CN115044880A - 一种镀膜治具及镀膜方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种镀膜治具及镀膜方法，涉及镀膜领域，该镀膜治具形成一个耐高温的容置空腔，待镀膜工件的温敏部件可以放在该镀膜治具的容置空腔内被完全包裹，从而该镀膜治具在应用于镀膜时，可以防止工件的温敏部件受热软化变形。该镀膜方法进一步采用分段式镀膜工艺来控制工件温度，在温度快达到温敏部件软化温度之前停止镀膜，并在腔体通入惰性气体降温，待温度降至50℃以下重新开始镀膜，如此多次循环，直至DLC涂层镀膜完成。在每次重新开始镀膜前，均对所述工件进行金属离子刻蚀，通过HiPIMS金属离子轰击来提高分段式镀膜的结合力，使分段式镀膜工艺的结合力与膜层质量达到与整段式工艺过程膜层质量一致。

Description

一种镀膜治具及镀膜方法
技术领域
本申请涉及镀膜工艺领域，尤其涉及一种镀膜治具及镀膜方法。
背景技术
类金刚石碳涂层(Diamond Like Carbon，DLC)具有高硬度值和低的摩擦系数，且表面平滑、具有良好的耐磨性，同时兼具优异的化学稳定性、导热性和机械性能，通常作为耐磨涂层、耐腐涂层和装饰涂层。
已知制备DLC涂层的方法主要有物理气相沉积法(Physical Vapor De position，PVD)及等离子辅助化学气相沉积方法(Plasmas Enhanced Che mical Vapor Deposition，PECVD)两种。其中，PVD方法主要通过磁控溅射或者多弧溅射石墨靶来制备形成的无氢非晶碳膜；而PECVD方法通过离化含碳类原料气体(通常为C2H2，CH4等气体)制备得到含氢非晶碳膜。这两种方法都会在待镀膜工件产生很高温升，硬度越大膜层越厚，其产生的温升越高，其温升范围在150-300℃之间。
现有的电动刮胡刀的刀头，未经过镀膜处理，其摩擦系数大，使用寿命低。电动刮胡刀的刀头通常需要通过塑料注塑成型先固定位置，再对刀头进行开刃处理，通常采用聚甲醛POM类塑料定位刀头，其成本较低。为了在电动刮胡刀刃口进行镀制耐磨涂层，必须把电动刮胡刀整体置于真空腔体，但如果按照通常的DLC工艺流程制备涂层，用于定位的塑料会软化变形甚至分解，无法得到完整的刀头产品。
发明内容
本申请的目的在于提供一种镀膜治具及镀膜方法，旨在解决现有电动刮胡刀刀头按照通常的DLC工艺流程制备涂层，用于定位的塑料会软化变形甚至分解的问题。
为实现以上目的，本申请提供一种镀膜治具，包括：
底板；
支撑板，所述支撑板设置在所述底板的端部，所述支撑板与所述底板围合形成一个向上开口的容置空腔；
所述底板和所述支撑板均为耐高温材料，待镀膜工件可放置在所述镀膜治具上，以使所述容置空腔容纳所述待镀膜工件的温敏部件。
优选地，所述镀膜治具还包括：
支撑架，所述支撑架设置在所述支撑板远离所述底板的一端，且所述支撑架相向设置，所述待镀膜工件放置在所述支撑架上。
优选地，所述镀膜治具还包括：
绝缘垫，所述绝缘垫设置在所述镀膜治具与所述待镀膜工件接触的位置。
优选地，所述容置空腔的高度大于所述温敏部件的高度，所述容置空腔开口的宽度大于所述温敏部件的宽度。
优选地，所述底板背面设置有冷却水管。
本申请还提供一种镀膜方法，包括：
将待镀膜工件放置在上述的镀膜治具上，以使所述镀膜治具遮挡所述待镀膜工件的温敏部件，并将镀膜治具放置在工件转架上；
对所述待镀膜工件进行等离子体刻蚀清洗；
对所述待镀膜工件进行金属离子刻蚀清洗；
在所述待镀膜工件沉积DLC涂层。
优选地，在所述待镀膜工件沉积DLC涂层时，包括：
监控所述工件的温度快达到所述温敏部件软化温度之前停止镀膜，并在腔体通入惰性气体降温，待温度降至50℃以下重新开始镀膜，直至所述DLC涂层镀膜完成。
优选地，在待温度降至50℃以下重新开始镀膜前，所述镀膜方法还包括：
在每次重新开始镀膜前，均对所述工件进行金属离子刻蚀。
优选地，所述金属离子刻蚀包括：
充入Ar气至真空腔体内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开磁控阴极靶连接的高功率脉冲电源，设定电流为1-3A，频率为300-600Hz，脉宽为30-200us；脉冲偏压电源与高功率脉冲电源同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对高功率脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属离子刻蚀清洗工件，时长为5-20min。
优选地，所述DLC涂层从内到外依次包括：金属层、金属碳化物层和/或金属氮化物层、碳膜层。
与现有技术相比，本申请的有益效果包括：
本申请提供的镀膜治具形成一个耐高温的容置空腔，待镀膜工件的温敏部件可以放在该镀膜治具的容置空腔内被完全包裹，从而可以使得该镀膜治具在应用于镀膜时，可以防止工件的温敏部件受热软化变形，提高产品合格率。
该镀膜方法进一步采用分段式镀膜工艺来控制工件温度，在工件的温度快达到温敏部件软化温度之前停止镀膜，并在腔体通入惰性气体降温，待温度降至50℃以下重新开始镀膜，如此多次循环，直至DLC涂层镀膜完成，可以实现低温沉积DLC涂层。
该镀膜方法进一步在工件降温至50℃以下，每次重新开始镀膜前，均对所述工件进行金属离子刻蚀，通过HiPIMS金属离子轰击来提高分段式镀膜的结合力，使分段式镀膜工艺的结合力与膜层质量达到与整段式工艺过程膜层质量一致。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对本申请范围的限定。
图1a为本申请的镀膜治具的立体结构示意图；
图1b为本申请的镀膜治具的侧视图；
图2为电动刮胡刀安装在本申请的镀膜治具上的示意图；
图3为实施例1的电动刮胡刀采用镀膜治具镀膜后的效果示意图；
图4为实施例2的电动刮胡刀采用镀膜治具并分段镀膜后的膜层效果示意图；
图5为实施例3的电动刮胡刀采用镀膜治具并分段镀膜后用金属离子活化刻蚀镀膜后的膜层效果示意图；
图6为对比例1的电动刮胡刀没有采用镀膜治具也没有分段镀膜后的效果示意图；
图7为本申请的镀膜方法的流程示意图。
附图标记：
10-镀膜治具；1-底板；2-支撑板；3-容置空腔；4-支撑架；20-待镀膜工件；21-镀膜部件；22-温敏部件。
具体实施方式
如本文所用之术语：
“由……制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
连接词“由……组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由……组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。
当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1～5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1～4”、“1～3”、“1～2”、“1～2和4～5”、“1～3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数。
在这些实施例中，除非另有指明，所述的份和百分比均按质量计。
“质量份”指表示多个组分的质量比例关系的基本计量单位，1份可表示任意的单位质量，如可以表示为1g，也可表示2.689g等。假如我们说A组分的质量份为a份，B组分的质量份为b份，则表示A组分的质量和B组分的质量之比a：b。或者，表示A组分的质量为aK，B组分的质量为bK(K为任意数，表示倍数因子)。不可误解的是，与质量份数不同的是，所有组分的质量份之和并不受限于100份之限制。
“和/或”用于表示所说明的情况的一者或两者均可能发生，例如，A和/或B包括(A和B)和(A或B)。
本申请提供一种镀膜治具10，请参阅图1a、图1b和图2，包括：底板1和支撑板2，所述支撑板2设置在所述底板1的端部，所述支撑板2与所述底板1围合形成一个向上开口的容置空腔3；所述底板1和所述支撑板2均为耐高温材料，待镀膜工件20可放置在所述镀膜治具10上，以使所述容置空腔3容纳所述待镀膜工件20的温敏部件22。
其中，底板1和支撑板2围合形成的容置空腔3可以为任意形状，例如可以为圆柱形，方柱形，或其他不规则形状，只要满足待镀膜工件20的温敏部件22可以放置在容置空腔3内即可。待镀膜工件20放置在支撑板2上，使温敏部件22被容置空腔3包裹。底板1和支撑板2之间可以通过注塑一体成型，也可以通过焊接连接。
其中，底板1和支撑板2均为耐高温材料，耐高温材料包括大部分金属材料和耐高温非金属材料，耐高温金属材料主要分金属与非金属化合物，如钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛、锆等难熔金属以及稀土金属的硼化物、碳化物、氮化物、硅化物、磷化物和硫化物等；耐高温非金属材料主要为非金属间化合物，如碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅、磷化硼、磷化硅等。
待镀膜工件20包括镀膜部件21和温敏部件22，镀膜部件21位于工件上部，是后续进行镀膜的部位，例如可以为电动刮胡刀的刀头；温敏部件22位于工件下部，是不需要进行镀膜的部位，温敏部件22例如可以为定位刀头的塑料件。
本申请提供的镀膜治具10通过底板1和支撑板2围合形成一个耐高温的容置空腔3，待镀膜工件20的温敏部件22可以放在该镀膜治具10的容置空腔3内被完全包裹，从而可以使得该镀膜治具10在应用于镀膜时，可以防止工件的温敏部件22受热软化变形，提高产品合格率。
优选地，请继续参阅图1a、图1b和图2，所述镀膜治具10还包括：支撑架4，所述支撑架4设置在所述支撑板2远离所述底板1的一端，且所述支撑架4相向设置，所述待镀膜工件20放置在所述支撑架4上。支撑架4相向设置，沿容置空腔3的开口围设一圈，支撑架4的高度低于支撑板2的顶端，通过设置支撑架4来放置待镀膜工件20，可以提高工件稳定性，提高镀膜效果。
优选地，所述镀膜治具10还包括：绝缘垫(图中未示出)，所述绝缘垫设置在所述镀膜治具10与所述待镀膜工件20接触的位置。
用绝缘垫隔离镀膜治具10和待镀膜工件20，使镀膜治具10保持悬浮电位，当电子开始到达镀膜治具10时，镀膜治具10绝缘，电子不能被传导出去，在镀膜治具10上累积会使镀膜治具10形成负电位，当负电势越来越高，与带负电电势形成排斥，从而避免更多的电子到达镀膜治具10，从而避免过量电子轰击镀膜治具10，保证镀膜治具10本身的温升不过高。
优选地，请参阅图2，所述容置空腔3的高度大于所述温敏部件22的高度，所述容置空腔3开口的宽度大于所述温敏部件22的宽度。以此保证温敏部件22不会与镀膜治具10的底板1、支撑板2和支撑架4接触，与容置空腔3的内壁保持一定距离，防止温敏部件22直接与镀膜治具10金属接触而导致软化变形。
在一优选实施例中，所述底板1背面设置有冷却水管(图中未示出)。通过在底板1背面通冷却水，对镀膜治具10进行水冷，可以进一步降低镀膜治具10和待镀膜工件20的温度。冷却水管例如可以通过焊接设置在底板1背面。
本申请还提供一种镀膜方法，使用上述的镀膜治具安装工件，镀膜装置的结构主要包括：可以抽真空的腔体和设置在腔体内的工件转架，工件转架用于固定工件，且与磁控阴极靶相对设置；磁控阴极靶与高功率脉冲电源连接，工件转架与脉冲偏压电源连接，其中一支或多支磁控阴极靶用于沉积金属氮化物和金属碳化物，另留一支磁控阴极靶用于金属离子刻蚀。
请参阅图7，本申请的镀膜方法步骤包括：
S100：将待镀膜工件放置在上述的镀膜治具上，以使所述镀膜治具遮挡所述待镀膜工件的温敏部件，并将镀膜治具放置在工件转架上。
其中，将镀膜治具放置在工件转架上之后，对腔体进行抽真空并加热除气，将真空腔体内温度加热至100℃～300℃进行除气后，设置真空腔体温度在50℃左右，背低真空低于5*10-3Pa。
S200：对所述待镀膜工件进行等离子体刻蚀清洗。
具体的，向真空腔体充入Ar气，至真空气压达到0.8～2Pa。通过离子源清洗，离子源电流为5-10A；同时以工件转架为阴极，施加负偏压，设定负偏压值为150-250V，频率为80Khz，占空比为80％，对待镀膜工件进行等离子刻蚀清洗，时长为10～60min。
S300：对所述待镀膜工件进行金属离子刻蚀清洗。
具体的，充入Ar气至真空腔体内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开旋转磁控阴极靶电源，磁控阴极靶连接HiPIMS电源，设定电流为1-3A，频率为300Hz，脉宽为80-150us；脉冲偏压与HiPIMS脉冲同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属离子刻蚀清洗工件，时长为5-20min。
S400：在所述待镀膜工件沉积DLC涂层。
其中，所述DLC涂层从内到外依次包括：金属层、金属碳化物层和/或金属氮化物层、碳膜层。沉积DLC涂层包括先在工件上沉积金属层，再在金属层上沉积金属碳化物层和/或金属氮化物层，最后再沉积碳膜层。
采用不同的靶材与含碳原料气源可以制备不同的金属层，例如，金属层靶材可以选择Cr靶、Ti靶、Nb靶、WC靶等，但不限于此；原料气体可以从Ar，N2，C2H2，CH4等选择，但不限于此。以金属Cr为例，DLC涂层可以有多种结构，例如，Cr/CrC/DLC，Cr/CrN/CrCN/CrC/DLC等。
其中，金属层的沉积工艺包括：进行金属离子刻蚀清洗后，保持腔体气压不变，设定电流为10-15A，频率为300-500Hz，脉宽为80-200us，脉冲偏压值降低至200V-120V，其他参数不变，在工件上沉积金属层，时长为10min，金属层厚度约为0.2um。
其中，金属氮化物层的沉积工艺包括：沉积金属层后，逐渐地向腔体中充入N2，并减少Ar流量，维持真空在0.3-0.5Pa，最终使Ar：N2的流量比达到1-2，并逐渐降低偏压值至100-60V，沉积金属-金属氮化物梯度层，沉积时间为20-30min，厚度约为0.2um。
其中，金属碳化物层的沉积工艺包括：逐渐地向腔体中充入C2H2，并减少Ar流量或者减少N2和Ar流量，维持真空在0.3-0.5Pa，最终使Ar：C2H2的流量比达到2-3，并逐渐降低偏压值至60V，沉积金属-金属碳化物梯度层，沉积时间为25min，厚度约为0.2um。
维持沉积金属碳化物层的工艺参数不变，在金属-金属碳化物梯度层基础上沉积金属碳化物层，厚度约为0.3um。
其中，DLC层的沉积工艺包括：关闭旋转磁控阴极靶电源，关闭脉冲电压与HiPIMS脉冲同步，将偏压增加到600V-800V，频率为120Khz，占空比为80％。向真空腔体内逐步充入C2H2使腔体真空度维持在0.8-1Pa，打开辅助离化离子源，离子源电流设定在5-10A。沉积时间为30min，根据工件装载量，DLC涂层厚度为0.4-0.6um。
在一优选实施例中，在所述待镀膜工件沉积DLC涂层时，包括：
监控所述工件的温度快达到所述温敏部件软化温度之前停止镀膜，并在腔体通入惰性气体降温，待温度降至50℃以下重新开始镀膜，直至所述DLC涂层镀膜完成。
该镀膜方法进一步采用分段式镀膜工艺来控制工件温度，在工件的温度快达到温敏部件软化温度之前停止镀膜，并在腔体通入惰性气体降温，待温度降至50℃以下重新开始镀膜，如此多次循环，直至DLC涂层镀膜完成，可以实现低温沉积DLC涂层。
在一优选实施例中，在待温度降至50℃以下重新开始镀膜前，所述镀膜方法还包括：
在每次重新开始镀膜前，均对所述工件进行金属离子刻蚀。
该镀膜方法进一步在工件降温至50℃以下，每次重新开始镀膜前，均对所述工件进行金属离子刻蚀，通过HiPIMS金属离子轰击来提高分段式镀膜的结合力，使分段式镀膜工艺的结合力与膜层质量达到与整段式工艺过程膜层质量一致。
其中，所述金属离子刻蚀包括：
充入Ar气至真空腔体内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开磁控阴极靶连接的高功率脉冲电源，设定电流为1-3A，频率为300-600Hz，脉宽为30-200us；脉冲偏压电源与高功率脉冲电源同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对高功率脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属离子刻蚀清洗工件，时长为5-20min。
下面将结合具体实施例对本申请的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本申请，而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
实施例1
为保护电动刮胡刀背部塑料件不镀上膜，及避免电子和离子对塑料件轰击，设计遮挡治具。电动刮胡刀下端为定位塑料部位，在治具保护下定位塑料完全包裹，并且与治具壁保持一定距离，防止塑料直接与治具金属接触而导致软化变形。把电动刮胡刀安装在遮挡治具上，然后将遮挡治具挂置在工件转架上，在刀头表面制备DLC涂层，DLC涂层结构为Cr/CrC/DLC。
其制备工艺包括：
1)抽真空并烘烤加热
工件置于工件转架上，对腔体进行抽真空并加热除气，将真空腔体内温度加热至100℃之后，设置真空腔体温度为50℃，背低真空低于5*10-3Pa。
2)等离子体刻蚀清洗工件
向真空腔体充入Ar气，至真空气压达到0.8Pa。通过离子源清洗，离子源电流为5-10A；同时以工件为阴极，施加负偏压，设定负偏压值为150-250V，频率为80Khz，占空比为80％，对工件进行等离子刻蚀清洗，时长为20min，真空室温度升至65℃。
3)金属离子刻蚀清洗工件
充入Ar气至真空腔内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开旋转磁控Cr靶电源，Cr靶连接HiPIMS电源，设定电流为1-3A，频率为300Hz，脉宽为80-150us；脉冲偏压与HiPIMS脉冲同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属Cr离子刻蚀清洗工件，时长为10min。基底温度升至70℃。
4)沉积金属Cr层
保持气压不变，设定电流为15A，频率为400Hz，脉宽为100us，脉冲偏压值降低至200V-120V，其他参数不变，在工件上沉积金属Cr层，时长为10min，Cr层厚度约为0.2um。基底温度升至90℃。
5)沉积Cr-CrC梯度渐变层及CrC层
然后，逐渐地充入C2H2，并减少Ar流量，维持真空在0.3-0.5Pa，最终使Ar：C2H2的流量比达到2:1，并逐渐降低偏压值至60V，Cr-CrC梯度层的沉积时间为25min，厚度约为0.2um。基底温度升至106℃。
最后，维持沉积CrC层的工艺参数不变，在Cr-CrC梯度渐变层基础上沉积CrC层，厚度约为0.3um。
6)离子源增强离化法沉积DLC层
关闭旋转磁控Cr靶电源，关闭脉冲电压与HiPIMS脉冲同步，将偏压增加到600V-800V，频率为120Khz，占空比为80％。向真空腔体内逐步充入C2H2使腔体真空度维持在0.8-1Pa，打开辅助离化离子源，离子源电流设定在5-10A。沉积时间为30min，根据工件装载量，DLC涂层厚度为0.4-0.6um。最终温度升高至160℃。
由于治具对基底的一定保护作用，背部塑料还保持原有形状，只是由于整体金属刀头温度太高，背部塑料发生软化在重力作用下整体往下移动，如图3所示。
实施例2
为进一步降低电动刮胡刀在DLC涂层工艺中的温度，对工艺进行分段式分解，当基底温度快达到100℃时，工艺停止，通入Ar气对工件进行降温，待温度降低至50℃时，再重新开始工艺，依次循环。
具体制备工艺如下：
1)抽真空并烘烤加热
将电动刮胡刀安装在遮挡治具上之后置于工件转架上，对腔体进行抽真空并加热除气，将真空腔体内温度加热至100℃之后，设置真空腔体温度为50℃，背低真空低于5*10- 3Pa。
2)等离子体刻蚀清洗工件
向真空腔体充入Ar气，至真空气压达到0.8Pa。通过离子源清洗，离子源电流为5-10A；同时以工件为阴极，施加负偏压，设定负偏压值为150-250V，频率为80Khz，占空比为80％，对工件进行等离子刻蚀清洗，时长为20min，真空腔体温度升至65℃。
3)金属离子刻蚀清洗工件
充入Ar气至真空腔内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开旋转磁控Cr靶电源，Cr靶连接HiPIMS电源，设定电流为1-3A，频率为300Hz，脉宽为80-150us；脉冲偏压与HiPIMS脉冲同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属Cr离子刻蚀清洗工件，时长为10min。基底温度升至70℃。
4)沉积金属Cr层
保持气压不变，设定电流为15A，频率为400Hz，脉宽为100us，脉冲偏压值降低至200V-120V，其他参数不变，在工件上沉积金属Cr层，时长为10min，Cr层厚度约为0.2um。基底温度升至90℃。
5)沉积Cr-CrC梯度渐变层
然后，逐渐地充入C2H2，并减少Ar流量，维持真空在0.3-0.5Pa，最终使Ar：C2H2的流量比达到2:1，并逐渐降低偏压值至60V，Cr-CrC梯度层的沉积时间为25min，厚度约为0.2um。基底温度升至106℃。
6)通入Ar气降温
关闭所有电源和工艺气体，只充入Ar气，维持气压在3Pa，待炉温冷却低于50℃，时间约为30-60min。
7)沉积CrC层
按Ar：C2H2＝2:1的流量充入腔体，维持气压在0.5Pa，HiPIMS靶电流为15A，频率为400Hz，脉宽为100us，偏压值设置60V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60us，并逐渐降低偏压值至60V沉积CrC层，厚度约为0.3um。基底温度升至70℃。
8)弧光电子增强离化法沉积DLC层
关闭旋转磁控Cr靶电源，关闭偏压脉冲电压与HiPIMS脉冲同步，将偏压增加到600V-800V，频率为120Khz，占空比为80％。向真空腔体内逐步充入C2H2使腔体真空度维持在0.8-1Pa，打开辅助离化离子源，离子源电流设定在5-10A。沉积时间为30min，根据工件装载量，DLC涂层厚度为0.4-0.6um。最终温度升高至110℃。
当基底温度超高110℃时，停止工艺待炉温冷却至低于50℃之后，再接着开始工艺，能很好的控制基底温度。在遮挡治具和分步工艺共同作用下，电动刮胡刀塑料件能保持很好的形貌。但是，由于DLC工艺在中间停顿，虽然电动刮胡刀在使用过程中没有出现脱模现象，但是在陪镀片球磨断面还是可以看到在工艺停顿时会出现膜层亚层分层现象，如图4所示。
实施例3
为进一步增加整体膜层的致密性能，减少膜层在分段工艺后的分层，在通入Ar气降温和沉积CrC层之间，增加一步：用HiPIMS金属离子刻蚀涂层。
具体工艺如下：
1)抽真空并烘烤加热
将电动刮胡刀安装在遮挡治具上之后置于工件转架上，对腔体进行抽真空并加热除气，将真空腔体内温度加热至100℃之后，设置真空腔体温度为50℃，背低真空低于5*10- 3Pa。
2)等离子体刻蚀清洗工件
向真空腔体充入Ar气，至真空气压达到0.8Pa。通过离子源清洗，离子源电流为5-10A；同时以工件为阴极，施加负偏压，设定负偏压值为150-250V，频率为80Khz，占空比为80％，对工件进行等离子刻蚀清洗，时长为20min，真空腔体温度升至65℃。
3)金属离子刻蚀清洗工件
充入Ar气至真空腔体内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开旋转磁控Cr靶电源，Cr靶连接HiPIMS电源，设定电流为1-3A，频率为300Hz，脉宽为80-150us；脉冲偏压与HiPIMS脉冲同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属Cr离子刻蚀清洗工件，时长为10min。基底温度升至70℃。
4)沉积金属Cr层
保持气压不变，设定电流为15A，频率为400Hz，脉宽为100us，脉冲偏压值降低至200V-120V，其他参数不变，在工件上沉积金属Cr层，时长为10min，Cr层厚度约为0.2um。基底温度升至90℃。
5)沉积Cr-CrC梯度渐变层
然后，逐渐地充入C2H2，并减少Ar流量，维持真空在0.3-0.5Pa，最终使Ar：C2H2的流量比达到2:1，并逐渐降低偏压值至60V，Cr-CrC梯度层的沉积时间为25min，厚度约为0.2um。基底温度升至106℃。
6)通入Ar气降温
关闭所有电源和工艺气体，只充入Ar气，维持气压在3Pa，待炉温冷却低于50℃，时间约为30-60min。
7)金属离子刻蚀工件
充入Ar气至真空腔体内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开另外一支专用于金属离子刻蚀的旋转磁控Cr靶电源，Cr靶连接HiPIMS电源，设定电流为1-3A，频率为300-600Hz，脉宽为80us；脉冲偏压与HiPIMS脉冲同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属Cr离子刻蚀清洗工件，时长为5min。
8)沉积CrC层
按Ar：C2H2＝2:1的流量充入腔体，维持气压在0.5Pa，关闭金属离子刻蚀靶，打开沉积Cr靶HiPIMS靶电流为15A，频率为400Hz，脉宽为100us，偏压值设置60V，脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60us，并逐渐降低偏压值至60V沉积CrC层，厚度约为0.3um。基底温度升至70℃。
9)弧光电子增强离化法沉积DLC层
关闭旋转磁控Cr靶电源，关闭脉冲电压与HiPIMS脉冲同步，将偏压增加到600V-800V，频率为120Khz，占空比为80％。向真空腔体内逐步充入C2H2使腔体真空度维持在0.8-1Pa，打开辅助离化离子源，离子源电流设定在5-10A。沉积时间为30min，根据工件装载量，DLC涂层厚度为0.4-0.6um。最终温度升高至110℃。
在分步工艺启动前，用HiPIMS金属离子刻蚀活化涂层，可以消除DLC涂层的分层效应，提高其整体致密度和结合力。如果5所示，在陪镀片球磨断面没有出现明显的膜层分层现象。采用纳米硬度计测量陪镀片高速钢表面DLC涂层纳米硬度为15.8pa，弹性模量为128.Gpa。
对比例1
电动刮胡刀没有安装在遮挡治具上，而是直接将电动刮胡刀挂置在工件转架上，在刀头表面制备DLC涂层，DLC涂层结构为Cr/CrC/DLC。
其制备工艺包括：
1)抽真空并烘烤加热
工件置于工件转架上，对腔体进行抽真空并加热除气，将真空腔体内温度加热至100℃之后，设置真空腔体温度为50℃，背低真空低于5*10-3Pa。
2)等离子体刻蚀清洗工件
向真空腔体充入Ar气，至真空气压达到0.8Pa。通过离子源清洗，离子源电流为5-10A；同时以工件为阴极，施加负偏压，设定负偏压值为150-250V，频率为80Khz，占空比为80％，对工件进行等离子刻蚀清洗，时长为20min，真空室温度升至65℃。
3)金属离子刻蚀清洗工件
充入Ar气至真空腔内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开旋转磁控Cr靶电源，Cr靶连接HiPIMS电源，设定电流为1-3A，频率为300Hz，脉宽为80-150us；脉冲偏压与HiPIMS脉冲同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对HiPIMS脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属Cr离子刻蚀清洗工件，时长为10min。基底温度升至70℃。
4)沉积金属Cr层
保持气压不变，设定电流为15A，频率为400Hz，脉宽为100us，脉冲偏压值降低至200V-120V，其他参数不变，在工件上沉积金属Cr层，时长为10min，Cr层厚度约为0.2um。基底温度升至90℃。
5)沉积Cr-CrC梯度渐变层及CrC层
然后，逐渐地充入C2H2，并减少Ar流量，维持真空在0.3-0.5Pa，最终使Ar：C2H2的流量比达到2:1，并逐渐降低偏压值至60V，Cr-CrC梯度层的沉积时间为25min，厚度约为0.2um。基底温度升至106℃。
最后，维持沉积CrC层的工艺参数不变，在Cr-CrC梯度渐变层基础上沉积CrC层，厚度约为0.3um。
6)离子源增强离化法沉积DLC层
关闭旋转磁控Cr靶电源，关闭脉冲电压与HiPIMS脉冲同步，将偏压增加到600V-800V，频率为120Khz，占空比为80％。向真空腔体内逐步充入C2H2使腔体真空度维持在0.8-1Pa，打开辅助离化离子源，离子源电流设定在5-10A。沉积时间为30min，根据工件装载量，DLC涂层厚度为0.4-0.6um。最终温度升高至160℃。
由于基底温度过高，电动刮胡刀背面的POM塑料出现融化及分解现象，整体塑料结构严重变形，如图6所示。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在上面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本申请的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

Claims (10)

1.一种镀膜治具，其特征在于，包括：
底板；
支撑板，所述支撑板设置在所述底板的端部，所述支撑板与所述底板围合形成一个向上开口的容置空腔；
所述底板和所述支撑板均为耐高温材料，待镀膜工件可放置在所述镀膜治具上，以使所述容置空腔容纳所述待镀膜工件的温敏部件。
2.根据权利要求1所述的镀膜治具，其特征在于，所述镀膜治具还包括：
支撑架，所述支撑架设置在所述支撑板远离所述底板的一端，且所述支撑架相向设置，所述待镀膜工件放置在所述支撑架上。
3.根据权利要求1或2所述的镀膜治具，其特征在于，所述镀膜治具还包括：
绝缘垫，所述绝缘垫设置在所述镀膜治具与所述待镀膜工件接触的位置。
4.根据权利要求3所述的镀膜治具，其特征在于，所述容置空腔的高度大于所述温敏部件的高度，所述容置空腔开口的宽度大于所述温敏部件的宽度。
5.根据权利要求4所述的镀膜治具，其特征在于，所述底板背面设置有冷却水管。
6.一种镀膜方法，其特征在于，包括：
将待镀膜工件放置在权利要求1至5任一项所述的镀膜治具上，以使所述镀膜治具遮挡所述待镀膜工件的温敏部件，并将镀膜治具放置在工件转架上；
对所述待镀膜工件进行等离子体刻蚀清洗；
对所述待镀膜工件进行金属离子刻蚀清洗；
在所述待镀膜工件沉积DLC涂层。
7.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，在所述待镀膜工件沉积DLC涂层时，包括：
监控所述工件的温度快达到所述温敏部件软化温度之前停止镀膜，并在腔体通入惰性气体降温，待温度降至50℃以下重新开始镀膜，直至所述DLC涂层镀膜完成。
8.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，在待温度降至50℃以下重新开始镀膜前，所述镀膜方法还包括：
在每次重新开始镀膜前，均对所述工件进行金属离子刻蚀。
9.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，所述金属离子刻蚀包括：
充入Ar气至真空腔体内，维持气压在0.1-0.8Pa，打开磁控阴极靶连接的高功率脉冲电源，设定电流为1-3A，频率为300-600Hz，脉宽为30-200us；脉冲偏压电源与高功率脉冲电源同步状态，偏压值为400-600V，偏压脉冲相对高功率脉冲延迟40us启动，脉宽为60-100us，用金属离子刻蚀清洗工件，时长为5-20min。
10.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述DLC涂层从内到外依次包括：金属层、金属碳化物层和/或金属氮化物层、碳膜层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116590707A (zh) * 2023-07-14 2023-08-15 苏州瑞德智慧精密科技股份有限公司 一种注塑模具制备dlc涂层的方法及注塑模具

Citations (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002085237A2 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 General Plasma, Llc Diamond-like coating, method of its plating and dental bur with the said diamond-like coating
US20030096060A1 (en) * 2000-02-29 2003-05-22 Trankiem Hoang Mai Razor blade technology
JP2003239094A (ja) * 2002-02-20 2003-08-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 微細電鋳用金型とその製造方法
JP2005036275A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Kawasaki Heavy Ind Ltd Ｄｌｃ微粒子及びその製造方法
JP2005272893A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラスチック容器内面へのバリヤ膜形成装置および内面バリヤ膜被覆プラスチック容器の製造方法
WO2006073012A1 (ja) * 2005-09-05 2006-07-13 Fukuwauchi Technologies Inc. Ｄｌｃ製膜装置
JP2008001951A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Nachi Fujikoshi Corp ダイヤモンド状炭素膜およびその形成方法
US20090029068A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Takaaki Kanazawa Carbon thin film manufacturing method and carbon thin film coated body
CN201301338Y (zh) * 2008-10-10 2009-09-02 苏州凡特真空溅镀科技有限公司 溅镀机的冷却装置
CN201339061Y (zh) * 2008-08-08 2009-11-04 李刚 化学气相淀积反应器
JP2010189694A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Miyako Roller Industry Co Ｄｌｃ常温成膜のアルミロール、カーボンロール
CN201990722U (zh) * 2011-03-04 2011-09-28 友威科技股份有限公司 立式真空镀膜机的高温基板传输水冷装置
US20140020629A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Applied Materials, Inc. Two piece shutter disk assembly for a substrate process chamber
US20140227442A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition device including deposition-preventing unit and method of removing deposits thereof
CN104451552A (zh) * 2014-11-17 2015-03-25 中建材光电装备（太仓）有限公司 一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置
WO2015168975A1 (zh) * 2014-05-08 2015-11-12 深圳市深新隆实业有限公司 钻晶膜的镀膜方法及其设备
CN206173436U (zh) * 2016-10-10 2017-05-17 江阴市光科真空机械有限公司 镀膜质量高的光学用真空腔体
CN206916216U (zh) * 2017-06-20 2018-01-23 深圳市正和忠信股份有限公司 类金刚石薄膜的沉积设备
KR20180066739A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 주식회사 선익시스템 열차단실드가 구비된 증착챔버
CN208814939U (zh) * 2018-05-31 2019-05-03 聚贤研发股份有限公司 电浆制程设备内装置元件保护膜及其安装治具
CN208883977U (zh) * 2018-10-23 2019-05-21 深圳市纳宏光电技术有限公司 一种光学塑料基板镀膜装置
CN210140625U (zh) * 2019-06-17 2020-03-13 浙江水晶光电科技股份有限公司 背装镀膜治具
CN111607793A (zh) * 2020-06-29 2020-09-01 北京师范大学 一种剃须刀片超薄碳膜层材料及其制备方法
CN111763945A (zh) * 2020-07-10 2020-10-13 北京市辐射中心 一种具有多层强化涂层的剃须刀片及其制备方法
CN112359316A (zh) * 2020-11-18 2021-02-12 松山湖材料实验室 薄膜基体镀前等离子体处理方法及其设备
CN214193494U (zh) * 2021-01-27 2021-09-14 蓝思科技(东莞)有限公司 治具及电镀装置
CN214529237U (zh) * 2021-03-29 2021-10-29 松山湖材料实验室 一种耐高温样品托
CN214830645U (zh) * 2021-04-27 2021-11-23 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 耳机盒镀膜设备
WO2021249216A1 (zh) * 2020-06-09 2021-12-16 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜支架、镀膜设备及其镀膜方法
CN114293144A (zh) * 2022-01-12 2022-04-08 松山湖材料实验室 一种刀具镀膜工艺及设备
CN114318223A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 维达力实业(深圳)有限公司 镀膜遮蔽治具
CN114369794A (zh) * 2021-12-09 2022-04-19 深圳市恒鼎新材料有限公司 一种高分子材料表面镀耐磨膜层工艺及其制得的耐磨镀膜
WO2022142989A1 (zh) * 2020-12-28 2022-07-07 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜遮蔽治具

Patent Citations (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030096060A1 (en) * 2000-02-29 2003-05-22 Trankiem Hoang Mai Razor blade technology
WO2002085237A2 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 General Plasma, Llc Diamond-like coating, method of its plating and dental bur with the said diamond-like coating
JP2003239094A (ja) * 2002-02-20 2003-08-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 微細電鋳用金型とその製造方法
JP2005036275A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Kawasaki Heavy Ind Ltd Ｄｌｃ微粒子及びその製造方法
JP2005272893A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラスチック容器内面へのバリヤ膜形成装置および内面バリヤ膜被覆プラスチック容器の製造方法
WO2006073012A1 (ja) * 2005-09-05 2006-07-13 Fukuwauchi Technologies Inc. Ｄｌｃ製膜装置
JP2008001951A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Nachi Fujikoshi Corp ダイヤモンド状炭素膜およびその形成方法
US20090029068A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Takaaki Kanazawa Carbon thin film manufacturing method and carbon thin film coated body
CN201339061Y (zh) * 2008-08-08 2009-11-04 李刚 化学气相淀积反应器
CN201301338Y (zh) * 2008-10-10 2009-09-02 苏州凡特真空溅镀科技有限公司 溅镀机的冷却装置
JP2010189694A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Miyako Roller Industry Co Ｄｌｃ常温成膜のアルミロール、カーボンロール
CN201990722U (zh) * 2011-03-04 2011-09-28 友威科技股份有限公司 立式真空镀膜机的高温基板传输水冷装置
US20140020629A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Applied Materials, Inc. Two piece shutter disk assembly for a substrate process chamber
US20140227442A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition device including deposition-preventing unit and method of removing deposits thereof
WO2015168975A1 (zh) * 2014-05-08 2015-11-12 深圳市深新隆实业有限公司 钻晶膜的镀膜方法及其设备
CN104451552A (zh) * 2014-11-17 2015-03-25 中建材光电装备（太仓）有限公司 一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置
CN206173436U (zh) * 2016-10-10 2017-05-17 江阴市光科真空机械有限公司 镀膜质量高的光学用真空腔体
KR20180066739A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 주식회사 선익시스템 열차단실드가 구비된 증착챔버
CN206916216U (zh) * 2017-06-20 2018-01-23 深圳市正和忠信股份有限公司 类金刚石薄膜的沉积设备
CN208814939U (zh) * 2018-05-31 2019-05-03 聚贤研发股份有限公司 电浆制程设备内装置元件保护膜及其安装治具
CN208883977U (zh) * 2018-10-23 2019-05-21 深圳市纳宏光电技术有限公司 一种光学塑料基板镀膜装置
CN210140625U (zh) * 2019-06-17 2020-03-13 浙江水晶光电科技股份有限公司 背装镀膜治具
WO2021249216A1 (zh) * 2020-06-09 2021-12-16 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜支架、镀膜设备及其镀膜方法
CN111607793A (zh) * 2020-06-29 2020-09-01 北京师范大学 一种剃须刀片超薄碳膜层材料及其制备方法
CN111763945A (zh) * 2020-07-10 2020-10-13 北京市辐射中心 一种具有多层强化涂层的剃须刀片及其制备方法
CN112359316A (zh) * 2020-11-18 2021-02-12 松山湖材料实验室 薄膜基体镀前等离子体处理方法及其设备
WO2022142989A1 (zh) * 2020-12-28 2022-07-07 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜遮蔽治具
CN214193494U (zh) * 2021-01-27 2021-09-14 蓝思科技(东莞)有限公司 治具及电镀装置
CN214529237U (zh) * 2021-03-29 2021-10-29 松山湖材料实验室 一种耐高温样品托
CN214830645U (zh) * 2021-04-27 2021-11-23 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 耳机盒镀膜设备
CN114369794A (zh) * 2021-12-09 2022-04-19 深圳市恒鼎新材料有限公司 一种高分子材料表面镀耐磨膜层工艺及其制得的耐磨镀膜
CN114318223A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 维达力实业(深圳)有限公司 镀膜遮蔽治具
CN114293144A (zh) * 2022-01-12 2022-04-08 松山湖材料实验室 一种刀具镀膜工艺及设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116590707A (zh) * 2023-07-14 2023-08-15 苏州瑞德智慧精密科技股份有限公司 一种注塑模具制备dlc涂层的方法及注塑模具

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