CN202246099U - 多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，适用于精馏工段之前，包括粗三氯氢硅储槽、离心泵、乙二醇冷却器、以及至少一个除硼吸附柱。离心泵设置于粗三氯氢硅储槽与乙二醇冷却器之间，除硼吸附柱安装在乙二醇冷却器之后、精馏工段之前，每个除硼吸附柱内装填有吸附树脂。本实用新型除硼系统采用物理吸附原理，将合成生产的氯硅烷先通过吸附柱除硼后再送往精馏工段精馏处理，可将氯硅烷中硼杂质的含量从几百PPB一次性处理降至50PPB以下，减轻了后续精馏工段的除硼压力。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，更具体地说，尤其涉及一种多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统。
背景技术
半导体和太阳能电池行业的发展，使得原料多晶硅的生产成为热点行业，同时对多晶硅的纯度要求也越来越高，如何有效地去除多晶硅中的杂质成为我国多晶硅行业的难题，尤其是含硼化合物种类繁多，成分复杂，与氯硅烷体系沸点十分接近，如何有效地去除含硼杂质化合物是各个多晶硅生产企业面临的主要问题。
国内目前多采用多级精馏的方法去除三氯氢硅中的硼杂质，是将合成工段生成的三氯氢硅直接送入精馏工段进行精馏去除硼杂质。但由于合成工段生成的三氯氢硅中的硼含量都较高，有几百个PPB，仅通过现有的精馏装置，往往很难将硼杂质的含量降到符合要求的范围，从而直接影响到多晶硅的产品品质。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，在将氯硅烷进行精馏处理之前先行去除其中的部分硼杂质，以减轻后续精馏工段的除硼压力。
为实现上述目的，本实用新型所提供的一种多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，适用于精馏工段之前，包括产品储槽、离心泵、冷却器、以及至少一个除硼装置，离心泵设置在产品储槽与冷却器之间，除硼装置安装在冷却器后、精馏工段之前，除硼装置内装填有吸附树脂。所述产品储槽为粗三氯氢硅储槽，用于存储合成工段生产的氯硅烷；冷却器为乙二醇冷却器，采用乙二醇作为冷却介质。
作为一种优选，所述除硼装置为除硼吸附柱，数量为3个，通过管线以并联的方式安装在乙二醇冷却器之后、精馏工段之前；吸附柱内装填的吸附树脂为离子交换树脂。
本实用新型氯硅烷除硼系统采用物理吸附原理，将合成生产的氯硅烷先通过吸附柱除硼后再送往精馏工段精馏处理，可将氯硅烷中硼杂质的含量从几百PPB一次性处理降至50PPB以下，减轻了后续精馏工段的除硼压力。
附图说明
图1是本实用新型多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统示意图。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的发明内容和特点，兹例举以下实例，并配合附图详细说明如下，但并不构成对本实用新型的任何限制。
参照附图1，本实用新型多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，适用于精馏工段之前，包括产品储槽、离心泵、冷却器和至少一个除硼装置。在本实施例中，产品储槽为粗三氯氢硅储槽，用于存储合成工段生产的氯硅烷；冷却器为乙二醇冷却器，采用乙二醇作为冷却介质；离心泵设置于粗三氯氢硅储槽与乙二醇冷却器之间；除硼装置为除硼吸附柱，数量为3个，通过管线以并联的方式设计安装在乙二醇冷却器之后、精馏工段之前。每个除硼吸附柱内装填有吸附树脂，所述吸附树脂采用离子交换树脂作为吸附剂。
本实用新型氯硅烷除硼系统的工作流程是：合成工段生产的氯硅烷先进入粗三氯氢硅储槽内，再用离心泵将储槽内的氯硅烷以每小时2m3的流量送往乙二醇冷却器进行冷却，冷却后的氯硅烷从吸附柱的底部进入吸附柱内与树脂接触，氯硅烷中的硼杂质被吸附树脂进行吸附处理后，被送往精馏工段进行精馏处理。
由于吸附柱内装填的吸附树脂采用离子交换树脂，有别于其他的普通树脂，除硼效果更佳，可将氯硅烷中的硼杂质含量从几百PPB一次性处理降至50PPB以下，因而在将氯硅烷送往精馏工段进行精馏处理时，减轻了后续精馏工段的除硼压力。
Claims (5)
1.一种多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，适用于精馏工段之前，包括产品储槽、离心泵、冷却器、以及至少一个除硼装置，其特征在于：离心泵设置在产品储槽与冷却器之间，除硼装置安装在冷却器后、精馏工段之前，除硼装置内装填有吸附树脂。
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，其特征在于：所述产品储槽为粗三氯氢硅储槽。
3.根据权利要求1所述的多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，其特征在于：所述冷却器为乙二醇冷却器，采用乙二醇作为冷却介质。
4.根据权利要求1所述的多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，其特征在于：所述除硼装置为除硼吸附柱，数量为3个，通过管线以并联的方式安装在乙二醇冷却器之后、精馏工段之前。
5.根据权利要求1所述的多晶硅生产过程中的氯硅烷除硼系统，其特征在于：所述吸附树脂为离子交换树脂。
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