CN111848201B - 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法 - Google Patents

一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111848201B
CN111848201B CN202010723996.4A CN202010723996A CN111848201B CN 111848201 B CN111848201 B CN 111848201B CN 202010723996 A CN202010723996 A CN 202010723996A CN 111848201 B CN111848201 B CN 111848201B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon
silicon
crucible
silicon carbide
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010723996.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111848201A (zh
Inventor
张永辉
赵杉
程皓
白鸽
康媛媛
康文杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xi'an Chaoma Technology Co ltd
Original Assignee
Xi'an Chaoma Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xi'an Chaoma Technology Co ltd filed Critical Xi'an Chaoma Technology Co ltd
Priority to CN202010723996.4A priority Critical patent/CN111848201B/zh
Publication of CN111848201A publication Critical patent/CN111848201A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111848201B publication Critical patent/CN111848201B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • C04B35/83—Carbon fibres in a carbon matrix
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/46—Gases other than oxygen used as reactant, e.g. nitrogen used to make a nitride phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/48—Organic compounds becoming part of a ceramic after heat treatment, e.g. carbonising phenol resins
    • C04B2235/483—Si-containing organic compounds, e.g. silicone resins, (poly)silanes, (poly)siloxanes or (poly)silazanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/608—Green bodies or pre-forms with well-defined density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，包括炭/炭复合材料坩埚以及覆盖在炭/炭复合材料坩埚内表面的碳化硅/硅涂层，碳化硅/硅涂层由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成。本发明还公开了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备方法，该方法包括：一、炭纤维预制体增密；二、经加工得炭/炭复合材料坩埚；三、采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面喷涂得到具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚。本发明通过设置碳化硅/硅涂层，避免了含硅蒸汽对坩埚内表面的侵蚀，延长了坩埚的使用寿命；本发明采用等离子喷涂法，提高了碳化硅/硅涂层与炭/炭坩埚基体的结合强度，改善了具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的表面质量。

Description

一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法
技术领域
本发明属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域，具体涉及一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法。
背景技术
随着单晶硅在太阳能光伏行业的应用越来越广泛，炭/炭复合材料作为直拉单晶硅炉重要的热场材料也得到迅速发展，但在直拉单晶过程中，硅料的熔融可能会产生硅蒸汽和熔融硅飞溅，造成炭/炭热场材料硅化，严重影响炭/炭部件的力学性能和使用寿命。所以，对直拉单晶硅炉内炭/炭热场材料的抗氧化防护和抗硅化腐蚀防护显得尤为必要，其中涂层技术是必要的选择。
专利201220240145.5公开了一种单晶硅炉用炭/炭复合材料坩埚的制备工艺，采用化学反应法，以二氧化硅和金属硅为原料，控制二者的质量比，在一定温度条件及载气的保护下，在炭/炭复合材料坩埚表面生成一层均匀的碳化硅涂层，该涂层的制备避免了坩埚在单晶硅内的腐蚀现象，提高了坩埚的强度和使用寿命；专利201310455254.8公开了一种复合涂层炭/炭复合材料坩埚及其制备方法，采用化学气相沉积工艺在炭/炭复合材料坩埚内表面原位反应生成碳化硅涂层和硅涂层，可有效抑制含硅蒸汽对炭/炭坩埚内表面的侵蚀。但采用化学气相沉积法制备热解炭涂层或碳化硅涂层的沉积速率低、工艺过程复杂、生产成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚。本发明通过在炭/炭复合材料坩埚的内表面设置由碳化硅涂层和硅涂层组成的碳化硅/硅涂层，有效保护了坩埚内表面，避免了硅料熔融后生成的含硅蒸汽对坩埚内表面的侵蚀，同时提高了坩埚内表面的抗氧化性能，延长了坩埚的使用寿命。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，包括炭/炭复合材料坩埚以及覆盖在炭/炭复合材料坩埚内表面的碳化硅/硅涂层，所述碳化硅/硅涂层由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成。
本发明的碳化硅/硅涂层炭/炭坩埚通过在炭/炭复合材料坩埚的内表面设置由碳化硅涂层和硅涂层组成的碳化硅/硅涂层，有效保护了坩埚内表面，避免了硅料熔融后生成的含硅蒸汽对坩埚内表面的侵蚀，同时提高了坩埚内表面的抗氧化性能，延长了坩埚的使用寿命。
上述的一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，所述碳化硅涂层的厚度为10μm～50μm，所述硅涂层的厚度为100μm～500μm。该优选厚度的碳化硅涂层和硅涂层有效避免了坩埚内表面的硅化侵蚀。
另外，本发明还提供了一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将密度为0.20g/cm3～0.50g/cm3的炭纤维预制体增密至密度为1.30g/cm3～1.65g/cm3；
步骤二、对步骤一经增密后的炭纤维预制体进行机械加工，得到炭/炭复合材料坩埚；
步骤三、将步骤二中得到的炭/炭复合材料坩埚进行表面净化，得到炭/炭坩埚基体，将炭/炭坩埚基体固定，以高纯硅为原料，采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面进行喷涂制备碳化硅/硅涂层，得到具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚；所述高纯硅的质量纯度为99.99％～99.9999％，高纯硅的粒度为10μm～300μm，所述喷涂采用氩气为保护气体，氢气为防氧化气体，且氩气流量为30slpm～70slpm，氢气流量为2slpm～20slpm，喷涂采用的等离子弧的功率为10kW～80kW，电压为50V～100V，电流为200A～800A，喷涂的过程中采用转盘式送粉器进行送粉，转盘式送粉器的转速为1r/min～10r/min，送粉的速率为10g/min～50g/min，喷涂距离为10mm～100mm。
本发明采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面喷涂制备碳化硅/硅涂层，利用等离子喷涂法的等离子焰流速度高的优点，使得高纯硅粉体微粒获得较大的动能，以高速喷向炭/炭坩埚基体内表面并牢固附着在其内表面并与基体发生反应生成碳化硅涂层，当碳化硅涂层完全覆盖炭/炭坩埚基体内表面后，高纯硅粉体微粒在碳化硅涂层上附着形成硅涂层，得到碳化硅/硅涂层，提高了碳化硅/硅涂层与炭/炭坩埚基体的结合强度，降低了碳化硅/硅涂层的孔隙率，从而改善了炭/炭坩埚的表面质量，有效抑制了硅料熔融后生成的含硅蒸汽对炭/炭坩埚内表面的侵蚀，大幅度提高了炭/炭坩埚的使用寿命。
上述的方法，其特征在于，步骤一中所述增密的具体过程为：
步骤101、将炭纤维预制体放置于化学气相沉积炉中，采用碳源气体进行1～2次化学气相沉积；
步骤102、将步骤101中经化学气相沉积后的炭纤维预制体放置于浸渍炉中采用糠酮树脂和/或酚醛树脂进行压力浸渍，然后放置于炭化炉中进行炭化；
步骤103、重复步骤102中的压力浸渍工艺和炭化工艺，直至炭纤维预制体增密至密度为1.30g/cm3～1.65g/cm3。
上述的方法，其特征在于，步骤101中所述碳源气体为丙烯和/或天然气，碳源气体的流量为20L/min～100L/min，化学气相沉积的温度为900℃～1100℃，保温时间为30h～60h。
上述的方法，其特征在于，步骤102中所述压力浸渍的压力为1.0MPa～2.5MPa，保压时间为0.5h～5h。
上述的方法，其特征在于，步骤102中所述炭化的温度为900℃～1000℃，保温时间为2h～5h。
上述的方法，其特征在于，步骤103中所述重复的次数为1～3次。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明通过在炭/炭复合材料坩埚的内表面设置由碳化硅涂层和硅涂层组成的碳化硅/硅涂层，有效保护了坩埚内表面，避免了硅料熔融后生成的含硅蒸汽对坩埚内表面的侵蚀，同时提高了坩埚内表面的抗氧化性能，延长了坩埚的使用寿命。
2、本发明采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面喷涂制备碳化硅/硅涂层，提高了碳化硅/硅涂层与炭/炭坩埚基体的结合强度，降低了碳化硅/硅涂层的孔隙率，从而改善了具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的内表面质量，有效抑制了硅料熔融后生成的含硅蒸汽对炭/炭坩埚内表面的侵蚀，大幅度提高了炭/炭坩埚的使用寿命。
3、相较于传统的化学气相沉积法(CVD法)制备碳化硅涂层或者热解炭涂层，本发明的等离子喷涂法大大缩短了具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备周期，进一步降低了产品制造成本。
下面通过附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的结构示意图。
附图标记说明:
1—炭/炭复合材料坩埚； 2—碳化硅/硅涂层。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，本实施例的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚包括炭/炭复合材料坩埚1以及覆盖在炭/炭复合材料坩埚1内表面的碳化硅/硅涂层2，所述碳化硅/硅涂层2由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成，所述碳化硅涂层的厚度为10μm，硅涂层的厚度为100μm。
本实施例的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备方法包括以下步骤：
步骤一、根据目标产物的形状和性能要求，采用常规方法利用炭纤维、炭布和网胎制成密度为0.20g/cm3的炭纤维预制体，然后增密至密度为1.30g/cm3；所述增密的具体过程为：
步骤101、将炭纤维预制体放置于化学气相沉积炉中，采用丙烯作为碳源气体进行2次化学气相沉积；所述碳源气体的流量为20L/min，2次化学气相沉积的温度均为900℃，保温时间均为30h；
步骤102、将步骤101中经2次化学气相沉积后的炭纤维预制体放置于浸渍炉中采用糠酮树脂进行压力浸渍，然后放置于炭化炉中进行炭化；所述压力浸渍的压力为1.0MPa，保压时间为0.5h；所述炭化的温度为900℃，保温时间为2h；
步骤103、重复1次步骤102中的压力浸渍工艺和炭化工艺，直至炭纤维预制体增密至密度为1.30g/cm3；
步骤二、对步骤一经增密后的密度为1.30g/cm3的炭纤维预制体进行机械加工，得到炭/炭复合材料坩埚；
步骤三、将步骤二中得到的炭/炭复合材料坩埚进行表面净化，得到炭/炭坩埚基体，将炭/炭坩埚基体固定，以高纯硅为原料，采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体的内表面进行喷涂制备碳化硅/硅涂层，得到具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚；所述高纯硅的质量纯度为99.99％，高纯硅的粒度为300μm，所述喷涂采用氩气为保护气体，氢气为防氧化气体，且氩气流量为30slpm，氢气流量为2slpm，喷涂采用的等离子弧的功率为10kW，电压为50V，电流为200A，喷涂的过程中采用转盘式送粉器进行送粉，转盘式送粉器的转速为1r/min，送粉的速率为10g/min，喷涂距离为100mm。
本实施例步骤101中的碳源气体还可为天然气，或者为丙烯与天然气的混合气体，步骤102中还可采用酚醛树脂进行压力浸渍，或者采用糠酮树脂和酚醛树脂共同进行压力浸渍。
实施例2
本实施例的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚包括炭/炭复合材料坩埚1以及覆盖在炭/炭复合材料坩埚1内表面的碳化硅/硅涂层2，所述碳化硅/硅涂层2由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成，所述碳化硅涂层的厚度为30μm，硅涂层的厚度为300μm。
本实施例的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备方法包括以下步骤：
步骤一、根据目标产物的形状和性能要求，采用常规方法利用炭纤维、炭布和网胎制成密度为0.30g/cm3的炭纤维预制体，然后增密至密度为1.45g/cm3；所述增密的具体过程为：
步骤101、将炭纤维预制体放置于化学气相沉积炉中，采用丙烯作为碳源气体进行2次化学气相沉积；所述碳源气体的流量为60L/min，2次化学气相沉积的温度均为1000℃，保温时间均为40h；
步骤102、将步骤101中经2次化学气相沉积后的炭纤维预制体放置于浸渍炉中采用糠酮树脂进行压力浸渍，然后放置于炭化炉中进行炭化；所述压力浸渍的压力为1.5MPa，保压时间为2.5h；所述炭化的温度为950℃，保温时间为3h；
步骤103、重复2次步骤102中的压力浸渍工艺和炭化工艺，直至炭纤维预制体增密至密度为1.45g/cm3；
步骤二、对步骤一经增密后的密度为1.45g/cm3的炭纤维预制体进行机械加工，得到炭/炭复合材料坩埚；
步骤三、将步骤二中得到的炭/炭复合材料坩埚进行表面净化，得到炭/炭坩埚基体，将炭/炭坩埚基体固定，以高纯硅为原料，采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面进行喷涂制备碳化硅/硅涂层，得到具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚；所述高纯硅的质量纯度为99.999％，高纯硅的粒度为150μm，所述喷涂采用氩气为保护气体，氢气为防氧化气体，且氩气流量为50slpm，氢气流量为10slpm，喷涂采用的等离子弧的功率为40kW，电压为80V，电流为500A，喷涂的过程中采用转盘式送粉器进行送粉，转盘式送粉器的转速为5r/min，送粉的速率为30g/min，喷涂距离为50mm。
本实施例步骤101中的碳源气体还可为天然气，或者为丙烯与天然气的混合气体，步骤102中还可采用酚醛树脂进行压力浸渍，或者采用糠酮树脂和酚醛树脂共同进行压力浸渍。
实施例3
本实施例的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚包括炭/炭复合材料坩埚1以及覆盖在炭/炭复合材料坩埚1内表面的碳化硅/硅涂层2，所述碳化硅/硅涂层2由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成，所述碳化硅涂层的厚度为50μm，硅涂层的厚度为500μm。
本实施例的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备方法包括以下步骤：
步骤一、根据目标产物的形状和性能要求，采用常规方法利用炭纤维、炭布和网胎制成密度为0.50g/cm3的炭纤维预制体，然后增密至密度为1.65g/cm3；所述增密的具体过程为：
步骤101、将炭纤维预制体放置于化学气相沉积炉中，采用丙烯作为碳源气体进行2次化学气相沉积；所述碳源气体的流量为100L/min，2次化学气相沉积的温度均为1100℃，保温时间均为60h；
步骤102、将步骤101中经2次化学气相沉积后的炭纤维预制体放置于浸渍炉中采用糠酮树脂进行压力浸渍，然后放置于炭化炉中进行炭化；所述压力浸渍的压力为2.5MPa，保压时间为5h；所述炭化的温度为1000℃，保温时间为5h；
步骤103、重复3次步骤102中的压力浸渍工艺和炭化工艺，直至炭纤维预制体增密至密度为1.65g/cm3；
步骤二、对步骤一经增密后的密度为1.65g/cm3的炭纤维预制体进行机械加工，得到炭/炭复合材料坩埚；
步骤三、将步骤二中得到的炭/炭复合材料坩埚进行表面净化，得到炭/炭坩埚基体，将炭/炭坩埚基体固定，以高纯硅为原料，采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面进行喷涂制备碳化硅/硅涂层，得到具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚；所述高纯硅的质量纯度为99.9999％，高纯硅的粒度为10μm，所述喷涂采用氩气为保护气体，氢气为防氧化气体，且氩气流量为70slpm，氢气流量为20slpm，喷涂采用的等离子弧的功率为80kW，电压为100V，电流为800A，喷涂的过程中采用转盘式送粉器进行送粉，转盘式送粉器的转速为10r/min，送粉的速率为50g/min，喷涂距离为10mm。
本实施例步骤101中的碳源气体还可为天然气，或者为丙烯与天然气的混合气体，步骤102中还可采用酚醛树脂进行压力浸渍，或者采用糠酮树脂和酚醛树脂共同进行压力浸渍。
对本发明的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚与现有技术中热解炭涂层炭/炭坩埚的平均使用寿命和平均制备周期进行统计分析，结果见下表1。
表1
Figure BDA0002601009780000081
Figure BDA0002601009780000091
从表1可以看出，本发明的具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的平均使用寿命较现有技术大大延长，且涂层平均制备周期显著缩短，说明采用等离子法喷涂法制备的碳化硅/硅涂层改善了炭/炭坩埚的表面质量，有效抑制了硅料熔融后生成的含硅蒸汽对炭/炭坩埚内表面的侵蚀，单炉次损耗明显降低，大幅度提高了炭/炭坩埚的使用寿命，缩短了制备周期，进一步降低了产品制造成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制。凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (6)

1.一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，包括炭/炭复合材料坩埚以及覆盖在炭/炭复合材料坩埚内表面的碳化硅/硅涂层，所述碳化硅/硅涂层由碳化硅涂层和覆盖在碳化硅涂层上的硅涂层组成，所述碳化硅涂层的厚度为10μm～50μm，所述硅涂层的厚度为100μm～500μm；所述具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚的制备方法包括以下步骤：
步骤一、将密度为0.20g/cm3～0.50g/cm3的炭纤维预制体增密至密度为1.30g/cm3～1.65g/cm3；
步骤二、对步骤一经增密后的炭纤维预制体进行机械加工，得到炭/炭复合材料坩埚；
步骤三、将步骤二中得到的炭/炭复合材料坩埚进行表面净化，得到炭/炭坩埚基体，将炭/炭坩埚基体固定，以高纯硅为原料，采用等离子喷涂法在炭/炭坩埚基体内表面进行喷涂制备碳化硅/硅涂层，得到具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚；所述高纯硅的质量纯度为99.99%～99.9999%，高纯硅的粒度为10μm～300μm，所述喷涂采用氩气为保护气体，氢气为防氧化气体，且氩气流量为30slpm～70slpm，氢气流量为2slpm～20slpm，喷涂采用的等离子弧的功率为10kW～80kW，电压为50V～100V，电流为200A～800A，喷涂的过程中采用转盘式送粉器进行送粉，转盘式送粉器的转速为1r/min～10r/min，送粉的速率为10g/min～50g/min，喷涂距离为10mm～100mm。
2.根据权利要求1所述的一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，步骤一中所述增密的具体过程为：
步骤101、将炭纤维预制体放置于化学气相沉积炉中，采用碳源气体进行1～2次化学气相沉积；
步骤102、将步骤101中经化学气相沉积后的炭纤维预制体放置于浸渍炉中采用糠酮树脂和/或酚醛树脂进行压力浸渍，然后放置于炭化炉中进行炭化；
步骤103、重复步骤102中的压力浸渍工艺和炭化工艺，直至炭纤维预制体增密至密度为1.30g/cm3～1.65g/cm3。
3.根据权利要求2所述的一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，步骤101中所述碳源气体为丙烯和/或天然气，碳源气体的流量为20L/min～100L/min，化学气相沉积的温度为900℃～1100℃，保温时间为30h～60h。
4.根据权利要求2所述的一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，步骤102中所述压力浸渍的压力为1.0MPa～2.5MPa，保压时间为0.5h～5h。
5.根据权利要求2所述的一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，步骤102中所述炭化的温度为900℃～1000℃，保温时间为2h～5h。
6.根据权利要求2所述的一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚，其特征在于，步骤103中所述重复的次数为1～3次。
CN202010723996.4A 2020-07-24 2020-07-24 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法 Active CN111848201B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010723996.4A CN111848201B (zh) 2020-07-24 2020-07-24 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010723996.4A CN111848201B (zh) 2020-07-24 2020-07-24 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111848201A CN111848201A (zh) 2020-10-30
CN111848201B true CN111848201B (zh) 2022-09-02

Family

ID=72949508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010723996.4A Active CN111848201B (zh) 2020-07-24 2020-07-24 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111848201B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112694347B (zh) * 2020-12-28 2022-06-07 湖南世鑫新材料有限公司 一种具有碳化硅涂层的炭炭复合材料坩埚及制备方法
CN112851387B (zh) * 2021-01-27 2022-11-11 湖南世鑫新材料有限公司 一种在炭炭复合材料表面制备碳化硅涂层的方法
CN113073381B (zh) * 2021-03-25 2022-10-04 湖南世鑫新材料有限公司 一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚
CN113149686B (zh) * 2021-05-17 2022-05-24 湖南世鑫新材料有限公司 一种具有复合陶瓷层的炭/炭复合材料坩埚及其制备方法
CN114014677B (zh) * 2021-12-20 2022-11-29 中南大学 一种石英纤维/炭纤维增强炭基复合材料坩埚及其制备方法
CN114232074B (zh) * 2021-12-20 2023-03-21 中南大学 一种石英纤维/炭纤维增强炭基复合材料导流筒及其制备方法
CN114014678B (zh) * 2021-12-20 2023-02-03 中南大学 一种石英纤维/炭纤维增强炭基复合材料平板及其制备方法
CN114455965B (zh) * 2021-12-30 2023-09-05 西安超码科技有限公司 一种含有α-Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚
CN114455982B (zh) * 2021-12-30 2023-08-11 西安超码科技有限公司 一种含有氧化铝涂层和碳化硅涂层的炭/炭复合材料坩埚
CN115073212B (zh) * 2022-06-02 2023-02-10 陕西美兰德炭素有限责任公司 一种硅酸铝-碳化硅耐高温耐硅蒸汽腐蚀涂层及其制备方法
CN115286222B (zh) * 2022-07-29 2024-01-02 合肥金龙浩科技有限公司 一种3d玻璃热弯石墨模具及其制备方法
CN116768653B (zh) * 2023-06-15 2024-04-02 湖南世鑫新材料有限公司 一种含复合陶瓷涂层的碳碳热场坩埚及其制备方法
CN116924821B (zh) * 2023-09-13 2023-12-12 上海康碳复合材料科技有限公司 一种具有碳化硅无氧涂层的碳碳坩埚及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2992127A (en) * 1958-12-23 1961-07-11 Texas Instruments Inc Novel graphite articles and method of making
US3095316A (en) * 1959-09-30 1963-06-25 Union Carbide Corp Process for coating carbonaceous articles with silicon dioxide
US3246275A (en) * 1962-06-18 1966-04-12 Kanthal Ab Electric resistance elements of silicon carbide and metal silicide
US4120731A (en) * 1976-02-23 1978-10-17 General Electric Company Method of making molten silicon infiltration reaction products and products made thereby
CN101370968A (zh) * 2006-01-12 2009-02-18 维苏威克鲁斯布公司 处理熔融硅的坩埚
CN102718539A (zh) * 2012-07-05 2012-10-10 湖南金博复合材料科技有限公司 碳/碳/碳化硅复合材料保温筒及制备方法
CN105112995A (zh) * 2015-08-19 2015-12-02 常州天合光能有限公司 多晶硅铸锭炉用的复合隔碳涂层以及制备方法、石墨护板、多晶硅铸锭炉
CN105568372A (zh) * 2015-12-30 2016-05-11 佛山市业丰赛尔陶瓷科技有限公司 用于多晶硅铸锭炉的石墨器材的涂层组合物
EP3330240A1 (fr) * 2016-12-01 2018-06-06 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede pour la siliciuration surfacique de graphite
CN110963816A (zh) * 2019-10-17 2020-04-07 上海大学 一种碳/碳-碳化硅复合材料板材的制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2686336B1 (fr) * 1992-01-20 1995-01-13 Aerospatiale Piece en materiau composite carbone-carbone a matrice dopee sic, resistant a l'oxydation et son procede de fabrication.
CN100432023C (zh) * 2006-07-20 2008-11-12 西安超码科技有限公司 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
JP4438964B2 (ja) * 2007-03-28 2010-03-24 信越化学工業株式会社 黒鉛−炭化珪素複合体の製造方法
CN101643933B (zh) * 2009-08-19 2012-05-02 湖南南方搏云新材料有限责任公司 Cz法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺
GB2479165A (en) * 2009-10-14 2011-10-05 Rec Wafer Norway As Reusable crucible
CN103553711B (zh) * 2013-09-27 2015-05-27 西安超码科技有限公司 一种复合涂层炭/炭复合材料坩埚及其制备方法
CN108911749A (zh) * 2018-08-31 2018-11-30 青岛中冶坩埚有限公司 一种石墨-碳化硅坩埚的制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2992127A (en) * 1958-12-23 1961-07-11 Texas Instruments Inc Novel graphite articles and method of making
US3095316A (en) * 1959-09-30 1963-06-25 Union Carbide Corp Process for coating carbonaceous articles with silicon dioxide
US3246275A (en) * 1962-06-18 1966-04-12 Kanthal Ab Electric resistance elements of silicon carbide and metal silicide
US4120731A (en) * 1976-02-23 1978-10-17 General Electric Company Method of making molten silicon infiltration reaction products and products made thereby
CN101370968A (zh) * 2006-01-12 2009-02-18 维苏威克鲁斯布公司 处理熔融硅的坩埚
CN102718539A (zh) * 2012-07-05 2012-10-10 湖南金博复合材料科技有限公司 碳/碳/碳化硅复合材料保温筒及制备方法
CN105112995A (zh) * 2015-08-19 2015-12-02 常州天合光能有限公司 多晶硅铸锭炉用的复合隔碳涂层以及制备方法、石墨护板、多晶硅铸锭炉
CN105568372A (zh) * 2015-12-30 2016-05-11 佛山市业丰赛尔陶瓷科技有限公司 用于多晶硅铸锭炉的石墨器材的涂层组合物
EP3330240A1 (fr) * 2016-12-01 2018-06-06 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede pour la siliciuration surfacique de graphite
CN110963816A (zh) * 2019-10-17 2020-04-07 上海大学 一种碳/碳-碳化硅复合材料板材的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111848201A (zh) 2020-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111848201B (zh) 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法
CN111893419B (zh) 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭保温筒及其制备方法
CN109824374B (zh) 在碳碳复合保温材料表面制备高性能碳化硅涂层的方法
CN111848202B (zh) 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭导流筒及其制备方法
CN109336647B (zh) 一种用于陶瓷基复合材料的热/环境障涂层及其制备方法
CN108866471B (zh) 一种耐液态铅铋合金腐蚀涂层及其制备方法
CN102010231B (zh) 一种低密度炭/炭复合材料表面涂层的方法
CN112592207A (zh) 一种自愈合ZrB2-SiC-Y2O3涂层及其在SiC包埋碳碳复合材料上的应用
CN102277560A (zh) 化学气相沉积SiC/C梯度表面涂层提高石墨电极抗氧化性的方法
CN114455982B (zh) 一种含有氧化铝涂层和碳化硅涂层的炭/炭复合材料坩埚
CN112694347B (zh) 一种具有碳化硅涂层的炭炭复合材料坩埚及制备方法
CN110590404B (zh) 一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法
CN113529065B (zh) 一种基于冷喷涂高速沉积增材制造技术制备金属铱涂层的方法及装置
CN103045983A (zh) 一种表面含钨涂层的碳纤维基高温隔热材料的制备方法
CN105350294B (zh) 一种镀碳化硅层的短切碳纤维及其制备方法
CN114000090B (zh) 一种氧化物/氧化物复合材料表面环境障涂层的制备方法
CN115028472A (zh) 一种c/c复合材料表面抗氧化烧蚀涂层的制备方法
CN112662983B (zh) 一种钛及钛合金表面多孔层的制备方法
CN111892056B (zh) 具有碳化硅/硅涂层的炭/陶反应器内衬层及其制备方法
CN110872713B (zh) 一种y/y2o3金属陶瓷防护涂层的冷喷涂制备方法
CN106892684B (zh) 一种C/C复合材料表面ZrC涂层的制备方法
CN114455969B (zh) 一种含有氧化铝涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚
CN113735627B (zh) 一种表面涂覆碳化钽涂层的石墨热场材料及其制备方法
CN114455963B (zh) 一种含有α-Al2O3涂层的炭/炭-碳化硅复合材料坩埚
CN107904658A (zh) 一种还原炉内壁复合涂层制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant