CN110875064B - 包括防静电结构的固态驱动装置 - Google Patents

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Abstract

一种固态驱动装置，包括：包括基底和侧壁的壳体，所述侧壁沿所述基底的周边向上延伸；具有金属柱和静电吸收构件的防静电结构，所述金属柱与所述侧壁间隔开并且从所述基底的至少部分表面突出，所述静电吸收构件在所述金属柱的至少部分表面上；所述壳体中的安装在所述防静电结构上的封装衬底模块；和覆盖所述壳体和所述封装衬底模块的盖。

Description

包括防静电结构的固态驱动装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0103028的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
技术领域
本发明构思的示例实施例涉及固态驱动装置。例如，至少一些示例实施例涉及包括防静电结构的固态驱动装置。
背景技术
当固态驱动装置被用作存储装置时，可能以高速度来输入和输出大容量数据，因此对固态驱动装置的需求增加。随着固态驱动装置的数据处理速度的增加，由于外部静电放电，可能在固态驱动装置内部接收到某一频带的噪声。在接收到噪声的情况下，当固态驱动装置处理数据时，可能产生软错误或软故障，例如，一个比特到若干个比特的比特错误。
发明内容
本发明构思的示例实施例提供了一种固态驱动装置，包括能够减少(或备选地，防止)外部静电放电产生的软错误的防静电结构。
根据本发明构思的示例实施例，提供了一种固态驱动装置，包括：壳体，包括基底和侧壁，侧壁沿基底的周边垂直于基底延伸；防静电结构，从基底的至少部分表面突出，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，金属柱与壳体的侧壁间隔开，并且静电吸收构件位于金属柱的至少部分表面上；封装衬底模块，在壳体中位于防静电结构上；盖，覆盖壳体和封装衬底模块。
根据本发明构思的示例实施例，提供了一种固态驱动装置，包括：壳体，包括基底和侧壁，侧壁沿基底的周边垂直于基底延伸；防静电结构，与侧壁分开一定距离，防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，金属柱包括多个子柱，多个子柱中具有孔，并且静电吸收构件位于金属柱和孔上；封装衬底模块，位于壳体的侧壁中的多个衬底安装单元上并且位于防静电结构上；和盖，覆盖壳体和封装衬底模块。
根据本发明构思的示例实施例，提供了一种固态驱动装置，包括：壳体，包括基底和侧壁，侧壁沿基底的周边垂直于基底延伸；防静电结构，与侧壁分开一定距离，防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，金属柱包括多个子柱和子连接柱，子连接柱连接子柱的一部分侧壁，孔位于子柱中的至少一个子柱和子连接柱中，并且静电吸收构件位于金属柱和孔上；封装衬底模块，在壳体中位于侧壁中的多个衬底安装单元上并且位于防静电结构上；和盖，覆盖壳体和封装衬底模块。
根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置包括防静电结构，所述防静电结构包括在壳体中靠近半导体芯片的金属柱和金属柱上的静电吸收构件，其中所述半导体芯片安装在封装衬底模块上。因此，根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置可以减少(或备选地，防止)外部静电放电产生的软错误，例如比特错误。
附图说明
根据接下来结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的示例实施例，在附图中：
图1是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图；
图2是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；
图3是图2的壳体的后表面的透视图；
图4是沿图2的线IV-IV′截取的横截面图；
图5是示出了根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的封装衬底模块的透视图；
图6和图7是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的后视图和侧视图；
图8是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的平面图；
图9和图10是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的侧视图；
图11是沿图8的线XI-XI′截取的横截面图；
图12是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；
图13是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；
图14是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的分解透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构；
图15是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的框图；以及
图16是根据本发明构思的示例实施例的系统的框图。
具体实施方式
将参考附图来详细描述本发明构思的示例实施例。本发明构思的示例实施例可以由示例实施例中的某一个或示例实施例中的一个或多个的组合来实现。因此，本发明构思的示例实施例的精神不应仅通过一个示例实施例来解释。附图不一定按某种比例来示出。在一些示例实施例中，为了清楚地示出示例实施例的特性，可以将附图中所示的结构的至少一部分的比例进行放大。
在固态驱动装置中，形成封装衬底模块的基底衬底或半导体芯片可能被高电压的电应力严重损害，这是由外部静电放电引起的，从而可能在硬件中产生硬故障。在固态驱动装置中，随着部件质量的提高，由外部静电放电引起的硬故障逐渐减少。
然而，随着固态驱动装置的数据处理速度的增加，在固态驱动装置中，由于外部静电放电引起的高电压的电应力，可能将某一频带的噪声从电子系统接收到固态驱动装置的内部。在接收到噪声的情况下，当固态驱动装置处理数据时，可能产生损害软件的软错误或软故障，例如一个比特到若干个比特的比特错误。
在本发明构思的一个或多个示例实施例中，可以提供固态驱动装置，以减少(或备选地，解决)由静电放电引起的软错误(或软故障)。
图1是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图。
参考图1，固态驱动装置500包括壳体100、防静电结构(图2的206)、封装衬底模块300和盖400。可以机械地接触外部装置的螺纹孔116和118可以被定位在连接到壳体100的一对侧壁104中的相应一个的部分中。
封装衬底模块300被安装在壳体100中，并且外部连接器310可以被定位在封装衬底模块300外部。外部连接器310可以包括端子312和主体314。外部连接器310的形状可以改变，并且本发明构思的示例实施例不限于此。
外部连接器310将固态驱动装置500连接到外部主机，并且可以发送和接收信号和/或可以接收电力。例如，外部连接器310可以包括被配置为通过根据以下标准的方法连接到外部装置的连接器：并行高级技术附件(PATA)标准、串行高级技术附件(SATA)标准、小型计算机系统接口(SCSI)标准或程序控制的中断(PCI)高速(PCIe)标准。
在此，SATA标准包含所有基于SATA的标准，例如SATA-2、SATA-3、外部SATA(e-SATA)以及SATA-1。PCIe标准包含所有基于PCIe的标准，例如，PCIe2.0、PCIe2.1、PCIe3.0和PCIe4.0、以及PCIe1.0。SCSI标准包含所有基于SCSI的标准，例如，并行SCSI、串行组合SA-SCSI(SAS)和iSCSI。在一些实施例中，外部连接器310可以是被配置为支持M2接口、mSATA接口或2.5″接口的连接器。
固态驱动装置500可以包括覆盖壳体100和封装衬底模块300的盖400。稍后将更详细地描述壳体100、防静电结构(图2的206)和封装衬底模块300的配置。
图2是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构。图3是图2的壳体的后表面的透视图。图4是沿图2中的线IV-IV′截取的横截面图，附加地示出了图1的封装衬底模块300。
参考图2至图4，固态驱动装置500可以包括基底102和壳体100，壳体100包括沿基底102的周边向上延伸的侧壁104、108和110。基底102可以包括表面102a和后表面102b。在基底102的后表面102b的边缘处，可以设置能够减少(或备选地，防止)外部冲击对壳体100的损害的缓冲器106。
侧壁104可以是左侧壁和右侧壁。侧壁108和110可以是前侧壁和后侧壁。可以在前侧壁108中设置接收空气并且可以排出由封装衬底模块300产生的热量的排热孔112。可以在后侧壁110中形成凹槽114，使得可以安放和打开外部连接器。
如上所述，可以机械地接触外部装置的螺纹孔116和118可以被定位在连接到壳体100的一个侧壁104和壳体100的另一个侧壁104的部分中。壳体100可以由金属(例如铝(Al))形成。壳体100可以通过使用金属(例如，Al)由铸造方法制造。
固态驱动装置500可以包括设置在基底102的至少部分表面上的防静电结构206。防静电结构206可以与侧壁104、108和110间隔开。防静电结构206可以与壳体100的侧壁104、108和110周围的空间122相邻。防静电结构206可以通过壳体100的侧壁104、108和110周围的空间122与侧壁104、108和110间隔开。
防静电结构206可以包括用于从基底102的至少部分表面突出的金属柱202，和位于金属柱202的至少部分表面上的静电吸收构件204。金属柱202可以是从基底102突出的方柱构件。静电吸收构件204可以由磁性材料(例如铁素体材料)形成。静电吸收构件204可以吸收从壳体100的外部渗透的静电。
可以使用金属板来代替金属柱202。金属柱202的横截面可以是方形或多边形的。金属柱202的上表面可以是平面表面。然而，示例实施例不限于此，并且本发明构思的范围内可以包括金属柱202的上表面是非平面表面的情况。在示例实施例中，金属柱202可以是散热构件，用于将封装衬底模块(图4的300)产生的热量耗散到外部。
在示例实施例中，形成防静电结构206的金属柱202可以与壳体100一体。在示例实施例中，形成防静电结构206的金属柱202可以与壳体100分开。与壳体100一样，金属柱202可以由金属(例如A1)形成。金属柱202可以通过使用金属(例如Al)由铸造方法制造。
金属柱202的高度T2可以小于壳体100的高度T1。通过控制金属柱202的高度T2，可以减小安装在金属柱202上的静电吸收构件204与第一半导体芯片304和第二半导体芯片306之间的距离。通过这样做，可以减少(或备选地，防止)外部静电产生的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的软错误。
金属柱202可以被划分成子柱202a、202b和202c。子柱202a、202b和202c可以彼此连接。因此，子柱202b可以被称为用于连接子柱202a和202c的部分侧壁的子连接柱。空间122可以由子柱202a与202c之间的子连接柱202b提供。
子柱202a、202b和202c可以具有各种形状或形式。当子柱202a、202b和202c可以具有各种形状或形式时，安装在子柱202a、202b和202c上的静电吸收构件204的配置发生变化，并且因此，可以减少(或备选地，防止)外部静电产生的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的软错误。
在固态驱动装置500中，将热传递构件208设置在静电吸收构件204上。彼此间隔开的热传递构件208可以被附接到静电吸收构件204上。彼此间隔开并具有小的面积的热传递构件208被附接到具有大的面积的静电吸收构件204上，从而可以提高热传递特性。热传递构件208可以由硅树脂或硅橡胶形成。热传递构件208根据场合需求来设置，或者可以被省略。
在固态驱动装置500中，封装衬底模块300在壳体100中被安装到防静电结构206和热传递构件208上。封装衬底模块300可以被安装在设置在壳体100中的衬底安装单元120上。封装衬底模块300可以包括封装基底衬底302以及位于封装基底衬底302的下表面上的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306。
在图4中，示出了将第一半导体芯片304和第二半导体芯片306安装在封装基底衬底302的下表面上。然而，可以将另一半导体芯片安装在封装基底衬底302的上表面上。第一半导体芯片304和第二半导体芯片306可以是存储器器件或非存储器器件。可以将有源或无源器件308安装在封装基底衬底302的下表面上。可以将可以电连接到外部主机(设备)的外部连接器310设置在封装基底衬底302的侧表面处。
固态驱动装置500的金属柱202从基底102的部分表面突出，与侧壁104间隔开，并且与空间122相邻。因此，固态驱动装置500可以增加从外部渗透的静电(或电磁波)的辐射距离和传导距离。固态驱动装置500可以减少(或备选地，防止)从外部渗透的静电(或电磁波)对安装在封装衬底模块300中的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的辐射损害或传导损害。
由于由子柱202b提供的位于子柱202a与202c之间的空间122，固态驱动装置500可以减少(或备选地，防止)从外部渗透的静电对安装在封装衬底模块300中的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的辐射损害或传导损害。
此外，固态驱动装置500包括静电吸收构件204，使得从壳体100的外部渗透的静电(或电磁波)可以被吸收。固态驱动装置500可以减少(或备选地，防止)从外部渗透的静电对安装在封装衬底模块300中的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的辐射损害或传导损害。
在下文中，提供了用于更详细地描述固态驱动装置500的组件的图。
图5是示出了根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的封装衬底模块的透视图。
参考图5，图5的封装衬底模块300可以被应用于固态驱动装置(图1的500)。封装衬底模块300可以包括封装基底衬底302、第一半导体芯片304和第二半导体芯片306、以及附接到封装基底衬底302的一侧的控制器芯片316。
封装基底衬底302可以是印刷电路板(PCB)。例如，封装基底衬底302可以单侧PCB或双侧PCB。封装基底衬底302可以是多层PCB。
封装基底衬底302可以包括由选自酚醛树脂、环氧树脂和聚酰亚胺中的至少一种材料形成的衬底基底。衬底基底可以由选自酚醛树脂、环氧树脂和聚酰亚胺中的至少一种材料形成。例如，衬底基底可以包括选自阻燃剂4(FR4)、四官能环氧树脂、聚苯醚、环氧树脂/聚亚苯基氧化物、双马来酰亚胺三嗪(BT)、热固性树脂、氰酸酯、聚酰亚胺和液晶(LC)聚合物中的至少一种材料。
封装基底衬底302在衬底基底的上表面和下表面上具有布线图案。在一些示例实施例中，当衬底基底由多个层形成时，可以在由衬底基底形成的多个层之间形成布线图案。在封装基底衬底302的衬底基底中，可以形成用于连接布线图案的导电通孔。导电通孔穿过衬底基底的全部或一部分，并且可以电连接布线图案。布线图案和/或导电通孔可以由铜(Cu)、镍(Ni)、不锈钢或铍CU形成。
可以在封装基底衬底302的上表面和下表面上形成阻焊层，其中所述阻焊层覆盖布置在衬底基底的上表面和下表面上的布线图案的至少部分。在布置在衬底基底的上表面和下表面上的布线图案之中，未被阻焊层覆盖的部分可以被用作电连接到第一半导体芯片304、第二半导体芯片306、控制器芯片316、有源元件或无源元件的焊盘。
第一半导体芯片304和第二半导体芯片306中的每一个以及控制器芯片316可以包括半导体衬底。半导体衬底可以包括例如硅(Si)。备选地，半导体衬底可以包括诸如锗(Ge)之类的半导体元素或诸如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)和磷化铟(InP)之类的化合物半导体。半导体衬底可以具有有源表面和与有源表面相对的无源表面。在第一半导体芯片304、第二半导体芯片306和控制器芯片316中的每一个中，可以在半导体衬底的有源表面上形成半导体器件，其中所述半导体器件包括多种各种种类的单独器件。
第一半导体芯片304中的每一个可以是非易失性存储器器件。非易失性存储器器件可以是例如闪速存储器、相变随机存取存储器(RAM)(PRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FeRAM)或固态磁性RAM(MRAM)。然而，本发明构思的示例实施例不限于此。闪速存储器可以是例如NAND闪速存储器。闪速存储器可以是例如V-NAND闪速存储器。非易失性存储器器件可以由一个半导体管芯形成，或者可以由若干个堆叠的半导体管芯形成。
第二半导体芯片306中的每一个可以是易失性存储器器件。易失性存储器器件可以是例如动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、双数据速率(DDR)RAM或rambus动态(RD)RAM。然而，本发明构思的示例实施例不限于此。易失性存储器器件在外部主机访问固态驱动装置(图1的500)时提供存储频繁使用的数据的高速缓存功能，并且可以缩放访问时间和数据传递性能以便适应连接到固态驱动装置500的外部主机的处理性能。
控制器芯片316可以控制第一半导体芯片304和第二半导体芯片306。可以将控制器安装在控制器芯片316中。控制器可以控制对存储在非易失性存储器器件中的数据的访问。也就是说，控制器可以根据外部主机的控制命令控制非易失性存储器器件(例如闪速存储器)的写入/读取操作。控制器可以由诸如专用集成电路(ASIC)之类的附加控制半导体芯片形成。控制器可以被设计为例如当固态驱动装置500连接到外部主机时由外部主机的操作系统自动地执行。控制器可以提供诸如并行高级技术附件(PATA)、串行高级技术附件(SATA)、SCSI或PCI高速(PCIe)之类的标准协议。另外，控制器可以在非易失性存储器器件上执行损耗均衡、垃圾收集、坏块管理和纠错码(ECC)。在这种情况下，控制器可以包括用于自动执行的脚本和可以由外部主机执行的应用程序。
封装衬底模块300还可以包括附接在封装基底衬底302上的有源器件或无源器件(图4的308)，例如芯片电阻器、芯片电容器、电感器、开关、温度传感器、直流(DC)-DC转换器、用于产生时钟信号的石英、或电压调节器。
图6和图7是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的后视图和侧视图。
参考图6和7，如上所述，可以设置固态驱动装置(图1的500)的壳体(图1至图4的100)。壳体100可以包括基底102和侧壁104。如上所述，在基底102的后表面102b的边缘处，可以设置能够减少(或备选地，防止)外部冲击对壳体100的损害的缓冲器106。此外，可以将可以机械地接触外部装置的螺纹孔118定位在壳体100的侧壁104中。
图8是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的壳体的平面图。
详细地，如上所述，固态驱动装置(图1的500)的壳体(图1至图4中的100)可以包括基底102。基底102可以包括表面102a。可以将形成防静电结构206的金属柱202设置在基底102的表面102a上。
可以将金属柱202划分成子柱202a、202b和202c。子柱202a、202b和202c可以彼此连接。因此，子柱202b可以被称为用于连接子柱202a和202c的部分侧壁的子连接柱。
在壳体100的边缘处，可以设置衬底安装单元120，其中可以将封装衬底模块(图4的300)安装在衬底安装单元120上。可以将封装衬底模块(图4中的300)的封装基底衬底(图4的302)安装在衬底安装单元120上。
可以在衬底安装单元120中设置可以固定到封装基底衬底(图4的302)的螺纹孔120a、120b和120c。可以将螺纹孔120a、120b和120c设置在壳体100的边缘处。
另外，在壳体100中，可以设置从基底102的表面102a突出的缓冲销124，使得可以将封装基底衬底302容易地安放在衬底安装单元120中。此外，可以定位螺纹孔116，其中螺纹孔116延伸到壳体100内部并且可以机械地接触外部装置。
图9和图10是根据本发明构思的实施例的固态驱动装置的壳体的侧视图。
参考图9和图10，固态驱动装置(图1的500)的壳体(图1至图4的100)可以包括侧壁104和108。侧壁104可以是图4的壳体100的左侧壁和右侧壁。侧壁108可以是图4的壳体100的前侧壁和后侧壁。
可以将用于接收空气并且排出由封装衬底模块(图4的300)产生的热量的排热孔112设置在前侧壁和后侧壁108中。此外，可以将可以机械地接触外部装置的螺纹孔116定位在壳体100的侧壁104中。
图11是沿图8的线XI-XI′截取的横截面图。
详细地，固态驱动装置(图1的500)的壳体(图1至图4的100)可以包括基底102。基底102可以包括表面102a。可以将形成防静电结构206的金属柱202设置在基底102的表面102a上。
此外，将金属柱202形成为从基底102的表面102a突出并且与空间122相邻。也就是说，金属柱202被基底102的表面102a上的空间122划分。可以通过空间122来增加从外部渗透的静电的辐射距离和传导距离。
图12是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构。
参考图12，除了包括防静电结构206a的壳体100-1之外，固态驱动装置500-1可以与图1至图4的固态驱动装置500相同。
在图12中，将不给出或将简单地给出与图1至图4的描述相同的描述。在图12中，防静电结构206a还包括静电吸收构件(图2和图4的204)，为方便起见，将省略该静电吸收构件。
壳体100-1可以包括防静电结构206a。壳体100-1和防静电结构206a可以彼此一体。防静电结构206a可以包括金属柱202-1。可以将金属柱202-1划分成子柱202a、202b和202c。
子柱202a、202b和202c可以彼此连接。防静电结构206a可以包括分别位于金属柱202-1(即子柱202a、202b和202c)中的孔210a、210b和210c。
在示例实施例中，子柱202a、202b和202c中的孔210a、210b和210c可以暴露基底102。在示例实施例中，子柱202a、202b和202c中的孔210a、210b和210c可以不暴露基底102。孔210a、210b和210c可以分别包括单独孔H1、H2和H3。
单独孔H1、H2和H3可以被分隔构件IP分隔开。孔210a、210b和210c中的单独孔H1、H2和H3的大小可以变化。静电吸收构件(图2和图4的204)被安装在金属柱201-1和孔210a、210b和210c上，使得可以完成防静电结构206a。
由于分别包括单独孔H1、H2和H3的孔210a、210b和210c被设置在固态驱动装置500-1的金属柱202-1中，所以从外部渗透的静电的辐射距离和传导距离可以增加。固态驱动装置500-1可以减少(或备选地，防止)外部静电对安装在封装衬底模块(图4的300)上的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的辐射损害和传导损害。
图13是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构。
参考图13，除了包括防静电结构206b的壳体100-2之外，固态驱动装置500-2可以与图1至图4的固态驱动装置500以及图12的固态驱动装置500-1相同。
在图13中，将不给出或将简单地给出与图1至图4以及图12的描述相同的描述。在图13中，防静电结构206b还包括静电吸收构件(图2和4的204)，为方便起见，将省略该静电吸收构件。
壳体100-2可以包括防静电结构206b。壳体100-2和防静电结构206b可以彼此一体。防静电结构206b可以包括金属柱202-2。可以将金属柱202-2划分成子柱202a、202b和202c。
子柱202a、202b和202c可以彼此连接。防静电结构206b可以包括金属柱202-2(即子柱202a、202b和202c)中的孔212a、212b和212c。
在示例实施例中，子柱202a、202b和202c中的孔212a、212b和212c可以暴露基底102。在示例实施例中，子柱202a、202b和202c中的孔212a、212b和212c可以不暴露基底102。孔212a、212b和212c可以包括连通孔H4。静电吸收构件(图2和图4的204)被安装在金属柱201-1和孔212a、212b和212c上，使得可以完成防静电结构206b。
由于包括连通孔H4的孔212a、212b和212c被设置在固态驱动装置500-2的金属柱202-2中，所以从外部渗透的静电的辐射距离和传导距离可以增加。固态驱动装置500-2可以减少(或备选地，防止)外部静电对安装在封装衬底模块(图4的300)上的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的辐射损害和传导损害。
图14是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的分解透视图，其中所述固态驱动装置包括壳体和防静电结构。
参考图14，除了包括静电吸收构件204、204a和204c的防静电结构206c之外，固态驱动装置500-3可以与图1至图4的固态驱动装置500相同。
在图14中，将不给出或将简单给出与图1至图4的描述相同的描述。除了还包括静电吸收构件204a、204b和204c作为防静电结构(图2和图4的206)之外，固态驱动装置500-3可以与图1至图4的固态驱动装置500相同。防静电结构206可以包括金属柱202和静电吸收构件204、204a、204b和204c。
例如，在金属柱202的壳体100中，静电吸收构件204、204a、204b和204c可以包括金属柱202上的第一静电吸收构件204、金属柱202的部分表面上的第二静电吸收构件204a、金属柱202的周边处的第三静电吸收构件204b和204c。
进一步在固态驱动装置500-3的金属柱202的表面上或在金属柱202的周边处设置静电吸收构件204a、204b和204c，使得从外部渗透的静电可以被更好地吸收。因此，固态驱动装置500-3可以减少(或替代地，防止)外部静电对安装在封装衬底模块(图4的300)上的第一半导体芯片304和第二半导体芯片306的辐射损害和传导损害。
图15是根据本发明构思的示例实施例的固态驱动装置的框图。
参考图15，固态驱动装置1100包括非易失性存储器1110和控制器1120。非易失性存储器1110可以存储数据，并且可以具有尽管电力供应停止但仍然按照原样维持所存储的数据的非易失性特性。固态驱动装置1100可以是固态驱动装置500、500-1和500-3中的一个。
控制器1120响应于主机HOST的读取/写入请求而读取存储在非易失性存储器1110中的数据，或者可以存储非易失性存储器1110的数据。接口1130向主机HOST发送命令和地址信号或从主机HOST接收命令和地址信号，并通过控制器1120向非易失性存储器1110发送命令和地址信号，或可以从非易失性存储器1110接收命令和地址信号。
固态驱动装置1100还可以包括有源元件或无源元件，例如电阻器、电容器、电感器、开关、温度传感器、DC-DC转换器、用于产生时钟的石英、或电压调节器。
图16是根据本发明构思的示例实施例的系统的框图。
参考图16，系统1200可以包括通过公共总线1260进行通信的处理器1230(例如，中央处理单元(CPU))、随机存取存储器(RAM)1240、用户接口1250和调制解调器1220。此外，系统1200可以包括存储装置1210。设备可以通过公共总线1260向存储装置1210发送信号并且从存储装置1210接收信号。存储装置1210可以包括闪速存储器1211和存储器控制器1212。闪速存储器1210可以存储数据，并且可以具有尽管电力供应停止但仍然能够按照原样维持所存储的数据的非易失性特性。存储装置1210可以是上述固态驱动装置500、500-1和500-3中的一个。
尽管已经参考本发明的一些示例实施例具体示出和描述了本发明构思的示例实施例，但是将理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种固态驱动装置，包括：
壳体，包括基底和侧壁，所述侧壁沿所述基底的周边垂直于所述基底延伸；
防静电结构，从所述基底的至少部分表面突出，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，所述金属柱与所述壳体的所述侧壁间隔开，并且所述静电吸收构件位于所述金属柱的至少部分表面上；
封装衬底模块，在所述壳体中位于所述防静电结构上；和
盖，覆盖所述壳体和所述封装衬底模块，
其中，所述静电吸收构件包括铁素体磁体，所述静电吸收构件被配置为吸收从所述壳体的外部渗透的静电。
2.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱与所述壳体一体，使得所述金属柱与所述壳体的所述基底和所述侧壁一体。
3.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱的高度小于所述壳体的所述侧壁的高度。
4.根据权利要求1所述的固态驱动装置，还包括：
热传递材料构件，位于所述静电吸收构件上。
5.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述封装衬底模块包括：
封装基底衬底和半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基底衬底的上表面和下表面中的至少一个表面上。
6.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱具有的形状形成暴露所述基底的多个单独孔，所述多个单独孔被间隔开并且具有不同的大小。
7.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱具有的形状形成暴露所述基底的连通孔。
8.根据权利要求1所述的固态驱动装置，还包括：
附加静电吸收构件，设置在所述金属柱的周边上或所述静电吸收构件上并且彼此间隔开，使得所述附加静电吸收构件与所述侧壁分开一定距离。
9.根据权利要求1所述的固态驱动装置，其中，所述金属柱包括：
散热器件，被配置为将所述封装衬底模块产生的热量耗散到所述固态驱动装置外部。
10.一种固态驱动装置，包括：
壳体，包括基底和侧壁，所述侧壁沿所述基底的周边垂直于所述基底延伸；
防静电结构，与所述侧壁分开一定距离，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，所述金属柱包括多个子柱，所述多个子柱中具有孔，并且所述静电吸收构件位于所述金属柱和所述孔上；
封装衬底模块，在所述壳体中位于所述侧壁中的多个衬底安装单元上并且位于所述防静电结构上；和
盖，覆盖所述壳体和所述封装衬底模块。
11.根据权利要求10所述的固态驱动装置，所述多个子柱被成形有位于其中的具有不同大小的孔，所述孔被分隔构件分隔开。
12.根据权利要求10所述的固态驱动装置，其中，所述子柱中的所述孔是连通孔。
13.根据权利要求10所述的固态驱动装置，其中，所述封装衬底模块包括：
封装基底衬底；和
半导体芯片，位于所述封装基底衬底的上表面和下表面中的至少一个表面上，所述半导体芯片位于所述多个子柱中的一个上。
14.根据权利要求10所述的固态驱动装置，其中，所述子柱与包括所述基底和所述侧壁的所述壳体一体。
15.一种固态驱动装置，包括：
壳体，包括基底和侧壁，所述侧壁沿所述基底的周边垂直于所述基底延伸；
防静电结构，与所述侧壁分开一定距离，所述防静电结构包括金属柱和静电吸收构件，所述金属柱包括多个子柱和子连接柱，所述子连接柱连接所述子柱的一部分侧壁，孔位于所述子柱中的至少一个子柱和所述子连接柱中，并且所述静电吸收构件位于所述金属柱和所述孔上；
封装衬底模块，在所述壳体中位于所述侧壁中的多个衬底安装单元上并且位于所述防静电结构上；和
盖，覆盖所述壳体和所述封装衬底模块。
16.根据权利要求15所述的固态驱动装置，其中，所述多个子柱中的至少一个子柱和所述子连接柱具有的形状形成暴露所述基底的所述孔，所述孔具有不同的大小并且由分隔构件分隔。
17.根据权利要求16所述的固态驱动装置，其中，所述多个子柱中的至少一个子柱和所述子连接柱具有的形状使得所述孔形成暴露所述基底的连通孔。
18.根据权利要求16所述的固态驱动装置，其中，所述多个子柱和所述子连接柱与所述壳体一体。
19.根据权利要求16所述的固态驱动装置，还包括：
附加静电吸收构件，位于所述多个子柱和所述子连接柱的周边上，使得所述附加静电吸收构件与所述侧壁分开一定距离。
20.根据权利要求16所述的固态驱动装置，其中，所述封装衬底模块包括：
半导体芯片，位于封装基底衬底的上表面和下表面中的至少一个表面上，所述半导体芯片位于所述多个子柱中的一个子柱或所述子连接柱上。
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