CN1159249A - 对陶瓷芯片型熔断器的改进 - Google Patents

Abstract

超小型电路保护器包括至少一具有至少一个熔断元件的陶瓷材料层和一覆盖层，构成层叠结构。其两端设有导电端子。其中一层具有一个以上的熔断元件，该元件可并联或串联。单层的每个熔断元件可包括两个或多个串联或并联的熔断元件。其制造方法包括在多个未烧结的陶瓷材料基片上印制多个熔断元件，将基片堆积形成一层叠结构，将层叠结构切成单个单元，并在该单元两端覆盖导电材料，形成端子。

Description

对陶瓷芯片型熔断器的改进

本发明涉及一种电路保护器，更具体地说本发明涉及一种陶瓷芯片电路保护器，具有位于一个或多个基片层上的载流元件。本发明也涉及一种制造本发明的陶瓷芯片电路保护器的方法。

超小型电路保护器适合用于尺寸和空间限制显得较为突出的应用场合，例如电子设备的电路板，以实现电子电路的密集封装和小型化。超小型电路保护器或者芯片型熔断器与其他类型的熔断器相比具有较小的“立足之地”，与常规的熔断器相比，在电路板上需要较小的水平空间或“实地”。

随着对熔断器的电压和电流要求的提高，通常需要提供具有较大尺寸的熔断器，亦即具有较大长度和直径的熔断器来满足所需的容量。在这样的情况下，在电路板和其他类似应用场合下的尺寸和空间问题就变得更为突出。

陶瓷芯片型熔断器的制造方式通常是在陶瓷或玻璃基片上设置金属元件，将一层绝缘覆盖层设置在上述被设置的层上，对所形成的的结构进行切割或冲切，从而获得单个的熔断器。所述切割工序是较为困难和昂贵的。此外，通过设置薄膜熔断元件来制作的超小型熔断器通常限于较低的电压和电流切断容量。

本发明提供了一种简单和相对低廉的适合于表面安装的超小型电路保护器的制作方法。本发明还提供了一种超小型电路保护器，与具有类似尺寸的常规电路保护器相比，本发明的电路保护器具有改善了的短路电流切断容量。

更具体地说，本发明提供了一种采用一块基片材料来制作多个超小型电路保护器的方法，它有利于形成基片和迅速地将基片切割为单个的熔断器单元。

本发明还提供了一种适合于高电压和大电流使用的可在表面上安装的超小型电路保护器，它结构紧凑，且尺寸较小。本发明的可在表面上安装的超小型熔断器包括设置在一个基片上的熔断元件，该熔断元件在基片的两端与与接触焊盘相连接。此外，所述熔断器可以包括多个陶瓷基片层，至少在某些层的表面上设置了可熔断元件。根据熔断器所需要的电压和电流承受容量，可以将不同层上的可熔断元件以串联或并联方式相互连接起来。

根据本发明的一个方面，至少在熔断器的某些层上具有置于其上的单个熔断元件。此外，可熔断元件也可以设置在熔断器的至少某些层上，并包括两个或多个以串联方式相互连接起来的可熔断元件。多层的串联可熔断元件可以并联起来，形成一个单个的芯片型熔断器。

根据本发明的另一方面，可熔断元件可以包括两个或多个并联起来的可熔断元件。在一个单个的芯片型熔断器中，可以将多层被连接起来的可熔断元件以串联方式连接起来。

根据本发明的方法，采用未经烧结或未经焙烧的陶瓷材料来制作基片。在基片的上表面上设置导电金属薄膜，形成彼此相隔的等距平行列。在基片的上表面上以垂直于所述薄膜列的方式设置导电线或印刷元件形式的熔断元件，它们排列成彼此相隔的等距平行行。在所述基片的所述薄膜列和熔断元件行上层叠由未经烧结的陶瓷制成的第二板。所述第二板覆盖和封闭所述薄膜列和熔断元件行。

此后，对所形成的结构进行冲切，冲切的方式是纵向通过金属薄膜列，横向位于熔断元件行之间，从而使所获得的单个熔断器单元在其两端具有金属薄膜条，以及跨越所述金属薄膜条之间的由一端延伸到另一端的熔断元件。对冲切获得的单个熔断器单元进行焙烧，以便使陶瓷基片和覆盖板硬化，并在熔断元件和金属薄膜之间形成内部金属键。在单个熔断器单元的端部涂覆导电材料，形成用于电路中连接的电气端子。

根据本发明的一个方面，可以通过将线材滚压在基片中来设置线状熔断元件。施加压力能够使得线状熔断元件埋入到基片中，并有利于线状熔断元件与金属薄膜之间的接触。

根据本发明的另一方面，对层叠结构进行冲切，使所形成的单个熔断器单元具有彼此相对的端部表面和相对的横向表面。位于每个单元的每个端部的金属条延伸到一个端部表面和两个横向表面，从而使覆盖在单元上的电气端子能够在所述端部表面和横向表面处与所述金属条相接触。

根据本发明的另一方面，所述端子涂覆层包括由银或银合金构成的第一涂覆层，施加在所述第一覆盖层上的由镍构成的第二涂覆层，以及施加在所述镍覆盖层上的由锡/铅合金构成的第三涂覆层。

根据制作多层熔断器的方法，首先用未经烧结或未经焙烧的陶瓷材料制作基片。在所述基片的上表面上以等距的方式设置导电金属薄膜，最好形成平行的列。在所述基片的上表面上以等距的方式设置导电薄膜形式的熔断元件，最好形成平行的行，其延伸方向基本上与所述列相交叉，最好相垂直。将多个采用上述方式制作的基片堆放在一起，使所述列和行相互对齐，从而形成一种层叠结构。将一个未经烧结的陶瓷覆盖板层叠在最上面的基片上。采用适合的方法对所形成的层叠结构进行切割，其方式最好是纵向通过金属薄膜列，横向位于熔断元件行之间，从而使所形成的单个芯片型熔断器单元的相对两端具有金属条，在金属薄膜条之间的空间上具有一个由熔断器一端延伸到另一端的熔断元件。对单个的熔断器单元进行烧结，以便使陶瓷基片层和覆盖板硬化，并在熔断亢件和金属薄膜之间形成金属键。在单个单元的端部采用通常的方法涂覆导电材料，以便形成电气端子，用于连接熔断元件。

根据本发明的另一方面，单个的芯片型熔断器具有相对的端部表面和相对的横向表面。对层叠结构的切割方式使得每一个单元的每一个端部的金属条延伸到一个端部表面和两个横向表面，从而使涂覆到单元上的电气端子能够与位于端部表面和横向表面处的金属条相接触。这种方式可以将熔断元件连接起来，形成一个并联结构。

根据本发明的另一方面，通过适合的方式，例如冲压、激光或者喷水等等，在未经烧结的陶瓷基片的适当位置上形成孔。使所述孔金属化，亦即采用真空抽吸或者其他适合的技术将导电金属材料置于孔之中。将导电薄膜以一列单个焊盘的形式设置在基片表面上，从而使得该焊盘与预定的金属化孔相接触。熔断元件材料被设置成与两个焊盘相连接。此外，也可以首先设置熔断元件材料，然后再设置薄膜，或者同时设置熔断器材料和薄膜。将多个基片重叠起来形成层叠结构，并使各层上的焊盘和熔断元件彼此对齐。

对层叠结构进行切割，从而使得焊盘、熔断元件和金属化孔的图形形成一种电气通道。对切割而成的单个熔断器单元进行烧结，使得陶瓷基片和覆盖层硬化，并在相互接触部位上的金属化孔、熔断元件和金属薄膜之间形成金属键。单个熔断器单元的端部通常涂覆导电材料，形成电气端子，以便完成每一个熔断器中的串联回路。

下面将结合附图对本发明进行详细的说明，在附图中相同的元件将采用相同的附图标记表示，其中：

图1是根据本发明的方法制作的电路保护器的透视图；

图2是所述电路保护器沿着图1中2-2线的剖视图；

图3是所述电路保护器沿着图2中3-3线的剖视图；

图4是一个基片的顶视图，显示了本发明的设置步骤；

图5是图4所示基片经过一个随后步骤之后的顶视图；

图6是由图4、5所示的基片和一个覆盖层形成的层叠结构的端视图；

图7是上述层叠结构与图6所示视图相垂直的端视图；

图8是由图6、7所示层叠结构制成的单个熔断器单元的透视图；

图9是本发明的多层电路保护器的透视图；

图10A是图9所示电路保护器沿着该图中10-10线的剖视图，示出了本发明的电路保护器的第一种实施例；

图10B与图10A相应的剖视图，示出了本发明的电路保护器的第二种实施例；

图11是本发明的电路保护器的分解视图；

图12是具有两个串联熔断元件的基片层的顶视图；

图13是具有两个并联熔断元件的基片层的顶视图；

图14是一个基片的顶视图，示出了如图10A所示电路保护器的设置方法；

图15是一个基片的顶视图，示出了如图10B所示电路保护器的设置方法；

图16是根据本发明的一种实施例的多层电路保护器的剖视图。

图1是采用本发明的方法制造的超小型电路保护器或熔断器10的透视图。熔断器10并不是按照比例来予以显示的，为了清楚起见，对熔断器10以及将要将要说明和示出的其他实施例的各个元件的大小和厚度做了夸张。

图1示出了熔断器的第一种实施例，它具有一个置于基片层上的熔断元件。熔断器10包括彼此层叠在一起的上板20和下板22。置于熔断器10相对两端的端子30、32与熔断器10的图中未示的内部元件电连接。上述端子30、32也使得该熔断器10能够与一个电路相连接。

图2是熔断器10沿着图1中2-2线的剖视图。图3是沿着图2中3-3线的剖视图。在熔断器10的上板20与下板22之间设有一个熔断元件24，该熔断元件24由熔断器的一个端面12延伸到与之相对的另一个端面14。在这一实施例中，所述的熔断元件24采用熔断线的形式。金属薄膜带26、28被置于熔断器10的端部，与线状熔断元件24的两端相接触。所述金属带26、28中的每一个由熔断器10的一个端部表面12(或14)延伸到两个横向表面16、18。所述金属带26、28在端部表面12、14和横向表面16、18处与端子30、32相连接，从而通过熔断器10形成电连接。

端子30、32由三层导电金属形成。其中第一层或者内层34由银或者银合金涂层构成，第二层36由镍构成，第三层38由锡/铅合金构成，这有利于通过焊接或者其他适合方式将熔断器10连接在电路中。

可以选取线状熔断元件24，使之具有所需的直径，从而对电流和电压产生预期的响应。此外，熔断元件也可以采用具有所需特性的沉积薄膜或其他适合的材料来形成。

图4-7示出了制造本发明的熔断器10的方法。这种方法能够采用单个的基片来制造多个熔断器。图4是陶瓷基片40的顶视图，显示了所述方法的起始步骤。根据本发明，首先采用未经烧结或未经焙烧的陶瓷材料来制作具有上表面42的基片40。在上表面42上以多个彼此相隔的平行列44的方式设置导电金属薄膜。所述金属薄膜纵列44可以采用丝网印刷方式或者其他适合方法来形成。

图5是图4所示基片40的顶视图，它显示了本发明方法的随后步骤。在上表面42上形成了金属薄膜44之后，将多个线状元件50以垂直于金属薄膜列44的方式置于上表面42上，并使多个线状元件彼此相隔。所述线状元件跨过金属薄膜纵列44并与之相接触。在本发明方法的一种最佳实施例中，所述线状元件50由一种滚压敷设器来予以设置，该敷设器在基片40的横向方向上运动，并在运动的过程中将线状元件50埋入到基片之中。也可以采用其他适合的方式来设置线状元件50。

线状元件50也可以被压入到基片40的上表面42中。未经烧结的陶瓷材料是软的，具有柔性，因此在设置线状元件50时能够使线状元件50埋入到基片40中，这有利于将线状元件50固定到位。对线状元件50施加压力也有利于在线状元件50与金属薄膜44之间产生良好的接触。

当金属薄膜纵列44和线状元件50在基片40的上表面42上设置到位之后，如图6和图7所示，将第二层未经烧结的陶瓷材料板48叠放在下板40的上表面42上。图6和图7是层叠结构60的端视图。所述第二板48覆盖包封线状元件50和金属薄膜纵列44。如图6和图7所示，线状元件50和金属薄膜纵列44延伸到层叠结构60的端部表面处。

随后将层叠结构60冲切为单个的熔断器单元。图8示出了由层叠结构60冲切下来的一个熔断器单元70。采用一个钢制标准模具或者其他适合的工具沿着图6和图7中的虚线来冲切上述层叠结构60。每一个由此产生的单个熔断器单元70在其两端都具有金属薄膜条26、28，同时具有一个由一个端面12延伸到另一个端面14的线状元件24。如图所示，金属薄膜条26、28也延伸到熔断器单元的端部表面12、14以及彼此相对的横向表面16、18。

陶瓷覆盖层48和基片40的未经焙烧的状态有利于对层叠结构60进行冲切，因为它们在这种状态下较软，从而易于进行切割。与常规的加工方法相比，本发明的冲切操作所需要的动力较小。此外，由于未经烧结的陶瓷没有经过烧制的陶瓷那样脆，从而减少了在切割过程中由于陶瓷破裂所造成的损耗。

随后对经过冲切的单个熔断器单元进行烧结，以便使陶瓷材料硬化。在烧制的过程中，加热导致在线状元件50和金属薄膜44之间形成金属间键，从而形成可靠的连接。

然后为单个的熔断器单元涂覆端子，从而形成如图1-3所示的熔断器。根据本发明的一种最佳实施例，采用常规振动分检装置将单个的熔断器单元置于一夹具中，该夹具具有多个用于置放熔断器单元的孔。熔断器单元平行地置于夹具中，通过一个或多个步骤在线状元件50终止的两端端部12、14上浸渍和涂覆导电金属材料。

图9是一个超小型电路保护器或者芯片型熔断器100的透视图，它具有多个基片层和熔断元件，以便获得较高的电压和/或电流容量。

所述熔断器100包括一个上层或覆盖层120，底层126和中间层122、124。层122-126和覆盖层120层叠在一起形成一种芯片结构。如上所述，最好将端子30、32置于熔断器100的两端，使之与熔断器10的内部元件实现电气连接，在图9中没有示出所述内部元件。

尽管图9所示的熔断器100具有一层覆盖层120和三个下部层122、124、126，但是所示的层数仅仅是示意性的，而不是一种限制。根据下面的说明将可以看出，本发明的熔断器可以包括一个覆盖层和多个下部层。

根据本发明的一个方面，位于覆盖层之下的每一下部层都包括一个熔断元件。如下面所述，这些熔断元件可以连接成串联方式，也可以连接成并联方式，还可以是串联和并联的组合。

图10A显示了本发明熔断器的第一种实施例112，在这种实施例中，熔断元件被连接成串联形式。图10A是沿着图9中10-10线的剖视图。图11是熔断元件以串联方式连接的芯片型熔断器112的分解透视图。下面的说明是针对上述两个附图来进行的。

如图所示，下部层122A、124A、126A分别具有可熔断元件140A、142A、144A。可熔断元件140A、142A、144A彼此连接在一起，最好通过通道150、152、154、156与端子30、32相连接，以便形成由一个端子30到另一个端子32的串联连接。通道150-156是在每一层的适当位置上形成并金属化的孔，亦即在孔中填充导电金属。由图11可以看出，根据本发明的一种实施例，可熔断元件140A、142A、144A被分别设置在相应的层122A、124A、126A中，除了通过通道150和156之外，不与端子30、32相接触，通道150和156被连接到最上面的可熔断元件140A和最下面的熔断元件144A。然而，根据另一实施例，如果希望或者有必要，如图10A和图11中的虚线所示，而不是如图10A所示的实施例那样采用通道150和156，可以使焊盘146A直接延伸到端子30和32。如果希望或者有必要，如图10A所示，熔断元件可以延伸到端子，也可以不延伸到端子。另外，也可以完全省略端子30、32，让通道150和156或者延伸到基片端部的焊盘146A直接连接在采用芯片型熔断器的电路中。

由图11清晰可见，可熔断元件140A、142A、144A中每一个以彼此间隔的方式来形成，扩大的焊盘部分146A由窄条148A连接。上述窄条148A或熔断元件采用根据对电压和/或电流的响应特性而选择出的金属材料制成的薄膜。焊盘部分146A由金属材料制成，尽管焊盘部分146A和熔断元件148A可以通过单一的印刷工艺来形成，从而使得它们具有相同的厚度，但是焊盘部分146A的面积最好大于熔断元件148A。

如图10A所示，熔断元件148A被置于焊盘部分146A之下，亦即在焊盘部分146A之前形成。然而，根据本发明，也可以同时形成熔断元件和焊盘部分，亦即在同一个印刷工序中(如图11所示)，或者在形成焊盘部分之前或之后形成(如图11中的虚线所示)。

如图10A和图11所示，芯片型熔断器112可以形成这样一种熔断器，其熔断元件的有效长度是各个层122A、124A、126A中的熔断元件148A长度的总和。这样就能够使得所获得的熔断器112与相同电压额的已知熔断器相比具有较短的长度和更为紧凑的结构。

图10B示出了芯片型熔断器114的第二种实施例，其中熔断元件以并联方式相连接，而不是如图10A所示那样以串联方式相连接。每一层122B、124B、126B分别具有可熔断元件140B、142B、144B。可熔断元件140B-144B中的每一个的两端都具有通过薄的熔断元件148B相互连接起来的焊盘部分146B。所述焊盘部分146B延伸到每一层122B、124B、126B的端部，与位于芯片型熔断器114两端的相邻端子30、32相接触。焊盘部分146B还横向延伸到每一层的横向边缘，以便与覆盖所述横向边缘的端子相接触，从而在三个侧边上实现与端子30、32的接触。

如图10B所示，每一层的可熔断元件140B、142B、144B中的每一个与两个端子30、32相连接。因此，芯片型熔断器144就具有多个并联连接的熔断元件。这样，如图10B所示的芯片型熔断器114由于提供了多个并联的电流通道，因而能够具有更大的电流承受容量。

如上面结合单层熔断器10所述那样，芯片型熔断器112和114中的每一种最好都采用由三层导电金属材料制成的端子30、32。同样，也可以整个省略端子30、32，将芯片型熔断器通过通道150、156或者延伸到端部的焊盘部分146A或146B直接连接到电路中。此外，如果希望或者有必要，可以在接近芯片型熔断器端部的部位上覆盖银或者银合金，使之与所述通道或焊盘部分相接触，可以将芯片型熔断器插入到一个插座中或者一个芯片中，以便与电路相连接。

图12是用于本发明另一种实施例的芯片型熔断器的基片160的顶视图。其中的熔断元件由两个以串联方式相连接的熔断元件162、164构成。位于基片160两端的焊盘部分146C延伸到基片160的端部边缘和两个横向边缘。第三焊盘166大致置于基片160的中心部位。两个熔断元件162和164与两个端部焊盘164C和中心焊盘166相连接，以形成两个相互串联的可熔断元件。多个基片层160可以采用如图10B所示的方式，在一个单个的芯片型熔断器中层叠在一起，亦即将每一个层中的熔断元件并联连接。这样，采用基片160的芯片型熔断器就实现了串联和并联连接的组合。

图13是本发明另一种实施例的基片层170的顶视图。由导电材料薄膜制成的焊盘被置于基片170的两端。两个熔断元件172和174以平行的方式置于基片170的上表面上，并与两个焊盘146D相连接。在基片层170的预定位置上，采用如图10A所示的方式，形成了金属化的孔。可以采用如10A所示的方式将多个基片层170组装在一起，以便形成一个具有并联与串联相组合的芯片型熔断器。

图14、15示出了制造多层熔断器112、114的方法。图14涉及的是结合图10A所述的芯片型熔断器112的制造方法，图15涉及的是结合图10B所述的芯片型熔断器的制造方法。根据所述方法，从制作多个基片层开始制作多个单独的熔断器。

参见图14，提供一个由未经烧结或未经焙烧的陶瓷材料制成的基片层180，它具有上表面182。将多个焊盘184和熔断元件186以彼此相隔的位置关系置于所述上表面182上。熔断元件186与两个相邻的焊盘相连接，从而形成上面所述的单个基片层的可熔断元件。所述焊盘和熔断元件可以采用丝网印刷方法或者其他适合的方法在不同步骤中分别形成，也可以在同一个步骤中同时形成。在基片层180上也可以印制如图13所示的多个熔断元件172、174和焊盘146D。

制作多个基片层180，例如以便如图10A和图11所示提供多个层122A、124A、126A。对各个基片层进行穿孔，为金属化通道150-156形成孔，用于实现各基片层上的熔断元件的互连。参见图11，根据一个基片层在所形成的芯片型熔断器中的位置，可以在基片层上冲出具有不同形状的孔，以便于熔断元件的互连。

可以采用真空方式将导电金属膏吸入孔内或者其他适合方式，使孔金属化。尽管也可以在形成孔和使孔金属化之前或者在对所形成的孔进行金属化之前施加焊盘和熔断元件，但是最好在形成焊盘和熔断元件之前进行冲孔并予以金属化。

将多个基片层180堆积在一起并予以定位，从而如图11中所示的单个芯片型熔断器那样，使得焊盘184和熔断元件186以重叠的方式定位。在多个基片层的最上面一个上施加由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层。可以在将多个基片层组装在一起之前或者之后施加所述由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层。按照图14中的虚线，将组装起来的基片切割或冲切为单个的熔断器单元，从而使得每一个单元都具有堆积在一起的多个熔断元件。

最好采用钢制标准模具或者其他适合的工具，采用上面所述的制作单层熔断器10的方式，将上述层叠结构切割为单个的单元。

此后，采用上面所述的方式对单个的熔断器单元进行烧制，以便使陶瓷材料硬化。在烧制的过程中，热量会使得在金属通道150-156和金属薄膜焊盘146A之间形成金属键合，从而获得可靠的电连接。

然后按照上面所述的方式为单个的熔断器单元被覆以端子，从而形成如图9和图10A所示的熔断器100。

图15显示了一种制作如图10B所示熔断器芯片的方法。提供一个具有上表面192的由未经烧结或未经焙烧的陶瓷材料制成的基片层190。在所述上表面192上淀积导电金属薄膜形成多个彼此相隔的平行列194，从而提供如图10所示的加工完毕的芯片型熔断器中的端部焊盘146B。

在所述上表面192上淀积另外的导电金属薄膜形成多个彼此相隔的平行行196，这些行196与上述列194相互垂直。这些行196例如可以构成如图10B所示的加工完毕的芯片型熔断器中的熔断元件140B、142B、144B。基片层190上也可以印制如图12所示的熔断元件162、164和中心焊盘166。

可以将多个基片层190堆积在一起，使各层上的所述行和列相互对齐。在最上面的基片层上施加由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层，以便形成一个组装结构。可以在施加由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层之前或之后将基片层压在一起，以便使之彼此结合。最好在加热和加压条件下将基片层190和由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层120B结合在一起。采用上面所述的方式，如图15中的虚线所示，对组装而成的结构进行切割或冲切，以便形成单个的熔断器单元。

对单个的熔断器单元进行烧制，以便使陶瓷硬化，采用上面所述的方式在经过烧制的单元上被覆以端子。

本发明并不限于这些实施例，即熔断元件被置于每一个基片层上。如图16所示，芯片型熔断器212包括串联连接的熔断元件240A、242A、244A(它们也可以并联连接)，可以省略基片层222、224A、226A 228A中的一个或多个上的熔断元件，这种省略可能是所希望的，例如以便将熔断元件之间产生放弧现象的可能性减到最小程度。此外，如果希望或者需要，可以在单个基片层222A、224A、226A、228A的两侧印制熔断元件，这一点在为了增加串联连接的熔断元件的长度时是需要的，或者在同一个芯片型熔断器中某一基片层的顶侧和另一层的底侧印制熔断元件。

上述介绍了本发明的原则，最佳实施例和操作模式，然而本发明并于限于上面所述的具体实施例。上面所述的实施例仅仅是举例性的，而不是限定性的，本技术领域里的普通技术人员在下面的权利要求所限定的本发明的范围之内还可以对本发明作出种种改进和变化。

Claims (28)

1.一种制作芯片型熔断器的方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用未经烧结的陶瓷材料制成至少一个基片元件；

在至少一个所述基片元件的上表面上用导电薄膜形成多个彼此相隔的列和行，所述导电薄膜行基本上与所述导电薄膜列的延伸方向相垂直；

在所述基片的上表面上施加由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层，以便形成一个层叠结构；

分割所述的层叠结构，形成多个单个的芯片型熔断器，其中每一个芯片型熔断器包括一个熔断元件，该熔断元件包括位于两个端部的由导电薄膜形成的金属薄膜焊盘，以及连接所述焊盘的由导电金属薄膜形成的导电元件；

对所述芯片型熔断器进行烧结，以便使所述未经烧结的陶瓷材料硬化，并在所述导电金属与导电金属薄膜焊盘之间形成金属键。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在每一个基片元件上施加列和行的步骤包括：

在未经烧结的陶瓷基片的上表面上印制多个彼此相隔的导电薄膜列；

在基片的上表面上印制多个彼此相隔的导电元件，该元件的方向基本上与所述薄膜列的方向相垂直。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的施加薄膜列的步骤包括印制导电金属薄膜构成的单个焊盘列；

淀积所述导电元件与两个焊盘相互连接。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，为至少两个基片层制备导电薄膜列和导电元件行，所述基片层被置于多个层中，以便形成一个层叠结构，并使每一层的导电元件彼此对齐；

在选定的位置上使层间的彼此对齐的列相互连接，以便在它们之间形成电气连接。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在层间对彼此对齐的列进行互连的步骤包括：

根据薄膜列的位置，在每一基片的预定位置上形成孔；

使得所述孔金属化，其中金属化的孔在堆积层的预定位置上与所述列相接触。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，对各层的彼此对齐的列所进行的互连将每一个芯片型熔断器中的熔断元件以串联方式连接在一起。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：

在烧制步骤之后，在熔断器的两端部位上设置端子；

将位于所述熔断元件串一端的焊盘以电气连接的方式与所述端子中的一个相连接，将位于熔断元件串另一端的焊盘以电气连接方式与所述端子中的另一个相连接。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，将所述焊盘与端子相连接的步骤包括为每一个焊盘在孔中提供一导体，该导体由所述焊盘通过其间的基片通向所述端子。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，设置端子的步骤包括：

在最内层施加一层银合金，在上述最内层上覆盖一层镍，然后在上述镍层上覆盖一层含锡/铅的合金。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在烧制步骤之后在熔断器的两端设置端子，该端子与位于熔断器两端部位上的至少一个焊盘实现电气接触。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，设置端子的步骤包括：

在最内层施加一层银合金，在上述最内层上覆盖一层镍，然后在上述镍层上覆盖一层含锡/铅的合金。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在熔断器的两端设置一涂层，其最内层为一层银合金，在上述最内层上覆盖一层镍，然后在上述镍层上覆盖一层含锡/铅的合金，从而形成端子。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，分割层叠结构的步骤使得所形成的每一个芯片型熔断器具有相对的端面和相对的横向侧面，并使得每一层上的每个金属薄膜焊盘延伸到其中一个端面和两个横向侧面；

使所述端子与位于每一层两端部位上的焊盘相连接，从而使每一个芯片型熔断器中的多个熔断元件以并联方式相连接。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的设置多个熔断元件的步骤包括在基片上轧制多个线状熔断元件。

15.一种芯片型熔断器，其特征在于，包括：

多个由陶瓷材料制成的基片，每一个基片具有一个上表面，将所述多个基片堆积在一起，具有至少一个最上部的基片层和最下部的基片层；

在两个或多个所述基片层上表面设置由导电材料制成的熔断元件；

一个覆盖所述最上部基片层的上表面的陶瓷覆盖层，其中所述基片层和覆盖层形成一个具有第一端部和第二端部的层叠结构；

用于将所述多个基片层的熔断元件电互连的装置。

16.如权利要求15所述的芯片型熔断器，其特征在于，进一步包括：

接近所述层叠结构的第一和第二端部的用导电材料制成的端子；

将至少最上部的熔断元件与第一端子电连接的装置；

将至少最下部的熔断元件与第二端子电连接的装置。

17.如权利要求16所述的芯片型熔断器，其特征在于，所述每一个基片层上的熔断元件由第一端部的第一边缘延伸到该基片层的第二端部的相对第二边缘；

位于所述第一和第二端部的端子与每一个基片层上的所述熔断元件电连接，其中所述熔断元件由所述端子电互连。

18.如权利要求17所述的芯片型熔断器，其特征在于，

每一个所述熔断元件包括置于所述基片的第一和第二端部的用导电材料制成的焊盘，所述焊盘至少延伸到所述第一和第二边缘，以及在所述焊盘之间设置并与所述焊盘电连接的可熔断的元件。

19.如权利要求18所述的芯片型熔断器，其特征在于，位于所述基片上的每一焊盘进一步延伸到第一和第二端部的横向边缘。

20.如权利要求17所述的芯片型熔断器，其特征在于，

每个所述熔断元件包括置于基片层的第一和第二端部的由导电材料制成的焊盘，该焊盘至少延伸到所述第一和第二边缘，由导电材料制成的第三焊盘被置于位于所述第一和第二端部的焊盘之间，并与之相隔离，第一可熔断元件被置于位于第一端部的焊盘与第三焊盘之间并与它们电连接，第二可熔断元件被置于位于第二端部的焊盘与第三焊盘之间并与它们电连接。

21.如权利要求15所述的芯片型熔断器，其特征在于，

每个所述熔断元件包括分别置于所述第一基片的第一和第二端部的用导电材料制成的焊盘，至少一个可熔断元件电连接所述焊盘。

22.如权利要求21所述的芯片型熔断器，其特征在于，用于电互连熔断元件的装置包括多个导体，每个导体置于多个孔中的一个之中，该孔在预定的位置上穿过基片层，以便将相邻的基片熔断元件电连接起来。

23.如权利要求15所述的芯片型熔断器，其特征在于，

每个所述熔断元件包括置于所述第一基片的第一和第二端部的用导电材料制成的焊盘，至少一个可熔断元件与所述焊盘电连接；

用于电互连熔断元件的装置为多个导体，每一个导体置于多个孔中的一个之中，该孔在预定的位置上穿过基片层，以便将相邻的基片熔断元件电连接起来；

用于至少将最上部的熔断元件与位于第一端部的端子电连接的装置包括置于一个孔之中的导体，该孔由位于最上部的基片层上的焊盘穿过最上部的基片层和中间基片层延伸到所述端子；

用于至少将最下部的熔断元件与位于第二端部的端子电连接的装置包括置于一个孔之中的导体，该孔由置于最下部的基片层上的焊盘穿过最下部的基片层和中间基片层延伸到位于第二端部的端子。

24.如权利要求23所述的芯片型熔断器，其特征在于，最下部基片的第一和第二端部的底表面包括导电金属层，以利于所述导体与端子之间的电连接。

25.如权利要求16所述的芯片型熔断器，其特征在于，所述每一个端子包括有银/银合金制成的最内层，由镍制成的中间层，和含锡/铅材料制成的最外层。

26.如权利要求15所述的芯片型熔断器，其特征在于，至少一个熔断元件的一端延伸到所述层叠结构的第一和第二端部之一。

27.如权利要求15所述的芯片型熔断器，其特征在于，一个熔断元件被置于每个所述基片层的上表面上。

28.如权利要求15所述的芯片型熔断器，其特征在于，每个所述基片层具有一个下表面，一个熔断元件被置于至少一个基片层的下表面上。

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