CN110856908B - 研磨垫 - Google Patents

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Abstract

提供研磨垫，能够适当地提供研磨液。该研磨垫具有圆盘状的基材和上表面侧粘贴在基材上的研磨层，其中，研磨层具有：多个贯通孔，它们按照上下贯通研磨层的方式形成，用于提供研磨液；以及多个槽，它们形成于研磨层的下表面侧，与贯通孔连结，多个贯通孔按照围绕研磨层的中心的方式形成，多个槽从多个贯通孔朝向研磨层的外周呈放射状形成。

Description

研磨垫
技术领域
本发明涉及在被加工物的研磨中所用的研磨垫。
背景技术
将在正面侧形成有由IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成)等构成的器件的晶片沿着分割预定线(间隔道)进行分割，从而得到分别包含器件的多个芯片。该芯片被内置于各种电子设备中，近年来，随着电子设备的小型化、薄型化，对于芯片也要求小型化、薄型化。
因此，使用如下的方法：利用磨削磨具对晶片的背面侧进行磨削而使芯片变薄。在该晶片的磨削中，使用安装有磨削磨具的磨削装置。例如在专利文献1中公开了一种磨削装置，其使用包含粒径较大的磨粒的粗磨削用的磨削磨具和包含粒径较小的磨粒的精磨削用的磨削磨具而对晶片进行磨削。
当利用磨削磨具对晶片的背面侧进行磨削时，有时在磨削的区域形成微细的凹凸或裂纹。当存在形成有该凹凸或裂纹的区域(应变层)时，通过晶片的分割而得到的芯片的抗弯强度降低，因此期望在磨削加工后将应变层去除。
例如通过使用研磨装置对晶片的背面侧进行研磨而进行应变层的去除。在专利文献2中公开了一种研磨装置，其具有对晶片进行保持的卡盘工作台以及对卡盘工作台所保持的晶片进行研磨的研磨单元(研磨组件)。在研磨装置所具有的研磨单元中安装用于对晶片进行研磨的圆盘状的研磨垫。在研磨加工时，使该研磨垫一边旋转一边与晶片接触。
另外，在对晶片进行研磨时，经由形成于研磨垫的中央部的贯通孔(研磨液提供路)而对研磨垫与晶片之间提供研磨液。作为研磨液，例如使用分散有游离磨粒的试剂(浆料)等。该研磨液对晶片进行化学和机械作用，从而对晶片进行研磨。
专利文献1：日本特开2000-288881号公报
专利文献2：日本特开平8-99265号公报
在使用研磨装置对晶片进行研磨时，研磨垫被定位成与卡盘工作台所保持的晶片的整个被加工面接触。这里，在晶片的直径比较大的情况下，形成于研磨垫的中央部的研磨液提供路被晶片覆盖，因此容易经由研磨液提供路而对晶片的被加工面提供研磨液。
另一方面，当晶片的直径较小时，即使将研磨垫定位成与晶片的整个被加工面接触，有时研磨液提供路也成为未被晶片覆盖而露出的状态。在该情况下，提供至研磨液提供路的研磨液的大部分未被提供至晶片的被加工面而是流出，有时提供至研磨垫与晶片之间的研磨液不充分。其结果是，产生未适当地实施晶片的研磨或者未适当地排出由于研磨而产生的屑(研磨屑)等不良情况，容易产生加工不良。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供研磨垫，其能够适当地提供研磨液。
根据本发明的一个方式，提供研磨垫，其具有圆盘状的基材和上表面侧粘贴在该基材上的研磨层，该研磨层具有：多个贯通孔，它们按照上下贯通该研磨层的方式形成，用于提供研磨液；以及多个槽，它们形成于该研磨层的下表面侧，与该贯通孔连结，该多个贯通孔按照围绕该研磨层的中心的方式形成，该多个槽从该多个贯通孔朝向该研磨层的外周呈放射状形成。
另外，也可以是，在该研磨层的下表面侧的位于比该多个贯通孔靠该研磨层的外周侧的位置的区域中，形成有与该槽连结的多个同心圆状的槽。另外，也可以是，与该贯通孔连结的该槽按照未到达该研磨层的外周的方式形成。
本发明的一个方式的研磨垫具有：多个贯通孔，它们按照上下贯通研磨层的方向形成；以及多个槽，它们形成于研磨层的下表面侧，与该贯通孔连结。通过使用该研磨垫，容易将研磨液经由该槽而提供至研磨层的整个下表面侧，能够将研磨液适当地提供至研磨层与被加工物之间。
附图说明
图1是示出研磨装置的结构例的立体图。
图2是示出研磨垫的立体图。
图3是示出研磨垫的仰视图。
图4是示出研磨单元的剖视图。
图5是示出研磨垫的仰视图。
图6是示出研磨垫的仰视图。
图7是示出研磨垫的仰视图。
图8是示出研磨垫的仰视图。
标号说明
1：被加工物；3：保护带；2：研磨装置；4：基台；4a：开口；4b：开口；6a、6b：盒载置台；8a、8b：盒；10：第1搬送机构；12：操作面板；14：位置调整机构；16：第2搬送机构；18：X轴移动机构；20：防尘防滴罩；22：移动工作台；24：卡盘工作台；24a：保持面；24b：吸引路；26：支承构造；28：Z轴移动机构；30：Z轴导轨；32：Z轴移动板；34：Z轴滚珠丝杠；36：Z轴脉冲电动机；38：支承件；40：研磨单元；42：主轴壳体；44：主轴；46：安装座；46a：贯通孔；48：研磨垫；50：螺栓；52：研磨液提供路；54：研磨液提供源；56：第3搬送机构；58：清洗机构；70：基材；70a：上表面；70b：下表面；70c：螺纹孔；70d：贯通孔；72：研磨层；72a：上表面；72b：下表面；72c：贯通孔；72d：槽；72e：槽；74：研磨液；80：研磨垫；82：研磨层；82b：下表面；82c：贯通孔；82d：第1槽；82e：第2槽；82f：第3槽；90：研磨垫；92：研磨层；92b：下表面；92c：贯通孔；92d：第1槽；92e：第2槽；92f：第3槽。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是示出安装有本实施方式的研磨垫的研磨装置的结构例的立体图。研磨装置2是通过研磨垫对被加工物1进行研磨的加工装置。
通过研磨装置2进行研磨的被加工物1例如由圆盘状的晶片等构成，该晶片在正面侧形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成)等器件(未图示)。
对于被加工物1的材质、形状、构造、大小等没有限制，例如作为被加工物1，可以使用由半导体(硅、GaAs、InP、GaN、SiC等)、玻璃、蓝宝石、陶瓷、树脂、金属等材料形成的晶片。另外，被加工物1也可以是由钽酸锂或铌酸锂形成的晶片。另外，对于器件的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。
被加工物1由按照相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线(间隔道)划分成多个区域，在该多个区域内分别形成有器件。将被加工物1沿着分割预定线进行分割，从而得到分别包含器件的多个芯片。
出于该芯片的薄型化的目的，有时对分割前的被加工物1实施磨削加工。具体而言，利用磨削磨具对被加工物1的背面侧进行磨削，从而将被加工物1加工得较薄。但是，当利用磨削磨具对被加工物1的背面侧进行磨削时，有时在磨削的区域形成微细的凹凸或裂纹。当存在形成有该凹凸或裂纹的区域(应变层)时，对被加工物1进行分割而得到的芯片的抗弯强度降低，因此优选在磨削加工后将应变层去除。
研磨装置2例如用于上述应变层的去除。具体而言，通过研磨装置2对被加工物1的背面侧进行研磨，从而将应变层去除。由此，可抑制芯片的抗弯强度降低。
在对被加工物1的背面侧进行研磨时，在被加工物1的正面侧粘贴用于保护器件的保护带3。保护带3例如由具有挠性的膜状的基材和形成在该基材上的糊料层(粘接层)构成。基材例如使用PO(聚烯烃)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚氯乙烯、聚苯乙烯等。另外，糊料层例如使用硅橡胶、丙烯酸系材料、环氧系材料等。
研磨装置2具有对研磨装置2的各构成要素进行支承的基台4。在基台4上的前方侧设置有盒载置台6a、6b。在盒载置台6a上例如载置有对研磨加工前的被加工物1进行收纳的盒8a，在盒载置台6b上例如载置有对研磨加工后的被加工物1进行收纳的盒8b。
在盒载置台6a与盒载置台6b之间的区域形成有开口4a。在该开口4a内设置有对被加工物1进行搬送的第1搬送机构10。另外，在开口4a的前方的区域设置有用于输入研磨加工的条件等的操作面板12。
在第1搬送机构10的斜后方设置有对被加工物1的位置进行调整的位置调整机构14。收纳于盒8a的被加工物1通过第1搬送机构10搬送至位置调整机构14上，通过位置调整机构14对被加工物1的位置进行调整。另外，在位置调整机构14的附近配置有对被加工物1进行保持而旋转的第2搬送机构(装载臂)16。
在位于第2搬送机构16的后方的基台4的上表面侧设置有俯视矩形状的开口4b。该开口4b形成为长度方向沿着X轴方向(前后方向)。在开口4b内配置有滚珠丝杠式的X轴移动机构18和覆盖X轴移动机构18的一部分的防尘防滴罩20。另外，X轴移动机构18具有移动工作台22，通过X轴移动机构18控制移动工作台22在X轴方向上的位置。
在移动工作台22上设置有对被加工物1进行保持的卡盘工作台24，卡盘工作台24的上表面构成对被加工物1进行保持的保持面24a。另外，在图1中，特别示出假设对圆盘状的被加工物1进行保持因而保持面24a形成为俯视圆形的例子，但保持面24a的形状可以根据被加工物1的形状等进行适当地变更。
保持面24a经由形成于卡盘工作台24的内部的吸引路(未图示)而与吸引源(未图示)连接。通过第2搬送机构16将配置于位置调整机构14上的被加工物1搬送至卡盘工作台24的保持面24a上，将吸引源的负压作用于保持面24a，从而被加工物1被卡盘工作台24吸引保持。
当通过X轴移动机构18使移动工作台22移动时，卡盘工作台24与移动工作台22一起沿着X轴方向移动。另外，卡盘工作台24与电动机等旋转驱动源(未图示)连接，绕相对于Z轴方向(铅垂方向)大致平行的旋转轴旋转。
在基台4的后端设置有长方体状的支承构造26，在支承构造26的前表面侧设置有Z轴移动机构28。Z轴移动机构28在支承构造26的前表面侧具有设置成沿着Z轴方向的一对Z轴导轨30，在该一对Z轴导轨30上以能够沿着Z轴方向滑动的方式安装有Z轴移动板32。
在Z轴移动板32的后表面侧(背面侧)设置有螺母部(未图示)，在该螺母部上螺合有沿着与Z轴导轨30大致平行的方向配置的Z轴滚珠丝杠34。另外，在Z轴滚珠丝杠34的一个端部连结有Z轴脉冲电动机36。当通过Z轴脉冲电动机36使Z轴滚珠丝杠34旋转时，Z轴移动板32沿着Z轴导轨30在Z轴方向上移动。
在Z轴移动板32的前表面侧(正面侧)设置有向前方突出的支承件38，支承件38对研磨单元(研磨组件)40进行支承，该研磨单元40对被加工物1实施研磨加工。研磨单元40包含固定于支承件38的主轴壳体42，在主轴壳体42中以能够旋转的状态收纳有作为旋转轴的主轴44。
主轴44的前端部(下端部)露出到主轴壳体42的外部，在该主轴44的前端部固定有圆盘状的安装座46。另外，在安装座46的下表面侧安装有圆盘状的研磨垫48，该研磨垫48构成为与安装座46大致相同直径。研磨垫48的安装例如通过利用螺栓50对安装座46和研磨垫48进行固定而进行。不过，对于研磨垫48的安装方法没有限制。
在对被加工物1进行研磨时，首先按照要通过研磨单元40进行研磨的面(被加工面)向上方露出的方式通过卡盘工作台24对被加工物1进行吸引保持。然后，通过X轴移动机构18使卡盘工作台24移动，将卡盘工作台24定位于研磨垫48的下方。
然后，一边使卡盘工作台24和主轴44分别按照规定的转速向规定的方向旋转一边使研磨垫48按照规定的速度下降，从而使研磨垫48与被加工物1的被加工面接触。由此，通过研磨垫48对被加工物1进行研磨。
在研磨单元40的内部形成有沿着Z轴方向贯通研磨单元40的研磨液提供路52，研磨液提供路52的一端侧与研磨液提供源54连接。在通过研磨垫48对卡盘工作台24所吸引保持的被加工物1进行研磨时，从研磨液提供源54经由研磨液提供路52而将研磨液提供至被加工物1和研磨垫48。
在与第2搬送机构16相邻的位置配置有对被加工物1进行保持而旋转的第3搬送机构(卸载臂)56。另外，在第3搬送机构56的前方侧配置有对被加工物1进行清洗的清洗机构58。通过研磨单元40进行了研磨的被加工物1在通过第3搬送机构56搬送至清洗机构58之后，通过清洗机构58进行清洗。并且，清洗后的被加工物1通过第1搬送机构10进行搬送而收纳在盒8b中。
图2是示出安装于研磨单元40的研磨垫48的立体图。研磨垫48具有由不锈钢或铝等金属材料、或者PPS(聚苯硫醚)等树脂形成的圆盘状的基材70。基材70具有固定于安装座46的上表面70a和与上表面70a大致平行的下表面70b。
在基材70的上表面70a侧形成有供用于对安装座46和研磨垫48进行固定的螺栓50(参照图1)插入的多个螺纹孔70c。多个螺纹孔70c沿着基材70的圆周方向大致等间隔地形成。另外，对于螺纹孔70c的数量没有限制。
在基材70的中央部形成有从上表面70a至下表面70b贯通基材70的圆柱状的贯通孔70d。该贯通孔70d相当于形成在研磨单元40中的研磨液提供路52(参照图1)的一部分。另外，对于贯通孔70d的大小没有限制，例如贯通孔70d的直径形成为10mm以上且50mm以下左右。
在基材70的下表面70b侧固定有对被加工物1进行研磨的研磨层72。研磨层72形成为与基材70大致相同直径的圆盘状，研磨层72具有固定于基材70的下表面70b侧的上表面72a和与上表面72a大致平行的下表面72b。研磨层72的下表面72b构成对被加工物1的被加工面进行研磨的面(研磨面)。研磨层72例如借助粘接剂等而粘贴于基材70的下表面70b侧。
研磨层72例如通过在无纺布或发泡聚氨酯中分散有磨粒(固定磨粒)而形成。作为磨粒，例如可以使用粒径为0.1μm以上且10μm以下左右的二氧化硅。不过，磨粒的粒径、材质等可以根据被加工物1的材质等适当变更。
在研磨层72中含有磨粒的情况下，作为从研磨液提供源54(参照图1)提供的研磨液，使用不含磨粒的研磨液。作为研磨液，例如可以使用溶解有氢氧化钠或氢氧化钾等的碱溶液、高锰酸盐等的酸性液。另外，作为研磨液，也可以使用纯水。
另一方面，在研磨层72中可以不含有磨粒。在该情况下，作为从研磨液提供源54(参照图1)提供的研磨液，使用分散有磨粒(游离磨粒)的试剂(浆料)。试剂的材料、磨粒的材质、磨粒的粒径等根据被加工物1的材质等适当选择。
在对被加工物1进行研磨时，如图1所示，在研磨垫48安装于安装座46的状态下使主轴44旋转，从而使研磨垫48旋转。并且，从研磨液提供源54经由研磨液提供路52而将研磨液提供至研磨垫48与被加工物1之间，同时将旋转的研磨垫48推抵至卡盘工作台24所保持的被加工物1的被加工面。由此，被加工物1的被加工面通过研磨层72的下表面72b(研磨面)进行研磨。
被加工物1的研磨时，研磨垫48的研磨层72与被加工物1的整个被加工面接触。这里，例如在被加工物1的直径大于研磨层72的半径的情况下，研磨液提供路52的下端被被加工物1覆盖，因此容易经由研磨液提供路52向被加工物1的被加工面提供研磨液。
另一方面，例如在被加工物1的直径小于研磨层72的半径的情况下，研磨液提供路52的下端成为未被被加工物1覆盖而露出的状态。当在该状态下向研磨液提供路52提供研磨液时，有时研磨液的大部分未提供至被加工物1的被加工面而是流出，提供至被加工物1与研磨垫48之间的研磨液不充分。其结果是，产生未适当地实施被加工物1的研磨或未适当地排出由于研磨而产生的屑(研磨屑)等不良情况，容易产生加工不良。
本实施方式的研磨垫48具有：多个贯通孔，它们按照上下贯通研磨层72的方式形成；以及多个槽，它们形成于研磨层72的下表面72b侧，与该贯通孔连结。通过使用该研磨垫48，容易将研磨液经由该槽而提供至研磨层72的整个下表面72b侧，能够将研磨液适当地提供至研磨层72与被加工物1之间。
图3是示出研磨垫48的仰视图。在研磨层72的中央部形成有多个贯通孔72c，它们从上表面72a至下表面72b贯通研磨层72，排列成围绕研磨层72的中心O1。多个贯通孔72c例如形成为圆柱状，沿着以研磨层72的中心O1为中心而具有规定的半径的圆的圆周(外周)等间隔地排列。
另外，多个贯通孔72c分别形成于与基材70的贯通孔70d(参照图2)重叠的位置，即仰视时形成于贯通孔70d的内侧的区域。即，贯通孔70d和多个贯通孔72c连结。
另外，在研磨层72的下表面72b侧形成有多个线状的槽72d，它们与贯通孔72c连结，它们的深度小于研磨层72的厚度。多个槽72d分别从贯通孔72c朝向研磨层72的外周呈直线状形成。即，多个槽72d仰视时呈放射状形成。不过，多个槽72d分别形成为未到达研磨层72的外周。
贯通孔72c的大小、贯通孔72c的数量、槽72d的深度、槽72d的宽度等根据加工条件等适当设定。例如贯通孔72c的直径可以为3mm左右，贯通孔72c的数量可以为4以上且16以下。另外，例如槽72d的深度可以为0.5mm以上且3.0mm以下，槽72d的宽度可以为0.5mm以上且3.0mm以下。
另外，在图3中，示出槽72d呈直线状形成的例子，但对于槽72d的形状没有限制。例如槽72d可以呈曲线状(正弦波状、圆弧状等)、或折线状(三角波状、锯齿状等)形成。
图4是示出将研磨垫48安装于安装座46的状态的研磨单元40的剖视图。如图4所示，研磨垫48通过插入至螺纹孔70c的螺栓50而固定于安装座46的下表面侧。在安装座46的中心部形成有与基材70的贯通孔70d大致相同直径的圆柱状的贯通孔46a，当将研磨垫48安装于安装座46时，贯通孔46a和贯通孔70d连结。并且，通过贯通孔46a、70d、72c构成研磨液提供路52(参照图1)的一部分。
在对被加工物1进行研磨时，首先隔着保护带3而将被加工物1配置在卡盘工作台24的保持面24a上。然后，经由形成于卡盘工作台24的内部的吸引路24b而将吸引源(未图示)的负压作用于保持面24a上。由此，被加工物1被卡盘工作台24吸引保持。
然后，使卡盘工作台24移动至研磨单元40的下方，按照被加工物1的整体与研磨垫48的研磨层72重叠的方式对卡盘工作台24进行定位。另外，在图4中，示出了被加工物1的直径小于研磨层72的半径且被加工物1按照未与贯通孔72c重叠的方式进行定位的例子。
然后，使安装座46和卡盘工作台24分别绕相对于Z轴方向(铅垂方向)大致平行的旋转轴旋转，一边从研磨液提供源54(参照图1)向研磨液提供路52提供研磨液74一边使研磨单元40向下方移动。此时，从研磨液提供源54提供的研磨液74经由贯通孔46a和贯通孔70d而提供至贯通孔72c。并且，当研磨垫48的研磨层72与被加工物1接触时，对被加工物1进行研磨。
如图4所示，形成于基材70的贯通孔70d的下端的一部分(中央部)被研磨层72覆盖，从贯通孔70d提供至研磨层72的下表面72b侧的研磨液74的流量受到限制。因此，在被加工物1的直径较小且被加工物1未与贯通孔70d重叠的情况下，能够抑制未提供至被加工物1而流出到研磨层72的下方的研磨液74的量。
另外，在研磨层72的下表面72b侧形成有与贯通孔72c的下端部连结的槽72d，到达贯通孔72c的下端部的研磨液74由于离心力而在槽72d的内部传递，从而朝向研磨层72的下表面72b的半径方向外侧移动。即，槽72d成为研磨液74的流路，从而容易将研磨液74提供至研磨垫48与被加工物1之间。
这样，当使用形成有贯通孔72c和槽72d的研磨层72时，容易将研磨液74提供至被加工物1与研磨垫48之间。由此，可适当地实施研磨加工，并且可适当地排出研磨屑。
另外，槽72d按照未到达研磨层72的外周的方式形成。因此，能够防止提供至槽72d的研磨液74从研磨层72的外周侧流出，能够使研磨液74留在研磨垫48与被加工物1之间。
如上所述，本实施方式的研磨垫48具有：多个贯通孔72c，它们按照上下贯通研磨层72的方式形成；以及多个槽72d，它们形成于研磨层72的下表面72b侧，与贯通孔72c连结。通过使用该研磨垫48，容易将研磨液经由槽72d而提供至研磨层72的整个下表面72b侧，能够将研磨液适当地提供至研磨层72与被加工物1之间。
另外，本实施方式的研磨垫48可以通过在研磨层72上形成贯通孔72c和槽72d这样比较简易的方法来制造。因此，不需要进行由金属材料或树脂(PPS等)形成的基材70的加工及追加的部件的准备等，能够抑制制造的工夫及成本的增大。
另外，在图3中，对在研磨层72形成有贯通孔72c和槽72d的研磨垫48进行了说明，但研磨垫的方式不限于此。参照图5至图8对研磨垫的其他方式进行说明。
图5是示出图3所示的研磨垫48的变形例的仰视图。在图5所示的研磨层72的下表面72b侧形成有与多个贯通孔72c连结的槽72e。槽72e沿着以研磨层72的中心O1为中心而具有规定的半径的圆的圆周(外周)呈线状形成，与所有的贯通孔72c连结。另外，对于槽72e的深度和宽度没有限制，例如可以与槽72d同样地进行设定。
通过设置槽72e，能够将提供至一个贯通孔72c的研磨液74(参照图4)提供至其他贯通孔72c。由此，容易将研磨液74提供至研磨层72的整个下表面72b。
图6是示出研磨垫80的仰视图。研磨垫80具有：基材(未图示)，其具有与图3所示的基材70同样的构造；以及研磨层82，其固定于该基材的下表面侧。另外，在下文中未说明的研磨垫80的结构与图3所示的研磨垫48相同。
研磨层82形成为与基材大致相同直径的圆盘状，研磨层82的下表面82b构成对被加工物1进行研磨的研磨面。另外，研磨层82的材质与图3所示的研磨层72相同。另外，在研磨层82上形成有多个贯通孔82c和多个第1槽82d。贯通孔82c、第1槽82d的构造分别与图3所示的贯通孔72c、槽72d相同。
另外，在研磨层82的下表面82b侧的位于比多个贯通孔82c靠研磨层82的外周侧的位置的区域形成有多个第2槽82e。多个第2槽82e分别沿着以研磨层82的中心O2为中心而具有规定的半径的圆的圆周(外周)呈线状形成。即，多个第2槽82e形成为同心圆状。不过，形成于研磨层82的最靠近外周的位置的第2槽82e形成于比研磨层82的外周靠内侧的位置，未与研磨层82的外周相接。另外，对于第2槽82e的数量没有限制。
第2槽82e形成为与多个第1槽82d交叉，第1槽82d和第2槽82e在交叉部连结。即，多个第1槽82d经由第2槽82e而相互连接。另外，对于第1槽82d和第2槽82e的深度和宽度没有限制，例如可以与图3所示的槽72d同样地进行设定。
在使用研磨垫80对被加工物1进行研磨时，流入至贯通孔82c的研磨液74(参照图4)经由第1槽82d而提供至第2槽82e的内部。由此，对于相邻的第1槽82d之间的区域也容易提供研磨液74，更容易将研磨液74提供至被加工物1与研磨垫80之间。
另外，优选贯通孔82c与形成于最靠近研磨层82的中心O2的位置的第2槽82e之间的间隔比第2槽82e彼此之间的间隔窄。由此，容易将提供至一个贯通孔82c的研磨液74(参照图4)提供至研磨层82的整个下表面82b。
图7是示出研磨垫80的变形例的仰视图。在图7所示的研磨层82的下表面82b侧还形成有多个第3槽82f，它们与贯通孔82c以及形成于最靠近研磨层82的中心O2的位置的第2槽82e连结。与一个贯通孔82c连结的第3槽82f与第1槽82d(连结于与该一个贯通孔82c相邻的其他贯通孔82c的第1槽82d)和第2槽82e(形成于最靠近研磨层82的中心O2的位置的第2槽82e)的交叉部连结。
另外，多个第3槽82f分别从贯通孔82c朝向研磨垫80的旋转方向(在图7中为顺时针)而形成。即，与一个贯通孔82c连结的第3槽82f朝向与在研磨垫80的旋转方向侧与该一个贯通孔82c相邻的另一贯通孔82c连结的第1槽82d而形成。由此，提供至贯通孔82c的研磨液74通过离心力而容易提供至第2槽82e。
另外，在研磨层82的下表面82b侧还可以与图5同样地形成有与多个贯通孔82c连结的槽(参照图5的槽72e)。
图8是示出研磨垫90的仰视图。研磨垫90具有：基材(未图示)，其具有与图3所示的基材70同样的构造；以及研磨层92，其固定于该基材的下表面侧。另外，在下文中未说明的研磨垫90的结构与图3所示的研磨垫48相同。
研磨层92形成为与基材大致相同直径的圆盘状，研磨层92的下表面92b构成对被加工物1进行研磨的研磨面。另外，研磨层92的材质与图3所示的研磨层72相同。另外，在研磨层92形成有多个贯通孔92c和多个第1槽92d。贯通孔92c和第1槽92d的构造分别与图3所示的贯通孔72c、槽72d相同。不过，第1槽92d形成得比图3所示的槽72d短。
另外，在研磨层92的下表面92b侧的位于比多个贯通孔92c靠研磨层92的外周侧的位置的区域形成有多个第2槽92e。多个第2槽92e分别沿着以研磨层92的中心O3为中心而具有规定的半径的圆的圆周(外周)呈线状形成。即，多个第2槽92e形成为同心圆状。
形成于最靠近研磨层92的中心O3的位置的第2槽92e与多个第1槽92d连结。另外，形成于最靠近研磨层92的外周的位置的第2槽92e形成于比研磨层92的外周靠内侧的位置，未与研磨层92的外周相接。另外，对于第2槽92e的数量没有限制。
另外，在研磨层92的下表面92b侧的相邻的两个第2槽92e之间的区域分别形成有多个第3槽92f。第3槽92f沿着研磨层92的下表面92b的半径方向呈线状形成，与相邻的两个第2槽92e连结。不过，第3槽92f彼此不直接连结而是经由第2槽92e进行连接。另外，对于第1槽92d、第2槽92e、第3槽92f的深度和宽度没有限制，例如可以与图3所示的槽72d同样地进行设定。
在使用研磨垫90对被加工物1进行研磨时，流入至贯通孔92c的研磨液74(参照图4)通过离心力经由第1槽92d而提供至形成于最靠近研磨层92的中心O3的位置的第2槽92e的内部。然后，提供至该第2槽92e的研磨液74在第3槽92f和第2槽92e中交替传递而提供至形成于最靠近研磨层92的外周的位置的第2槽92e。
这样，研磨液74一边朝向研磨层92的外周蜿蜒行进一边进行提供。因此，与使用图3、图5至图7所示的研磨垫的情况相比，研磨液74不容易到达研磨层92的外周，更容易停留在研磨层92的整个下表面92b。由此，容易将研磨液74提供至研磨层92的整个下表面92b。
另外，在研磨层92的下表面92b侧可以与图5同样地还形成有与多个贯通孔92c连结的槽(参照图5的槽72e)。另外，在研磨层92的下表面92b侧也可以与图7同样地还形成有与贯通孔92c和形成于最靠近研磨层92的中心O3的位置的第2槽92e连结的多个槽(参照图7的第3槽82f)。
除此以外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (6)

1.一种研磨垫，其具有圆盘状的基材和上表面侧粘贴在该基材上的研磨层，其特征在于，
该基材在该基材的中央部具有第1贯通孔，该第1贯通孔按照上下贯通该基材的方式形成，用于提供研磨液，
该研磨层具有：
多个第2贯通孔，它们按照上下贯通该研磨层的方式形成，用于提供该研磨液；以及
多个槽，它们形成于该研磨层的下表面侧，并且直接与该第2贯通孔连结，
该多个第2贯通孔形成于与该第1贯通孔重叠的位置，
该多个槽直接从该多个第2贯通孔朝向该研磨层的外周呈放射状形成。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，
在该研磨层的下表面侧的位于比该多个第2贯通孔靠该研磨层的外周侧的位置的区域中，形成有与该槽连结的多个同心圆状的槽。
3.根据权利要求1或2所述的研磨垫，其特征在于，
与该第2贯通孔连结的该槽按照未到达该研磨层的外周的方式形成。
4.一种研磨垫，其具有圆盘状的基材和上表面侧粘贴在该基材上的研磨层，其特征在于，
该研磨层具有：
多个贯通孔，它们按照上下贯通该研磨层的方式形成，用于提供研磨液；以及
多个槽，它们形成于该研磨层的下表面侧，并且直接与该贯通孔连结，
该多个贯通孔按照围绕该研磨层的中心的方式形成，该多个贯通孔位于比多个槽的半径方向的内端靠研磨层的中心的位置，
该多个槽直接从该多个贯通孔朝向该研磨层的外周呈放射状形成。
5.根据权利要求4所述的研磨垫，其特征在于，
在该研磨层的下表面侧的位于比该多个贯通孔靠该研磨层的外周侧的位置的区域中，形成有与该槽连结的多个同心圆状的槽。
6.根据权利要求4或5所述的研磨垫，其特征在于，
与该贯通孔连结的该槽按照未到达该研磨层的外周的方式形成。
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