CN115023407A - 用于从氯硅烷混合物中除去杂质的方法 - Google Patents
用于从氯硅烷混合物中除去杂质的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115023407A CN115023407A CN202080095033.2A CN202080095033A CN115023407A CN 115023407 A CN115023407 A CN 115023407A CN 202080095033 A CN202080095033 A CN 202080095033A CN 115023407 A CN115023407 A CN 115023407A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic polymer
- equal
- less
- mixture
- functionalized organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 46
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000001367 organochlorosilanes Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 claims abstract description 5
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000779 poly(divinylbenzene) Polymers 0.000 claims 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 28
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical class C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000011064 split stream procedure Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 1
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007857 degradation product Substances 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001447 polyvinyl benzene Polymers 0.000 description 1
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
- C01B33/10784—Purification by adsorption
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/22—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material
- B01J20/26—Synthetic macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/20—Purification, separation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及用于从包含至少一种氯硅烷和/或有机氯硅烷和至少一种来自包括硼化合物、磷化合物和砷化合物的组的杂质的混合物中除去杂质的方法。该方法包括以下步骤:a)使液体混合物与具有平均孔径小于
Description
技术领域
本发明涉及从包含至少一种氯硅烷和/或有机氯硅烷和至少一种来自硼化合物、磷化合物和砷化合物的杂质的混合物中除去杂质的方法。
背景技术
在卤代硅烷,特别是氯硅烷的生产中,会出现杂质,例如含有硼、砷、磷或锑。卤代硅烷是生产多晶硅(多晶硅,例如通过西门子工艺)的原料。多晶硅继而尤其是生产单晶硅的原材料,单晶硅在半导体工业中用于制造电子元件(例如二极管、双极晶体管和MOS晶体管)。这些电子元件的制造通常涉及使用掺杂剂(例如硼、砷)对单晶硅进行局部污染,以实现对电导率的有针对性的影响。因此,用作原料的多晶硅及其前体必须具有尽可能低含量的掺杂剂。
典型的杂质例如氢和硼、砷、磷和锑的卤素化合物。它们通常难以通过蒸馏从卤代硅烷中去除。因此,该杂质可能会在硅中间体或最终产品(例如多晶硅、单晶硅、硅树脂)中至少以某种程度而出现。因此,监测杂质的性质和数量是质量控制的必要要素。用于太阳能和半导体应用的多晶硅理想情况下的硼浓度应小于20ppta。
氯硅烷,尤其是三氯硅烷(TCS),可以通过基于以下反应的三个过程而生产:
(1)SiCl4+H2-->SiHCl3+HCl+副产物
(2)Si+3SiCl4+2H2-->4SiHCl3+副产物
(3)Si+3HCl-->SiHCl3+H2+副产物
可能产生的副产物包括其他氯硅烷,例如一氯硅烷(H3SiCl)、二氯硅烷(DCS,H2SiCl2)、四氯化硅(STC,SiCl4)以及二硅烷和低聚硅烷。除了上述杂质外,副产物的成分还可以包括诸如烃和金属氯化物的杂质、有机氯硅烷和金属氯化物。
与常用于(2)和(3)中的冶金硅一起引入的杂质可以尤其被带入随后的方法步骤中。除了碳以外,这里特别重要的是经典的掺杂剂,例如硼、砷和磷。含硼化合物的可能会造成特别的问题,这是因为由于硼的分布系数为0.8,在该工艺中实际上不再可以通过区域熔化而将硼与硅进行分离。在方法(1)至(3)的粗产物中发现了不同含量的杂质,这取决于所用原料的质量和反应器部件材料的质量以及相应的反应条件。通常通过蒸馏而对所得的粗产物进行纯化。然而,在某些情况下,由于产物和杂质具有相近的沸点,这种纯化可能技术上特别复杂。例如,三氯化硼(沸点:12.4℃)只能非常费力地使用蒸馏从DCS(沸点:8.4℃)中除去。
此外,有机氯硅烷的使用要求最高的纯度,特别是在纳米技术和微电子领域。
有机氯硅烷,特别是甲基氯硅烷的生产尤其是通过Müller-Rochow直接合成而生产的(参考DE 10 2014 225 460 A1):
(4)Si+CH3Cl-->(CH3)nSiCl4-n+副产物,(n=1-4)
这包括使有机氯代烃化合物与冶金硅反应,并加入铜催化剂和促进剂,以得到有机氯代硅烷,尤其是甲基氯硅烷。这里,特别是经由冶金硅而可能引入杂质。
有机氯硅烷例如在半导体工业中用于外延层的沉积中。这里,即使是最少量的杂质,特别是包含诸如硼、磷、砷和锑的掺杂剂的那些,也会引起相当大的问题。通常而言,掺杂剂会导致不希望的掺杂效果,并通过迁移过程而缩短电气元件的使用寿命。
蒸馏以获得高纯度的氯硅烷和有机氯硅烷通常会产生含有杂质的分流。为了除去杂质,通常将该分流完全除去,从而导致大量有价值产物的流失。这可能导致高的成本(硅损失、卤素损失、处理费用)。另外,有时多级蒸馏需要通常以蒸汽形式的高能量输入。
DE102011003453公开了在用于生产多晶硅的复合材料中存在具有不同沸点的多种含掺杂剂的化合物。因此,需要复杂的多级蒸馏以及消除几个分流(从而损失了有价值的产物)。
因此,使用多种方法以实现有效的除去特别是含掺杂剂的杂质。
CA 1162028 A公开了在氯硅烷的歧化反应中,通过吸附到固体离子交换剂上而除去含硼杂质。所述离子交换剂包含叔铵基或季铵基。不利的是使用了官能化的吸附剂。这里有机氮化合物代表对目的产物污染的可能来源。
DE 1 073 460描述了气态氯硅烷的纯化,其中使所述氯硅烷通过了吸附剂。该吸附剂中负载有机或无机物质,它们与气态硼烷形成稳定的加成化合物,但不与氯硅烷反应。这里的缺点是,气相中的性能要求使呈液态形式存在的氯硅烷最初蒸发。然而,由于不存在化学键合,因此要求气相是为了避免从与之浸渍的吸附剂中洗涤出所述该有机或无机物质。此外,与液体体系相比,大量的气体通常意味着只能实现显著更低的产量。
JP2020269994中描述了使用比表面积至少为1300m2/g的活性炭以从氯硅烷中去除硼和磷。此外,CN101913610描述了通过吸附在孔径为20nm且比表面积为500至2500m2/g的活性炭上而从TCS中除去硼。
根据DE 1 767 905,活性炭的使用导致氯硅烷的歧化,这并不总是想要的,这是因为所得产物混合物通常需要费力地分离。DE 1 144 245描述了活性炭在DCS生产中用于硅烷与氯硅烷的配比的用途。
发明内容
本发明的目的是提供一种有效且经济的纯化氯硅烷和有机氯硅烷的方法,其中避免了现有技术的已知缺点。
该目的通过从包含至少一种氯硅烷和/或有机氯硅烷和至少一种选自硼化合物、磷化合物和砷化合物的杂质的混合物中除去杂质的方法而实现,所述方法包括以下步骤:
b)任选去除非官能化的有机聚合物。
在去除和/或接触步骤之后,混合物具有降低的杂质含量。任选,从混合物中将杂质完全除去。
平均孔径在此根据DIN ISO 66134而测定。
在去除中,已发现使用非官能化的有机聚合物以实现特别高的效率,通常超过85%。
非官能化有机聚合物的使用也将污染风险降至最低。当使用具有官能团的吸附剂时,例如有机氮官能化的吸附剂,官能团的裂解会导致目标产物的污染。
“非官能化的”或“未官能化的”应理解为所用有机聚合物的由碳和氢原子组成的分子主链不具有任何额外引入的官能团。换言之,吸附材料在接触之前不带有任何附加的化学连接的官能团,特别是任何羧基、羰基、含氮或含磷基团。“非官能化的”还应理解为表示吸附材料在接触之前并未浸渍,特别是并未与催化或吸附活性的物质和/或金属/准金属接触。
原则上,有机聚合物在使用前也不进行任何热处理。热处理应理解为温度高于600℃,优选400℃,特别是200℃。
在优选实施方案中,非官能化有机聚合物的比表面积为25至1050m2/g,优选250至900m2/g,更优选500至900m2/g。
已经发现,在该比表面积下不会发生氯硅烷和/或有机氯硅烷的再分布(即通常没有歧化作用:没有歧化或归中反应)。这消除了对由于重新分布所致的多组分混合物进行后续分离的需要,否则这将是必要的。因此,24小时的接触时间会导致通常小于1.5重量%,特别是小于1.0重量%的歧化和/或归中产物的形成。该数字实际上通常小于0.5重量%。
在另一个实施方案中,非官能化的有机聚合物的比表面积>1050m2/g,优选>1100m2/g,更优选>1125m2/g,其中不应超过2500m2/g的值.
已经发现,该比表面积虽然在去除杂质方面具有相当的效率,但有利于歧化和/或归中反应。例如,24小时的接触时间导致通常超过10重量%,特别是超过13重量%的歧化和/或归中产物的形成。在某些情况下,其甚至可以超过15重量%。
当要从诸如DCS和STC的副产品中获得等式(5)的额外TCS时,所述重新分配可能是希望的。
(5)SiH2Cl2+SiCl4-->2SiHCl3
或者,例如可以从混合物中存在的TCS中选择性地产生DCS,这可以例如用于提高西门子工艺中的沉积速率。
比表面积根据DIN ISO 9277而测定。
选择工艺压力和工艺温度以使混合物处于液态。工艺步骤a)优选在1至20巴(a),更优选1.1至10巴(a),特别是1.25至5巴(a)的压力范围内进行。温度可为-50至160℃,优选-20℃至120℃,更优选0℃至100℃,特别是10℃至80℃。
所述氯硅烷可以是通式HxSinCl(2n+2-x)的非环状氯硅烷,其中0≤x≥12且1≤n≥5,和/或,通式为HxSinCl(2n-x)的环状氯硅烷,其中0≤x≥20且5≤n≥10。该混合物可以仅包含一种或两种或更多种这些氯硅烷。
所述氯硅烷尤其选自STC、TCS、DCS、一氯硅烷及其组合。
所述有机氯硅烷优选为通式HxSinR3 yCl(2n+2-x-y)的非环状有机氯硅烷,其中0≤x≥11、1≤n≥5且1≤y≥12,和/或者,通式为HxSinR3 yCl(2n-x-y)的环状有机氯硅烷,其中0≤x≥19、5≤n≥10且1≤y≥20,其中R3=烷基、芳基、烷基芳基或烷氧基。
烷基(R3)可以是线性、支化或环状的。例如,它可以是例如选自Me、Et、Pr、i-Pr、n-Bu、i-Bu、t-Bu的基团。所述烷基优选包含1至16个,特别优选1至12个,特别是1至6个碳原子。
然而,优选R3为甲基、甲氧基或乙氧基。
本发明的方法优选在无水或至少基本上无水的条件下而进行。基本上无水的条件应理解为是指在非官能化的聚合物中可以存在痕量的水。这通常是小于5重量%,优选小于3重量%,更优选小于2重量%的水含量。
为了避免由于氯硅烷/有机氯硅烷水解而造成的损失,通常将水含量保持在尽可能低的水平。因此,原则上不额外供应水分。
可能需要的是在步骤a)之前使所述非官能化的聚合物进行干燥步骤。然而,优选使用水含量<5重量%,优选<3重量%,更优选<2重量%的可市购的非官能化的聚合物。
所述非官能化的聚合物可以是用于生产离子交换剂和吸附剂的聚合物。
所述非官能化的聚合物优选选自聚苯乙烯、聚乙烯基苯、苯乙烯-二乙烯基苯共聚物及其组合物。其也可以是聚乙烯,任选与上述聚合物组合使用。
所述非官能化的吸附剂材料优选包含苯乙烯-二乙烯基苯共聚物。
在该方法的一个优选实施方案中,所述非官能化的聚合物包括高度交联的聚合物。这是在聚合后进一步交联的聚合物/共聚物或三元共聚物。所述交联可以例如借助乳液聚合,例如添加交联剂或通过内部交联而进行。所述高度交联也可以任选在成孔剂(致孔剂),例如甲苯的存在下而进行。所述高度交联聚合物的孔隙率特别为微孔范围内
所述非官能化有机聚合物可以呈颗粒和/或纤维的形式而存在。它特别优选呈颗粒形式。
例如,所述材料可以是平均粒度(=平均粒径)为0.149至4.760mm(4至100目),优选0.177至2.0mm(10至80目),更优选0.210至1.410mm(14到70目)的颗粒形式。该测定可以通过动态图像分析(ISO 13322-2)、激光衍射或筛分而进行。
由于与混合物接触,所述非官能化的有机聚合物可表现出溶胀行为。
非官能化的有机聚合物的物理稳定性(抗碎强度)优选超过400克/珠,更优选超过500克/珠。
方法步骤a)中的非官能化的有机聚合物优选呈固定床的形式。具体而言,所述混合物以连续物流而通过固定床。这可以避免分别除去所述非官能化的聚合物材料。
在一个优选实施方案中,所述非官能化的有机聚合物在步骤a)中呈固定床的形式,在一个或多个串联或并联布置的容器中,其中所述混合物优选以连续物流而通过它们。
所述混合物在填充有非官能化的有机聚合物的反应体积中(容器)的流体力学停留时间τ优选0.1至100000s,更优选0.5至10000s,特别是1至1000s。
τ是根据如下而计算:
VR:反应体积:填充有非官能化的有机聚合物的体积[m3],
呈固定床形式存在的非官能化的有机聚合物优选借助筛或多孔板而保留。
原则上,所述混合物也可以与呈固定床或流化床形式的非官能化有机聚合物保持接触预定的时间,然后除去。在最简单的情况下,可以通过将混合物从容器中排出而进行去除,因此,所述固体、非官能化的有机聚合物通过筛或多孔筛板而得以保留。
在方法步骤b)中,优选通过固-液分离,特别是通过过滤而除去负载有杂质的非官能化的有机聚合物。
在步骤a)之前和/或步骤a)之后或任选在步骤b)之后,优选测定混合物中的杂质浓度。例如,在所述非官能化有机聚合物以连续物流通过固定床时,这可以调节混合物的体积流量。此外,一旦通过非官能化的有机聚合物后的杂质浓度超过目标值,可以切换到相同构造的平行吸附剂区域。这样可以使运行时间最大化。杂质的浓度可以通过ICP-MS(具有电感耦合等离子体的质谱)和/或ICP-OES(具有电感耦合等离子体的光发射光谱)而确定,其中优选连续采样。用于确定例如在西门子方法中使用的氯硅烷混合物中的杂质浓度的另一个选择是测量沉积的硅的电阻。电阻的测量可以根据标准SEMI MF84而进行。沉积的硅中的掺杂剂也可以通过例如DE 102011 077 455 A1中所述的光致发光而测定。
在优选的实施方案中,在根据方法步骤a)与非官能化的有机聚合物第一次接触之后,可以将混合物再循环到步骤a)上游的未处理的混合物中,以便与非官能化的有机聚合物再次接触。优选可以进行步骤a)两次或更多次。
所述杂质尤其是硼、磷和/或砷与氢、卤素、碳和/或硅的化合物(例如AsCl3)。所述混合物可以包含一种或多种所述元素的不同化合物作为杂质。所述杂质优选包含硼和/或磷的化合物(例如PCl3、PHCl2、MePH2、MeSiH2PH2)。特别优选包含硼的化合物。尤其,可以包含硼烷(例如B2H6)和/或卤代烷(BCl3)。
所述至少一种杂质通常不是呈离子形式。
所述混合物(在方法步骤a之前)可包含5pptw至1000ppmw,优选10pptw至500ppmw,更优选50pptw至100ppmw的杂质。
如果混合物包含硼化合物,则在方法步骤a)之后或任选在方法步骤b)之后存在的硼化合物的比例优选降低了85%,更优选降低90%。硼消耗也可以超过95%。
如果该混合物包含磷化合物或砷化合物,则在方法步骤a)之后或任选在方法步骤b)之后,存在的所述化合物的比例优选减少了70%,更加优选减少了80%,特别是减少了85%。所述消耗也可以超过85%。
在优选的实施方案中,将步骤a)和b)结合到用于多晶硅生产的集成体系中。该集成体系优选包含以下过程:
生产工业级的含TCS的氯硅烷混合物(方法(1)至(3)),通过本发明的方法而纯化所生产的氯硅烷混合物;优选通过西门子法或者作为颗粒而沉积多晶硅。
本发明的另一个优选实施方案中,将步骤a)和b)结合到用于多晶硅生产的集成体系中。为了实现特别经济的操作模式,可以根据需要而选择非官能化的有机聚合物,以使氯硅烷的重新分布发生或不发生。
还描述了非官能化的有机聚合物用于从含有氯硅烷和/或有机氯硅烷的混合物中去除硼化合物、磷化合物和/或砷化合物的用途。关于聚合物的构型,可以参考上文所述。
具体实施方式
实施例
实施例1:常规步骤:
在22℃和1巴(a)下,将20g氯硅烷混合物(>99.9%TCS)加入玻璃烧瓶中的0.68g非官能化聚合物中。随后通过过滤而除去聚合物并且通过具有热导检测器的气相色谱法(GC-TCD)对所得混合物中氯硅烷的比例进行分析。接触前后的硼浓度通过ICP-OES而测定。
实施例1
混合物与聚合物接触之前 | 混合物与聚合物接触之后 | |
硼[ppbw] | 7000 | 270 |
表1
实现了96%的硼保留。
组分 | 步骤a)之前 | 步骤b)之后 |
一氯硅烷/重量% | 0.0000 | 0.0819 |
DCS/重量% | 0.0010 | 5.7989 |
TCS/重量% | 99.9757 | 82.3719 |
STC/重量% | 0.0233 | 11.7473 |
表2
形成了>17.5重量%的歧化产物(一氯硅烷、DCS、STC之和)。
实施例2
混合物与聚合物接触之前 | 混合物与聚合物接触之后 | |
硼[ppbw] | 13000 | 1500 |
表3
实现了88%的硼保留。
组分 | 步骤a)之前 | 步骤b)之后 |
一氯硅烷/重量% | 0.0000 | 0.0000 |
DCS/重量% | 0.0003 | 0.0009 |
TCS/重量% | 99.9967 | 99.9891 |
STC/重量% | 0.0030 | 0.0100 |
表4
形成了小于0.1重量%的歧化产物(一氯硅烷、DCS、STC之和)。
实施例3
与聚合物接触之前 | 与聚合物接触之后 | |
硼[ppbw] | 6200 | 250 |
表5
实现了96%的硼保留。
组分 | 步骤a)之前 | 步骤b)之后 |
一氯硅烷/重量% | 0.0000 | 0.0000 |
DCS/重量% | 0.0003 | 0.0011 |
TCS/重量% | 99.9967 | 99.3209 |
STC/重量% | 0.0030 | 0.6780 |
表6
形成了<0.7重量%的歧化产物(一氯硅烷、DCS、STC之和)。
对比例1
与聚合物接触之前 | 与聚合物接触之后 | |
硼[ppbw] | 7000 | 1100 |
表7
实现了84%的硼保留。
表8
形成了<0.25重量%的歧化产物(一氯硅烷、DCS、STC之和)。
对比例2
与聚合物接触之前 | 与聚合物接触之后 | |
硼[ppbw] | 11000 | 4300 |
表9
实现了61%的硼保留。
组分 | 步骤a)之前 | 步骤b)之后 |
一氯硅烷/重量% | 0.0000 | 0.0000 |
DCS/重量% | 0.0000 | 0.0005 |
TCS/重量% | 99.9999 | 99.9722 |
STC/重量% | 0.0000 | 0.0273 |
表10
形成了<0.1重量%的歧化产物(一氯硅烷、DCS、STC之和)。
Claims (15)
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述非官能化有机聚合物的比表面积为25至1050m2/g,优选250至900m2/g,更优选500至900m2/g。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述非官能化有机聚合物的比表面积>1050m2/g,优选>1100m2/g,更优选>1125m2/g,条件是不超过2500m2/g的值。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述氯硅烷是通式HxSinCl(2n+2-x)的非环状氯硅烷,其中0≤x≥12且1≤n≥5,和/或通式为HxSinCl(2n-x)的环状氯硅烷,其中0≤x≥20且5≤n≥10。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述氯硅烷选自包括四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷及其组合的组。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述有机氯硅烷为通式HxSinR3 yCl(2n+2-x-y)的非环状有机氯硅烷,其中0≤x≥11、1≤n≥5且1≤y≥12,和/或通式为HxSinR3 yCl(2n-x-y)的环状有机氯硅烷,其中0≤x≥19、5≤n≥10且1≤y≥20,其中R3=烷基、芳基、烷基芳基或烷氧基。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述非官能化有机聚合物含有小于5重量%,优选小于3重量%,更优选小于2重量%的水比例。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述非官能化有机聚合物选自包括聚乙烯、聚苯乙烯、聚二烯基苯、苯乙烯-二乙烯基苯共聚物及其组合的组。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述非官能化有机聚合物包含苯乙烯-二乙烯基苯共聚物。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述非官能化有机聚合物包含高度交联的聚合物。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,呈颗粒形式的所述非官能化有机聚合物的平均粒度为0.149至4.760mm,优选0.177至2.000mm,更优选0.210至1.410mm。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,所述非官能化有机聚合物呈在一个或多个串联或并联布置的容器中的固定床的形式,所述混合物优选以连续物流通过所述固定床。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述混合物在反应体积中的流体力学停留时间为0.1至100000s,优选0.5至10000s,特别是1至1000s。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2020/081101 WO2022096098A1 (de) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | Verfahren zur entfernung einer verunreinigung aus einem chlorsilangemisch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115023407A true CN115023407A (zh) | 2022-09-06 |
CN115023407B CN115023407B (zh) | 2024-05-24 |
Family
ID=
Citations (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414603A (en) * | 1965-03-16 | 1968-12-03 | Tyco Laboratories Inc | Method of purifying organochlorosilanes |
US3627501A (en) * | 1968-06-29 | 1971-12-14 | Degussa | Process for the disproportionation of chlorosilanes and organosilanes |
CA1047735A (en) * | 1975-01-23 | 1979-02-06 | Union Carbide Corporation | Process of making silane |
US4713230A (en) * | 1982-09-29 | 1987-12-15 | Dow Corning Corporation | Purification of chlorosilanes |
US5902893A (en) * | 1997-05-20 | 1999-05-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Purification of organosilanes of group 13 (IIIA) and 15 (VA) impurities |
JP2000169131A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-20 | Tokuyama Corp | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 |
US20040028594A1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-02-12 | Stephan Klein | Method for purifying trichlorosilane |
WO2004014548A1 (ja) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Organo Corporation | ホウ素選択吸着能を有する有機多孔質体、これを用いたホウ素除去モジュールおよび超純水製造装置 |
JP2004149351A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-05-27 | Sumitomo Titanium Corp | クロロシラン及びその精製方法 |
CN1660703A (zh) * | 2004-02-24 | 2005-08-31 | 罗姆和哈斯公司 | 从水中除去砷的方法 |
US20060133986A1 (en) * | 2001-07-16 | 2006-06-22 | Leisl Dukhedin-Lalla | Process and apparatus for removing Bronsted acid impurities in binary halides |
JP2006290674A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 水素化ハロゲン化ケイ素の反応方法 |
CN101143911A (zh) * | 2007-08-31 | 2008-03-19 | 吉林大学 | 具有超强吸附特性的介孔聚二乙烯基苯材料及其合成方法 |
JP2009269815A (ja) * | 2009-07-16 | 2009-11-19 | Mitsubishi Materials Corp | 三塩化シランの精製方法 |
CA2727442A1 (en) * | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Evonik Degussa Gmbh | Method for removing boron-containing impurities from halogen silanes and apparatus for performing said method |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
CN101775089A (zh) * | 2010-01-19 | 2010-07-14 | 南京工业大学 | 一种含双官能团的吸硼树脂 |
CN101913610A (zh) * | 2010-09-21 | 2010-12-15 | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 | 去除三氯氢硅中硼杂质的方法 |
WO2011006695A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von fremdmetallen aus anorganischen silanen |
CN101987296A (zh) * | 2009-07-30 | 2011-03-23 | 比亚迪股份有限公司 | 歧化制备硅烷的催化剂、催化剂的制备方法及歧化SiH2Cl2制备SiH4的方法 |
KR101134230B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2012-04-09 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 염화실란 정제 방법 및 시스템, 그리고 금속계 불순물 정제용 흡착제 |
CN102482106A (zh) * | 2009-08-27 | 2012-05-30 | 电气化学工业株式会社 | 氯硅烷的提纯方法 |
CN202246099U (zh) * | 2011-08-31 | 2012-05-30 | 湖北晶星科技股份有限公司 | 多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统 |
CN102580701A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 西安蓝晓科技新材料股份有限公司 | 一种除砷树脂的制备方法 |
CN102627282A (zh) * | 2011-02-01 | 2012-08-08 | 瓦克化学股份公司 | 通过蒸馏纯化氯硅烷的方法 |
CN103553058A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-02-05 | 新特能源股份有限公司 | 一种高纯精制三氯氢硅的生产工艺 |
CN203474472U (zh) * | 2013-06-25 | 2014-03-12 | 内蒙古同远企业管理咨询有限责任公司 | 一种改良西门子法生产多晶硅的精馏纯化装置 |
CN103691458A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 蓝星化工新材料股份有限公司江西星火有机硅厂 | 一种用于甲基氯硅烷歧化的催化剂的制备方法 |
JP2015202991A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類、クロロシラン類の精製方法、および、シリコン結晶 |
CN105143104A (zh) * | 2013-04-11 | 2015-12-09 | 信越化学工业株式会社 | 硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法、多晶硅的制造方法和弱碱性离子交换树脂的再生处理方法 |
CN204917994U (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-30 | 宁夏金海金晶光电产业有限公司 | 一种除杂装置 |
CN105329902A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-02-17 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺 |
CN105327685A (zh) * | 2015-09-15 | 2016-02-17 | 湖州欧美新材料有限公司 | 一种除砷材料的制备方法 |
CN105367699A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-02 | 宁波争光树脂有限公司 | 一种大孔型砷吸附树脂及其制备方法和应用 |
CN105731465A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-06 | 天津大学 | 一种氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼磷的方法和设备 |
CN105800617A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-27 | 天津大学 | 一种含化学吸附的反应精馏除氯硅烷中硼、磷杂质的方法和设备 |
CN106215955A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-12-14 | 华东交通大学 | 一种歧化甲基三氯硅烷反应的氧化铝型催化剂的制备方法 |
CN106268701A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-01-04 | 南京工业大学 | 一种用于同步深度去除水中磷和氟的树脂基复合吸附剂及制备方法 |
CN107082835A (zh) * | 2016-08-21 | 2017-08-22 | 王金桢 | 一种三氯氢硅提纯用纯化助剂的制备方法 |
CN108892143A (zh) * | 2018-09-28 | 2018-11-27 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 提纯三氯氢硅的方法 |
CN109179426A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-01-11 | 天津科技大学 | 一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法 |
CN109205627A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-15 | 天津科技大学 | 一种吸附脱除甲基氯硅烷杂质制备高纯三氯氢硅的装置和方法 |
CN110613955A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-27 | 新疆协鑫新能源材料科技有限公司 | 一种氯硅烷吸附树脂填充装置和树脂填充方法 |
CN111036029A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅生产过程中废气的回收方法 |
KR20200070487A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-18 | 주식회사 삼양사 | 초순수의 제조에 사용되는 붕소 선택 흡착 수지의 제조 방법 |
Patent Citations (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414603A (en) * | 1965-03-16 | 1968-12-03 | Tyco Laboratories Inc | Method of purifying organochlorosilanes |
US3627501A (en) * | 1968-06-29 | 1971-12-14 | Degussa | Process for the disproportionation of chlorosilanes and organosilanes |
CA1047735A (en) * | 1975-01-23 | 1979-02-06 | Union Carbide Corporation | Process of making silane |
US4713230A (en) * | 1982-09-29 | 1987-12-15 | Dow Corning Corporation | Purification of chlorosilanes |
US5902893A (en) * | 1997-05-20 | 1999-05-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Purification of organosilanes of group 13 (IIIA) and 15 (VA) impurities |
JP2000169131A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-20 | Tokuyama Corp | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 |
US20040028594A1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-02-12 | Stephan Klein | Method for purifying trichlorosilane |
US20060133986A1 (en) * | 2001-07-16 | 2006-06-22 | Leisl Dukhedin-Lalla | Process and apparatus for removing Bronsted acid impurities in binary halides |
WO2004014548A1 (ja) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Organo Corporation | ホウ素選択吸着能を有する有機多孔質体、これを用いたホウ素除去モジュールおよび超純水製造装置 |
CN1642634A (zh) * | 2002-08-08 | 2005-07-20 | 奥加诺株式会社 | 具有硼选择吸附能力的有机多孔质体、使用其的除硼模块及超纯水制造装置 |
JP2004149351A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-05-27 | Sumitomo Titanium Corp | クロロシラン及びその精製方法 |
CN1660703A (zh) * | 2004-02-24 | 2005-08-31 | 罗姆和哈斯公司 | 从水中除去砷的方法 |
JP2006290674A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 水素化ハロゲン化ケイ素の反応方法 |
CN101143911A (zh) * | 2007-08-31 | 2008-03-19 | 吉林大学 | 具有超强吸附特性的介孔聚二乙烯基苯材料及其合成方法 |
CA2727442A1 (en) * | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Evonik Degussa Gmbh | Method for removing boron-containing impurities from halogen silanes and apparatus for performing said method |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
WO2011006695A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von fremdmetallen aus anorganischen silanen |
JP2009269815A (ja) * | 2009-07-16 | 2009-11-19 | Mitsubishi Materials Corp | 三塩化シランの精製方法 |
CN101987296A (zh) * | 2009-07-30 | 2011-03-23 | 比亚迪股份有限公司 | 歧化制备硅烷的催化剂、催化剂的制备方法及歧化SiH2Cl2制备SiH4的方法 |
CN102482106A (zh) * | 2009-08-27 | 2012-05-30 | 电气化学工业株式会社 | 氯硅烷的提纯方法 |
US20120148471A1 (en) * | 2009-08-27 | 2012-06-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for purifying chlorosilane |
CN101775089A (zh) * | 2010-01-19 | 2010-07-14 | 南京工业大学 | 一种含双官能团的吸硼树脂 |
CN101913610A (zh) * | 2010-09-21 | 2010-12-15 | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 | 去除三氯氢硅中硼杂质的方法 |
CN102627282A (zh) * | 2011-02-01 | 2012-08-08 | 瓦克化学股份公司 | 通过蒸馏纯化氯硅烷的方法 |
KR101134230B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2012-04-09 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 염화실란 정제 방법 및 시스템, 그리고 금속계 불순물 정제용 흡착제 |
CN202246099U (zh) * | 2011-08-31 | 2012-05-30 | 湖北晶星科技股份有限公司 | 多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统 |
CN102580701A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 西安蓝晓科技新材料股份有限公司 | 一种除砷树脂的制备方法 |
CN105143104A (zh) * | 2013-04-11 | 2015-12-09 | 信越化学工业株式会社 | 硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法、多晶硅的制造方法和弱碱性离子交换树脂的再生处理方法 |
CN203474472U (zh) * | 2013-06-25 | 2014-03-12 | 内蒙古同远企业管理咨询有限责任公司 | 一种改良西门子法生产多晶硅的精馏纯化装置 |
CN103553058A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-02-05 | 新特能源股份有限公司 | 一种高纯精制三氯氢硅的生产工艺 |
CN103691458A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 蓝星化工新材料股份有限公司江西星火有机硅厂 | 一种用于甲基氯硅烷歧化的催化剂的制备方法 |
JP2015202991A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類、クロロシラン類の精製方法、および、シリコン結晶 |
CN204917994U (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-30 | 宁夏金海金晶光电产业有限公司 | 一种除杂装置 |
CN105327685A (zh) * | 2015-09-15 | 2016-02-17 | 湖州欧美新材料有限公司 | 一种除砷材料的制备方法 |
CN105329902A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-02-17 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺 |
CN105367699A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-02 | 宁波争光树脂有限公司 | 一种大孔型砷吸附树脂及其制备方法和应用 |
CN105731465A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-06 | 天津大学 | 一种氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼磷的方法和设备 |
CN105800617A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-27 | 天津大学 | 一种含化学吸附的反应精馏除氯硅烷中硼、磷杂质的方法和设备 |
CN106215955A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-12-14 | 华东交通大学 | 一种歧化甲基三氯硅烷反应的氧化铝型催化剂的制备方法 |
CN107082835A (zh) * | 2016-08-21 | 2017-08-22 | 王金桢 | 一种三氯氢硅提纯用纯化助剂的制备方法 |
CN106268701A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-01-04 | 南京工业大学 | 一种用于同步深度去除水中磷和氟的树脂基复合吸附剂及制备方法 |
CN108892143A (zh) * | 2018-09-28 | 2018-11-27 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 提纯三氯氢硅的方法 |
CN111036029A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅生产过程中废气的回收方法 |
CN109205627A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-15 | 天津科技大学 | 一种吸附脱除甲基氯硅烷杂质制备高纯三氯氢硅的装置和方法 |
CN109179426A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-01-11 | 天津科技大学 | 一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法 |
KR20200070487A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-18 | 주식회사 삼양사 | 초순수의 제조에 사용되는 붕소 선택 흡착 수지의 제조 방법 |
CN110613955A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-27 | 新疆协鑫新能源材料科技有限公司 | 一种氯硅烷吸附树脂填充装置和树脂填充方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
ANDREY V. VOROTYNTSEV: "Supported ionic liquid-like phases based on CMS/DVB with different NR3 cations as catalysts for the chlorosilanes disproportionation", APPLIED CATALYSIS B: ENVIRONMENTAL, pages 79 * |
卢海波;朱晓云;: "三氯氢硅除硼工艺研究进展", 材料导报, no. 09 * |
周国峰;许正清;: "氯硅烷提纯工艺中树脂除杂技术研究进展", 智能城市, no. 23, pages 233 * |
张仁志,等: "天然产物提取工艺学 第2版", 北京:中国轻工业出版社, pages: 262 - 263 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230097766A1 (en) | 2023-03-30 |
EP4081480A1 (de) | 2022-11-02 |
KR20220121855A (ko) | 2022-09-01 |
JP7477620B2 (ja) | 2024-05-01 |
JP2023520284A (ja) | 2023-05-17 |
WO2022096098A1 (de) | 2022-05-12 |
TW202218985A (zh) | 2022-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20110150739A1 (en) | Method for removing boron-containing impurities from halogen silanes and apparatus for performing said method | |
TWI755148B (zh) | 從氯矽烷混合物中除去雜質的方法 | |
US20100296994A1 (en) | Catalyst and method for dismutation of halosilanes containing hydrogen | |
JP5738289B2 (ja) | ハロゲンシランを不均化するため及び異種金属を除去するための方法及びアミノ官能性樹脂の使用 | |
KR20110015527A (ko) | 순수 실리콘의 제조방법 및 제조시스템 | |
CN102264642B (zh) | 氯硅烷的制造方法 | |
JP3892794B2 (ja) | クロロシラン及びその精製方法 | |
KR20150119084A (ko) | 트리클로로실란의 제조 방법 | |
JPH03109390A (ja) | 多有機基置換シラン及びモノアルキル化シランの製造方法 | |
CN112041324B (zh) | 生产卤代硅烷化合物的方法 | |
JP7477620B2 (ja) | クロロシラン混合物から不純物を除去する方法 | |
CN115023407B (zh) | 用于从氯硅烷混合物中除去杂质的方法 | |
TW201934482A (zh) | 對冶金矽進行分級的方法 | |
JPH0471008B2 (zh) | ||
WO2011024257A1 (ja) | アミン化合物によるクロロシラン類の精製 | |
JP7304443B2 (ja) | 少なくとも1つの部分水素化クロロジシランを、固体の非官能性吸着体と反応させて、ヘキサクロロジシランを入手する方法 | |
KR102618387B1 (ko) | 할로실란 함유 조성물내 보론 화합물의 함량을 감소시키는 방법 | |
TW202035285A (zh) | 純化氯矽烷類的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant |