JPH02304745A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
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- JPH02304745A JPH02304745A JP12483589A JP12483589A JPH02304745A JP H02304745 A JPH02304745 A JP H02304745A JP 12483589 A JP12483589 A JP 12483589A JP 12483589 A JP12483589 A JP 12483589A JP H02304745 A JPH02304745 A JP H02304745A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ クロストークが小さく、ＳＮ比の高い高密
度光ディスク等の原盤の製造方法に関すも従来の技術 一般に光ディスク原盤の製造は レジスト塗本光カッテ
ィング、現像 エツチング、 レジスト除去という一連
の工程によって行なわれており、そのプロセスにおける
エツチング処理方法の一つとして、イオン銃を用いたイ
オンビームエツチングが行なわれている。
度光ディスク等の原盤の製造方法に関すも従来の技術 一般に光ディスク原盤の製造は レジスト塗本光カッテ
ィング、現像 エツチング、 レジスト除去という一連
の工程によって行なわれており、そのプロセスにおける
エツチング処理方法の一つとして、イオン銃を用いたイ
オンビームエツチングが行なわれている。
従来の光ディスクの最小ピット面積及びトラックピッチ
であれは 単にイオン銃から発生されたイオンビームを
そのまま利用してエツチングを行なってもクロスト−久
ＳＮ比の点で問題は生じなかっ九 例えば隣接トラッ
ク間のクロストークをより減少させるために（上 ピッ
トの側面をディスク面に対して垂直に立たせることが必
要であり、サイドエツチングが少なく異方性を持たせ易
いイオンビームエツチングが有効であ本 発明が解決しようとする課題 ところが現在の光ディスク（よ 最小ピットのピット面
積が約０．４μｍＸ０．６μｍと非常に小さくなってき
ていも 従って、従来約１．６μｍであったトラックピ
ッチを１μｍ以下に狭めた場合、上記従来の製造方法に
よる光ディスクではクロストークが大きくなってしまう
。
であれは 単にイオン銃から発生されたイオンビームを
そのまま利用してエツチングを行なってもクロスト−久
ＳＮ比の点で問題は生じなかっ九 例えば隣接トラッ
ク間のクロストークをより減少させるために（上 ピッ
トの側面をディスク面に対して垂直に立たせることが必
要であり、サイドエツチングが少なく異方性を持たせ易
いイオンビームエツチングが有効であ本 発明が解決しようとする課題 ところが現在の光ディスク（よ 最小ピットのピット面
積が約０．４μｍＸ０．６μｍと非常に小さくなってき
ていも 従って、従来約１．６μｍであったトラックピ
ッチを１μｍ以下に狭めた場合、上記従来の製造方法に
よる光ディスクではクロストークが大きくなってしまう
。
ピットに対して斜め方向からのビーム成分を遮ぎり指向
性の高いイオンビームによってエツチングすることでよ
り立ったピットを得ることはできも しかしエツチング
面であるピット底面が荒れてしまＣＸ、散乱が多くなり
、ＳＮ比が悪化する結果となａ 本発明（上 従来のこのような課題を解決できる光ディ
スク原盤の製造方法を提供することを目的とすａ 課題を解決するための手段 光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗布 光
カッティング、及び現像処理を施した原盤の前方番Ｑ
斜め方向からのビーム入射成分を減少させるためのマス
クを取り付（す、原盤に対して略垂直方向からイオンビ
ームを照射してエツチングを行う。その後フォトレジス
トを除去し 低エネルギーのイオン照射による表面処理
を行なう。
性の高いイオンビームによってエツチングすることでよ
り立ったピットを得ることはできも しかしエツチング
面であるピット底面が荒れてしまＣＸ、散乱が多くなり
、ＳＮ比が悪化する結果となａ 本発明（上 従来のこのような課題を解決できる光ディ
スク原盤の製造方法を提供することを目的とすａ 課題を解決するための手段 光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗布 光
カッティング、及び現像処理を施した原盤の前方番Ｑ
斜め方向からのビーム入射成分を減少させるためのマス
クを取り付（す、原盤に対して略垂直方向からイオンビ
ームを照射してエツチングを行う。その後フォトレジス
トを除去し 低エネルギーのイオン照射による表面処理
を行なう。
作 用
マスクの取り付けによって斜め方向からのイオンビーム
の入射を減少させることにより、ピット側面を原盤に対
して垂直にエツチングすることができる。また 高入射
角のビームに対するフォトレジストのエツチングレート
は一般に金属よりも高いたべ 高入射角成分をマスクに
よって遮ることで原盤金属とフォトレジストとのエツチ
ングレート差が十分に得られ 塗布すべきフォトレジス
トの厚みを薄くすることが可能となる。
の入射を減少させることにより、ピット側面を原盤に対
して垂直にエツチングすることができる。また 高入射
角のビームに対するフォトレジストのエツチングレート
は一般に金属よりも高いたべ 高入射角成分をマスクに
よって遮ることで原盤金属とフォトレジストとのエツチ
ングレート差が十分に得られ 塗布すべきフォトレジス
トの厚みを薄くすることが可能となる。
またフォトレジスト除去後、低エネルギーのイオンを照
射することて イオンビームエツチングによる原盤表面
の荒れを低減することができも実施例 以下、本発明の一実施例における光ディスク原盤の製造
方法を示も 第１図（ａ）に示すよう鳳 イオン銃１から放射される
イオンビーム２の高入射角成分を遮るためのマスク３を
作成し レジスト塗布 光カッティング、及び現像処理
を行なった原盤４の前方に取り付ζす、原盤４を回転さ
せながら垂直方向よりイオンビーム２を照射しエツチン
グを行なう。マスク３の開口部の形状はイオン銃１の口
径及び原盤４の大きさに依存すも またビームプロファ
イルに応じて開口部の形状を、単純な扇型ではなく適宜
変えて作成する必要があも 以上のような処理を行なうことによって、原盤４に対し
てイオンビーム２を垂直方向から均一に照射することが
でき、マスク３を使用しない場合（第２図（ａ））と比
較してピット５の側面の立ったピット５が得られる（第
２図（ｂ））。不活性気体であるＡｒガスを用いた場合
のエツチング条件の一例として、イオンエネルギーが５
００ｅＶ、原盤表面におけるイオン電流密度が０．３ｍ
Ａ／Ｃｍ”で、 ６０°開口のマスク３を使用した場合
、エツチングレートは約３ｎｍ／ｍｉｎであったＣｕを
用いた原盤４に予めＶ溝加工を行なったものにピット５
を記録する場合、読み出し用ヘッドとして波長が７８０
ｎｍのレーザを用いるとすると、 ピット５の深さは約
１３０ ｎｍ （＝ １／４ｎλ）必要である。フォト
レジストにＡＺ １３５０Ｊ（シブレイ社製）を使用し
マスク３を使用しない場合、ＣｕとＡＺ１３５０Ｊと
のエツチングレート比はほぼ１：１であり、フォトレジ
ストをＶ溝の山部において１３０ ｎｍ以上の厚みで塗
布する必要がある。 しかしフォトレジストが厚すぎる
と、記録用のレーザ強度及びトラッキングの点で問題が
生じるためレジスト厚は１００ ｎｍ以下が望ましく〜
前述のようにマスク３を使用することによって高入射
角成分が減少し 原盤４金属とフォトレジストとのエツ
チングレート差を十分に得ることができ、薄いレジスト
厚で十分な深さのエツチングを行なうことが可能となも
エツチング処理を終えた原盤４ζよ レジスト除去後、
低エネルギーのイオン照射による表面処理を行なう。第
１図（ｂ）に示すようへ レジストを除去した原盤４、
またはイオン銃１のいずれかを傾けてイオンビーム２が
原盤４に斜め方向から入射するよう設定し 原盤４を回
転させながら低エネルギーのイオン２を照射することに
より原盤４の荒れを平滑にする。この荒れは単一方向か
らのイオンビームエツチングを行なった結果生じるもの
であり、原盤４金属の結晶方向によるエツチングレート
差があるためだと考えられる。原盤４金属にＣｕを用い
た場合、荒れの程度はエツチング量の１〜３割であり、
イオンエネルギーが高いほど荒れはひどくなる。
射することて イオンビームエツチングによる原盤表面
の荒れを低減することができも実施例 以下、本発明の一実施例における光ディスク原盤の製造
方法を示も 第１図（ａ）に示すよう鳳 イオン銃１から放射される
イオンビーム２の高入射角成分を遮るためのマスク３を
作成し レジスト塗布 光カッティング、及び現像処理
を行なった原盤４の前方に取り付ζす、原盤４を回転さ
せながら垂直方向よりイオンビーム２を照射しエツチン
グを行なう。マスク３の開口部の形状はイオン銃１の口
径及び原盤４の大きさに依存すも またビームプロファ
イルに応じて開口部の形状を、単純な扇型ではなく適宜
変えて作成する必要があも 以上のような処理を行なうことによって、原盤４に対し
てイオンビーム２を垂直方向から均一に照射することが
でき、マスク３を使用しない場合（第２図（ａ））と比
較してピット５の側面の立ったピット５が得られる（第
２図（ｂ））。不活性気体であるＡｒガスを用いた場合
のエツチング条件の一例として、イオンエネルギーが５
００ｅＶ、原盤表面におけるイオン電流密度が０．３ｍ
Ａ／Ｃｍ”で、 ６０°開口のマスク３を使用した場合
、エツチングレートは約３ｎｍ／ｍｉｎであったＣｕを
用いた原盤４に予めＶ溝加工を行なったものにピット５
を記録する場合、読み出し用ヘッドとして波長が７８０
ｎｍのレーザを用いるとすると、 ピット５の深さは約
１３０ ｎｍ （＝ １／４ｎλ）必要である。フォト
レジストにＡＺ １３５０Ｊ（シブレイ社製）を使用し
マスク３を使用しない場合、ＣｕとＡＺ１３５０Ｊと
のエツチングレート比はほぼ１：１であり、フォトレジ
ストをＶ溝の山部において１３０ ｎｍ以上の厚みで塗
布する必要がある。 しかしフォトレジストが厚すぎる
と、記録用のレーザ強度及びトラッキングの点で問題が
生じるためレジスト厚は１００ ｎｍ以下が望ましく〜
前述のようにマスク３を使用することによって高入射
角成分が減少し 原盤４金属とフォトレジストとのエツ
チングレート差を十分に得ることができ、薄いレジスト
厚で十分な深さのエツチングを行なうことが可能となも
エツチング処理を終えた原盤４ζよ レジスト除去後、
低エネルギーのイオン照射による表面処理を行なう。第
１図（ｂ）に示すようへ レジストを除去した原盤４、
またはイオン銃１のいずれかを傾けてイオンビーム２が
原盤４に斜め方向から入射するよう設定し 原盤４を回
転させながら低エネルギーのイオン２を照射することに
より原盤４の荒れを平滑にする。この荒れは単一方向か
らのイオンビームエツチングを行なった結果生じるもの
であり、原盤４金属の結晶方向によるエツチングレート
差があるためだと考えられる。原盤４金属にＣｕを用い
た場合、荒れの程度はエツチング量の１〜３割であり、
イオンエネルギーが高いほど荒れはひどくなる。
なおイオンビーム２の照射は２ ｘ １０−’Ｔｏ ｒ
ｒの真空度下でＡｒガスを用１．ｋ イオンビーム電
圧的３００Ｖ、入射角６０度の条件で行なったただし
真空度は２ｘ １０−”Ｔｏ ｒ ｒ以下であれば問題
はなく、ビーム電圧は５００ｅＶ以下なら良い。また入
射角θは ４５°≦θ（≦９０６）の範囲内で適宜条件
を選べばよ（℃ な抵 以上述べてきた低エネルギーイオンの照射（ヨ
エツチングされた粒子が原盤４に再付着しピッ５５周
囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ６を除去する方法
としても有効である。
ｒの真空度下でＡｒガスを用１．ｋ イオンビーム電
圧的３００Ｖ、入射角６０度の条件で行なったただし
真空度は２ｘ １０−”Ｔｏ ｒ ｒ以下であれば問題
はなく、ビーム電圧は５００ｅＶ以下なら良い。また入
射角θは ４５°≦θ（≦９０６）の範囲内で適宜条件
を選べばよ（℃ な抵 以上述べてきた低エネルギーイオンの照射（ヨ
エツチングされた粒子が原盤４に再付着しピッ５５周
囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ６を除去する方法
としても有効である。
ピット５の周囲に形成されるバリ６（よ 第３図（ａ）
（ｂ）に示すように より低周波数の信号ピット５でか
つ原盤４の周に沿った部分に形成され易いた敢 第４図
（ａ）（ｂ）に示すように原盤４の径方向から高入射角
でイオン２を照射するのが有効であも この処理により
ピット５底面をなめらかにすると同時Ｉミ ピッ５５
周囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ６を除去するこ
とが可能である。
（ｂ）に示すように より低周波数の信号ピット５でか
つ原盤４の周に沿った部分に形成され易いた敢 第４図
（ａ）（ｂ）に示すように原盤４の径方向から高入射角
でイオン２を照射するのが有効であも この処理により
ピット５底面をなめらかにすると同時Ｉミ ピッ５５
周囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ６を除去するこ
とが可能である。
また 予め周に沿い■溝加工を行なった原盤４のＶ溝斜
面く イオンビームエツチングによってピットが形成さ
れた原盤４の場合、前述の方法ではＶ溝の形状を損なう
た数 第５図に示すようにＶ溝の接線方向から原盤４に
対して高入射角でイオン２を照射することにより、■溝
の形状を保つたままビット５底面をなめらかにし 同時
へ ビット５周囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ６
を除去することが可能であも 発明の効果 本発明は光ディスク原盤の製造方法において、レジスト
塗布 光カッティン久 及び現像処理を施した原盤に対
して略垂直方向からのイオンビームエツチングを行いフ
ォトレジストを除去した眞低エネルギーのイオン照射に
よる表面処理を行なうことによって、ピット側面が原盤
に垂直である十分な深さのピットを形成でき、かつ表面
の荒れのないなめらかな原盤を製造できる効果を有する
ものである。
面く イオンビームエツチングによってピットが形成さ
れた原盤４の場合、前述の方法ではＶ溝の形状を損なう
た数 第５図に示すようにＶ溝の接線方向から原盤４に
対して高入射角でイオン２を照射することにより、■溝
の形状を保つたままビット５底面をなめらかにし 同時
へ ビット５周囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ６
を除去することが可能であも 発明の効果 本発明は光ディスク原盤の製造方法において、レジスト
塗布 光カッティン久 及び現像処理を施した原盤に対
して略垂直方向からのイオンビームエツチングを行いフ
ォトレジストを除去した眞低エネルギーのイオン照射に
よる表面処理を行なうことによって、ピット側面が原盤
に垂直である十分な深さのピットを形成でき、かつ表面
の荒れのないなめらかな原盤を製造できる効果を有する
ものである。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例における光ディ
スク原盤の製造方法を示し 同図（ａ）はイオンビーム
を原盤に対して垂直方向に照射する工程を示す側面図
同図（ｂ）はイオンビームを原盤に対して斜め方向に照
射する工程を示す側面図 第２図（ａ）は同実施例のマ
スクを用いない場合の光ディスク原盤表面の断面云 第
２図（ｂ）は同マスクを用いた場合の光ディスク原盤表
面の断面＠ 第３図（ａ）（ｂ）はピット周囲に形成さ
れるバリを示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）、第４図
（ａ）（ｂ）は同実施例における径方向からのイオン照
射工程を示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）、第５図（
ａ）（ｂ）は同実施例における周方向からのイオン照射
工程を示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。 １９０．イオン誠 ２６９．イオンビーム ３１１．マ
ス久 ４９１．ディスク原ａ 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 １ 図 ハ″Ｊ３図
スク原盤の製造方法を示し 同図（ａ）はイオンビーム
を原盤に対して垂直方向に照射する工程を示す側面図
同図（ｂ）はイオンビームを原盤に対して斜め方向に照
射する工程を示す側面図 第２図（ａ）は同実施例のマ
スクを用いない場合の光ディスク原盤表面の断面云 第
２図（ｂ）は同マスクを用いた場合の光ディスク原盤表
面の断面＠ 第３図（ａ）（ｂ）はピット周囲に形成さ
れるバリを示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）、第４図
（ａ）（ｂ）は同実施例における径方向からのイオン照
射工程を示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）、第５図（
ａ）（ｂ）は同実施例における周方向からのイオン照射
工程を示す平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。 １９０．イオン誠 ２６９．イオンビーム ３１１．マ
ス久 ４９１．ディスク原ａ 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 １ 図 ハ″Ｊ３図
Claims (5)
- （１）光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗
布、光カッティング、及び現像処理を施した原盤をエッ
チングする際、まず原盤に対して略垂直方向からイオン
ビームを照射してエッチングを行い、フォトレジストを
除去した後、低エネルギーのイオン照射による表面処理
を行なうことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 - （２）低エネルギーのイオン照射による表面処理を、高
入射角のイオンビームを主成分とするイオンビームによ
って行なうことを特徴とする請求項１記載の光ディスク
原盤の製造方法。 - （３）低エネルギーのイオン照射による表面処理を、原
盤に対して径方向から照射することを特徴とする請求項
２記載の光ディスク原盤の製造方法。 - （４）低エネルギーのイオン照射による表面処理を、原
盤に対して周方向から照射することを特徴とする請求項
２記載の光ディスク原盤の製造方法。 - （５）光ディスク原盤に予めＶ溝加工を行なっておくこ
とを特徴とする請求項４記載の光ディスク原盤の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12483589A JP2507048B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12483589A JP2507048B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304745A true JPH02304745A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2507048B2 JP2507048B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=14895273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12483589A Expired - Lifetime JP2507048B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507048B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03290838A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク原盤の製造方法 |
| WO2002101738A1 (fr) * | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque-maitre destine a la fabrication de support d'enregistrement optique presentant des depressions regulieres et des saillies, matrice de pressage et support d'enregistrement optique |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12483589A patent/JP2507048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03290838A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク原盤の製造方法 |
| WO2002101738A1 (fr) * | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque-maitre destine a la fabrication de support d'enregistrement optique presentant des depressions regulieres et des saillies, matrice de pressage et support d'enregistrement optique |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2507048B2 (ja) | 1996-06-12 |
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