CN111058003A - 钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜 - Google Patents

钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜。其中，钼铌合金靶材包括如下质量份的原料组分：钼45‑89.1份、铌5‑9.9份以及金属氧化物1‑50份；其中，所述金属氧化物选自氧化铝和氧化锌中的至少一种。上述钼铌合金靶材的原料组分配比合理，在传统的钼铌合金靶材的基础上，添加至少一种上述金属氧化物，经实验验证，经上述钼铌合金靶材最终制得的黑化膜可以减少或消除电子产品表面的反射光，增加透光量，减少杂散光吸收。

Description

钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜
技术领域
本发明涉及改善黑化膜效果的钼铌合金材料领域，特别是涉及一种钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜。
背景技术
黑化膜通常位于液晶电视、平板电视、手机等电子产品玻璃面板的表面，黑化膜用于窄边框屏或减反射膜，其制备方法通常采用合金靶材溅靶制得。
传统的覆于电子产品玻璃面板表面的黑化膜对光的反射强，透光量少，产品中易吸收大量的杂散光。这样不仅影响视觉体验，甚至对眼睛造成伤害。亟需一种能够降低电子产品玻璃面板表面的反光率，减少吸收大量的杂散光的黑化膜。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够降低反光率、增大透光量且减少杂散光吸收的钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜。
一种钼铌合金靶材，其包括如下质量份的原料组分：
钼 45-89.1份、
铌 5-9.9份、以及
金属氧化物 1-50份；
其中，所述金属氧化物选自氧化铝和氧化锌中的至少一种。
上述钼铌合金靶材的原料组分配比合理，在传统的钼铌合金靶材的基础上，添加至少一种上述金属氧化物，经实验验证，经上述钼铌合金靶材最终制得的黑化膜可以减少或消除电子产品表面的反射光，增加透光量，减少杂散光吸收，从而提升视觉体验，对眼睛起到保护作用。
在其中一个实施例中，所述金属氧化物为氧化铝和氧化锌构成的混合金属氧化物，所述氧化锌与所述氧化铝的质量比为1:99-99:1。
在其中一个实施例中，所述氧化铝为平均粒径为0.01μm-5μm的氧化铝粉，和/或所述氧化锌为平均粒径为0.01μm-10μm的氧化锌粉。
在其中一个实施例中，所述钼为平均粒径为0.1μm-10μm的钼粉。
在其中一个实施例中，所述铌为平均粒径为0.1μm-150μm的铌粉。
本发明还提供一种钼铌合金靶材的制备方法，其包括如下步骤：
将本发明任一项所述的钼铌合金靶材中的原料组分按配比混合和球磨处理得到预混料；
将所述预混料冷等静压处理，得到钼铌合金管靶或平面靶材素坯；
对所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯进行热等静压处理，得到钼铌合金靶材。
在其中一个实施例中，在将所述钼铌合金靶材中的原料按配比混合和球磨处理得到预混料的步骤中，是将所述钼铌合金靶材中的原料钼和铌混合、球磨处理得到钼铌混料，对所述钼铌混料与所述钼铌合金靶材中的其余原料混合，球磨处理得到预混料。
在其中一个实施例中，所述冷等静压的压力为100Mpa-140Mpa，和/或所述热等静压的压力为100Mpa-150Mpa，所述热等静压的温度为1000℃-1500℃。
在其中一个实施例中，在对所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯进行热等静压处理的步骤中，是将所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯装入包套中，热等静压处理，去除包套得到钼铌合金靶材。
本发明还提供一种黑化膜，将本发明任一项所述的钼铌合金靶材或将本发明任一项所述的钼铌合金靶材的制备方法制得的靶材溅靶制得。
附图说明
图1为本发明实施例和对比例制得的黑化膜在不同波长下的反射比的比较图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施例中提供了一种钼铌合金靶材，其包括如下质量份的原料组分：
钼 45-89.1份、
铌 5-9.9份、以及
金属氧化物 1-50份；
其中，所述金属氧化物选自氧化锌和氧化铝中的至少一种，可以理解，所述金属氧化物可以仅为氧化铝、也可以仅为氧化锌，还可以为氧化铝和氧化锌构成的组合物。
在其中一个实施例中，所述金属氧化物为氧化铝和氧化锌构成的混合金属氧化物，所述氧化锌与所述氧化铝的质量比为1:99-99:1，进一步地，所述氧化锌与所述氧化铝的质量比为1:4-20:1，更进一步地，所述氧化锌与所述氧化铝的质量比为1:4-10:1。
在其中一个实施例中，所述钼为平均粒径为0.1μm-10μm的钼粉。
在其中一个实施例中，所述铌为平均粒径为0.1μm-150μm的铌粉。
在其中一个实施例中，所述氧化铝为平均粒径为0.01μm-5μm的氧化铝粉。
在其中一个实施例中，所述氧化锌为平均粒径为0.01μm-10μm的氧化锌粉。
本发明还提供一种钼铌合金靶材的制备方法，其包括如下步骤：
将本发明任一实施例所述的钼铌合金靶材中的原料组分按配比混合和球磨处理得到预混料，之后将所述预混料冷等静压得到钼铌合金管靶或平面靶材素坯，对所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯进行热等静压处理，得到钼铌合金靶材。
在其中一个实施例中，将本发明任一实施例所述的钼铌合金靶材中的原料按配比混合、之后球磨处理得到预混料；将所述预混料冷等静压得到钼铌合金管靶或平面靶材素坯，之后将所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯装入包套中，热等静压处理，去除包套得到钼铌合金靶材。进一步地，先将所述钼铌合金靶材中的原料钼和铌混合、球磨处理得到钼铌混料，之后将所述钼铌混料与所述钼铌合金靶材中的其余金属氧化物原料按配比混合，球磨处理得到预混料。分步球磨处理的好处是更利于靶材中各原料球磨和混匀过程更加充分。
在其中一个实施例中，所述冷等静压的压力为100Mpa-140Mpa。
在其中一个实施例中，所述热等静压的压力为100Mpa-150Mpa，所述热等静压的温度为1000℃-1500℃。进一步地，当所述冷等静压的压力为100Mpa-140Mpa时，所述热等静压的压力为100Mpa-150Mpa，所述热等静压的温度为1000℃-1500℃。
本发明还提供一种黑化膜，其包括将本发明任一实施例所述的钼铌合金靶材或将本发明任一实施例所述的钼铌合金靶材的制备方法制得的靶材溅靶制得。
具体地，本发明黑化膜的制备过程为：将本发明制得的靶材溅射于平面玻璃上，得到黑化膜，本发明的黑化膜可以贴于电子产品玻璃面板的表面，减少或消除电子产品表面的反射光，增加透光量，减少杂散光吸收，从而提升视觉体验，对眼睛起到保护作用。
上述钼铌合金靶材的原料组分配比合理，在传统的钼铌合金靶材的基础上，添加至少一种上述金属氧化物，经实验验证，经上述钼铌合金靶材最终制得的黑化膜可以减少或消除电子产品表面的反射光，增加透光量，减少杂散光吸收，从而提升视觉体验，对眼睛起到保护作用。
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种钼铌合金靶材的制备方法：
采用平均粒径为3μm的7.2kg钼粉与平均粒径为70μm的0.8kg铌粉混合，将混合物置于滚筒式球磨机中进行滚筒式球磨处理，其中，磨料为16kg氧化锆球，球磨时间为12h，之后加入平均粒径为4μm的2kg氧化锌粉，继续球磨12h，制得预混料。
将所述预混料冷等静压得到钼铌合金管靶，其中，冷等静压的工艺参数为：冷等静压的压力为120Mpa。
再将所述钼铌合金管靶装入包套中，之后进行热等静压处理，其中，热等静压的工艺参数为：热等静压的压力为200Mpa，所述热等静压的温度为1400℃，烧结时间为3h。
最后，去除包套得到钼铌合金靶材。
实施例2
一种钼铌合金靶材的制备方法：
本例采用平均粒径为3μm的钼粉7.2kg和平均粒径为70μm的铌粉0.8kg混合球磨，将混合物置于滚筒式球磨机中进行滚筒式球磨处理。得到钼铌混合物，其中，磨料为16kg氧化锆球，球磨时间为12h。
将平均粒径为1μm的氧化铝粉1.96kg和5μm的氧化锌粉0.4kg放入滚筒式球磨机中球磨16h，球磨后取出浆液在电阻炉内进行烘干，得到烘干物，烘干温度为120℃，烘干后粉碎过200目筛。
将球磨后钼铌混合物和烘干物均加入滚筒式球磨机中，再次球磨处理，球磨时间为12h，之后冷等静压得到钼铌合金管靶，其中，冷等静压的工艺参数为：冷等静压的压力为120Mpa。
再将所述钼铌合金管靶装入包套中，之后进行热等静压处理，其中，热等静压的工艺参数为：热等静压的压力为200Mpa，所述热等静压的温度为1400℃，烧结时间为3h。
最后，去除包套得到钼铌合金靶材。
对比例1
一种钼铌合金靶材的制备方法，其大体上与实施例1相同，不同之处在于不添加氧化锌粉。
对比例2
一种钼铌合金靶材的制备方法：
采用平均粒径为3μm的7.2kg钼粉与平均粒径为70μm的0.8kg钽粉混合，将混合物置于滚筒式球磨机中进行滚筒式球磨处理，其中，磨料为16kg氧化锆球，球磨时间为12h，制得预混料。
将所述预混料冷等静压得到钼铌合金管靶，其中，冷等静压的工艺参数为：冷等静压的压力为120Mpa。
再将所述钼铌合金管靶装入包套中，之后进行热等静压处理，其中，热等静压的工艺参数为：热等静压的压力为200Mpa，所述热等静压的温度为1400℃，烧结时间为3h。
最后，去除包套得到钼铌合金靶材。
对比例3
一种钼铌合金靶材的制备方法：
将平均粒径为15μm，8kg的碳化钛真空热压烧结，其中，真空热压烧结的工艺参数为：烧结温度为1800℃，烧结时间为2h，烧结压力为40Mpa,取出碳化钛靶材机加工。最后得到碳化钛靶材。
效果验证
将实施例2和对比例1-3中制得的靶材溅射于平面玻璃上，得到黑化膜。并测定黑化膜的反射比，其中，反射的能量与入射的能量之比称为物体的反射比。
由图1所示，相同波长情况下，实施例2的反射比最小，明显优于对比例各组，进而说明，本发明的黑化膜可以减少或消除电子产品表面的反射光，增加透光量，减少杂散光吸收。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种钼铌合金靶材，其特征在于，包括如下质量份的原料组分：
钼 45-89.1份、
铌 5-9.9份、以及
金属氧化物 1-50份；
其中，所述金属氧化物选自氧化铝和氧化锌中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的钼铌合金靶材，其特征在于，所述金属氧化物为氧化铝和氧化锌构成的混合金属氧化物，所述氧化锌与所述氧化铝的质量比为1:99-99:1。
3.根据权利要求1所述的钼铌合金靶材，其特征在于，所述氧化铝为平均粒径为0.01μm-5μm的氧化铝粉，和/或所述氧化锌为平均粒径为0.01μm-10μm的氧化锌粉。
4.根据权利要求1-3任一项所述的钼铌合金靶材，其特征在于，所述钼为平均粒径为0.1μm-10μm的钼粉。
5.根据权利要求1-3任一项所述的钼铌合金靶材，其特征在于，所述铌为平均粒径为0.1μm-150μm的铌粉。
6.一种钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将权利要求1-5任一项所述的钼铌合金靶材中的原料组分按配比混合和球磨处理得到预混料；
将所述预混料冷等静压处理，得到钼铌合金管靶或平面靶材素坯；
对所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯进行热等静压处理，得到钼铌合金靶材。
7.根据权利要求6所述的钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，在将所述钼铌合金靶材中的原料按配比混合和球磨处理得到预混料的步骤中，是将所述钼铌合金靶材中的原料钼和铌混合、球磨处理得到钼铌混料，对所述钼铌混料与所述钼铌合金靶材中的其余原料混合，球磨处理得到预混料。
8.根据权利要求6所述的钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，所述冷等静压的压力为100Mpa-140Mpa，和/或所述热等静压的压力为100Mpa-150Mpa，所述热等静压的温度为1000℃-1500℃。
9.根据权利要求6-8任一项所述的钼铌合金靶材的制备方法，其特征在于，在对所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯进行热等静压处理的步骤中，是将所述钼铌合金管靶或平面靶材素坯装入包套中，热等静压处理，去除包套得到钼铌合金靶材。
10.一种黑化膜，其特征在于，将权利要求1-5任一项所述的钼铌合金靶材或将权利要求6-9任一项所述的钼铌合金靶材的制备方法制得的靶材溅靶制得。
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Denomination of invention: Molybdenum niobium alloy target and its preparation method, blackening film

Effective date of registration: 20220627

Granted publication date: 20211008

Pledgee: China Construction Bank Corporation Suzhou Yangtze River Delta integration Demonstration Zone Branch

Pledgor: GEMCH MATERIAL TECHNOLOGY (SUZHOU) Co.,Ltd.

Registration number: Y2022320010289

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