CN112005323B - 晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法 - Google Patents

晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种晶片电阻器，其可提高突波特性，且可高精度地微调整电阻值。晶片电阻器1具有电阻体5，其是以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状的调整部8而连续的方式印刷形成；通过在调整部8上形成第1修整槽9，而延长电阻体5的电流路径来提高突波特性，并且以电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整。又，通过在第2弯折部7中电流分布少的区域形成第2修整槽10，从而以随着第2修整槽10的切入量，电阻体5的电阻值与目标电阻值一致的方式进行微调整。

Description

晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种通过在设置于绝缘基板上的电阻体上形成修整槽而调整电阻值的晶片电阻器、以及此种晶片电阻器的制造方法。
背景技术
晶片电阻器主要包括：长方体形状的绝缘基板、于绝缘基板的表面存在既定间隔而对向配置的一对表电极、于绝缘基板的背面存在既定间隔而对向配置的一对背电极、将表电极与背电极桥接的端面电极、将成对的表电极彼此桥接的电阻体、以及覆盖电阻体的保护膜等。
一般而言，在制造此种晶片电阻器的情形时，对于大型基板一次形成多数个电极或电阻体或保护涂层等后，将该大型基板沿着格子状的分割线(例如分割槽)分割，撷取多数个晶片电阻器。在该晶片电阻器的制造过程中，通过在大型基板的单面上印刷·烧结电阻膏而形成多数个电阻体，但由于印刷时的位置偏移或渗出、或者烧结炉内的温度不均等的影响，难以避免各电阻体的大小或膜厚产生若干不均，因此进行电阻值调整操作，即，以大型基板的状态，于各电阻体形成修整槽而设定为所需电阻值。
此种构成的晶片电阻器中，若施加由静电或电源杂讯等所产生的突波电压，则会因过剩的电性应力而对电阻器的特性造成影响，如此，在最差的情形时，电阻器被破坏。以往为提高突波特性，已知若将电阻体设为弯折形状(曲折形状)而增长全长，则电位下降变得平缓，可改善突波特性。
作为此种现有技术，提出有如下晶片电阻器，其如图4所示，于设置于绝缘基板100两端部的一对表电极101间，将弯折2个转弯的电阻体102印刷形成后，于其中央部，利用雷射修整法来形成1条修整槽103，由此获得弯折3个转弯的电阻体102(参照专利文献1)。
又，作为其他现有技术，提出有如下晶片电阻器，其如图5所示，于设置于绝缘基板100两端部的一对表电极101间，印刷形成由与一对表电极101连接的矩形部102a、以及位于该矩形部102a间的大致S字部102b构成的电阻体102后，于两端的矩形部102a上形成修整槽103(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平9-205004号公报
专利文献2：日本专利特开2001-338801号公报。
发明内容
发明所欲解决的问题
专利文献1所记载的现有技术中，通过将印刷技法与修整加工并用而使电阻体102的全长变长，因此可使突波特性良好，并且修整槽103的形成兼进行电阻值调整，因此可提高电阻值精度。但是，修整槽103形成于电阻体102中的使电流截面积变窄的方向上，因此随着修整槽103的切入量而上升的电阻值的变化量增大，可在某种程度上提高电阻值精度，但无法高精度地微调整电阻值。
另一方面，专利文献2所记载的现有技术中，可于电阻体102的隔着大致S字部102b的两端的矩形部102a上分别形成修整槽103，因此若与专利文献1所记载的晶片电阻器相比，虽可增大电阻值的调整倍率，但其亦由于修整槽103形成于电阻体102中的使电流的截面积变窄的方向上，故而无法高精度地微调整电阻值。
本发明是鉴于如上所述的现有技术的实际情况而完成，第1目的在于提供一种可提高突波特性且可高精度地微调整电阻值的晶片电阻器，第2目的在于提供此种晶片电阻器的制造方法。
解决问题的手段
为达成上述第1目的，本发明的晶片电阻器具备绝缘基板、于该绝缘基板上存在既定间隔而对向配置的一对电极、以及将该一对电极间桥接的电阻体，且通过在上述电阻体上形成修整槽而调整电阻值，其特征在于：上述电阻体由连接于上述一对电极的连接部、与位于该两连接部间的矩形状的调整部连续的印刷形成体构成，且至少一个上述连接部成为转弯形状的弯折部；于上述调整部形成有延长上述电阻体的电流路径的粗调整用的第1修整槽，且于上述弯折部形成微调整用的第2修整槽；当将上述一对电极的电极间方向设为X方向，且将与该X方向正交的方向设为Y方向时，上述弯折部包含：于Y方向上延伸的引伸部、于X方向上延伸而将上述引伸部的一端与上述电极间连接的外侧转弯部、以及于X方向上延伸而将上述引伸部的另一端与上述调整部间连接的内侧转弯部；并且上述第2修整槽将上述外侧转弯部及上述内侧转弯部中的任一者作为始端位置而于Y方向上延伸，并且其前端未到达将上述外侧转弯部与上述内侧转弯部以最短距离连结的虚拟线。
以上述方式构成的晶片电阻器中，通过在调整部形成延长电阻体的电流路径的第1修整槽，则随着第1修整槽的切入量而电阻值上升，因此可提高突波特性，而且可将电阻值进行粗调整，并且通过在弯折部中的电流分布少的区域形成第2修整槽，可高精度地微调整电阻值。
上述构成的晶片电阻器中，可仅为与一对电极连接的2个连接部中的其中一者成为转弯形状的弯折部，但若2个连接部的两者均成为转弯形状的弯折部，且于两弯折部中的任一者上形成第2修整槽，则电阻值整体的长度变长，可更提高突波特性，因此较佳。
又，为达成上述第2目的，本发明的晶片电阻器的制造方法是具备绝缘基板、于该绝缘基板上存在既定间隔而对向配置的一对电极、以及将一对电极间桥接的电阻体，且通过在上述电阻体上形成修整槽而调整电阻值的晶片电阻器的制造方法，其特征在于：上述电阻体由连接于上述一对电极的连接部、与位于该两连接部间的矩形状的调整部连续的印刷形成体构成，且至少一个上述连接部成为转弯形状的弯折部；当将上述一对电极的电极间方向设为X方向，且将与该X方向正交的方向设为Y方向时，上述弯折部具有：于Y方向上延伸的引伸部、于X方向上延伸而将上述引伸部的一端与上述电极间连接的外侧转弯部、以及于X方向上延伸而将上述引伸部的另一端与上述调整部间连接的内侧转弯部；并且于上述调整部形成延长上述电阻体的电流路径的粗调整用的第1修整槽后，形成将上述外侧转弯部及上述内侧转弯部中的任一者作为始端位置而于Y方向上延伸的微调整用的第2修整槽，且将该第2修整槽的前端设定于不到达将上述外侧转弯部与上述内侧转弯部以最短距离连结的虚拟线的位置。
包含上述步骤的晶片电阻器的制造方法中，通过印刷形成至少1个弯折部与调整部连续的曲折形状的电阻体后，于调整部形成延长电阻体的电流路径的第1修整槽，则随着第1修整槽的切入量而电阻值上升，因此可提高突波特性，而且可将电阻值进行粗调整，并且通过在第1修整槽的形成后，于其中一个弯折部中的电流分布少的区域形成第2修整槽，可高精度地微调整电阻值。
发明的效果
依据本发明，可提供一种不仅可提高突波特性，而且可高精度地微调整电阻值的晶片电阻器。
附图说明
图1是本发明的第1实施方案的晶片电阻器的平面图。
图2是表示第1实施方案的晶片电阻器的制造步骤的说明图。
图3是本发明的第2实施方案的晶片电阻器的平面图。
图4是现有例的晶片电阻器的平面图。
图5是其他现有例的晶片电阻器的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对发明的实施方案进行说明。
图1是本发明的第1实施方案的晶片电阻器的平面图。如图1所示，第1实施方案的晶片电阻器1主要包括：长方体形状的绝缘基板2、设置于该绝缘基板2的表面的长边方向两端部的第1表电极3及第2表电极4、以与该一对表电极3,4连接的方式设置于绝缘基板2的表面的电阻体5、以及以覆盖该电阻体5的方式设置的保护涂层(未图示)等。此外，虽省略图示，但于绝缘基板2的背面，以与第1及第2表电极3,4对应的方式设置有一对背电极，且于绝缘基板2的长边方向的两端面设置有将对应的表电极与背电极桥接的端面电极。
电阻体5形成为两端的第1弯折部6与第2弯折部7隔着中央的调整部8而连续的曲折形状，此种曲折形状是由电阻体膏的印刷形状所规定。图1中，将第1及第2表电极3,4的电极间方向设为X方向，且将与该X方向正交的方向设为Y方向时，第1弯折部6具有：于Y方向上延伸的引伸部6a、于X方向上延伸而将引伸部6a的下端与图示左侧的第1表电极3间连接的外侧转弯部6b、以及于X方向上延伸而将引伸部6a的上端与调整部8间连接的内侧转弯部6c，这些引伸部6a与外侧转弯部6b及内侧转弯部6c的图案宽度全部设定为相同。
第2弯折部7具有：于Y方向上延伸的引伸部7a、于X方向上延伸而将引伸部7a的下端与图示右侧的第2表电极4间连接的外侧转弯部7b、以及于X方向上延伸而将引伸部7a的上端与调整部8间连接的内侧转弯部7c，这些外侧转弯部7b与内侧转弯部7c的图案宽度设定为与第1弯折部6相同。其中，引伸部7a的图案宽度设定为比第1弯折部6的引伸部6a的图案宽度更宽(约2倍)。
调整部8形成为比第1弯折部6及第2弯折部7的图案宽度更宽的矩形状，于该调整部8的相对向的上端侧边上连接有第1弯折部6的内侧转弯部6c与第2弯折部7的内侧转弯部7c。而且，从调整部8的上边起沿着Y方向形成2条第1修整槽9，将这些第1修整槽9延伸为I切口形状而延长电阻体5的电流路径，由此以电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整。此外，若将此种第1修整槽9形成于调整部8上，则形成为具有2个弯折部6,7的印刷形状的电阻体5成为弯折3个转弯的形状，因此可与其相应地延长电阻体5的全长。
但，形成于调整部8上的第1修整槽9的数量并不限定为2条，亦可为1条或3条以上。在该情形时，若以形成第1修整槽9后的调整部8的电流路径宽度比由印刷所规定的未形成修整槽的电流路径宽度(6a,6b,6c,7b,7c)的最小图案宽度更宽的方式形成第1修整槽9，则可使图案内的负荷集中，集中于通过印刷而形成的部分，因此即便第1修整槽9产生微裂纹，亦可减少对电阻值的影响。
又，从第2弯折部7中的内侧转弯部7c的上边朝向引伸部7a的内部形成L切口形状的第2修整槽10，该第2修整槽10的前端设定于不超过将外侧转弯部7b与内侧转弯部7c以最短距离连结的虚拟线E的位置。此处，于引伸部7a内电流流动最多的部位为虚拟线E，第2修整槽10形成于第2弯折部7中的电流分布少的区域内，因此伴随第2修整槽10的切入量的电阻值变化量非常少，可通过第2修整槽10，而将电阻体5的电阻值与目标电阻值高精度地微调整成一致。
此外，第2修整槽10的形状并不限定为L切口，亦可为I切口形状的第2修整槽10。在该情形时，若以形成第2修整槽10后的第2弯折部7的引伸部7a的电流路径宽度比由印刷所规定的未形成修整槽的电流路径宽度(6a,6b,6c,7b,7c)的最小图案宽度更宽的方式形成第2修整槽10，则可使图案内的负荷集中，集中于通过印刷而形成的部分，因此即便第1修整槽9产生微裂纹，亦可减少对电阻值的影响。
其次，参照图2，对如上所述构成的晶片电阻器1的制造步骤进行说明。
首先，准备可撷取多数个绝缘基板2的大型基板。在该大型基板上预先以格子状设置有纵横延伸的1次分割槽及2次分割槽，由两分割槽所划分的网格的每一个成为1个晶片区域。图2中代表性示出相当于1个晶片区域的大型基板2A，实际上对相当于多数个量的晶片区域的大型基板，总括地进行以下所说明的各步骤。
即，如图2(a)所示，在该大型基板2A的表面上网版印刷Ag系膏后，将其进行干燥·烧结而形成成对的第1表电极3及第2表电极4(表电极形成步骤)。此外，与该电极形成步骤同时或者前后，在大型基板2A的背面网版印刷Ag系膏后，将其进行干燥·烧结而形成未图示的背电极(背电极形成步骤)。
其次，如图2(b)所示，通过在大型基板2A的表面网版印刷Cu-Ni或氧化钌等电阻体膏，进行干燥·烧结，从而形成长边方向的两端部重叠于第1表电极3及第2表电极4上的电阻体5(电阻体形成步骤)。该电阻体5具有：与第1表电极3连接的第1弯折部6、与第2表电极4连接的第2弯折部7、以及位于第1表电极3与第2表电极4的间的矩形状的调整部8，且该第1表电极3与第2表电极4及调整部8相互连续而形成曲折形状。
此处，图2中，若将2次分割槽的延出方向设为X方向，且将1次分割槽的延出方向设为Y方向，则第1弯折部6具有：于Y方向上延伸的引伸部6a、于X方向上延伸而将引伸部6a的下端与图示左侧的第1表电极3间连接的外侧转弯部6b、以及于X方向上延伸而将引伸部6a的上端与调整部8的上端左侧边间连接的内侧转弯部6c。又，第2弯折部7具有：于Y方向上延伸的引伸部7a、于X方向上延伸而将引伸部7a的下端与图示右侧的第2表电极4间连接的外侧转弯部7b、以及于X方向上延伸而将引伸部7a的上端与调整部8的上端右侧边间连接的内侧转弯部7c。
其次，通过从电阻体5的上，网版印刷玻璃膏且进行干燥·烧结，而形成覆盖电阻体5的预涂层(图示省略)后，通过从该预涂层的上照射雷射光，而如图2(c)所示，于调整部8形成2条I切口形状的第1修整槽9(第1修整形成步骤)，将电阻体5的电阻值粗调整为较目标电阻值稍低的值。该第1修整槽9是以从调整部8的上边朝向下边而向Y方向延伸的方式形成，通过将此种第1修整槽9形成于调整部8，则电阻体5整体的电流路径变长，因此在该时间点，以具有2个弯折部6,7的方式形成为印刷形状的电阻体5成为弯折3个转弯的曲折形状。此外，形成于调整部8的第1修整槽9的数量并不限定为2条，亦可为1条或3条以上。
继而，如图2(d)，于第2弯折部7形成L切口形状的第2修整槽10(第2修整形成步骤)，微调整成电阻体5的电阻值与目标电阻值一致。该第2修整槽10是以从引伸部7a的上边朝向下边而向Y方向延伸的方式形成，但注意使其前端不超过将外侧转弯部7b与内侧转弯部7c以最短距离连结的虚拟线E。此处，形成第2修整槽10的部位是第2弯折部7中的电流分布少的区域，该区域由于相对于修整量的电阻值变化量非常少，故而可利用第2修整槽10来高精度地微调整电阻体5的电阻值。此外，只要第2修整槽10的前端不超过虚拟线E，则第2修整槽10的形状并不限定为L切口，亦可为I切口形状的第2修整槽10。
其次，通过从第1修整槽9与第2修整槽10之上，网版印刷环氧系的树脂膏且进行加热硬化，从而形成覆盖电阻体5整体的未图示的保护涂层(保护涂层形成步骤)。
至此的各步骤是对于撷取多数个用的大型基板2A的批次处理，下一步骤中，通过进行将大型基板2A沿着1次分割槽而分割为长条状的1次断裂加工，而获得设置有多个晶片区域的未图示的长条状基板(1次分割步骤)。继而，于长条状基板的分割面涂布Ag膏，进行干燥·烧结，或代替Ag膏而溅镀Ni/Cr，由此形成将第1及第2表电极3,4与所对应的背电极桥接的未图示的端面电极(端面电极形成步骤)。
然后，通过进行将长条状基板沿着2次分割槽而分割的2次断裂加工，从而获得与晶片电阻器1同等大小的晶片单体(2次分割步骤)。最后，对单片化的各晶片单体的绝缘基板2的长边方向两端部实施Ni与Au或Sn等的电镀，形成将端面电极与背电极以及从保护涂层露出的第1及第2表电极3,4加以覆盖的未图示的外部电极，由此获得如图1所示的晶片电阻器1。
如以上所说明，第1实施方案的晶片电阻器1中，印刷形成第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状的调整部8而连续的曲折形状的电阻体5后，于调整部8形成第1修整槽9，由此延长电阻体5的电流路径而提高突波特性，并且可以使电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整，然后于第2弯折部7中的电流分布少的区域形成第2修整槽10，由此，可以随着第2修整槽10的切入量，将电阻体的电阻值微调整成与目标电阻值一致，因此可提高突波特性，且可高精度地调整电阻值。
图3是本发明的第2实施方案的晶片电阻器20的平面图，对与图1对应的部分标注同一符号，由此适当省略重复的说明。
该第2实施方案与第1实施方案的不同之处在于，通过第1修整槽9的形成而变窄的调整部8的图案宽度与第1弯折部6的图案成为相同程度，其以外的构成与图1所示的晶片电阻器1基本上相同。
即，如图3所示，印刷为矩形状的调整部8通过形成1条第1修整槽9而成为弯折形状，若将第1弯折部6的图案宽度设为W，则形成第1修整槽9之前的调整部8的宽度尺寸成为约2W。然后，于调整部8的中央部形成I切口形状的第1修整槽9来进行电阻值的粗调整，由此，矩形状的调整部8成为弯折形状，宽度尺寸成为一半的约W。
以上述方式构成的第2实施方式的晶片电阻器20中，通过在印刷为矩形状的调整部8上形成第1修整槽9，而从第1弯折部6起，经过调整部8而到达第2弯折部7的内侧转弯部7c的部分成为大致相同程度的图案宽度W，因此可将热点分散而向电阻体5的图案整体均热化。
此外，第2实施方案的晶片电阻器20中，亦可将形成于调整部8上的第1修整槽9的数量设为2条以上，在该情形时，只要根据第1修整槽9的条数来变更印刷形成时的调整部8的宽度尺寸即可。
又，上述各实施方式中，从第2弯折部7中的内侧转弯部7c的上边朝向引伸部7a的内部而形成第2修整槽10，但只要第2修整槽10的前端不超过将外侧转弯部7b与内侧转弯部7c以最短距离连结的虚拟线E，则亦可从第2弯折部7中的外侧转弯部7b的下边朝向引伸部7a的内部而形成第2修整槽10。
又，上述各实施方案中，已对在隔着调整部8而连续的一对第1弯折部6及第2弯折部7中的与第2表电极4连接的第2弯折部7上形成第2修整槽10的情形进行说明，但亦可在与第1表电极3连接的第1弯折部6上形成第2修整槽10而将电阻值进行微调整，在该情形时，优选为将第1弯折部6中的引伸部6a的图案宽度设定为比第2弯折部7中的引伸部7a的图案宽度更宽。
又，上述各实施方案中，与第1表电极3及第2表电极4连接的电阻体5的2个连接部此两者均成为转弯形状的第1弯折部6及第2弯折部7，但亦可使任一个连接部不弯曲为转弯形状，而成为直线形状。即，图1所示的晶片电阻器1中，亦可省略第1弯折部6的引伸部6a及外侧转弯部6b，而设为将第1表电极3与调整部8间以于X方向上延伸的内侧转弯部6c来连接的构成。
附图标记说明
1、20：晶片电阻器
2：绝缘基板
2A：大型基板
3：第1表电极
4：第2表电极
5：电阻体
6：第1弯折部
6a：引伸部
6b：外侧转弯部
6c：内侧转弯部
7：第2弯折部
7a：引伸部
7b：外侧转弯部
7c：内侧转弯部
8：调整部
9：第1修整槽
10：第2修整槽
E：将外侧转弯部与内侧转弯部以最短距离连结的虚拟线

Claims (3)

1.一种晶片电阻器，其具备绝缘基板、于该绝缘基板上存在既定间隔而对向配置的一对电极、以及将该一对电极间桥接的电阻体，且通过在上述电阻体上形成修整槽而调整电阻值，其特征在于：
上述电阻体由连接于上述一对电极的连接部、与位于两连接部间的矩形状的调整部连续的印刷形成体构成，且至少一个上述连接部成为转弯形状的弯折部；
于上述调整部形成有延长上述电阻体的电流路径的粗调整用的第1修整槽，且于上述弯折部形成微调整用的第2修整槽；
当将上述一对电极的电极间方向设为X方向，且将与该X方向正交的方向设为Y方向时，上述弯折部包含：于Y方向上延伸的引伸部、于X方向上延伸而将上述引伸部的一端与上述电极间连接的外侧转弯部、以及于X方向上延伸而将上述引伸部的另一端与上述调整部间连接的内侧转弯部；并且
上述第2修整槽将上述外侧转弯部及上述内侧转弯部中的任一者作为始端位置而于Y方向上延伸，并且其前端未到达于上述引伸部内电流流动最多的部位的虚拟线。
2.根据权利要求1所述的晶片电阻器，其中
一对上述连接部的两者均成为转弯形状的弯折部，且上述第2修整槽形成于任一个上述弯折部上。
3.一种晶片电阻器的制造方法，其具备绝缘基板、于该绝缘基板上存在既定间隔而对向配置的一对电极、以及将该一对电极间桥接的电阻体，且通过在述电阻体上形成修整槽而调整电阻值的晶片电阻器的制造方法，其特征在于：
上述电阻体由连接于上述一对电极的连接部、与位于两连接部间的矩形状的调整部连续的印刷形成体构成，且至少一个上述连接部成为转弯形状的弯折部；
当将上述一对电极的电极间方向设为X方向，且将与该X方向正交的方向设为Y方向时，上述弯折部具有：于Y方向上延伸的引伸部、于X方向上延伸而将上述引伸部的一端与上述电极间连接的外侧转弯部、以及于X方向上延伸而将上述引伸部的另一端与上述调整部间连接的内侧转弯部；并且
于上述调整部形成延长上述电阻体的电流路径的粗调整用的第1修整槽后，形成将上述外侧转弯部及上述内侧转弯部中的任一者作为始端位置而于Y方向上延伸的微调整用的第2修整槽，且将该第2修整槽的前端设定于未到达于上述引伸部内电流流动最多的部位的虚拟线的位置。
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