JP2020188170A - ミスト生成装置及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示す成膜装置10は、基板70の表面に膜をエピタキシャル成長させる装置である。成膜装置10は、基板70が配置される加熱炉12と、加熱炉12を加熱するヒータ14と、加熱炉12に接続されたミスト生成装置20と、加熱炉12に接続された排出管80を備えている。
実施例2の成膜装置は、ミスト生成装置20の構成が実施例1の成膜装置10とは異なる。後述する他の実施例でも同様である。図3に示すように、実施例2の成膜装置では、搬送ガス供給路42が、貯留槽26の側面に接続されている。搬送ガス供給路42は、貯留槽26の内部まで伸びている。貯留槽26の内側面26cから搬送ガス供給路42の吐出口42aまでの距離L3は、貯留槽26の内側面26cからミスト送出路40の流入口40aまでの距離L4よりも短い。吐出口42aは、流入口40aよりも距離lだけ上方に位置している。また、超音波振動子28が貯留槽26の底面26aに設置されている。すなわち、実施例2の成膜装置では、実施例1と異なり、水槽24が設けられていない。しかしながら、実施例1と同様に、水槽24を備える構成を採用してもよい。後述する他の実施例でも同様である。実施例2の成膜装置のその他の構成は、実施例1の成膜装置10と等しい。
実施例3の成膜装置では、図4に示すように、ミスト送出路40が貯留槽26の側面に接続されている。ミスト送出路40は、貯留槽26の内部まで伸びている。ミスト送出路40は、貯留槽26の中央位置まで伸びている。また、搬送ガス供給路42が貯留槽26の上面26bに接続されている。搬送ガス供給路42の吐出口42aの位置は、貯留槽26の上面26bの位置と略一致している。貯留槽26の内側面26cから搬送ガス供給路42の吐出口42aまでの距離L3は、貯留槽26の内側面26cからミスト送出路40の流入口40aまでの距離L4よりも短い。吐出口42aは、流入口40aよりも距離lだけ上方に位置している。実施例3の成膜装置のその他の構成は、実施例1の成膜装置10と等しい。
実施例4の成膜装置では、図5に示すように、ミスト送出路40が貯留槽26の側面に接続されている。ミスト送出路40は、貯留槽26の内部まで伸びている。また、搬送ガス供給路42も貯留槽26の側面に接続されている。搬送ガス供給路42の吐出口42aの位置は、貯留槽26の内側面26cの位置と略一致している。一方、ミスト送出路40の流入口40aは、貯留槽26の内部(内側面26cから距離L4の位置)に位置している。吐出口42aは、流入口40aよりも距離lだけ上方に位置している。実施例4の成膜装置のその他の構成は、実施例1の成膜装置10と等しい。
実施例5の成膜装置では、図6に示すように、ミスト送出路40が貯留槽26の側面に接続されている。ミスト送出路40は、貯留槽26の内部まで伸びている。ミスト送出路40は、貯留槽26の中央位置まで伸びている。また、搬送ガス供給路42も貯留槽26の側面に接続されている。搬送ガス供給路42は、貯留槽26の内部まで伸びている。搬送ガス供給路42は、貯留槽26の中央位置を超えた位置まで伸びている。貯留槽26の内側面26cから搬送ガス供給路42の吐出口42aまでの距離L3は、貯留槽26の内側面26cからミスト送出路40の流入口40aまでの距離L4よりも短い。なお、ここでいう距離L3は、図6に示すように、吐出口42aと内側面26cとの間の最短距離であって、搬送ガス供給路42が接続された面とは反対側に位置する内側面26cまでの距離である。吐出口42aは、流入口40aよりも距離lだけ上方に位置している。実施例5の成膜装置のその他の構成は、実施例1の成膜装置10と等しい。
実施例6の成膜装置では、図7に示すように、ミスト生成装置20が、複数(本実施例では2個)の超音波振動子28を備えている。各超音波振動子28は、貯留槽126の底面126aに設置されている。各超音波振動子28は、貯留槽126を鉛直方向に沿って平面視したときに、ミスト送出路40の流入口40aと重複しない位置に配置されている。
実施例7の成膜装置では、図8に示すように、超音波振動子28が貯留槽26に対して傾斜している。詳細には、超音波振動子28の振動面28aに立てた垂線Vが、貯留槽226の内側面226cに対して角度θ傾斜している。垂線Vの向かう方向に位置する内側面226cと振動面28aの中心Cとの間の水平方向距離をL2としたときに、水平方向距離L2と、超音波振動子28の振動面28aの中心Cから貯留槽226の上面226bまでの距離H+h(すなわち、超音波振動子28から液面60aまでの距離hと、液面60aから上面226bまでの距離Hとの和)との間には、図8に示すように、H+h≦L2・tan(π/2−θ)が成立している。なお、図8では、超音波振動子28が貯留槽226の底面226aと重複するように描かれているが、これは説明及び理解の容易のためであり、実際には、超音波振動子28は貯留槽226の底面よりも下側に位置している。
Claims (12)
- ミスト生成装置であって、
溶液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽内に貯留された前記溶液に超音波振動を加えることによって、前記貯留槽内に前記溶液のミストを生成する超音波振動子と、
前記貯留槽の内部から前記貯留槽の外部へ前記ミストを送出するミスト送出路、
を備えており、
貯留された前記溶液の深さをd、貯留された前記溶液の液面の面積をSとしたときに、d≦S0.5の関係が満たされる、
ミスト生成装置。 - 前記超音波振動子が、前記貯留槽の下部に設けられており、
前記超音波振動子から前記溶液の前記液面までの距離をh、前記溶液の前記液面から前記貯留槽の上面までの距離をHとしたときに、2h≦Hの関係が満たされる、請求項1に記載のミスト生成装置。 - 前記溶液の前記液面から前記ミスト送出路の流入口までの距離をL1としたときに、h≦L1の関係が満たされる、請求項2に記載のミスト生成装置。
- L1<Hの関係が満たされる、請求項3に記載のミスト生成装置。
- 前記超音波振動子を複数備えている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のミスト生成装置。
- 前記貯留槽を鉛直方向に沿って平面視したときに、前記超音波振動子が、前記ミスト送出路の流入口と重複しない位置に配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のミスト生成装置。
- 前記ミスト送出路の流入口が、前記貯留槽の内側面から離間している、請求項1〜6のいずれか一項に記載のミスト生成装置。
- 前記貯留槽内に搬送ガスを吐出する搬送ガス供給路をさらに備えており、
前記搬送ガス供給路の吐出口が、前記ミスト送出路の流入口よりも上方に位置している、請求項1〜7のいずれか一項に記載のミスト生成装置。 - 前記搬送ガス供給路の前記吐出口が、前記ミスト送出路の前記流入口よりも、前記貯留槽の内側面の近くに配置されている、請求項8に記載のミスト生成装置。
- 前記搬送ガス供給路の前記吐出口を複数備えている、請求項8又は9に記載のミスト生成装置。
- 前記超音波振動子の振動面に立てた垂線が、前記貯留槽の内側面に対して傾斜しており、
前記垂線と前記内側面との間の角度をθ、前記垂線の向かう方向に位置する前記内側面と前記振動面の中心との間の水平方向の距離をL2としたときに、H+h≦L2・tan(π/2−θ)の関係が満たされる、請求項1〜10のいずれか一項に記載のミスト生成装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のミスト生成装置と、
基体を収容して加熱する加熱炉、
を備えており、
前記ミスト送出路の流出口が、前記加熱炉に接続されており、
前記基体の表面に前記溶液の前記ミストを供給して、前記基体の前記表面に膜を成長させる、
成膜装置。
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