CN1172198C - 具有抗反射膜的光学元件 - Google Patents
具有抗反射膜的光学元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1172198C CN1172198C CNB011331291A CN01133129A CN1172198C CN 1172198 C CN1172198 C CN 1172198C CN B011331291 A CNB011331291 A CN B011331291A CN 01133129 A CN01133129 A CN 01133129A CN 1172198 C CN1172198 C CN 1172198C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sio
- tio
- basic unit
- reflective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 88
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 150000002821 niobium Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 54
- -1 allyl ester Chemical class 0.000 description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 20
- SQKXNGVZKNKYDV-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;2-(2-hydroxyethoxy)ethanol Chemical compound OC(O)=O.OCCOCCO SQKXNGVZKNKYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 8
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 7
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical class CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical group 0.000 description 3
- RBCYCMNKVQPXDR-UHFFFAOYSA-N phenoxysilane Chemical compound [SiH3]OC1=CC=CC=C1 RBCYCMNKVQPXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- GFZCDYDYTBNXHT-UHFFFAOYSA-N 2-(pent-4-enoxymethyl)oxirane Chemical group C=CCCCOCC1CO1 GFZCDYDYTBNXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- KILURZWTCGSYRE-LNTINUHCSA-K (z)-4-bis[[(z)-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]alumanyloxypent-3-en-2-one Chemical compound CC(=O)\C=C(\C)O[Al](O\C(C)=C/C(C)=O)O\C(C)=C/C(C)=O KILURZWTCGSYRE-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJOPBCZQSPNWLW-UHFFFAOYSA-N C(C)O[SiH2]OCC.CC=C Chemical compound C(C)O[SiH2]OCC.CC=C NJOPBCZQSPNWLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWFZAAGYIJTNNS-UHFFFAOYSA-N CCCO[Si](C)OCCC Chemical compound CCCO[Si](C)OCCC KWFZAAGYIJTNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFMKDLMZPJNPR-UHFFFAOYSA-N CCO[Si](C)(OCC)OC(C)OCC1CO1 Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OC(C)OCC1CO1 ZAFMKDLMZPJNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXJZCBUXFVZSLL-UHFFFAOYSA-N CO[SiH2]OC.C=CC Chemical compound CO[SiH2]OC.C=CC PXJZCBUXFVZSLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKEQBMCRQDSRET-UHFFFAOYSA-N Methylone Chemical compound CNC(C)C(=O)C1=CC=C2OCOC2=C1 VKEQBMCRQDSRET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(3-chloropropyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCCCl YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- YOMAMBOZYONBQO-UHFFFAOYSA-N benzyl(diethoxy)silane Chemical compound CCO[SiH](OCC)CC1=CC=CC=C1 YOMAMBOZYONBQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOQTUFWZMIROT-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethoxy)silane Chemical compound CO[SiH](OC)CC1=CC=CC=C1 UJOQTUFWZMIROT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBIWRUYUONRXCL-UHFFFAOYSA-N but-3-enyl trimethyl silicate Chemical compound C(=C)CCO[Si](OC)(OC)OC JBIWRUYUONRXCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](CCl)(OC)OC FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)OCCCC TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWTJVXCCMKLQKS-UHFFFAOYSA-N diethoxy(ethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](CC)OCC ZWTJVXCCMKLQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N diethoxy(phenyl)silicon Chemical compound CCO[Si](OCC)C1=CC=CC=C1 BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWGJCHRFALXDAR-UHFFFAOYSA-N diethoxy-ethyl-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(CC)OCC UWGJCHRFALXDAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQQUOFFTDIWFQP-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC1CO1 LQQUOFFTDIWFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(C)OCC1CO1 NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N diethoxysilane Chemical compound CCO[SiH2]OCC ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- CIQDYIQMZXESRD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[SiH](OC)C1=CC=CC=C1 CIQDYIQMZXESRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HURAXYIBQPNMKB-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxy)silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OCC1CO1 HURAXYIBQPNMKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(C)OCC1CO1 RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSLVSGVAVRTLAV-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[SiH](OC)OC YSLVSGVAVRTLAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N ethyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](CC)(OCCC)OCCC KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTSRFYSEWIPFNI-UHFFFAOYSA-N ethyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CC[Si](C)(OC)OC HTSRFYSEWIPFNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000887 hydrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009863 impact test Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- RIZBYEUQGWNDEQ-UHFFFAOYSA-N methyl-tris(2-phenylethoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CCO[Si](OCCC=1C=CC=CC=1)(C)OCCC1=CC=CC=C1 RIZBYEUQGWNDEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLBPOJLDZXHVRR-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCNCCN YLBPOJLDZXHVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- YRLNLEDCGGGGRS-UHFFFAOYSA-N pentoxysilane Chemical compound CCCCCO[SiH3] YRLNLEDCGGGGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHTWKNPMPDIELI-UHFFFAOYSA-N phenylmethoxysilane Chemical compound [SiH3]OCC1=CC=CC=C1 XHTWKNPMPDIELI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002578 polythiourethane polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CCC)OCC1CO1 OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)OCC1CO1 SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(C)OCC1CO1 KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSUGNQKJVLXBHC-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCOCC1CO1 GSUGNQKJVLXBHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQVLEZMEMDWETM-UHFFFAOYSA-N trihydroxy-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](O)(O)O XQVLEZMEMDWETM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)COCC1CO1 LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCCC([Si](OC)(OC)OC)OCC1CO1 FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)OCC1CO1 ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCOCC1CO1 GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical group O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940124543 ultraviolet light absorber Drugs 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
为了解决获得在塑料基材和抗反射涂层之间具有高粘合性、也具有优异的耐热性和抗冲击性的光学元件而提供了这种光学元件,它包括塑料基材和在其上依次提供的铌(Nb)基层和抗反射膜,其中该基层任选与一种或多种选自铝(Al),钽(Ta),铬(Cr)和其两种或多种混合物的组分相混合,这些成分的量达到整个层的50wt.%。
Description
本发明涉及一种具有抗反射膜的光学元件,特别是一种包括塑料基材和抗反射膜的光学元件,其中该元件在塑料基材和抗反射膜之间具有优异的粘合性,并且显示出良好的抗磨性、耐热性和抗冲击性。
在塑料基材上的包括抗反射膜的光学元件是公知的。提供在塑料基材表面上的用来增强基材和抗反射膜之间粘合性的薄金属薄膜层也使公知的。例如,JP-A-186202/1987公开了一种在塑料基材表面上具有薄金属薄膜层的光学元件,其中金属层是由选自Cu、Al、Ni、Au、Cr、Pd和Sn中的金属制成的。
然而,这些光学元件在其耐热性和抗冲击性方面是不令人满意的。因此,需要的是对这些物理性能的改进。
迄今为止,为了增强涂布薄膜的强度和抗冲击性,通常塑料镜片上具有SiO2基层。然而,该SiO2-层缺点在于它降低了塑料镜片的耐热性。
本发明被用来解决上述问题,即本发明的目的在于提供一种包括塑料基材和抗反射膜的光学元件,其中该元件在基材和抗反射膜之间具有优异的粘合性,并且显示出良好的耐热性和抗冲击性。
为了解决上述问题,本发明人进行了刻苦的研究,结果发现如果在形成光学元件的塑料基材和抗反射膜之间提供一个铌(Nb)层,光学元件的基材和抗反射层之间的粘合性、耐热性和抗冲击性均可提高。
由此,本发明提供了一种包括一塑料基材、在其上依次提供的一个铌(Nb)基层和一个抗反射膜的光学元件。
本发明光学元件具有铌基层,由此不但在塑料基材和抗反射膜之间具有优异的粘合性、耐热性和抗冲击性,而且还具有优异的抗磨性,金属所固有的吸收指数的性能低。
最优选的是,铌基层包括100wt%的铌。然而,还可以应用铌与其他成分例如铝(Al),铬(Cr),钽(Ta)及其两种或多种的混合物。这些附加成分的量可占整个层的50wt%,优选至多25wt%。
抗反射膜优选包括两个或更多的层。更优选的是,抗反射膜具有多层结构,其中低反射层和高反射层彼此交替存在。在后面将描述这种结构的两个详细实施方案。
优选铌基层是通过离子促进法来形成的,以进一步提高抗冲击性和抗磨性。还优选抗反射膜的至少一层是用离子促进法制备的。
在此,“离子促进法”是指也被称为“离子束促进汽相淀积法”的公知方法。根据这种方法,在气体氛围例如氩(Ar)或氧下通过应用等离子区进行汽相淀积将材料沉积在基材上,例如透镜基材。在常用的适于这种方法的设备中,优选的汽相淀积条件是加速电压为100-250V,加速电流为50-150mA。在如US5,268,781中给出了详细的描述。也可以从在此引用作为参考的M.Fliendneret al.,真空涂布机协会,Albuquerque,NM,USA.p237-241,1995年中获得进一步的描述。
在离子促进法中,氩(Ar)是优选的电离气体以防止所形成薄膜的氧化。这使所形成薄膜的质量稳定,并且易于用光学薄膜厚度计来控制薄膜的厚度。
为了确保塑料基材和基层之间的良好粘合性和在离子促进法中汽相淀积的初始薄膜形态良好的均匀性,可在形成基层之前对塑料基材进行离子枪预处理。在离子枪预处理中所用的电离气体可以是氧气或者氩气。考虑到功率范围,优选的是50-200V的加速电压,并且加速电流优选为50-150mA。
如果加速电压和加速电流中的一种或者两种都低于上述给出的各自的下限的话,有时候对提高塑料基材和形成在其上的基层之间的粘合性的效果是不够的。另外,如果加速电压和加速电流中的任一个或者两个都超过了各自的上限的话,塑料基材还有已固化的薄膜以及其上的硬涂层有时可能会变黄,或者光学元件的抗磨性有时会降低。
根据本发明,功能 性的抗反射膜是在基材上已经形成了铌基层之后形成的。对于形成功能 膜的方法没有特别限定。例如,它可以通过蒸汽沉积来形成,例如化学汽相淀积法(CVD)或物理汽相淀积法(PVD),或者通过其它方法例如离子渗镀汽相淀积法。
优选的是抗反射膜包括作为低折射层的SiO2层和作为高折射层的TiO2层。如果需要的话。该抗反射膜还可以包括由铌制备的金属层。
如果作为低折射层的SiO2层是在用氩作为电离气体沉积SiO2的离子促进法中形成的,可以释放该层中的应力,由此提高抗磨性。为了获得这种理想的效果,离子促进法的条件优选设定为在汽相淀积装置中圆顶的离子流密度为15-35μA,加速电压为400-700V。
如果离子流密度小于15μA或者加速电压小于400V,释放应力和提高抗磨性的效果都是难于实现的。另外,如果离子流密度超过35μA或者加速电流超过700V,有时塑料基材会变黄,或者有时光学性能会有些恶化。
高折射层例如TiO2层也可以在离子促进法中形成。电离气体优选应用的是O2和Ar,更优选的是O2和Ar的混合物,因为这样可以改善所形成的高折射层的折射率,促进抗磨性的提高。O2和Ar的混合比例优选为1∶0.5-2。
形成高折射层的材料为TiO2,Nb2O5,Ta2O5,ZrO2,Y2O3及其混合物。优选的实例包括TiO2,Nb2O5,Ta2O5及其混合物。
如果应用的是TiO2,Nb2O5或者这两种化合物的混合物,离子促进法中的条件优选设定为在汽相淀积装置中圆顶的离子流密度为8-15μA,加速电压为300-700V。在电离气体混合物中O2和Ar的比例优选为1∶0.7至1∶1.0。
如果应用的是Ta2O5,或其与TiO2和/或Nb2O5的混合物,离子促进法中的条件优选设定为在汽相淀积装置中圆顶的离子流密度为12-20μA,加速电压为400-700V。在电离气体混合物中O2和Ar的比例优选为1∶05至1∶2.0。
如果离子流密度、加速电压和电离气体比例超出了所限定的范围,就不能获得所需的折射率,并且还会导致吸收指数的增加和/或抗磨性的降低。
优选本发明光学元件的基层厚度为1.0-5.0nm。如 果厚度超出了限定的范围,有时薄膜中基层的吸光率可能会存在问题。
下面,通过对层中所用材料及其厚度的描述,给出了基层(BL)和形成在塑料基材上的抗反射膜的层结构的两个优选实施方案(A)和(B)。在这些实施方案中,第1-第7层的层合物充当抗反射膜。
(A) | (B) |
基层: Nb, 1-5nm | 基层: Nb, 1-5nm |
第一层: SiO2, 5-50nm | 第一层: SiO2, 20-100nm |
第二层: TiO2, 1-15nm | 第二层: Nb, 1-5nm |
第三层: SiO2, 20-360nm | 第三层: SiO2, 20-100nm |
第四层: TiO2, 5-55nm | 第四层: TiO2, 5-55nm |
第五层: SiO2, 5-50nm | 第五层: SiO2, 5-50nm |
第六层: TiO2, 5-130nm | 第六层: TiO2, 5-130nm |
第七层: SiO2, 70-100nm | 第七层: SiO2, 70-100nm |
对于塑料基材和抗反射膜之间粘合性和光学元件的耐热性和抗冲击性来说,上述薄膜厚度的范围是最优选的。
对用于本发明塑料基材的材料没有特别的限定。优选的实例包括甲基丙烯酸甲酯均聚物,甲基丙烯酸甲酯和一种或多种其他单体的共聚物,碳酸二甘醇双烯丙基酯均聚物,碳酸二甘醇双烯丙基酯和一种或多种其他单体的共聚物,含硫共聚物,卤素共聚物,聚碳酸酯,聚苯乙烯,聚氯乙烯,不饱和聚酯,聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚氨酯和聚硫代氨基甲酸乙酯。
如果需要的话,本发明光学元件可以包括在塑料基材和基层之间的已固化薄膜。
对于已固化 薄膜来说,优选应用包括金属氧化物胶粒和具有下面通式(1)的有机硅化合物的组合物:
(R1)a(R2)bSi(OR4)4-(a+b)(1)
其中R1和R2分别单独表示选自C1-8-烷基,C2-8-烯基,芳香基(苯基或5-或6-节杂环芳香基,该基团具有至少一个选自硫和氮任选被一个或多个C1-8-烷基替代的杂环原子),C1-8-酰基,卤素,环氧丙氧基,环氧基,氨基,苯基,巯基,异丁烯酰氧基和氰基的一个基团;R3是选自C1-8-烷基,C1-8-酰基和苯基的基团;a和b分别单独为0或1。
通式(1)所示有机硅化合物的详细实例包括硅酸甲酯、硅酸乙酯、硅酸正丙酯、硅酸异丙酯、硅酸正丁酯、硅酸仲丁酯、硅酸叔丁酯、四乙酰氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷,甲基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三丁氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三戊氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、甲基三苄氧基硅烷、甲基三苯乙氧基硅烷、环氧丙氧基甲基三甲氧基硅烷,环氧丙氧基甲基三乙氧基硅烷、α-环氧丙氧基乙基三乙氧基硅烷、β-环氧丙氧基乙基三甲氧基硅烷、β-环氧丙氧基乙基三乙氧基硅烷、α-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、α-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、β-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、β-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三丙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三丁氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三苯氧基硅烷、α-环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、α-环氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、β-环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、β-环氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、δ-环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、δ-环氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)甲基三甲氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)甲基三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三丙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三丁氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三苯氧基硅烷、γ-(3,4-环氧环己基)丙基三甲氧基硅烷、γ-(3,4-环氧环己基)丙基三乙氧基硅烷、δ-(3,4-环氧环己基)丁基三甲氧基硅烷、δ-(3,4-环氧环己基)丁基三乙氧基硅烷、环氧丙氧基甲基甲基二甲氧基硅烷、环氧丙氧基甲基甲基二乙氧基硅烷、α-环氧丙氧基乙基甲基二甲氧基硅烷、α-环氧丙氧基乙基甲基二乙氧基硅烷、β-环氧丙氧基乙基甲基二甲氧基硅烷、β-环氧丙氧基乙基甲基二乙氧基硅烷、α-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、α-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、β-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二丙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二丁氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二苯氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基乙基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基乙基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基乙烯基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基乙烯基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基苯基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基苯基二乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三乙酰氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基三乙酰氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、γ-异丁烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、β-氰乙基三乙氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯甲基二甲氧基 硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯甲基二乙氧基硅烷、γ-氯丙甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙甲基二乙氧基硅烷、二甲基二乙酰氧基硅烷、γ-异丁烯酰氧基丙甲基二甲氧基硅烷,γ-异丁烯酰氧基丙甲基二乙氧基硅烷,γ-疏丙甲基二甲氧基硅烷,γ-疏丙甲基二乙氧基硅烷,甲基乙烯基二甲氧基硅烷和甲基乙烯基二乙氧基硅烷。
金属氧化物胶粒通常为颗粒尺寸为1-500mn的细金属氧化物颗粒。其优选实例为氧化钨(WO3)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化锡(SnO2)、氧化铍(BeO)或氧化锑(Sb2O5)的胶粒。它们既可以单独使用也可以两种或多种结合使用。
具体实施方式
下面参照实施例来更加详细的描述本发明,然而这些实施例并不限制本发明的保护范围。
根据下面所提及的方法来评价下述实施例和比较例中获得的光学元件的物理性能。缩写pbw是指“重量份”。
(1)光透射率和光反射系数
应用Hitachi,Ltd.生产的U-3410分光光度计来测量在两面上均具有抗反射膜的作为样品的塑料透镜的光透射率(YT)和光反射系数(YR)。
(2)薄膜粘合性
应用切割工具将塑料透镜的表面切割100个1mm×1mm的横纹。在这个横纹区域上施加胶带、纤维带,然后在一个冲程中剥离。计算剩余的横纹数目,在下面的表中将薄膜粘合性表示为(剩余横纹数)/100。
(3)抗磨性
在1kgf/cm2的外加负载下用钢石棉摩擦塑料透镜的表面。摩擦20个冲程后,根据下面标准来评价塑料透镜的表面状况:
UA:几乎没有擦痕。
A:发现些许轻微擦痕。
B:发现许多轻微擦痕和一些较重的擦痕。
C:发现许多轻微的和较重的擦痕。
D:几乎被彻底剥离。
(4)耐热性
将塑料透镜放入烘箱中预处理到选定的温度,并在其中保持1个小时。在从60℃开始增量为5°的不同的温度下进行这种试验。测量透镜不能承受的热处理并在1小时后破裂的温度。在下面的表中将该温度表示为耐热性。
(5)抗碱性
在20℃下将塑料透镜浸入含水10%的NaOH溶液中1小时,根据下面标准来评价它的表面状况:
UA:几乎没有变化。
A:发现些许剥离点。
B:发现许多剥离点。
C:发现许多剥离点和一些剥离面。
D:几乎被彻底剥离。
(6)抗冲击性
制备中心厚 度为2.0mm、透镜焦度为0.00的塑料透镜,并用如FDA定义的方法来进行落球试验。“○”表示好的样品;“×”表示不好的样品。
(7)层和薄膜的厚度
铌基层和抗反射膜各个层的厚度通过应用波长λ为500nm的光来测定。
实施例1-12
在玻璃容器中加入90pbw的胶态二氧化硅(Snowtex-40,Nissan ChemicalIndustries,Ltd.),81.6pbw甲基三甲氧 基硅烷和176pbw γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷作为有机硅化合物,2.0pbw的0.5N的盐酸,和90pbw的水,并在室温下搅拌8小时。然后,在室温下将所得溶液保留16小时以获得水解溶液。向此溶液中加入120pbw的异丙醇、120pbw的正丁醇,16pbw的乙酰丙酮铝,0.2pbw的硅氧烷表面活性剂和0.1pbw的紫外线吸收剂。在室温下将该混合物搅拌8小时,然后在室温下熟化24小时以获得涂布溶液。
将塑料透镜基材(由碳酸二甘醇双烯丙基酯制成,折射率为1,50,中心厚度为2.0mm,透镜焦度为0.00)浸入涂布溶液中,其中该基材已经用含水碱性溶液预处理过了。完成浸渍后,以20cm/min的牵引速度取出塑料透镜。然后在120℃下加热该塑料透镜2小时,以形成固化薄膜。
接着,在表1-6所示的离子加速电压和暴露时间下,用氩气根据离子促进法对所得塑料透镜进行离子枪处理,由此获得具有已固化硬涂层(在下文中表示为层A)的产品。
然后根据表1-6中所示条件下的离子促进法,在硬涂层A上形成基层和如表1-6所示的由第一到第七层组成的功能性薄膜,由此获得塑料透镜样品。
根据上述方法(1)到(7)评价该样品,结果示于表1-6中。
比较例1-4
以与实施例1-12中同样的方法获得塑料透镜,除了没有形成基层,并且不是在离子促进法中而是在汽相淀积中形成的硬涂层和由第一到第七层组成的功能性薄膜。
根据上述方法(1)到(6)评价该塑料透镜,结果示于表7和8中。
表1
实施例1 | 实施例2 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 150V | 150V | ||||||
电流 | 100mA | 100mA | ||||||
暴露时间 | 60秒 | 60秒 | ||||||
所用气体 | Ar | Ar | ||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA |
第一层 | SiO2 | 31.5nm | 450V | 160mA | SiO2 | 22.0nm | 450V | 160mA |
第二层 | TiO2 | 3.5nm | 360V | 105mA | TiO2 | 29.0nm | 360V | 105mA |
第三层 | SiO2 | 235.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 48.5nm | 450V | 160mA |
第四层 | TiO2 | 23.5nm | 360V | 105mA | TiO2 | 98.0nm | 360V | 105mA |
第五层 | SiO2 | 42.5nm | 450V | 160mA | SiO2 | 23.5nm | 450V | 160mA |
第六层 | TiO2 | 251.5nm | 360V | 105mA | TiO2 | 88.0nm | 360V | 105mA |
第七层 | SiO2 | 118.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 130.0nm | 450V | 160mA |
用于离子促进的气体 | Nb和SiO2用氩气TiO2用氧气和氩气(1∶1)的混合物 | Nb和SiO2用氩气TiO2用氧气和氩气(1∶1)的混合物 | ||||||
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 0.82% | 0.82% | ||||||
光透射率(YT),% | 99.0% | 99.0% | ||||||
薄膜粘合性 | 100/100 | 100/100 | ||||||
抗磨性 | UA | UA至A | ||||||
耐热性 | 95℃ | 100℃ | ||||||
耐碱性 | UA | UA至A | ||||||
抗冲击性 | ○ | ○ |
表2
实施例3 | 实施例4 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 150V | 150V | ||||||
电流 | 100mA | 100mA | ||||||
暴露时间 | 60秒 | 40秒 | ||||||
所用气体 | Ar | Ar | ||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | Nb | 3.5nm | 150V | 100mA | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA |
第一层 | SiO2 | 94.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 108.0nm | 450V | 160mA |
第二层 | Nb | 3.5nm | 360V | 105mA | TiO2 | 52.5nm | 360V | 105mA |
第三层 | SiO2 | 94.0nm | 150V | 100mA | SiO2 | 271.8nm | 450V | 160mA |
第四层 | TiO2 | 225.5nm | 360V | 105mA | TiO2 | 38.6nm | 360V | 105mA |
第五层 | SiO2 | 42.6nm | 450V | 160mA | SiO2 | 38.6nm | 450V | 160mA |
第六层 | TiO2 | 249.0nm | 360V | 105mA | TiO2 | 242.8nm | 360V | 105mA |
第七层 | SiO2 | 117.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 119.0nm | 450V | 160mA |
用于离子促进的气体 | Nb和SiO2用氩气TiO2用氧气和氩气(1∶1)的混合物 | Nb和SiO2用氩气TiO2用氧气和氩气(1∶1)的混合物 | ||||||
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 0.82% | 0.68% | ||||||
光透射率(YT),% | 99.0% | 99.3% | ||||||
薄膜粘合性 | 100/100 | 100/100 | ||||||
抗磨性 | UA | UA至A | ||||||
耐热性 | 95℃ | 100℃ | ||||||
耐碱性 | UA | UA | ||||||
抗冲击性 | ○ | ○ |
表3
实施例5 | 实施例6 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 150V | 150V | ||||||
电流 | 100mA | 100mA | ||||||
暴露时间 | 40秒 | 40秒 | ||||||
所用气体 | Ar | Ar | ||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离于枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA | Nb | 3.5nm | 150V | 100mA |
第一层 | SiO2 | 7.9nm | 450V | 160mA | SiO2 | 111.9nm | 450V | 160mA |
第二层 | TiO2 | 28.4nm | 360V | 105mA | Nb | 3.5nm | 150V | 100mA |
第三层 | SiO2 | 49.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 111.9m | 450V | 160mA |
第四层 | TiO2 | 116.5nm | 360V | 105mA | TiO2 | 25.2nm | 360V | 105mA |
第五层 | SiO2 | 10.9nm | 450V | 160mA | SiO2 | 41.2nm | 450V | 160mA |
第六层 | TiO2 | 110.8nm | 360V | 105mA | TiO2 | 245.0nm | 360V | 105mA |
第七层 | SiO2 | 125.5nm | 450V | 160mA | SiO2 | 119.3nm | 450V | 160mA |
用于离子促进的气体 | Nb和SiO2用氩气TiO2用氧气和氩气(1∶1)的混合物 | Nb和SiO2用氩气TiO2用氧气和氩气(1∶1)的混合物 | ||||||
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 0.68% | 0.68% | ||||||
光透射率(YT),% | 99.3% | 99.3% | ||||||
薄膜粘合性 | 100/100 | 100/100 | ||||||
抗磨性 | UA至A | UA | ||||||
耐热性 | 100℃ | 95℃ | ||||||
耐碱性 | UA至A | UA | ||||||
抗冲击性 | ○ | ○ |
表4
实施例7 | 实施例8 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 150V | 150V | ||||||
电流 | 100mA | 100mA | ||||||
暴露时间 | 60秒 | 60秒 | ||||||
所用气体 | Ar | Ar | ||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA |
第一层 | SiO2 | 14.6nm | 450V | 160mA | SiO2 | 10.5nm | 450V | 160mA |
第二层 | Ta2O5 | 9.5nm | 420V | 120mA | Ta2O5 | 26.0nm | 420V | 120mA |
第三层 | SiO2 | 292.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 54.2nm | 450V | 160mA |
第四层 | Ta2O5 | 66.8nm | 420V | 120mA | Ta2O5 | 94.0nm | 420V | 120mA |
第五层 | SiO2 | 29.7nm | 450V | 160mA | SiO2 | 24.2nm | 450V | 160mA |
第六层 | Ta2O5 | 124.9nm | 420V | 120mA | Ta2O5 | 91.0nm | 420V | 120mA |
第七层 | SiO2 | 131.2nm | 450V | 160mA | SiO2 | 134.1nm | 450V | 160mA |
用于离子促进的气体 | Nb和SiO2用氩气Ta2O5用氧气和氩气(1∶0.25)的混合物 | Nb和SiO2用氩气Ta2O5用氧气和氩气(1∶0.25)的混合物 | ||||||
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 0.80% | 0.80% | ||||||
光透射率(YT),% | 99.1% | 99.1% | ||||||
薄膜粘合性 | 100/100 | 100/100 | ||||||
抗磨性 | UA | UA | ||||||
耐热性 | 95℃ | 95℃ | ||||||
耐碱性 | UA | UA | ||||||
抗冲击性 | ○ | ○ |
表5
实施例9 | 实施例10 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基醋 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 150V | 150V | ||||||
电流 | 100mA | 100mA | ||||||
暴露时间 | 60秒 | 60秒 | ||||||
所用气体 | Ar | Ar | ||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA |
第一层 | SiO2 | 33.5nm | 450V | 160mA | SiO2 | 10.5nm | 450V | 160mA |
第二层 | Nb2O5 | 4.5nm | 360V | 105mA | Nb2O5 | 26.4nm | 360V | 105mA |
第三层 | SiO2 | 292.0nm | 450V | 160mA | SiO2 | 54.2nm | 450V | 160mA |
第四层 | Nb2O5 | 23.9nm | 360V | 105mA | Nb2O5 | 94.0nm | 360V | 105mA |
第五层 | SiO2 | 46.2nm | 450V | 160mA | SiO2 | 24.2nm | 450V | 160mA |
第六层 | Nb2O5 | 243.8nm | 360V | 105mA | Nb2O5 | 91.0nm | 360V | 105mA |
第七层 | SiO2 | 121.2nm | 450V | 160mA | SiO2 | 134.1nm | 450V | 160mA |
用于离子促进的气体 | Nb和SiO2用氩气Nb2O5用氧气和氩气(1∶0.11)的混合物 | Nb和SiO2用氩气Nb2O5用氧气和氩气(1∶0.11)的混合物 | ||||||
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 0.68% | 0.68% | ||||||
光透射率(YT),% | 99.3% | 99.3% | ||||||
薄膜粘合性 | 100/100 | 100/100 | ||||||
抗磨性 | UA | UA至A | ||||||
耐热性 | 95℃ | 100℃ | ||||||
耐碱性 | UA | UA至A | ||||||
抗冲击性 | ○ | ○ |
表6
实施例11 | 实施例12 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 150V | 150V | ||||||
电流 | 100mA | 100mA | ||||||
暴露时间 | 40秒 | 40秒 | ||||||
所用气体 | Ar | Ar | ||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | Nb | 3.5nm | 150V | 100mA | Nb | 4.0nm | 150V | 100mA |
第一层 | SiO2 | 111.6nm | 450V | 160mA | SiO2 | 10.5nm | 450V | 160mA |
第二层 | Nb | 3.5nm | 150V | 100mA | Nb2O5 | 26.4nm | 360V | 105mA |
第三层 | SiO2 | 111.6nm | 450V | 160mA | SiO2 | 54.2nm | 450V | 160mA |
第四层 | Nb2O5 | 24.9nm | 360V | 105mA | Nb2O5 | 94.0nm | 360V | 105mA |
第五层 | SiO2 | 39.5nm | 450V | 160mA | SiO2 | 24.2nm | 450V | 160mA |
第六层 | Nb2O5 | 2363nm | 360V | 105mA | Nb2O5 | 91.0nm | 360V | 105mA |
第七层 | SiO2 | 120.2nm | 450V | 160mA | SiO2 | 134.5nm | 450V | 160mA |
用于离子促进的气体 | Nb和SiO2用氩气Nb2O5用氧气和氩气(1∶0.11)的混合物 | Nb和SiO2用氩气Nb2O5用氧气和氩气(1∶0.11)的混合物 | ||||||
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 0.68% | 0.68% | ||||||
光透射率(YT),% | 99.3% | 99.3% | ||||||
薄膜粘合性 | 100/100 | 100/100 | ||||||
抗磨性 | UA | UA至A | ||||||
耐热性 | 95℃ | 100℃ | ||||||
耐碱性 | UA | UA至A | ||||||
抗冲击性 | ○ | ○ |
表7
比较例1 | 比较例2 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 没有预处理 | 没有预处理 | ||||||
电流 | ||||||||
暴露时间 | ||||||||
所用气体 | ||||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | - | - | - | - | - | - | - | - |
第一层 | SiO2 | 31.5nm | - | - | SiO2 | 22.0nm | - | - |
第二层 | TiO2 | 3.5nm | - | - | TiO2 | 29.0nm | - | - |
第三层 | SiO2 | 238.0nm | - | - | SiO2 | 48.5nm | - | - |
第四层 | TiO2 | 23.5nm | - | - | TiO2 | 98.0nm | - | - |
第五层 | SiO2 | 425.0nm | - | - | SiO2 | 23.5nm | - | - |
第六层 | TiO2 | 251.5nm | - | - | TiO2 | 88.0nm | - | - |
第七层 | SiO2 | 118.0nm | - | - | SiO2 | 130.0nm | - | - |
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 1.1% | 1.1% | ||||||
光透射率(YT),% | 98.7% | 98.7% | ||||||
薄膜粘合性 | 95/100 | 95/100 | ||||||
抗磨性 | B | B至C | ||||||
耐热性 | 70℃ | 70℃ | ||||||
耐碱性 | B | B至C | ||||||
抗冲击性 | × | ○ |
表8
比较例3 | 比较例4 | |||||||
塑料透镜基材 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | 碳酸二甘醇双烯丙基酯 | ||||||
硬涂层 | 层A | 层A | ||||||
预处理的离子加速电压 | 没有预处理 | 没有预处理 | ||||||
电流 | ||||||||
暴露时间 | ||||||||
所用气体 | ||||||||
薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | 薄膜类型 | 光学薄膜厚度 | 离子枪设定值 | |||
基层 | - | - | - | - | - | - | - | - |
第一层 | SiO2 | 14.6nm | - | - | SiO2 | 10.5nm | - | - |
第二层 | Ta2O5 | 9.5nm | - | - | Ta2O5 | 26.4nm | - | - |
第三层 | SiO2 | 292.0nm | - | - | SiO2 | 54.2nm | - | - |
第四层 | Ta2O5 | 66.8nm | - | - | Ta2O5 | 94.0nm | - | - |
第五层 | SiO2 | 29.7nm | - | - | SiO2 | 24.2nm | - | - |
第六层 | Ta2O5 | 124.9nm | - | - | Ta2O5 | 91.0nm | - | - |
第七层 | SiO2 | 131.2nm | - | - | SiO2 | 134.1nm | - | - |
塑料透镜性能的评价 | ||||||||
光反射率(YR),% | 1.2% | 1.2% | ||||||
光透射率(YT),% | 98.6% | 98.6% | ||||||
薄膜粘合性 | 95/100 | 95/100 | ||||||
抗磨性 | B | B至C | ||||||
耐热性 | 70℃ | 75℃ | ||||||
耐碱性 | B | B | ||||||
抗冲击性 | × | × |
如表1-6所示,实施例1-12的塑料透镜具有非常小的反射率(0.68-0.82%)和高的透光率(99.0-99.3%)。此外,它们的薄膜粘合性、抗磨性、耐热性、耐碱性和抗冲击性都很好。
与其相比,比较例1-4中的塑料透镜具有高的反射率(1.1-1.2%)和低的透光率(98.6-98.7%),如表7和8中所示。此外,它们的薄膜粘合性、抗磨性、耐热性、耐碱性和抗冲击性也都不如实施例1-12中的好。
如上面所详细描述的那样,本发明光学元件具有低反射率和高透光率的抗反射膜。并且流在塑料基层和抗反射膜之间具有优异的粘合性和抗磨性、耐热性、耐碱性和抗冲击性。
Claims (10)
1.一种光学元件,包括塑料基材和在其上依次提供的铌基层和抗反射膜,其中该铌基层非必要地是一种或多种选自铝,钽,铬或其混合物的组分的混合形式,这些成分的量至多为整个层的50wt%。
2.如权利要求1所述的光学元件,其中基层厚度为1.0-5.0mm。
3.权利要求1或2所述的光学元件,其中基层是通过离子促进法获得的。
4.权利要求1或2所述的光学元件,其中抗反射膜包括两个或更多个层。
5.权利要求1或2所述的光学元件,其中抗反射膜的至少一层是通过离子促进法获得的。
6.权利要求1或2所述的光学元件,其中抗反射膜包括低反射SiO2层和高反射TiO2层。
7.权利要求1或2所述的光学元件,其中抗反射膜包括一个由铌制备的层。
8.权利要求1或2所述的光学元件,其中抗反射膜包括由SiO2制成的第一、第三、第五和第七层,和由TiO2制成的第二、第四和第六层,其中第一至第七层是在基层上连续提供的。
9.权利要求1或2所述的光学元件,其中抗反射膜包括由SiO2制成的第一、第三、第五和第七层,由铌制成的第二层和由TiO2制成的第四和第六层,其中第一至第七层是在基层上连续提供的。
10.权利要求1或2所述的光学元件,进一步包括在塑料基材和基层之间的已固化薄膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000258628A JP3510845B2 (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 反射防止膜を有する光学部材 |
JP258628/2000 | 2000-08-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1341866A CN1341866A (zh) | 2002-03-27 |
CN1172198C true CN1172198C (zh) | 2004-10-20 |
Family
ID=18746915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB011331291A Expired - Fee Related CN1172198C (zh) | 2000-08-29 | 2001-08-29 | 具有抗反射膜的光学元件 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20020048087A1 (zh) |
EP (1) | EP1184686B1 (zh) |
JP (1) | JP3510845B2 (zh) |
KR (1) | KR100483680B1 (zh) |
CN (1) | CN1172198C (zh) |
AT (1) | ATE328296T1 (zh) |
AU (1) | AU775324B2 (zh) |
CA (1) | CA2354961C (zh) |
DE (1) | DE60120059T2 (zh) |
HU (1) | HUP0103476A3 (zh) |
TW (1) | TW578004B (zh) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3708429B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2005-10-19 | Hoya株式会社 | 蒸着組成物の製造方法、蒸着組成物及び反射防止膜を有する光学部品の製造方法 |
TW593450B (en) * | 2001-03-21 | 2004-06-21 | Hoya Corp | Transparent molded articles, optical components, plastic lenses and preparation method thereof |
AU2002301541B8 (en) * | 2001-10-25 | 2005-07-14 | Hoya Corporation | Optical element having antireflection film |
CN100414324C (zh) * | 2002-10-28 | 2008-08-27 | 日东电工株式会社 | 粘合型光学薄膜,用于生产粘合型光学薄膜的方法和图像显示设备 |
JP4220232B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2009-02-04 | Hoya株式会社 | 反射防止膜を有する光学部材 |
CN100370280C (zh) * | 2003-06-30 | 2008-02-20 | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 | 光学元件和光拾取装置 |
US7459095B2 (en) * | 2004-10-21 | 2008-12-02 | Corning Incorporated | Opaque chrome coating suitable for etching |
JP4612827B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜 |
KR100637201B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
US7852562B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-12-14 | Nalux Co., Ltd. | Optical element with laser damage suppression film |
TWI292340B (en) | 2005-07-13 | 2008-01-11 | Ind Tech Res Inst | Antireflective transparent zeolite hardcoat film, method for fabricating the same, and solution capable of forming said transparent zeolite film |
JP5211289B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2013-06-12 | 東海光学株式会社 | 可視域用プラスチックレンズ |
JP2007171735A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Epson Toyocom Corp | 広帯域反射防止膜 |
US7692855B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-04-06 | Essilor International Compagnie Generale D'optique | Optical article having a temperature-resistant anti-reflection coating with optimized thickness ratio of low index and high index layers |
JP4178190B2 (ja) | 2006-08-25 | 2008-11-12 | ナルックス株式会社 | 多層膜を有する光学素子およびその製造方法 |
FR2917510B1 (fr) * | 2007-06-13 | 2012-01-27 | Essilor Int | Article d'optique revetu d'un revetement antireflet comprenant une sous-couche partiellement formee sous assistance ionique et procede de fabrication |
TWI425244B (zh) * | 2008-03-26 | 2014-02-01 | Nat Applied Res Laboratories | 抗反射膜及其製成方法 |
JP4626721B1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置 |
JP5659551B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2015-01-28 | ソニー株式会社 | 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 |
JP5586017B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-09-10 | 東海光学株式会社 | 光学製品及び眼鏡プラスチックレンズ |
CN103443663B (zh) * | 2011-03-25 | 2016-03-23 | Hoya株式会社 | 塑料透镜 |
EP3118672B1 (en) * | 2011-10-31 | 2019-06-19 | Hoya Corporation | Eyeglass lens |
JP5969195B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-08-17 | Hoya株式会社 | 眼鏡レンズの製造方法 |
JP5969194B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-08-17 | Hoya株式会社 | 眼鏡レンズの製造方法 |
US10077207B2 (en) | 2011-11-30 | 2018-09-18 | Corning Incorporated | Optical coating method, apparatus and product |
JP6016155B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-10-26 | 東海光学株式会社 | 光学製品及び眼鏡プラスチックレンズ |
CN105143500B (zh) * | 2012-10-04 | 2017-10-10 | 康宁股份有限公司 | 光学涂覆方法、设备和产品 |
CN104216034B (zh) * | 2014-09-02 | 2016-04-06 | 西安应用光学研究所 | 一种用于大曲率透镜表面的0.532微米与1.064微米倍频减反射膜 |
JP2016075964A (ja) * | 2016-02-08 | 2016-05-12 | イーエイチエス レンズ フィリピン インク | 光学物品およびその製造方法 |
EP3640688B1 (en) | 2018-10-18 | 2022-10-05 | Essilor International | Optical article having an interferential coating with an improved abrasion-resistance |
WO2021087511A1 (en) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | Nanogate Technologies, Inc. | Direct-to-substrate coating process, and associated system and parts |
CN113031119A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-06-25 | 威海世高光电子有限公司 | 光学镜头、光学镜头的制造方法及微型投影系统 |
WO2024116961A1 (ja) * | 2022-12-02 | 2024-06-06 | 株式会社ニコン・エシロール | 光学物品の製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62186202A (ja) | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Seiko Epson Corp | プラスチツク光学部品の反射防止膜 |
US5693366A (en) * | 1989-06-20 | 1997-12-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing plastic lens comprising a primer layer, a hard coat layer and an antireflection coating |
ATE160107T1 (de) * | 1990-08-30 | 1997-11-15 | Viratec Thin Films Inc | Verfahren zur abscheidung von nioboxid enthaltenden optischen beschichtungen mittels reaktiver gleichstromzerstäubung |
JP3132193B2 (ja) | 1991-11-08 | 2001-02-05 | 日本ビクター株式会社 | 液晶表示デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法 |
JP2611093B2 (ja) | 1992-07-07 | 1997-05-21 | ホーヤ株式会社 | 硬化膜を有する光学部材 |
US5667880A (en) | 1992-07-20 | 1997-09-16 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Electroconductive antireflection film |
US5589280A (en) * | 1993-02-05 | 1996-12-31 | Southwall Technologies Inc. | Metal on plastic films with adhesion-promoting layer |
JP3221770B2 (ja) * | 1993-05-28 | 2001-10-22 | キヤノン株式会社 | プラスチック光学部品の反射防止膜 |
FR2708626B1 (fr) * | 1993-08-02 | 1998-06-05 | Director General Agency Ind | Film ultramince transparent et conducteur et procédé pour sa fabrication. |
US5691044A (en) * | 1994-12-13 | 1997-11-25 | Asahi Glass Company, Ltd. | Light absorptive antireflector |
US5744227A (en) * | 1995-04-03 | 1998-04-28 | Southwall Technologies Inc. | Antireflective coatings comprising a lubricating layer having a specific surface energy |
JP3536067B2 (ja) | 1995-09-11 | 2004-06-07 | 日本エーアールシー株式会社 | プライマー組成物 |
TW445303B (en) * | 1996-02-26 | 2001-07-11 | Kuramoto Seisakusho Co Ltd | Low reflection film substrate |
US5942338A (en) * | 1996-04-25 | 1999-08-24 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coated articles |
TW415922B (en) | 1996-06-11 | 2000-12-21 | Asahi Glass Co Ltd | Light absorptive anti-reflector and method for manufacturing the same |
FR2755962B1 (fr) * | 1996-11-21 | 1998-12-24 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage comprenant un substrat muni d'un empilement de couches minces pour la protection solaire et/ou l'isolation thermique |
JPH1149532A (ja) * | 1997-06-03 | 1999-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 低反射ガラス物品およびその製造方法 |
JP3965732B2 (ja) * | 1997-08-25 | 2007-08-29 | 凸版印刷株式会社 | 反射防止フィルム |
JPH11171596A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-29 | Sony Corp | 反射防止膜 |
US6464822B1 (en) * | 1998-02-19 | 2002-10-15 | 3M Innovative Properties Company | Antireflection film |
US6353501B1 (en) | 1999-01-21 | 2002-03-05 | Viratec Thin Films, Inc. | Display panel filter connection to a display panel |
CA2355021C (en) * | 2000-08-29 | 2004-11-02 | Hoya Corporation | Optical element having antireflection film |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000258628A patent/JP3510845B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-07 AU AU57847/01A patent/AU775324B2/en not_active Ceased
- 2001-08-13 CA CA002354961A patent/CA2354961C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-16 TW TW090120086A patent/TW578004B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-24 KR KR10-2001-0051444A patent/KR100483680B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-08-27 HU HU0103476A patent/HUP0103476A3/hu unknown
- 2001-08-28 US US09/939,668 patent/US20020048087A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-29 EP EP01120617A patent/EP1184686B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 CN CNB011331291A patent/CN1172198C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-29 AT AT01120617T patent/ATE328296T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-08-29 DE DE60120059T patent/DE60120059T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-21 US US10/370,091 patent/US6693747B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030193719A1 (en) | 2003-10-16 |
DE60120059D1 (de) | 2006-07-06 |
AU5784701A (en) | 2002-03-07 |
US6693747B2 (en) | 2004-02-17 |
HUP0103476A2 (en) | 2002-08-28 |
DE60120059T2 (de) | 2006-12-21 |
US20020048087A1 (en) | 2002-04-25 |
CN1341866A (zh) | 2002-03-27 |
CA2354961A1 (en) | 2002-02-28 |
KR20020017998A (ko) | 2002-03-07 |
JP3510845B2 (ja) | 2004-03-29 |
AU775324B2 (en) | 2004-07-29 |
KR100483680B1 (ko) | 2005-04-18 |
HUP0103476A3 (en) | 2007-11-28 |
EP1184686A3 (en) | 2004-03-31 |
ATE328296T1 (de) | 2006-06-15 |
JP2002071903A (ja) | 2002-03-12 |
EP1184686B1 (en) | 2006-05-31 |
EP1184686A2 (en) | 2002-03-06 |
TW578004B (en) | 2004-03-01 |
CA2354961C (en) | 2005-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1172198C (zh) | 具有抗反射膜的光学元件 | |
KR100953230B1 (ko) | 플라스틱 렌즈 및 플라스틱 렌즈의 제조 방법 | |
AU2002301541B2 (en) | Optical element having antireflection film | |
CN1341865A (zh) | 具有抗反射膜的光学元件 | |
TW201606357A (zh) | 附防眩膜之基材及物品 | |
JP2006215542A (ja) | 反射防止膜及びこれを有する撮像系光学素子 | |
JP2017039928A (ja) | 反射防止膜形成用組成物、反射防止膜およびその形成方法 | |
JP5523066B2 (ja) | 光学物品の製造方法 | |
EP2824485A1 (en) | Optical element and optical element manufacturing method | |
JP4251093B2 (ja) | 照明装置 | |
JP3938636B2 (ja) | 高屈折率プラスチックレンズ及びその製造方法 | |
JP2008158513A (ja) | プラスチックレンズ | |
JP3959095B2 (ja) | プラスチックレンズ及びプラスチックレンズの製造方法 | |
JP2586487B2 (ja) | プラスチック製眼鏡レンズ | |
KR20030048022A (ko) | 반사 방지 필름 및 이의 제조방법 | |
WO2021095770A1 (ja) | 防眩層付基材及び画像表示装置並びに防眩層付基材の製造方法 | |
JP2805877B2 (ja) | コーティング用組成物 | |
JP5256666B2 (ja) | 粒子含有組成物、粒子含有樹脂フィルム及びそれを含んで構成される光学部材 | |
JP2013107995A (ja) | コーティング用組成物とそれを用いた反射防止フィルム | |
JP4076668B2 (ja) | 耐候性ハードコート組成物 | |
KR102190719B1 (ko) | 금속 산화물 피막용 도포액 및 금속 산화물 피막 | |
WO2021210371A1 (ja) | 反射防止積層体 | |
JP2005181545A (ja) | 反射防止フィルム | |
JP2012144630A (ja) | めっき付着性良好なポリオルガノシロキサン塗料組成物とその塗膜 | |
JP6056694B2 (ja) | ガスバリア性フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |