JPH03290838A - 光デイスク原盤の製造方法 - Google Patents
光デイスク原盤の製造方法Info
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- JPH03290838A JPH03290838A JP9170590A JP9170590A JPH03290838A JP H03290838 A JPH03290838 A JP H03290838A JP 9170590 A JP9170590 A JP 9170590A JP 9170590 A JP9170590 A JP 9170590A JP H03290838 A JPH03290838 A JP H03290838A
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、クロストークが小さく、ＳＮ比の高い高密度
光ディスク等の光ディスク原盤の製造方法に間する。
光ディスク等の光ディスク原盤の製造方法に間する。
従来の技術
一般に光ディスク原盤の製造は、レジスト塗布、光カッ
ティング、現像、エツチング、レジスト除去という一連
の工程によって行なわれており、そのプロセスにおける
エツチング処理方法の一例として、イオン銃を用いたイ
オンビームエツチングが行なわれている。
ティング、現像、エツチング、レジスト除去という一連
の工程によって行なわれており、そのプロセスにおける
エツチング処理方法の一例として、イオン銃を用いたイ
オンビームエツチングが行なわれている。
隣接トラック間のクロストークをより減少させるために
は、ピットの側面をディスク面に刻して垂直に立たせる
ことが必要であり、サイドエツチングが少なく異方性を
持たせ易いイオンビームエツチングが有効である。
は、ピットの側面をディスク面に刻して垂直に立たせる
ことが必要であり、サイドエツチングが少なく異方性を
持たせ易いイオンビームエツチングが有効である。
ところで、従来の光ディスクの最小ピット面積及びトラ
ックピッチの程度であれば、単にイオン銃から発生され
たイオンビームをそのまま利用してエツチングを行なっ
てもクロストーク、ＳＮ比の点で問題は生じなかった。
ックピッチの程度であれば、単にイオン銃から発生され
たイオンビームをそのまま利用してエツチングを行なっ
てもクロストーク、ＳＮ比の点で問題は生じなかった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、現在の光ディスクでは、最小ピットのピ
ット面積が約０．４μｍＸ０．６μｍと非常に小さく、
従来約１．６μｍであつ、たトラックピッチを、１μｍ
以下に狭めた場合にクロストークが大きくなってしまう
という課題がある。また、ピットに対して斜め方向から
のビーム成分を遮ぎり指向性の高いイオンビームによっ
てエツチングすることでより立ったピットを得ることは
できるが、エツチング面であるピット底面が荒れてしま
い散乱が多くなり、ＳＮ比が悪化するという課題が生じ
てしまう。
ット面積が約０．４μｍＸ０．６μｍと非常に小さく、
従来約１．６μｍであつ、たトラックピッチを、１μｍ
以下に狭めた場合にクロストークが大きくなってしまう
という課題がある。また、ピットに対して斜め方向から
のビーム成分を遮ぎり指向性の高いイオンビームによっ
てエツチングすることでより立ったピットを得ることは
できるが、エツチング面であるピット底面が荒れてしま
い散乱が多くなり、ＳＮ比が悪化するという課題が生じ
てしまう。
本発明は、従来のこのような課題を解決した、光ディス
ク原盤の製造方法を提供することを目的とする。
ク原盤の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗布、光
カッティング、及び現像処理を施した原盤の前方に、斜
め方向からのビーム入射成分を減少させるためのマスク
を取り付け、原盤に対して略垂直方向からイオンビーム
を照射しエツチングを行う。その後フォトレジストを除
去し、高入射角イオン照射による表面処理を行なう。
カッティング、及び現像処理を施した原盤の前方に、斜
め方向からのビーム入射成分を減少させるためのマスク
を取り付け、原盤に対して略垂直方向からイオンビーム
を照射しエツチングを行う。その後フォトレジストを除
去し、高入射角イオン照射による表面処理を行なう。
作用
マスクの取り付けによって斜め方向からのイオンビーム
の入射を減少させることにより、ピット側面を原盤に対
して垂直にエツチングすることができる。また、高入射
角のビームに対するフォトレジストと金属のエツチング
レート比は一般に高くなるため、高入射角成分をマスク
によって遮ることで原盤金属とフォトレジストとのエツ
チングレート差が十分に得られ、塗布すべきフォトレジ
ストの厚みを薄くすることが可能となる。
の入射を減少させることにより、ピット側面を原盤に対
して垂直にエツチングすることができる。また、高入射
角のビームに対するフォトレジストと金属のエツチング
レート比は一般に高くなるため、高入射角成分をマスク
によって遮ることで原盤金属とフォトレジストとのエツ
チングレート差が十分に得られ、塗布すべきフォトレジ
ストの厚みを薄くすることが可能となる。
またフォトレジスト除去後、高入射角イオンを照射する
ことで、イオンビームエツチングによる原盤表面の荒れ
を低減することができる。
ことで、イオンビームエツチングによる原盤表面の荒れ
を低減することができる。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）に示すように、高入射角成分を遮るための
マスク３を作成し、レジスト塗布、光カッティング、及
び現像処理を行なった原盤４の前方とこ取り付け、原盤
を回転させながら垂直方向よりイオンビーム２を照射し
エツチングを行なう。
マスク３を作成し、レジスト塗布、光カッティング、及
び現像処理を行なった原盤４の前方とこ取り付け、原盤
を回転させながら垂直方向よりイオンビーム２を照射し
エツチングを行なう。
マスク３の開口部の形状はイオン銃１の口径及び原盤４
の大きさに依存する。またビームプロファイルに応じて
その間口部の形状を、単純な扇型ではなく適宜変えて作
成する必要がある。
の大きさに依存する。またビームプロファイルに応じて
その間口部の形状を、単純な扇型ではなく適宜変えて作
成する必要がある。
以上のような処理を行なうことによって、原盤に対して
イオンビームを垂直方向から均一に照射することができ
、マスクを使用しない場合（第２図（ａ）参照）と比較
して、側面の立ったピット５が得られる（第２図（ｂ）
参照）。不活性気体であるＡｒカスを用いた場合のエツ
チング条件の一例として、イオンエネルギーが５００ｅ
Ｖ、原盤表面におけるイオン電流密度が０．３…Ａ／Ｃ
ＩＩ＋２で、６０°開口のマスクを使用した場合、エツ
チングレートは約３ｎｍ／ｌ１ｌ−ｎであった・Ｃｕを
用いた原盤に予めＶ溝加工を行なったものにピットを記
録する場合、読み出し用ヘットとして波長が７８０ｎｆ
１１のレーザを用いるとすると、ピット５の深さは約１
３０ｎｍ（＝１／４ｎ人） （ｎはレプリカの屈折率
）必要である。フォトレジストにＡＺ１３５０Ｊ（シブ
レイ社製）を使用し、マスクを使用しない場合、Ｃｕと
ＡＺ１３５０Ｊとのエツチングレート比はほぼ１： １
であり、フォトレジストをＶ溝の山部において１３０ｎ
ｍ以上の厚みて塗布する必要がある。しかしフォトレジ
ストが厚すぎると、記録用のレーザ強度及びトラッキン
グの点で問題が生じるためレジスト厚は１１００ｎ以下
が望ましい。前述のようにマスクを使用することによっ
て高入射角成分が減少し、原盤金属とフォトレジストと
のエツチングレート差を十分に得ることができ、１１０
０ｎの様に薄いレジスト厚で十分な深さのエツチングを
行なうことが可能となる。
イオンビームを垂直方向から均一に照射することができ
、マスクを使用しない場合（第２図（ａ）参照）と比較
して、側面の立ったピット５が得られる（第２図（ｂ）
参照）。不活性気体であるＡｒカスを用いた場合のエツ
チング条件の一例として、イオンエネルギーが５００ｅ
Ｖ、原盤表面におけるイオン電流密度が０．３…Ａ／Ｃ
ＩＩ＋２で、６０°開口のマスクを使用した場合、エツ
チングレートは約３ｎｍ／ｌ１ｌ−ｎであった・Ｃｕを
用いた原盤に予めＶ溝加工を行なったものにピットを記
録する場合、読み出し用ヘットとして波長が７８０ｎｆ
１１のレーザを用いるとすると、ピット５の深さは約１
３０ｎｍ（＝１／４ｎ人） （ｎはレプリカの屈折率
）必要である。フォトレジストにＡＺ１３５０Ｊ（シブ
レイ社製）を使用し、マスクを使用しない場合、Ｃｕと
ＡＺ１３５０Ｊとのエツチングレート比はほぼ１： １
であり、フォトレジストをＶ溝の山部において１３０ｎ
ｍ以上の厚みて塗布する必要がある。しかしフォトレジ
ストが厚すぎると、記録用のレーザ強度及びトラッキン
グの点で問題が生じるためレジスト厚は１１００ｎ以下
が望ましい。前述のようにマスクを使用することによっ
て高入射角成分が減少し、原盤金属とフォトレジストと
のエツチングレート差を十分に得ることができ、１１０
０ｎの様に薄いレジスト厚で十分な深さのエツチングを
行なうことが可能となる。
エツチング処理を終えた原盤４は、レジスト除去後、高
入射角イオン照射による表面処理を行なう。第１図（ｂ
）に示すように、レジストを除去した原盤４、またはイ
オン銃ｌのいずれかを傾けてイオンビーム２が原盤４に
斜め方向から入射するよう設定し、原盤４を回転させな
がら低エネルギーのイオンを照射することにより原盤４
の荒れを平滑にする。この荒れは単一方向からのイオン
ビームエツチングを行なった結果生じるものであり、原
盤金属の結晶方向によるエツチングレート差があるため
だと考えられる。特に原盤金属にＣｕを用いた場合、荒
れの程度はエツチング量の１〜３割であり、イオンエネ
ルギーが高いほど荒れはひどくなる。第３図にイオンエ
ネルギー５００ｅＶのイオンビームエツチング時におけ
る原盤４へのイオン入射角に対する原盤表面荒れを示す
。これによるとイオン入射角が５０°以上において良好
な平坦性が保たれることがわかる。特に６０゜以上にお
いてはエツチング量の５分を切り大変良好な平坦性を保
つことが可能となる。また高入射角イオンビームエツチ
ング時は、表面荒れのイオンエネルギー依存は小さく、
入射角６０’では２ｋｅＶｔｔ ｌａえ初めて原盤表面
荒れがエツチング量の１割を越えた。
入射角イオン照射による表面処理を行なう。第１図（ｂ
）に示すように、レジストを除去した原盤４、またはイ
オン銃ｌのいずれかを傾けてイオンビーム２が原盤４に
斜め方向から入射するよう設定し、原盤４を回転させな
がら低エネルギーのイオンを照射することにより原盤４
の荒れを平滑にする。この荒れは単一方向からのイオン
ビームエツチングを行なった結果生じるものであり、原
盤金属の結晶方向によるエツチングレート差があるため
だと考えられる。特に原盤金属にＣｕを用いた場合、荒
れの程度はエツチング量の１〜３割であり、イオンエネ
ルギーが高いほど荒れはひどくなる。第３図にイオンエ
ネルギー５００ｅＶのイオンビームエツチング時におけ
る原盤４へのイオン入射角に対する原盤表面荒れを示す
。これによるとイオン入射角が５０°以上において良好
な平坦性が保たれることがわかる。特に６０゜以上にお
いてはエツチング量の５分を切り大変良好な平坦性を保
つことが可能となる。また高入射角イオンビームエツチ
ング時は、表面荒れのイオンエネルギー依存は小さく、
入射角６０’では２ｋｅＶｔｔ ｌａえ初めて原盤表面
荒れがエツチング量の１割を越えた。
すなわち表面性改善処理時のイオンビームの照射は２
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒの真空度下でＡｒガスを用い、イ
オンビームエネルギー約５００ ｅＶ、入射角６０度の
条件で行なえば良い。ただし、真空度は２×１０−３丁
ｏｒｒ以下であれば問題はなく、ビームエネルギーは２
ｋｅＶ以下なら良い。また入射角θは、５０°≦θ（
≦９０°）の範囲内で適宜条件を選べばよい。
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒの真空度下でＡｒガスを用い、イ
オンビームエネルギー約５００ ｅＶ、入射角６０度の
条件で行なえば良い。ただし、真空度は２×１０−３丁
ｏｒｒ以下であれば問題はなく、ビームエネルギーは２
ｋｅＶ以下なら良い。また入射角θは、５０°≦θ（
≦９０°）の範囲内で適宜条件を選べばよい。
なお、以上述べてきた高入射角イオンの照射は、エツチ
ングされた粒子が原盤に再付着し、ピット周囲あるいは
溝周縁部に形成されたパリを除去する方法としても有効
である。
ングされた粒子が原盤に再付着し、ピット周囲あるいは
溝周縁部に形成されたパリを除去する方法としても有効
である。
ピット周囲に形成されるパリは、第４図に示すように、
より低周波数の信号ピット５でかつ原盤の周に沿った部
分に形成され易いため、第５図（ａ）、 （Ｉ））に示
すように原盤の径方向から高入射角でイオンを照射する
のが有効である。この処理によりピット底面をなめらか
にすると同時に、ピット周囲あるいは溝周縁部に形成さ
れたパリを除去することが可能である。
より低周波数の信号ピット５でかつ原盤の周に沿った部
分に形成され易いため、第５図（ａ）、 （Ｉ））に示
すように原盤の径方向から高入射角でイオンを照射する
のが有効である。この処理によりピット底面をなめらか
にすると同時に、ピット周囲あるいは溝周縁部に形成さ
れたパリを除去することが可能である。
また、予め周に沿いＶ溝加工を行なった原盤の■溝斜面
に、イオンビームエツチングによってピットが形成され
た原盤４の場合、前述の方法では■講の形状を損なうた
め、第６図（ａ）、 （ｂ）に示すようにＶ満の接線
方向から原盤４に対して高入射角でイオンを照射するこ
とにより、■溝の形状を保ったままピット底面をなめら
かにし、同時に、ピット周囲あるいは溝周縁部に形成さ
れたパリを除去することが可能である。
に、イオンビームエツチングによってピットが形成され
た原盤４の場合、前述の方法では■講の形状を損なうた
め、第６図（ａ）、 （ｂ）に示すようにＶ満の接線
方向から原盤４に対して高入射角でイオンを照射するこ
とにより、■溝の形状を保ったままピット底面をなめら
かにし、同時に、ピット周囲あるいは溝周縁部に形成さ
れたパリを除去することが可能である。
なお、原盤の材料としては、Ｃｕの他に、ＣＬ１合金を
用いてもよい。
用いてもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明にかかる光ディスク原盤の製
造方法は、レジスト塗布、光カッティング、及び現像処
理を施した原盤に対して略垂直方向からのイオンビーム
エツチングを行いフォトレジストを除去した後、高入射
角イオン照射による表面処理を行なうことによって、ピ
ット側面が原盤に垂直である十分な深さのピットを形成
でき、かつ表面の荒れのないなめらかな原盤を製造でき
る。
造方法は、レジスト塗布、光カッティング、及び現像処
理を施した原盤に対して略垂直方向からのイオンビーム
エツチングを行いフォトレジストを除去した後、高入射
角イオン照射による表面処理を行なうことによって、ピ
ット側面が原盤に垂直である十分な深さのピットを形成
でき、かつ表面の荒れのないなめらかな原盤を製造でき
る。
第１図（ａ）、 （１））は、本発明の光ディスク原盤
の製造方法の工程を示す工程側面図、第２図（ａ）は、
従来の光ディスク原盤表面断面図、第２図（ｂ）は、本
発明にかかる光ディスク原盤の製造方法の一実施例によ
って、製造された光ディスク原盤の表面断面図、第３図
は同実施例における原盤表面荒れの度合いのイオン入射
角依存を示すグラフ、第４図（ａ）は、同実施例におけ
るピット周囲に形成されるパリを示す平面図、第４図（
ｂ）は、同実施例におけるビット周囲に形成されるパリ
を示す断面図、第５［ｍ（ａ）は、同実施例における径
方向からのイオン照射による表面処理方法を説明するた
めの平面図、第５図（ｂ）は、同実施例における径方向
からのイオン＠射による表面処理方法を説明するための
側面図、第６図（ａ）は、別実施例における周方向から
のイオン照射による表面処理方法を示す平面図、第６図
（ｂ）は、同実施例における周方向からのイオン照射に
よる表面処理方法を示す側面図である。 ｌ・・・イオン銃、２・・・イオンビーム束、３・・・
マスク、４・・・ディスク原盤、５・・・ピット。
の製造方法の工程を示す工程側面図、第２図（ａ）は、
従来の光ディスク原盤表面断面図、第２図（ｂ）は、本
発明にかかる光ディスク原盤の製造方法の一実施例によ
って、製造された光ディスク原盤の表面断面図、第３図
は同実施例における原盤表面荒れの度合いのイオン入射
角依存を示すグラフ、第４図（ａ）は、同実施例におけ
るピット周囲に形成されるパリを示す平面図、第４図（
ｂ）は、同実施例におけるビット周囲に形成されるパリ
を示す断面図、第５［ｍ（ａ）は、同実施例における径
方向からのイオン照射による表面処理方法を説明するた
めの平面図、第５図（ｂ）は、同実施例における径方向
からのイオン＠射による表面処理方法を説明するための
側面図、第６図（ａ）は、別実施例における周方向から
のイオン照射による表面処理方法を示す平面図、第６図
（ｂ）は、同実施例における周方向からのイオン照射に
よる表面処理方法を示す側面図である。 ｌ・・・イオン銃、２・・・イオンビーム束、３・・・
マスク、４・・・ディスク原盤、５・・・ピット。
Claims (6)
- （１）光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗
布、光カッティング、及び現像処理を施した原盤をエッ
チングする際、まず前記原盤に対して略垂直方向からイ
オンビームを照射してエッチングを行い、その後フォト
レジストを除去した後、高入射角イオン照射によって表
面処理を行なうことを特徴とする光ディスク原盤の製造
方法。 - （２）表面処理を、入射角５０゜以上を主成分とするイ
オンビームによって行なうことを特徴とする請求項１記
載の光ディスク原盤の製造方法。 - （３）表面処理を、前記原盤に対して径方向から照射す
ることを特徴とする請求項２記載の光ディスク原盤の製
造方法。 - （４）表面処理を、イオンエネルギー２ｋＶ以下を主成
分とする低エネルギーイオンビームにより行なうことを
特徴とする請求項２記載の光ディスク原盤の製造方法。 - （５）光ディスク原盤に予めＶ溝加工を行なつておくこ
とを特徴とする請求項２記載の光ディスク原盤の製造方
法。 - （６）光ディスク原盤の少なくとも表面は銅またはその
合金で出来ていることを特徴とする請求項５記載の光デ
ィスク原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9170590A JPH03290838A (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 光デイスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9170590A JPH03290838A (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 光デイスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290838A true JPH03290838A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14033930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9170590A Pending JPH03290838A (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 光デイスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101738A1 (fr) * | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque-maitre destine a la fabrication de support d'enregistrement optique presentant des depressions regulieres et des saillies, matrice de pressage et support d'enregistrement optique |
| US8108986B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a perpendicular magnetic write pole having a large bevel angle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304745A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-05 JP JP9170590A patent/JPH03290838A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304745A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101738A1 (fr) * | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque-maitre destine a la fabrication de support d'enregistrement optique presentant des depressions regulieres et des saillies, matrice de pressage et support d'enregistrement optique |
| US8108986B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a perpendicular magnetic write pole having a large bevel angle |
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