
如上所述,根据本发明,制作出性能优异的原版盘和压模。因此在根据本发明,通过使用原版盘和压模制造的光盘中,光盘噪声得到改善。这是因为上述实施例中压模上的凹凸(即沟槽和台地的侧面、底面和顶面的表面性能)得以改善,且形成了通过去除沟槽和台地的边缘和次沟槽获得的光滑弯曲,因而其特性得到改善。
在光盘噪声得到改善的光盘上,形成了参照图2所述的反光膜,以形成信息记录层8。或者形成了颜料层、磁光记录层、相变材料层、介电层和反光膜,以形成信息记录层8。还形成保护膜9,这样制作出光记录介质10。光记录介质10在记录或复制特性方面都是优异的,而且产量得到提高。
在这样制作的光记录介质10中,其保护膜9形成为例如100μm的透光层。可以从保护膜9侧提供例如蓝紫色的激光给光记录介质10,以进行记录/复制操作。
在上述实施例中,制作了光盘。然而不用说,即使将本发明应用到卡式或各种记录介质中,都能获得类似的效果。
如上所述,在用于获得本发明中具有凹凸的光记录介质制造压模的原版盘的制作过程中,除了实施应用常规反应离子蚀刻的干蚀刻外,只实施了氧离子蚀刻,就能制作出成形性能和表面性质优异的原版盘。
此外,在本发明的光记录介质制造方法中,借助根据上述本发明方法的光记录介质制造压模或用于获得该压模的原版盘的制造方法,制造出了光记录介质。因此,可以制造出记录或复制特性都优异的光记录介质。这种方法产生很大的工业效果,提高产量而且改善批量生产性。
Claims (5)
1.一种用于制作具有凹凸的光记录介质的原版盘的制造方法,所述制造方法包括:
在基板表面上形成光致抗蚀剂层的步骤,所述光致抗蚀剂层具有与所述凹凸相应的精细图案;
通过使用所述光致抗蚀剂层作为掩模并利用反应离子蚀刻在所述基板的所述表面上形成凹凸的第一蚀刻步骤;以及
在所述第一蚀刻步骤之后,在所述基板上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤。
2.根据权利要求1所述的用于制作具有凹凸的光记录介质的原版盘的制造方法,其中,在所述第二蚀刻步骤中,使所述基板的表面粗糙度在均方根上为0.3nm或更少。
3.根据权利要求1或2所述的用于制作具有凹凸的光记录介质的原版盘的制造方法,其中,所述基板是石英基板。
4.一种用于制作具有凹凸的光记录介质的压模的制造方法,所述制造方法包括:
在基板表面上形成光致抗蚀剂层的步骤,该光致抗蚀剂层具有与所述凹凸相应的精细图案;
通过使用所述光致抗蚀剂层作为掩模并利用反应离子蚀刻,在所述基板的所述表面上形成凹凸的第一蚀刻步骤;
在所述第一蚀刻步骤之后,在所述基板上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤;
借助所述成形步骤、所述第一蚀刻步骤和所述第二蚀刻步骤制作原版盘的步骤;以及
通过至少将所述原版盘的凹凸转印一次,制作用于制作光记录介质的压模的步骤。
5.一种具有凹凸的光记录介质的制造方法,所述制造方法包括:
在基板表面上形成光致抗蚀剂层的步骤,该光致抗蚀剂层具有与所述凹凸相应的精细图案;
通过使用所述光致抗蚀剂层作为掩模并利用反应离子蚀刻,在所述基板的所述表面上形成凹凸的第一蚀刻步骤;
在所述第一蚀刻步骤后,在所述基板上实施氧离子蚀刻的第二蚀刻步骤;
借助所述成形步骤、所述第一蚀刻步骤和所述第二蚀刻步骤,制作用于制作光记录介质的原版盘的步骤;
通过至少将所述原版盘转印一次来制作压模的步骤;
通过使用所述压模形成具有凹凸的光记录介质基板的步骤;以及
在所述光记录介质基板的具有所述凹凸的表面上形成信息记录层的步骤。
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