CN115210002B - 成膜用雾化装置及使用了该成膜用雾化装置的成膜装置以及半导体膜 - Google Patents

成膜用雾化装置及使用了该成膜用雾化装置的成膜装置以及半导体膜 Download PDF

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Abstract

本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。由此，提供一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置。

Description

成膜用雾化装置及使用了该成膜用雾化装置的成膜装置以及 半导体膜
技术领域
本发明涉及一种成膜用雾化装置及使用了该成膜用雾化装置的成膜装置以及半导体膜。
背景技术
开发了一种使用雾化的雾状的原料在基板上形成薄膜的雾化学气相生长法(MistChemical Vapor Deposition：Mist CVD。以下也称为“雾CVD法”)，用于氧化物半导体膜等的制作(专利文献1、2)。在雾CVD法中的膜形成中一般是利用超声波获得雾的方式。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-028480号公报
专利文献2：日本特开2014-063973号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
但是，至今未建立用于形成高品质的膜的原料雾化方法，存在由原料雾的品质引起的颗粒大量附着于制作出的膜的问题。另外，已知如果在提高成膜速度的情况下等增加雾供给量，则这样的颗粒附着更加显著，技术问题是兼顾膜品质和生产率。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够高效地形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置、以及用于使用该成膜用雾化装置以较高的生产率形成高品质的膜的成膜装置。另外，本发明的目的在于，提供一种膜表面的颗粒密度显著降低的高品质的半导体膜。
(二)技术方案
本发明为了实现上述目的而提供一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。
如果是这样的成膜用雾化装置，则能够稳定获得适于成膜的、高品质且良好的高密度雾，因此能够成为高效地形成颗粒较少的高品质的膜的成膜用雾化装置。
此时，优选以所述中心线u穿过所述原料容器侧壁的方式设置超声波发生源。
这样，能够更稳定地获得更高密度的雾。
此时，优选以所述交点P与所述下端点B的距离为10mm以上的方式设置超声波发生源。
这样，能够更稳定地获得更高品质的雾。
此时，优选以所述交点P与所述下端点B的距离为25mm以上的方式设置超声波发生源。
这样，能够更稳定地获得更高品质的雾。
另外，提供一种成膜装置，其至少具备：雾化单元，其雾化原料溶液而形成原料雾；以及成膜单元，其向基体供给所述雾而在所述基体上形成膜，该成膜装置具备上述的成膜用雾化装置作为所述雾化单元。
通过设置为这样的装置，能够以较高的生产率制造高品质的膜。
本发明还提供一种半导体膜，其包含Ga并具有刚玉型晶体结构，所述半导体膜的表面上的直径为0.3μm以上的颗粒密度是50个/cm2以下。
如果是这样的半导体膜，则能够成为适于半导体装置制造的高品质的半导体膜。
此时，优选包含所述Ga并具有刚玉型晶体结构的半导体膜是α-Ga2O3。
由此，成为更适于半导体装置制造的高品质的半导体膜。
此时，优选是所述半导体膜的表面积为50cm2以上的半导体膜。
由此，成为更高品质且生产率较高的半导体膜。
此时，优选是所述半导体膜的膜厚为1μm以上的半导体膜。
由此，成为品质更好、更适于半导体装置的半导体膜，而且能够提高半导体装置的设计自由度。
(三)有益效果
如以上那样，根据本发明，能够提供可稳定获得高品质且高密度的雾的成膜用雾化装置。另外，根据本发明，能够提供能够以较高的生产率制造高品质的膜的成膜装置。而且，根据本发明，能够提供颗粒密度显著降低的半导体膜。
附图说明
图1是表示本发明的成膜用雾化装置的结构的图。
图2是说明本发明的成膜用雾化装置的雾发生部的图。
图3是说明本发明的成膜装置的结构的一方式的图。
图4是说明本发明的成膜装置的结构的另一方式的图。
具体实施方式
以下对本发明进行详细说明，但本发明并不限定于此。
如上述那样，正在寻求一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置、以及用于使用该成膜用雾化装置以较高的生产率形成高品质的膜的成膜装置。另外，正在寻求颗粒较少的高品质的半导体膜。
本发明人对上述技术问题反复深入研究，结果发现：使用如下的成膜用雾化装置，能够以较高的生产率形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜，从而完成了本发明，所述成膜用雾化装置具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。
以下参照附图进行说明。
(成膜用雾化装置)
图1表示本发明的成膜用雾化装置100。成膜用雾化装置100具备：原料容器111，其容纳原料溶液114；筒状部件113，其在空间上连接原料容器111的内部与外部，且设置为其下端在原料容器111内不与原料溶液114的液面接触；超声波发生器120，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源(超声波振动板)121；以及液槽122，其使超声波经由中间液123传播至原料溶液114。
在原料容器111上设置有用于导入载气131的载气导入口112。原料容器111及筒状部件113的形状没有特别限定，通过设置为圆柱状，能够使混合了载气131和雾132的混合气体133顺畅地流动。优选载气导入口112比筒状部件113的在原料容器111内部的下端更靠向上方设置。这样，能够充分混合载气131和雾132。另外，虽未图示，原料容器111也可以具备根据原料溶液114的消耗进行补充的机构。
构成成膜用雾化装置的部件只要是相对于原料溶液114而言化学性稳定且具有充分的机械性强度的材质及构造，则没有特别限定，例如，能够使用金属、塑料材料、玻璃、在金属表面涂覆了塑料材料的材料等。
超声波发生器120至少具备超声波发生源121。另外，超声波发生器120通过具备振荡器等，从而能够使超声波发生源121驱动。另外，液槽122容纳中间液123，该中间液123用于使从超声波发生源121照射的超声波向原料溶液114传播。容纳于液槽122的中间液123只要不阻碍超声波则没有特别限定，例如可以使用水、醇类以及油类等。液槽122等只要是相对于中间液123而言化学性稳定、且具有一定程度的机械性强度的材质及构造则没有特别限定。例如，能够使用金属、塑料材料、玻璃、在金属表面涂覆了塑料材料的材料等。另外，虽未图示，液槽122可以还具备对中间液123的液量、温度进行检测及控制的单元。
超声波发生源121的超声波的射出面为平坦的形状，关于照射方向，可以使该射出面倾斜并固定，也可以通过角度调节机构121a进行倾斜来改变。另外，超声波发生源121只要具备至少一个超声波振动板(未图示)即可，可以是振动板单体，也可以与用于控制超声波的照射方向的单元进行组合而构成。另外，超声波发生源121可以根据期望的雾密度、原料容器111的尺寸等而设置为单个或多个。对于从超声波发生源121照射的超声波的频率而言，只要产生期望的粒径和粒度的雾132则没有限定，例如，可以使用1.5MHz到4.0MHz。由此，原料溶液114被雾化成适合成膜的微米尺寸的液滴。
图2是说明本发明的成膜用雾化装置的雾发生部的图，是示意性地示出在图1的虚线框部位A照射超声波时的原料溶液的液面附近的状态的放大图(省略液槽进行记载)。将超声波发生源121的超声波射出面的中心线设定为u。当从超声波发生源121从原料溶液201的下方沿着中心线u方向照射超声波时，在原料溶液201中沿着超声波照射方向产生液柱202，同时进行雾化。此时，以中心线u不与筒状部件220相交的方式利用角度调节机构121a使超声波发生源121倾斜。即，在中心线u与包含筒状部件220的侧壁的延长的、筒状部件220的侧壁面所构成的面的交点P比筒状部件220的下端点B靠下的范围中，超声波发生源121朝向原料容器210的侧壁的方向。
另外，可以是，以中心线u穿过原料容器210的侧壁的方式设置超声波发生源121。这样，能够更稳定地获得更高密度的雾。
而且，可以是，以交点P与下端点B的距离PB为10mm以上的方式设置超声波发生源121，更优选以交点P与下端点B的距离PB为25mm以上的方式设置超声波发生源121。如果PB是10mm以上，则混合气体的流动更顺畅，因此能够有效地防止雾供给量下降而使成膜速度下降。另外，能够有效地防止在混合气体中较大粒径的液滴增加而导致在基板上的膜上形成缺陷，这种情况会在基板上形成未反应生成物、颗粒，从由于避免了上述问题，因此膜的品质进一步提高。此外，PB的上限值没有特别限定，能够根据原料容器210的尺寸等适当设定，例如可以为100mm以下。
(成膜装置)
本发明进一步提供使用了在图1及图2中说明的成膜用雾化装置的成膜装置。
图3是说明本发明的成膜装置的结构的一方式的图。本发明的成膜装置300至少具备：雾化单元320，其雾化原料溶液321而形成原料雾322；以及成膜单元330，其向基体334供给雾322而在基体334上形成膜。成膜装置300具备在图1及图2中说明的本发明的成膜用雾化装置100作为雾化单元。而且，载气供给部311、雾化单元320与成膜单元330通过配管313、324连接。
载气供给部311例如可以是空气压缩机、各种储气瓶或者氮气分离机等，另外，也可以具备控制气体的供给流量的机构。
配管313、324只要相对于原料溶液321、成膜单元330附近的温度等而言具有充分的稳定性，则没有特别限定，能够广泛使用石英、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、硅树脂、聚氨酯树脂、氟树脂等普通树脂制的配管。
另外，虽未图示，也可以将从载气供给部311另行将不经由雾化单元320的配管与配管324连接，并能够向混合气体352供给稀释气体。
也可以对应于成膜的材料等而具备多台雾化单元320。另外，在这种情况下，从多个雾化单元320向成膜单元330供给的混合气体352可以分别独立地向成膜单元330供给，也可以在配管324中混合或者另行设置混合用的容器(未图示)等进行混合。
成膜单元330也可以具备：成膜室331、设置于成膜室331内且对形成膜的基体334进行保持的基座332、以及对基体334进行加热的加热单元333。
成膜室331的结构等没有特别限定，例如，可以使用铝、不锈钢等金属，当以较高的温度进行成膜时可以使用石英、碳化硅。
加热单元333只要根据基体334、基座332以及成膜室331的材质、结构进行选定即可，例如，优选使用电阻加热器、灯加热器。
载气351与在雾化单元320内形成的雾322混合而成为混合气体352，并向成膜单元330输送来进行成膜。
另外，本发明的成膜装置可以还具备排气单元340。排气单元340可以通过配管等连接于成膜单元330，也可以空出间隙设置。另外，排气单元340只要是由相对于从成膜单元330排出的热及气体、生成物而言稳定的原材料构成，则对于构造、结构没有特别限定，能够使用公知的通常的排气扇、排气泵。另外，根据排出的气体、生成物的性质，例如也可以具备捕雾器、湿式洗涤器、袋式过滤器、除害装置等。
在图3中，说明了基体334设置于成膜室331内部的成膜单元330的方式，但在本发明的成膜装置中不限于此，也可以如图4所示，在成膜装置400中，作为成膜单元430，使用喷出包含雾422的混合气体452的喷嘴431，向设置在基座432上的基体434直接喷射混合气体452来进行成膜。
在这种情况下，可以具备沿水平方向驱动喷嘴431和基座432中的任意一个或者双方的驱动单元，一边使基体434和喷嘴431的水平方向上的相对位置变化一边进行成膜。另外，基座432也可以具备对基板434进行加热的加热单元433。另外，成膜单元430也可以具备排气单元435。排气单元435可以与喷嘴431一体化，也可以单独设置。此外，对与图1至图3相同的结构适当省略说明。
(半导体膜)
本发明的半导体膜是包含Ga并具有刚玉型晶体结构的半导体膜，半导体膜的表面上的直径为0.3μm以上的颗粒密度是50个/cm2以下。直径为0.3μm以上的颗粒是当以半导体膜为基础制成半导体装置时对特性带来较大影响的颗粒。上述那样的、具有直径为0.3μm以上的颗粒密度的半导体膜是适于半导体装置制造的高品质的结构。
此外，本发明中的“颗粒”是指，包含取入半导体膜中而与膜一体化的物体以及在半导体膜表面作为异物附着的物体，当观察膜的表面时作为颗粒观察到的物体。另外，颗粒的直径是基于通过光散射式的颗粒测量器测量的颗粒的尺寸的值。颗粒的尺寸通过利用多个尺寸的标准粒子对测量器进行校正来判定。也就是说，是通过将利用测量器测量颗粒时的测量值与测量标准粒子时的测量值进行对照而分类的值。对于半导体膜的表面上的颗粒，能够使用例如激光散射式的颗粒计数器来测量。
本发明的半导体膜只要是包含Ga且具有刚玉型晶体结构的膜则没有限定，尤其优选是α-Ga2O3。α-Ga2O3是更适于半导体装置制造的高品质的半导体膜。另外，优选半导体膜的表面积是50cm2以上。这样的半导体膜是品质更高且生产率较高的半导体膜。
而且，半导体膜的膜厚优选是1μm以上。这样的半导体膜品质更优质，更适于半导体装置，而且能够提高半导体装置的设计自由度。
本发明的半导体膜能够通过使用具备本发明的成膜用雾化装置的成膜装置在设置于成膜装置的成膜室内的基体上成膜来获得。基体只要能够成膜且能够支撑膜则没有特别限定。基体的材料也没有特别限定，能够使用公知的基体，可以是有机化合物，也可以是无机化合物。例如，可以举出聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、氟树脂、铁、铝、不锈钢、金等金属、硅、蓝宝石、石英、玻璃、氧化镓等，但不限于此。作为所述基体的形状，可以是任意形状，对所有的形状有效，例如，能够举出平板、圆板等板状、纤维状、棒状、圆柱状、棱柱状、筒状、螺旋状、球状、环状等，但在本发明中，优选是板状的基体。板状的基体的厚度没有特别限定，优选是10～2000μm，更优选是50～800μm。在基体是板状的情况下，其面积优选是50mm2以上，更优选直径是2英寸(50mm)以上。也可以在基体上形成半导体膜后，除去基体而形成单独的半导体膜。
原料溶液只要包含Ga且包含能够雾化的材料则没有特别限定，可以是无机材料，也可以是有机材料。优选使用金属或者金属化合物，除了Ga之外，也能够使用包含选自铁、铟、铝、钒、钛、铬、铑、镍以及钴中的一种以上的金属的物质。
作为原料溶液，能够优选使用以络合物或者盐的方式使所述金属溶解或者分散于有机溶剂或者水中的物质。作为络合物的方式，能够举出例如乙酰丙酮络合物、羟基络合物、氨络合物、氢化络合物等。作为盐的方式，能够举出例如氯化金属盐、溴化金属盐、碘化金属盐等。另外，将上述金属溶解于氢溴酸、盐酸、氢碘酸等的物质也能够作为盐的水溶液使用。
另外，也可以在原料溶液中混合氢卤酸、氧化剂等添加剂。作为所述氢卤酸，能够举出例如氢溴酸、盐酸、氢碘酸等，其中优选氢溴酸或者氢碘酸。作为所述氧化剂，能够举出例如双氧水(H2O2)、过氧化钠(Na2O2)、过氧化钡(BaO2)、过氧化苯甲酰(C6H5CO)2O2等过氧化物、次氯酸(HClO)、高氯酸、硝酸、臭氧水、过乙酸、硝基苯等有机过氧化物等。
而且，在所述原料溶液中也可以包含掺杂剂。所述掺杂剂没有特别限定。例如，可以举出锡、锗、硅、钛、锆、钒或者铌等n型掺杂剂、或者铜、银、锡、铱、铑等p型掺杂剂等。掺杂剂的浓度可以是例如约1×1016/cm3～1×1022/cm3，可以是约1×1017/cm3以下的低浓度，也可以是约1×1020/cm3以上的高浓度。
实施例
以下，举出实施例对本发明进行详细说明，但这并不限定本发明。
(实施例1)
使用图1及图2所示的成膜用雾化装置、和图3所示的成膜装置进行了α-氧化镓的成膜。
在成膜用雾化装置中都使用硼硅酸玻璃制的原料容器和筒状部件，另外，准备了石英制的成膜室。在载气供给中使用了填充有氮气的储气瓶。用聚氨酯树脂制管连接储气瓶和成膜用雾化装置，而且用石英制的配管连接成膜用雾化装置和成膜室。
作为原料溶液而准备了在镓乙酰丙酮0.02mol/L的水溶液中以体积比为1％添加了浓度为34％的盐酸并用搅拌器搅拌了60分钟的溶液，并将其填充进原料容器中。成膜用雾化装置使用了具备2座超声波振动板(频率2.4MHz)的装置。以使得筒状部件下端的B点与筒状部件的侧壁面和超声波的射出方向相交的P点的距离BP成为30mm的方式，调整了超声波照射方向和筒状部件的位置。
接着，将厚度为0.6mm、直径为4英寸(约10cm)的c面蓝宝石基板载置于设置在成膜室内的石英制的基座上，并以使得基板温度成为500℃的方式进行了加热。
接着，利用超声波振动板使超声波振动通过水向原料容器内的前体传播，并将原料溶液雾化。
接着，以5L/min的流量向原料容器添加氮气，并向成膜室供给雾和氮气的混合气体60分钟而进行了成膜。之后，立即停止氮气的供给，并停止混合气体向成膜室的供给。
由于制作出的层叠体的结晶层在X射线衍射测量中在2θ＝40.3°处出现峰值，因此确认了是α相的Ga2O3。
之后，利用光反射率解析测量了制作出的膜的膜厚，并计算出生长速度。另外，利用基板检查器(KLA candela-CS10)评价了膜上的颗粒(直径为0.5μm以上)密度。
(实施例2)
除了使氮气流量为10L/min以外与实施例1同样地进行了成膜。
由于制作出的层叠体的结晶层在X射线衍射测量中在2θ＝40.3°处出现峰值，因此确认了是α相的Ga2O3。
之后，与实施例1同样地对膜进行了评价。
(实施例3)
除了成膜装置使用了图4所示的成膜装置之外，使用与实施例1同样的装置及原料溶液进行了α-氧化镓的成膜。对于雾排出喷嘴而言，使用了石英制的雾排出喷嘴。对于基座而言，使用了铝制热板，并将基板加热到450℃。接着，使基座以10mm/s的速度在雾排出喷嘴的下方沿着水平方向往复驱动，而且从雾排出喷嘴向基座上的基板以5L/min供给混合气体，进行了60分钟的成膜。
由于制作出的层叠体的结晶层在X射线衍射测量中在2θ＝40.3°处出现峰值，因此确认了是α相的Ga2O3。之后，与实施例1同样地对膜进行了评价。
(比较例1)
除了朝向筒状部件的筒内从超声波发生器向正上方照射超声波之外，与实施例1同样地进行了成膜。
由于制作出的层叠体的结晶层在X射线衍射测量中在2θ＝40.3°处出现峰值，因此确认了是α相的Ga2O3。之后，与实施例1同样地对膜进行了评价。
(比较例2)
除了朝向筒状部件的筒内从超声波发生器向正上方照射超声波以外，与实施例2同样地进行了成膜。
由于制作出的层叠体的结晶层在X射线衍射测量中在2θ＝40.3°处出现峰值，因此确认了是α相的Ga2O3。之后，与实施例1同样地对膜进行了评价。
在表1中示出实施例1、2、3以及比较例1、2中的生长速度及所获得的膜的颗粒密度。
[表1]
生长速度[nm/分钟] 颗粒密度[个/cm2]
实施例1 13.5 0.11
实施例2 30.1 0.20
实施例3 14.0 0.15
比较例1 4.3 12.07
比较例2 11.3 56.50
根据表1可知，如实施例1、2、3所示，本发明的成膜装置能够制作生长速度较高且颗粒较少的高品质的膜，是优秀的成膜装置。另一方面，在使用了现有技术的成膜用雾化装置的比较例1、2中，生长速度低，另外附着了较多的颗粒。
(实施例4)
除了将成膜时间即向成膜室供给雾和氮气的混合气体的时间设置为120分钟以外，以与实施例1相同的条件进行成膜，进行了膜厚为1μm以上的半导体膜的成膜。而且，利用基板检查器(KLA candela-CS10)评价了成膜所获得的膜的表面的颗粒(直径为0.3μm以上)密度。
(实施例5)
除了将成膜时间设置为120分钟以外，以与实施例2相同的条件进行成膜，并以与实施例4相同的条件进行了评价。
(实施例6)
除了将成膜时间设置为120分钟以外，以与实施例3相同的条件进行成膜，并以与实施例4相同的条件进行了评价。
(比较例3)
除了将成膜时间设置为120分钟以外，以与比较例1相同的条件进行成膜，并以与实施例4相同的条件进行了评价。
(比较例4)
除了将成膜时间设置为120分钟以外，以与比较例2相同的条件进行成膜，并以与实施例4相同的条件进行了评价。
在表2中示出实施例4、5、6以及比较例3、4中的生长速度及所获得的膜的颗粒密度。
[表2]
生长速度[nm/分钟] 颗粒密度[个/cm2]
实施例4 14.2 0.10
实施例5 29.8 0.48
实施例6 14.1 0.24
比较例3 4.2 66.01
比较例4 11.0 106.50
根据表2可知，如实施例4、5、6所示，在使用本发明的成膜装置进行了成膜的情况下，能够制作生长速度较高且颗粒较少的高品质的膜。尤其是能够获得直径为0.3μm以上的颗粒密度是50个/cm2以下的半导体膜。另一方面，在使用了现有技术的成膜用雾化装置的比较例3、4中，生长速度低，另外附着了较多的颗粒。
此外，本发明不限于上述实施方式。上述实施方式是例示，凡具有与本发明的权利要求书所记载的技术思想实质上相同的结构、起到同样的作用效果的任何方案都包含在本发明的技术范围内。

Claims (6)

1.一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其特征在于，
将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，
以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。
2.根据权利要求1所述的成膜用雾化装置，其特征在于，
以所述中心线u穿过所述原料容器侧壁的方式设置超声波发生源。
3.根据权利要求1所述的成膜用雾化装置，其特征在于，
以所述交点P与所述下端点B的距离为10mm以上的方式设置超声波发生源。
4.根据权利要求2所述的成膜用雾化装置，其特征在于，
以所述交点P与所述下端点B的距离为10mm以上的方式设置超声波发生源。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的成膜用雾化装置，其特征在于，
以所述交点P与所述下端点B的距离为25mm以上的方式设置超声波发生源。
6.一种成膜装置，其至少具备：雾化单元，其雾化原料溶液而形成原料雾；以及成膜单元，其向基体供给所述雾而在所述基体上形成膜，其特征在于，
具备权利要求1至5中任一项所述的成膜用雾化装置作为所述雾化单元。
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