JP2003031405A - 抵抗体のトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速かつ確実に抵抗体をトリミングすること
ができ、トリミング後の抵抗体の耐サージ特性が良好で
ある、抵抗体のトリミング方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基板１０上の電極１２ａおよび１２
ｂをまたぐ抵抗体１４には、まず、第１のスリット１６
ａが、電極１２ａの端部からの距離Ｄが０．４ｍｍの位
置で電極１２ａに平行に形成される。そして、抵抗体１
４には、第２のスリット１６ｂが、第１のスリット１６
ａに連続して電極１２ｂに向けて形成される。第１のス
リット１６ａおよび第２のスリット１６ｂによって、略
Ｌ字状のスリット１６が形成される。さらに、別の略Ｌ
字状のスリット１８、２０、２２および２４が略Ｌ字状
のスリット１６に連続して形成されることによって、電
極１２ａおよび１２ｂ間の抵抗値が調整される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は抵抗体のトリミン
グ方法に関し、特に、絶縁基板上に設けられた一対の電
極間に形成された抵抗体をレーザーでトリミングして電
極間の抵抗値を調整する抵抗体のトリミング方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１１は抵抗体のトリミング方法の従来
例を示す平面図であり、図１２は抵抗体のトリミング方
法の他の従来例を示す平面図であり、図１３〜図１７は
それぞれ抵抗体のトリミング方法のさらに他の従来例を
示す平面図である。図１１〜図１７に示す従来例では、
それぞれ、矩形板状の絶縁基板１の一方主面上に、帯状
の一対の電極２ａおよび２ｂが間隔を隔てて平行に形成
されている。また、絶縁基板１の一方主面上には、矩形
膜状の抵抗体３が一対の電極２ａおよび２ｂをまたぐよ
うに形成されている。そして、図１１に示す従来例で
は、複数のスリット４が、抵抗体３の一端縁から電極２
ａおよび２ｂに平行に直線状にトリミングすることによ
って形成される。図１２に示す従来例では、スリット４
が、抵抗体３の一端縁から電極２ａに平行に形成されさ
らに中間部で直角状に折れるように形成され、略Ｌ字状
にトリミングすることによって形成される。図１３に示
す従来例では、スリット４が、抵抗体３の一端縁から略
Ｌ字状に形成されさらに抵抗体３の一端縁側に戻るよう
に形成され、略コ字状にトリミングすることによって形
成される。図１４に示す従来例では、スリット４が、抵
抗体３の一端縁から略Ｊ字状にトリミングすることによ
って形成される。図１５に示す従来例では、スリット４
が、電極２ａおよび２ｂ間において抵抗体３の一端縁か
らスキャンカットすることによって形成される。図１６
に示す従来例では、スリット４が、抵抗体３の一端縁の
電極２ａ側から電極２ｂ側に略Ｕ字状にトリミングする
ことによって形成される。図１７に示す従来例では、ス
リット４が、抵抗体３の電極２ａ、２ｂの一部も含んだ
状態で、直線状にトリミング（リーンカット）すること
によって形成される。図１１〜図１７に示す従来例で
は、それぞれ、抵抗体３をトリミングしてスリット４を
形成することによって、電極２ａおよび２ｂ間の抵抗値
が調整される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示す従来例で
は、雷サージ試験を実施した場合、スリット４の端部に
電界が集中するため、スリット４の端部から抵抗体３に
クラックが発生し、電極２ａおよび２ｂ間の抵抗値がサ
ージ前後で大きく変化する。また、図１２〜１３に示す
従来例でも、雷サージ試験においてサージ前後の抵抗値
変化率が平均３．３５０％と大きく、大きな効果を期待
することができない。図１５に示す従来例では、スキャ
ンカットによりスリット４を形成するので、耐サージ特
性は良好となり、効果的なトリミング方法といえるが、
トリミングに要する時間が相当長いため、製品コストを
引上げる原因となっていた。図１６に示す従来例では、
図１５に示す従来例の耐サージ特性を維持した状態でト
リミングを高速化したものであるが、抵抗体３の初期値
のばらつきによって略Ｕ字状にトリミングする途中でト
リミングが終了してしまい、略Ｊ字状のスリット（図１
４と同様の形状）になってしまうおそれがある。図１７
に示す従来例では、抵抗体３を電極２ａ、２ｂも含めて
トリミングする手法であり、図１６に示す従来例と同様
に、耐サージ特性を維持したままトリミングを高速化し
たものである。しかし、図１７に示す従来例では、両電
極２ａ、２ｂと抵抗体３とを完全にカットするために
は、トリミングに関しプログラム的に難易度が高く、か
つ電極２ａ、２ｂが完全にカットされないことがあり、
その結果、電気的に抵抗の並列接続を構成するおそれが
あり、信頼性に欠ける。

【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、高
速かつ確実に抵抗体をトリミングすることができ、トリ
ミング後の抵抗体の耐サージ特性が良好である、抵抗体
のトリミング方法を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる抵抗体
のトリミング方法は、絶縁基板上に設けられた一対の電
極間に形成された抵抗体をレーザーでトリミングして一
対の電極間の抵抗値を調整する抵抗体のトリミング方法
であって、抵抗体において、一対の電極のうちの一方の
電極から０．４ｍｍ以内の位置の一端縁から一対の電極
に平行に第１のスリットを形成し、第１のスリットに連
続して一対の電極のうちの他方の電極に向けて第１のス
リットに対して直交状に第２のスリットを形成すること
によって、略Ｌ字状のスリットを形成する工程と、抵抗
体において、略Ｌ字状のスリットを形成した部分から一
対の電極に平行に抵抗体の他端縁に向かってずらした部
分に、略Ｌ字状のスリットに連続して少なくとも１つの
別の略Ｌ字状のスリットを形成する工程とを含む、抵抗
体のトリミング方法である。この発明にかかる抵抗体の
トリミング方法では、抵抗体において、略Ｌ字状のスリ
ットと他方の電極との間の一端縁から一対の電極に平行
に抵抗値微調整用スリットを形成する工程を含んでもよ
い。また、この発明にかかる抵抗体のトリミング方法で
は、抵抗体において、略Ｌ字状のスリットと一方の電極
との間の一端縁から一対の電極に平行に抵抗値微調整用
スリットを形成する工程を含んでもよい。さらに、この
発明にかかる抵抗体のトリミング方法は、絶縁基板上に
設けられた一対の電極間に形成された抵抗体をレーザー
でトリミングして一対の電極間の抵抗値を調整する抵抗
体のトリミング方法であって、抵抗体において、一対の
電極のうちの一方の電極から０．４ｍｍ以内の位置の一
端縁から一対の電極に平行に第１のスリットを形成し、
第１のスリットに連続して一対の電極のうちの他方の電
極に向けて第１のスリットに対して直交状に第２のスリ
ットを形成することによって、第１の略Ｌ字状のスリッ
トを形成する工程と、抵抗体において、一対の電極のう
ちの他方の電極から０．４ｍｍ以内の位置の一端縁から
一対の電極に平行に第３のスリットを第１のスリットよ
り長く形成し、第３のスリットに連続して一対の電極の
うちの一方の電極に向けて第３のスリットに対して直交
状に第４のスリットを形成することによって、第２の略
Ｌ字状のスリットを形成する工程と、抵抗体において、
第１の略Ｌ字状のスリットを形成した部分から一対の電
極に平行に抵抗体の他端縁に向かってずらした部分に、
第１の略Ｌ字状のスリットに連続して少なくとも１つの
別の第１の略Ｌ字状のスリットを形成する工程と、抵抗
体において、第２の略Ｌ字状のスリットを形成した部分
から一対の電極に平行に抵抗体の他端縁に向かってずら
した部分に、第２の略Ｌ字状のスリットに連続して少な
くとも１つの別の第２の略Ｌ字状のスリットを形成する
工程とを含む、抵抗体のトリミング方法である。なお、
この発明にかかる抵抗体のトリミング方法においては、
０．４ｍｍ以内とは０ｍｍを含まないものとする。

【０００６】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法
では、抵抗体に形成されるスリットの形状を略Ｌ字状の
集合体とすること、およびスリットの開始ポイントを電
極から０．４ｍｍ以内の位置に設定することの相乗効果
によって、抵抗体のスリットの端部での電界の集中が低
減される。そのため、この発明にかかる抵抗体のトリミ
ング方法では、高速かつ確実に抵抗体をトリミングする
ことができ、トリミング後の抵抗体の耐サージ特性が良
好である。

【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【０００８】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１はこの発明にか
かる抵抗体のトリミング方法の一例の一工程を示す平面
図であり、図２は他の工程を示す平面図であり、図３〜
図５はそれぞれさらに他の工程を示す平面図である。図
１〜図５に示す実施例１では、絶縁基板１０が、アルミ
ナで矩形板状に形成されている。また、絶縁基板１０の
一方主面上の両側には、帯状の一対の電極１２ａおよび
１２ｂが、間隔を隔てて平行に形成されている。これら
の電極１２ａおよび１２ｂは、Ｃｕで形成されている。
さらに、絶縁基板１０の一方主面上には、厚膜状の抵抗
体１４が、２つの電極１２ａおよび１２ｂをまたぐよう
に形成されている。この抵抗体１４は、ＲｕＯ₂ 系サー
メット抵抗材料からなり、平面形状が長さ１．０ｍｍで
幅１．０ｍｍに形成されている。

【０００９】実施例１では、まず、抵抗体１４には、図
１に示すように、抵抗体１４の一端縁から電極１２ａお
よび１２ｂに平行に直線状に抵抗体１４をレーザーでト
リミングすることによって、直線状の第１のスリット１
６ａが形成される。この場合、第１のスリット１６ａ
は、電極１２ａの端部からの距離Ｄが０．４ｍｍとされ
る。すなわち、第１のスリット１６ａは、電極１２ａの
端部から０．４ｍｍの位置に形成される。そして、抵抗
体１４には、図２に示すように、直線状の第２のスリッ
ト１６ｂが、第１のスリット１６ａの端部に連続して電
極１２ｂに向けて第１のスリット１６ａに対して直交状
に形成される。抵抗体１４には、第１のスリット１６ａ
および第２のスリット１６ｂを形成することによって、
略Ｌ字状のスリット１６が形成される。

【００１０】次に、抵抗体１４には、図３に示すよう
に、別の略Ｌ字状のスリット１８が形成される。この別
の略Ｌ字状のスリット１８は、抵抗体１４において、略
Ｌ字状のスリット１６を形成した部分から電極１２ａお
よび１２ｂに平行に抵抗体１４の他端縁に向かってずら
した部分に、略Ｌ字状のスリット１６に連続して形成さ
れる。この別の略Ｌ字状のスリット１８は、縦方向のス
リットが第１のスリット１６ａと一直線上に形成され、
横方向のスリットが第２のスリット１６ｂに平行に形成
される。

【００１１】そして、抵抗体１４には、図４に示すよう
に、別の略Ｌ字状のスリット２０が形成される。この別
の略Ｌ字状のスリット２０は、別の略Ｌ字状のスリット
１８と同様に、抵抗体１４において、略Ｌ字状のスリッ
ト１６を形成した部分から電極１２ａおよび１２ｂに平
行に抵抗体１４の他端縁に向かってずらした部分に、略
Ｌ字状のスリット１６に連続して形成される。

【００１２】さらに、抵抗体１４には、図５に示すよう
に、別の略Ｌ字状のスリット２２および２４がこの順に
形成される。これらの別の略Ｌ字状のスリット２２およ
び２４も、別の略Ｌ字状のスリット１８と同様に、抵抗
体１４において、略Ｌ字状のスリット１６を形成した部
分から電極１２ａおよび１２ｂに平行に抵抗体１４の他
端縁に向かってずらした部分に、略Ｌ字状のスリット１
６に連続して形成される。

【００１３】そして、実施例１では、電極１２ａおよび
１２ｂ間の抵抗値が所定の抵抗値になるまで、別の略Ｌ
字状のスリット１８、２０、２２および２４に引き続く
別の略Ｌ字状のスリット（図示せず）が形成される。

【００１４】なお、実施例１では、別の略Ｌ字状のスリ
ット１８、２０、２２または２４を形成したときに電極
１２ａおよび１２ｂ間の抵抗値が所定の抵抗値になって
いるなら、それに引き続く別のスリットは形成されな
い。

【００１５】その後、実施例１の抵抗体１４について、
雷サージ試験においてサージ前後の電極１２ａおよび１
２ｂ間の抵抗値変化率を調べた。この場合、試験項目は
雷サージとし、試験条件は８／２０μｓ（電流サー
ジ）、９６Ａ、１０回印加とした。この結果、実施例１
の抵抗体１４については、サージ前後の電極１２ａおよ
び１２ｂ間の抵抗値変化率は目標値としての０．５％以
内と小さかった。耐サージ前後の抵抗値変化率の目標値
を０．５％以内と定めた理由は次のとおりである。耐サ
ージ性が要求される抵抗体を使用するハイブリッドＩＣ
の代表例としては、電話交換機用のハイブリッドＩＣが
ある。この場合、サージにより抵抗値が変化した場合、
会話中に雑音が入るが、抵抗値の変化値が小さいほど雑
音が入らない。そこで、色々なトリミング形状で耐サー
ジ性を評価した結果、本願発明にかかるトリミング形状
が最もサージ前後の抵抗値変化率が小さく、実力レベル
として変化率が０．５％以内だったため、目標値を０．
５％とした。それに対して、比較例として、上述の実施
例１において距離Ｄを０．５ｍｍに広げた場合、サージ
前後の電極間の抵抗値変化率は１〜２％と大きかった。
さらに、従来例として、図１１に示す従来例の場合、サ
ージ前後の電極間の抵抗値変化率が３〜５％とさらに大
きかった。したがって、実施例１では、比較例および従
来例よりトリミング後の抵抗体の耐サージ信頼性を向上
させることができることがわかる。

【００１６】次に、上述の実施例１において、第１のス
リット１６ａの電極１２ａの端部からの距離Ｄと電極１
２ａおよび１２ｂ間のサージ前後の抵抗値変化率との関
係を調べてみた。その結果を表１および図６のグラフに
示す。なお、表１および図６のグラフにおいて、抵抗値
変化率は３回の平均値とした。

【００１７】

【表１】

【００１８】表１および図６のグラフに示す結果から明
らかなように、距離Ｄを０．４ｍｍ以内にすることによ
って、サージ前後の抵抗値変化率を０．５％以下にする
ことができることが分かる。

【００１９】ここで、上述の実施例１において、略Ｌ字
状のスリット１６などのトリミング形状は抵抗体１４の
初期抵抗値によって異なるため、抵抗体１４の初期抵抗
値とトリミング形状との具体例について、図７に示す抵
抗体のトリミング方法の具体例などを用いて説明する。
図７に示す抵抗体１４には、略Ｌ字状のスリット１６と
別の略Ｌ字状のスリット１８が形成される。図７に示す
抵抗体１４の横の長さＬおよび縦の長さＷはそれぞれ
１．０ｍｍであり、図７に示す長さＡおよび長さＤはぞ
れぞれ０．２ｍｍである。そして、表２には、目標値に
対する初期抵抗値（トリミングによる倍率）と、目標値
を得るための図７に示す長さＢ、長さＣおよび寸法Ｅと
の関係を示す。

【００２０】

【表２】

【００２１】図８はこの発明にかかる抵抗体のトリミン
グ方法の他の例を示す平面図である。図８に示す実施例
２では、図１〜図５に示す実施例１と比べて、別の略Ｌ
字状のスリットを形成した後に、直線状の抵抗値微調整
用スリット２６ａが、抵抗体１４において、略Ｌ字状の
スリット１６と電極１２ｂとの間で、抵抗体１４の一端
縁から電極１２ａおよび１２ｂに平行に形成される。

【００２２】図９はこの発明にかかる抵抗体のトリミン
グ方法のさらに他の例を示す平面図である。図９に示す
実施例３では、図１〜図５に示す実施例１と比べて、別
の略Ｌ字状のスリットを形成した後に、直線状の抵抗値
微調整用スリット２６ａが、抵抗体１４において、略Ｌ
字状のスリット１６と電極１２ａとの間で、抵抗体１４
の一端縁から電極１２ａおよび１２ｂに平行に形成され
る。

【００２３】実施例２および実施例３では、実施例１と
比べて、抵抗値微調整用スリット２６ａが形成されるた
め、電極１２ａおよび１２ｂ間の抵抗値を微調整するこ
とができるという別の効果も奏する。

【００２４】図１０はこの発明にかかる抵抗体のトリミ
ング方法のさらに他の例を示す平面図である。図１０に
示す実施例４では、図１〜図５に示す実施例１と同様
に、まず、抵抗体１４には、第１のスリット１６ａおよ
び第２のスリット１６ｂが形成される。抵抗体１４に
は、第１のスリット１６ａおよび第２のスリット１６ｂ
を形成することによって、第１の略Ｌ字状のスリット１
６が形成される。

【００２５】次に、抵抗体１４には、抵抗体１４の一端
縁から電極１２ａおよび１２ｂに平行に直線状に抵抗体
１４をレーザーでトリミングすることによって、直線状
の第３のスリット１７ａが第１のスリット１６ａより長
く形成される。この場合、第３のスリット１７ａは、電
極１２ｂの端部からの距離Ｄ′が０．４ｍｍとされる。
すなわち、第３のスリット１７ａは、電極１２ｂの端部
から０．４ｍｍの位置に形成される。そして、抵抗体１
４には、直線状の第４のスリット１７ｂが、第３のスリ
ット１７ａの端部に連続して電極１２ａに向けて第３の
スリット１７ａに対して直交状に形成される。第４のス
リット１７ｂは、第２のスリット１６ｂより抵抗体１４
の他端縁側で第２のスリット１６ｂに平行に形成され
る。抵抗体１４には、第３のスリット１７ａおよび第４
のスリット１７ｂを形成することによって、第２の略Ｌ
字状のスリット１７が形成される。

【００２６】次に、抵抗体１４には、別の第１の略Ｌ字
状のスリット１８が形成される。この別の第１の略Ｌ字
状のスリット１８は、抵抗体１４において、第１の略Ｌ
字状のスリット１６を形成した部分から電極１２ａおよ
び１２ｂに平行に抵抗体１４の他端縁に向かってずらし
た部分に、第１の略Ｌ字状のスリット１６に連続して形
成される。この別の第１の略Ｌ字状のスリット１８は、
縦方向のスリットが第１のスリット１６ａと一直線上に
形成され、横方向のスリットが第４のスリット１７ｂよ
り抵抗体１４の他端縁側で第２のスリット１６ｂに平行
に形成される。

【００２７】次に、抵抗体１４には、別の第２の略Ｌ字
状のスリット１９が形成される。この別の第２の略Ｌ字
状のスリット１９は、抵抗体１４において、第２の略Ｌ
字状のスリット１７を形成した部分から電極１２ａおよ
び１２ｂに平行に抵抗体１４の他端縁に向かってずらし
た部分に、第２の略Ｌ字状のスリット１７に連続して形
成される。この別の第２の略Ｌ字状のスリット１９は、
縦方向のスリットが第３のスリット１７ａと一直線上に
形成され、横方向のスリットが別の第１の略Ｌ字状のス
リット１８の横方向のスリットより抵抗体１４の他端縁
側で第４のスリット１７ｂに平行に形成される。

【００２８】次に、抵抗体１４には、別の第１の略Ｌ字
状のスリット２０が形成される。この別の第１の略Ｌ字
状のスリット２０は、別の第１の略Ｌ字状のスリット１
８と同様に、抵抗体１４において、第１の略Ｌ字状のス
リット１６を形成した部分から電極１２ａおよび１２ｂ
に平行に抵抗体１４の他端縁に向かってずらした部分
に、第１の略Ｌ字状のスリット１６に連続して形成され
る。この別の第１の略Ｌ字状のスリット２０は、縦方向
のスリットが第１のスリット１６ａと一直線上に形成さ
れ、横方向のスリットが別の第２の略Ｌ字状のスリット
１９の横方向のスリットより抵抗体１４の他端縁側で第
２のスリット１６ｂに平行に形成される。

【００２９】次に、抵抗体１４には、別の第２の略Ｌ字
状のスリット２１が形成される。この別の第２の略Ｌ字
状のスリット２１は、別の第２の略Ｌ字状のスリット１
９と同様に、抵抗体１４において、第２の略Ｌ字状のス
リット１７を形成した部分から電極１２ａおよび１２ｂ
に平行に抵抗体１４の他端縁に向かってずらした部分
に、第２の略Ｌ字状のスリット１７に連続して形成され
る。この別の第２の略Ｌ字状のスリット２１は、縦方向
のスリットが第３のスリット１７ａと一直線上に形成さ
れ、横方向のスリットが別の第１の略Ｌ字状のスリット
２０の横方向のスリットより抵抗体１４の他端縁側で第
４のスリット１７ｂに平行に形成される。

【００３０】そして、実施例４では、電極１２ａおよび
１２ｂ間の抵抗値が所定の抵抗値になるまで、別の第１
の略Ｌ字状のスリット１８、２０および別の第２の略Ｌ
字状のスリット１９、２１に引き続く別の第１の略Ｌ字
状のスリット（図示せず）および別の第２の略Ｌ字状の
スリット（図示せず）が形成される。

【００３１】なお、実施例４では、別の略Ｌ字状のスリ
ット１９、２０または２１を形成したときに電極１２ａ
および１２ｂ間の抵抗値が所定の抵抗値になっているな
ら、それに引き続く別のスリットは形成されない。

【００３２】実施例４でも、実施例１と同様に、トリミ
ング後の抵抗体の耐サージ信頼性を向上させることがで
きる。

【００３３】なお、上述の実施例では、第１のスリット
１６ａが電極１２ａの端部から０．４ｍｍの位置に形成
され、第２のスリット１６ｂが電極１２ｂの端部から
０．４ｍｍの位置に形成されているが、この発明では、
第１のスリット１６ａが電極１２ａの端部から０．４ｍ
ｍ未満（ただし０ｍｍを除く。）の位置に形成されても
よく、また、第２のスリット１６ｂが電極１２ｂの端部
から０．４ｍｍ未満（ただし０ｍｍを除く。）の位置に
形成されてもよい。

【００３４】また、上述の実施例では、絶縁基板１０が
アルミナで矩形板状に形成され、電極１２ａおよび１２
ｂがＣｕで形成され、抵抗体１４がＲｕＯ₂ 系サーメッ
ト抵抗材料で特定の大きさに形成されているが、それら
の材料、形状、大きさは任意に変更されてもよい。たと
えば、電極１２ａおよび１２ｂは、Ｃｕ以外にＡｇ−Ｐ
ｄやＡｇ−Ｐｔなどの電極材料からなる厚膜電極で形成
されてもよい。

【００３５】

【発明の効果】この発明によれば、高速かつ確実に抵抗
体をトリミングすることができ、トリミング後の抵抗体
の耐サージ特性が良好である、抵抗体のトリミング方法
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の一
例の一工程を示す平面図である。

【図２】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の一
例の他の工程を示す平面図である。

【図３】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の一
例のさらに他の工程を示す平面図である。

【図４】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の一
例のさらに他の工程を示す平面図である。

【図５】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の一
例のさらに他の工程を示す平面図である。

【図６】第１の電極の端からスリットの第１の直線部分
までの距離とサージ試験前後の抵抗値変化率との関係を
示すグラフである。

【図７】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の具
体例を示す平面図である。

【図８】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の他
の例を示す平面図である。

【図９】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法のさ
らに他の例を示す平面図である。

【図１０】この発明にかかる抵抗体のトリミング方法の
さらに他の例を示す平面図である。

【図１１】抵抗体のトリミング方法の従来例を示す平面
図である。

【図１２】抵抗体のトリミング方法の他の従来例を示す
平面図である。

【図１３】抵抗体のトリミング方法のさらに他の従来例
を示す平面図である。

【図１４】抵抗体のトリミング方法のさらに他の従来例
を示す平面図である。

【図１５】抵抗体のトリミング方法のさらに他の従来例
を示す平面図である。

【図１６】抵抗体のトリミング方法のさらに他の従来例
を示す平面図である。

【図１７】抵抗体のトリミング方法のさらに他の従来例
を示す平面図である。

【符号の説明】

１０ 絶縁基板 １２ａ、１２ｂ 電極 １４ 抵抗体 １６ａ 第１のスリット １６ｂ 第２のスリット １７ａ 第３のスリット １７ｂ 第４のスリット １６、１７，１８、１９、２０、２１、２２、２４ 略
Ｌ字状のスリット ２６ａ、２６ｂ 抵抗値微調整用スリット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星井 光博 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E032 BA04 BB01 CA01 TA11 TA13 TA14 TB02 TC01 5F038 AR07 AR12 AR16 AV02 AV10 EZ20

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に設けられた一対の電極間に
   形成された抵抗体をレーザーでトリミングして前記一対
   の電極間の抵抗値を調整する抵抗体のトリミング方法で
   あって、 前記抵抗体において、前記一対の電極のうちの一方の電
   極から０．４ｍｍ以内の位置の一端縁から前記一対の電
   極に平行に第１のスリットを形成し、前記第１のスリッ
   トに連続して前記一対の電極のうちの他方の電極に向け
   て前記第１のスリットに対して直交状に第２のスリット
   を形成することによって、略Ｌ字状のスリットを形成す
   る工程、および前記抵抗体において、前記略Ｌ字状のス
   リットを形成した部分から前記一対の電極に平行に前記
   抵抗体の他端縁に向かってずらした部分に、前記略Ｌ字
   状のスリットに連続して少なくとも１つの別の略Ｌ字状
   のスリットを形成する工程を含む、抵抗体のトリミング
   方法。
2. 【請求項２】 前記抵抗体において、前記略Ｌ字状のス
   リットと前記他方の電極との間の一端縁から前記一対の
   電極に平行に抵抗値微調整用スリットを形成する工程を
   含む、請求項１に記載の抵抗体のトリミング方法。
3. 【請求項３】 前記抵抗体において、前記略Ｌ字状のス
   リットと前記一方の電極との間の一端縁から前記一対の
   電極に平行に抵抗値微調整用スリットを形成する工程を
   含む、請求項１に記載の抵抗体のトリミング方法。
4. 【請求項４】 絶縁基板上に設けられた一対の電極間に
   形成された抵抗体をレーザーでトリミングして前記一対
   の電極間の抵抗値を調整する抵抗体のトリミング方法で
   あって、 前記抵抗体において、前記一対の電極のうちの一方の電
   極から０．４ｍｍ以内の位置の一端縁から前記一対の電
   極に平行に第１のスリットを形成し、前記第１のスリッ
   トに連続して前記一対の電極のうちの他方の電極に向け
   て前記第１のスリットに対して直交状に第２のスリット
   を形成することによって、第１の略Ｌ字状のスリットを
   形成する工程、 前記抵抗体において、前記一対の電極のうちの他方の電
   極から０．４ｍｍ以内の位置の一端縁から前記一対の電
   極に平行に第３のスリットを前記第１のスリットより長
   く形成し、前記第３のスリットに連続して前記一対の電
   極のうちの一方の電極に向けて前記第３のスリットに対
   して直交状に第４のスリットを形成することによって、
   第２の略Ｌ字状のスリットを形成する工程、 前記抵抗体において、前記第１の略Ｌ字状のスリットを
   形成した部分から前記一対の電極に平行に前記抵抗体の
   他端縁に向かってずらした部分に、前記第１の略Ｌ字状
   のスリットに連続して少なくとも１つの別の第１の略Ｌ
   字状のスリットを形成する工程、および前記抵抗体にお
   いて、前記第２の略Ｌ字状のスリットを形成した部分か
   ら前記一対の電極に平行に前記抵抗体の他端縁に向かっ
   てずらした部分に、前記第２の略Ｌ字状のスリットに連
   続して少なくとも１つの別の第２の略Ｌ字状のスリット
   を形成する工程を含む、抵抗体のトリミング方法。