CN107077933A - 电阻体的修整方法 - Google Patents
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Abstract
为了提供一种能进行超高精度的电阻值调整且生产效率良好的电阻体的修整方法,使探针接触一对表电极(3)来测量电阻体(4)的电阻值,并对远离电阻体(4)的开始点(S1)照射激光,扫描该激光的照射位置,形成沿着与电阻体(4)的电流方向正交的方向延伸的第1修整槽(5),之后,将激光的照射位置从第1修整槽(5)的结束点(第1转弯点(T1))返回规定量来作为第2转弯点(T2),通过以该第2转弯点(T2)作为开始点来扫描切割第2修整槽(6),从而将电阻体(4)的电阻值高精度地调整为目标电阻值。
Description
技术领域
本发明涉及通过对电阻体照射激光来形成修整槽从而调整电阻值的电阻体的修整方法。
背景技术
贴片电阻器主要由如下等部分构成,即:长方体形状的绝缘基板;一对表电极,该一对表电极在绝缘基板的表面具有规定间隔,并相对地配置在绝缘基板的表面;一对背电极,该一对背电极在绝缘基板的背面具有规定间隔,并相对地配置在绝缘基板的背面;端面电极,该端面电极桥接表电极与背电极;电阻体,该电阻体使成对的表电极彼此桥接;以及保护层,该保护层覆盖电阻体。
一般情况下,在制造这样的贴片电阻器时,在大尺寸的集合基板上一并形成多个电极、电阻体、保护层等,之后沿栅格状的分割线(例如分割槽)分割该集合基板来获取多个贴片电阻器。在上述贴片电阻器的制造过程中,在集合基板的单面上通过对电阻糊料进行印刷·烧成从而形成多个电阻体,然而受到印刷时的位置偏移、渗漏、或烧成炉内的温度不均匀等影响,很难避免各电阻体的大小或膜厚产生若干偏差这一情况,因此,进行如下电阻值调整操作:即,在集合基板的状态下,在各电阻体上形成修整槽来设定为所希望的电阻值。修整槽是利用激光的照射而形成的狭缝,作为其狭缝形状,被称为“L切割”或“直线切割”的形状成为主流,然而为了得到超高精度的电阻值,也提出了采用了被称为“扫描切割”的修整方法的电阻器(例如,参照专利文献1)。
图5是上述专利文献1所公开的贴片电阻器10的俯视图,该贴片电阻器10包括:在绝缘基板11上具有规定间隔,并相对地配置在绝缘基板11上的一对表电极12;以及在该表电极12之间进行桥接的长方形的电阻体13等,在电阻体13上形成有倒U字形的修整槽14。贴片电阻器10的电阻值由形成了修整槽14后的电阻体13来进行规定,电阻体13被该修整槽14分割为主体部13a与分离部13b这两部分。以下,基于图6对形成这种形状的修整槽14的步骤进行说明。
首先,如图6(a)所示,使一对表电极12与测量端子(探针)相接触来测量电阻体13的电阻值,并对远离绝缘基板11上的电阻体13的部位(起始点)S1照射激光。此时,为了防止因位置偏移而引起的对电阻体13的计划外的损伤,将起始点S1设定在稍微远离电阻体13的位置,例如,设定在相邻的电阻体13的中间部分(图6中的分割线上)。如图6(b)所示,使该激光的照射位置从起始点S1朝着电阻体13的一个侧面,即朝着图中的正上方进行扫描,之后,如图6(c)所示,直接沿电阻体13的内部延伸,形成与电流方向正交的直线状的狭缝15。通过该狭缝15,电阻体13的电阻值逐渐上升,使电阻值上升到测量电阻值在某种程度上低于目标电阻值为止,之后,如图6(d)所示,通过在第1转向点T1对狭缝15进行90°方向转换来使狭缝15沿着与电流方向平行的方向延伸,从而使电阻值进一步上升。然后,如图6(e)所示,通过在第2转弯点T2对狭缝15进行朝着下方90°的方向转换来形成倒U字形的修整槽14,从而将电阻体13分割为主体部13a与分离部13b这两部分。在该时刻电阻体13的电阻值被调整为稍低于目标电阻值的值(低1%~低5%左右),接着,如图6(f)所示,通过对修整槽14的主体部13a侧照射激光来缓慢地切割(扫描切割)主体部13a,从而相对于目标电阻值以极高精度来调整电阻体13的电阻值。
根据上述修整方法,通过在电阻体13的一部分设置修整为倒U字形后的分离部13b来对电阻值进行粗调,因此电阻值的粗调所需的时间能变短,并通过缓慢地线状扫描切割、扩大倒U字形的狭缝来对粗调后的电阻值进行微调,因此能迅速且精密地对电阻体13的电阻值进行调整。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平4-168702号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
专利文献1中所公开的现有修整方法中,进行如下调整,即,通过在电阻体上形成倒U字形的狭缝来将电阻值粗调为比目标电阻值稍低的值(低1%~低5%左右),之后,通过扫描切割并扩大该狭缝来进行微调,从而使得电阻值与目标电阻值一致。因此,对从电阻体的一个侧面向着与电流方向正交的方向延伸的狭缝进行修整时,根据因第1转弯点T1后的狭缝所引起的电阻值变化量(上升量),在进行修整直到成为比目标电阻值低10%左右的值之后,需要在第1转弯点T1进行方向转换。因此,若形成修整槽前的电阻值(初始电阻值)比目标电阻低了10%后的值更低(例如低20%),则在该电阻体上修整出倒U字形的狭缝来将电阻值粗调至低1%~低5%左右,之后,能扫描切割该狭缝来对电阻值进行超高精度的调整。
然而,在大尺寸的集合基板上一并形成多个电阻体的关系上,并不限于所有电阻体的初始电阻值比目标电阻值低了10%后的值更低,因电阻体的印刷条件或烧成条件等偏差,有时存在如下情况:即,集合基板中的一部分电阻体的初始电阻值变得比目标电阻值低了10%后的值要高。在进行这样的电阻体的电阻值调整时成为T1=S1,如图7(a)所示,在电阻体中并未形成倒U字形的狭缝而突然从起始点S1开始进行扫描切割,因此如图7(b)所示,成为对不存在电阻体的基板部分进行扫描,对电阻体进行修整所需的扫描切割的时间也变得非常长。因此,只要在集合基板中存在一个这样的电阻体,即使能对除此以外的电阻体迅速地进行修整,也存在如下问题:即,从集合基板的整体来看,进入下一工序为止的待机时间变长,生产效率下降。
本发明鉴于上述现有技术的实际情况而完成,其目的在于提供一种能够进行超高精度的电阻值调整且生产效率良好的电阻体的修整方法。
解决技术问题的技术方案
为了达到上述目的,本发明中,包括:绝缘基板;一对表电极,该一对表电极设置于该绝缘基板的表面;以及电阻体,该电阻体与该一对表电极相连接,在该电阻体的修整方法中,以对所述电阻体照射激光来形成修整槽从而调整电阻值,从未与所述电阻体的所述表面电极相连接的一个侧面向另一个侧面直线状地照射所述激光来形成第1修整槽,之后,以从该第1修整槽的结束点返回规定量后的位置作为开始点,通过向与所述第1修整槽交叉的方向照射所述激光并扫描,从而形成至少包含所述第1修整槽的结束点且宽度较宽的第2修整槽。
这样的电阻体修整方法中,从第1修整槽的结束点返回规定量后的位置起开始扫描切割,该位置是电极间方向上电阻值变化量较少的部分,因此作为规定了第1修整槽的结束点的转向点上的测量电阻值,能减少转弯点之后的电阻值的上升量,转弯点能接近扫描切割开始点上的电阻值(例如为比目标电阻值低1%~5%左右)。因此,即使在开始修正前的初始电阻值较高的情况下(例如为比目标电阻值低7%左右),突然开始扫描切割这一情况会变少,能通过扫描切割实现超高精度的电阻值调整并提高生产效率。
发明效果
根据本发明的电阻体的调整方法,能通过扫描切割电阻体来进行超高精度的电阻值调整,并能防止扫描切割所需的加工时间变长,能提高生产效率。
附图说明
图1是适用本发明实施方式1所涉及的修整方法的贴片电阻器的俯视图。
图2是示出实施方式1所涉及的修整方法的说明图。
图3是示出本发明实施方式2所涉及的修整方法的说明图。
图4是示出本发明实施方式3所涉及的修整方法的说明图。
图5是适用现有例所涉及的修整方法的贴片电阻器的俯视图。
图6是示出现有例所涉及的修整方法的说明图。
图7是示出现有例的问题点的说明图。
具体实施方式
参照附图对发明的实施方式进行说明,如图1所示,适用本发明实施方式1所涉及的修整方法的贴片电阻器1主要由如下部分组成:即,长方体形状的绝缘基板2;一对表电极3,该一对表电极3设置于绝缘基板2表面的长边方向的两个端部;长方形的电阻体4,该长方形的电阻体4与上述一对表电极3相连接;以及未图示的保护层等,该保护层覆盖该电阻体4。电阻体4上形成有T字形的修整槽7,该修整槽7由第1修整槽5与第2修整槽6构成,利用该修整槽7来调整电阻体4的电阻值。另外,虽然省略了图示,但在绝缘基板2的背面以与表电极3相对应的方式设置有一对背电极,在绝缘基板2的长边方向的两个端面设置有将对应的表电极与背电极进行桥接的端面电极。
绝缘基板2例如由陶瓷等构成,该绝缘基板2通过沿着纵横延伸的初级分割槽与次级分割槽分割后述的大尺寸集合基板来获取多个。一对表电极3通过对Ag糊料进行丝网印刷并进行干燥·烧成来形成,电阻体4通过对氧化钌等电阻体糊料进行丝网印刷并行干燥·烧成来形成。
第1修整槽5是从电阻体4的一个侧面(图的下边)向上方呈直线状延伸的宽度较窄的狭缝,第1修整槽5的延伸方向与流过电阻体4的电流方向正交。第2修整槽6是沿着与电流方向平行的方向延伸的宽度较宽的狭缝,第1修整槽5的结束点位于第2修整槽6的内部。详细情况将在后文阐述,第1修整槽5是扫描切割电阻体4来形成的,第2修整槽6是扫描切割包含第1修整槽5的前端部的区域来形成的。
接着,参照图2对如上述那样构成的贴片电阻1中的修整方法进行说明。另外,图2中仅示出了相当于1个贴片的绝缘基板2,然而实际上,由于一并制造多个贴片电阻器1,因此在多个获取用的集合基板上设置有多个贴片形成区域。此外,在图2中,箭头X1-X2示出了流过电阻体4的电流方向(即电极间方向),箭头Y1-Y2示出了与电流方向正交的方向。
首先,如图2(a)所示,使一对表电极3与测量端子(探针)相接触来测量电阻体4的电阻值,并对绝缘基板2上的远离电阻体4的部位(起始点)S1照射激光。如图2(b)所示,使该激光的照射位置从起始点S1朝着电阻体4的一个侧面,即朝着图中的正上方(Y1方向)扫描,之后,如图2(c)所示,直接沿电阻体4的内部延伸,形成与电流方向正交的直线状的第1修整槽5。另外,虽然省略了图示,但电阻体4被底涂层(保护层)覆盖,通过在该底涂层上照射激光来形成第1修整槽5。
通过使该第1修整槽5沿Y1方向延伸,电阻体4的电阻值逐渐上升,使电阻值上升到在某种程度上低于目标电阻值的值(例如低7%左右)为止,之后,以第1修整槽5的结束点(前端)为第1转向点T1,将激光的照射位置从第1转向点T1朝着起始点S1的方向(Y2方向)返回规定量。
如图2(d)所示,将该返回后的位置作为第2转向点T2来对激光的扫描方向进行90°方向转换,从而形成沿与第1修整槽5正交的方向(X1-X2方向)延伸的第2修整槽6,之后,进行扫描切割,使得该第2修整槽6的狭缝宽度朝着Y1方向扩大。由此,如图2(e)所示,形成有覆盖第1修整槽5的结束点(第1转向点T1)的宽度较宽的第2修整槽6,若在使电阻值上升到与目标电阻值一致的时刻停止激光的照射,则在电阻体4上形成了T字形的修整槽7,修整工序结束。
此处,第2转弯点T2是从第1修整槽5的结束点(第1转弯点T1)朝着开始点S1方向返回了规定量后的位置,该位置是电极间方向上电阻值变化量较少的部分,因此可以不像以往那样将第1修整槽5的结束点设定为比目标电阻值低10%左右,在测量电阻值上升到比目标电阻值低了10%要高的值,例如上升到比目标电阻值低了7%左右后的值的时刻,能够结束第1修整槽5的修整并转移至第2修整槽6的扫描切割。因此,即使在开始修正前的初始电阻值较高的情况下,突然开始扫描切割这一情况也会变少,能通过扫描切割实现超高精度的电阻值调整并提高生产效率。
另外,对于集合基板上的所有电阻体4进行这样的修整工序(电阻值调整作业)之后,通过以覆盖上述的底涂层、电阻体4以及修整槽7等的方式对环氧类等树脂糊料进行丝网印刷并进行加热固化,从而形成外涂层,并构成为具有2层结构的保护层。接着,对集合基板进行初次分割来得到长条形基板,之后,在该长条形基板的分割面上形成端面电极来桥接表电极3与背电极,然后,对长条形基板进行二次分割来获取多个如图1所示的贴片电阻器1。
如上所述,本发明第1实施例所涉及的电阻体的修整方法中,从由第1修整槽5的结束点(第1转弯点T1)返回了规定量后的位置(第2转弯点T2)起开始第2修整槽6的扫描切割,该位置是电极间方向上电阻值变化量较少的部分,因此,作为规定了第1修整槽5的结束点的转向点T1上的测量电阻值,能减少转弯点之后的电阻值的上升量,因此,转弯点能接近扫描切割充的开始点上的电阻值(例如为比目标电阻值低1%~5%左右)。因此,即使在开始修正前的初始电阻值较高的情况下(例如为比目标电阻值低7%左右),突然开始扫描切割这一情况也会变少,能通过扫描切割实现超高精度的电阻值调整并提高生产效率。而且,从第1修整槽5的直线切割到第2修整槽6的扫描切割能连续地进行激光照射,因此通过这一点,也能够缩短修整槽7的形成所需要的加工时间。
另外,上述第1实施例中,对如下修整方法进行了说明:即,以从第1修整槽5的结束点返回规定量后的位置作为开始点,通过使第2修整槽6沿与第1修整槽5正交的方向延伸来进行扫描切割,从而在整体上形成T字形的修整槽7,然而构成修整槽7的第1修整槽5与第2修整槽6的整体形状不是T字形也行。
例如,如图3所示的第2实施例那样,也可以将从第1修整槽5的结束点返回规定量后的位置作为开始点,通过在第1修整槽5图示的右侧区域扫描切割第2修整槽6,从而形成整体呈L字形的修整槽7。或者,如图4所示的第3实施例那样,也可以将从第1修整槽5的结束点返回规定量后的位置作为开始点,圆弧形地扫描切割第2修整槽6来形成修整槽7。
标号说明
1 贴片电阻器
2 绝缘基板
3 表电极
4 电阻体
5 第1修整槽
6 第2修整槽
7 修整槽
S1 开始点
T1 第1转弯点
T2 第2转弯点
Claims (1)
1.一种电阻体的修整方法,
包括:绝缘基板;一对表电极,该一对表电极设置于该绝缘基板的表面;以及电阻体,该电阻体与该一对表电极相连接,在该电阻体的修整方法中,以对所述电阻体照射激光来形成修整槽从而调整电阻值,该电阻体的修整方法的特征在于,
从未与所述电阻体的所述表面电极相连接的一个侧面向另一个侧面直线状地照射所述激光来形成第1修整槽,之后,以从该第1修整槽的结束点返回规定量后的位置作为开始点,通过向与所述第1修整槽交叉的方向照射所述激光并进行扫描,从而形成至少包含所述第1修整槽的结束点且宽度较宽的第2修整槽。
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