JPH0899265A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
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- JPH0899265A JPH0899265A JP26104394A JP26104394A JPH0899265A JP H0899265 A JPH0899265 A JP H0899265A JP 26104394 A JP26104394 A JP 26104394A JP 26104394 A JP26104394 A JP 26104394A JP H0899265 A JPH0899265 A JP H0899265A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ表面の研磨において、ウェーハにダ
レが生じないように且つウェーハの表面状態を検出して
研磨状態を制御出来るようにした、研磨装置を提供す
る。 【構成】 ウェーハを保持するチャックテーブルと、こ
のチャックテーブルに対向しチャックテーブルに保持さ
れたウェーハを研磨する研磨手段とを少なくとも含み、
研磨手段は研磨ベースと、この研磨ベースに装着される
研磨布と、研磨液を供給する研磨液供給手段と、研磨ベ
ースを回転するスピンドル手段とから構成される。前記
チャックテーブルと研磨ベースとを相対速度０．１５ｍ
／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲で回転して研磨布でウェーハの
表面を研磨する。ウェーハの一部が露出した状態で研磨
が遂行され、この露出部の表面状態を検出する状態検出
センサが配設される。
レが生じないように且つウェーハの表面状態を検出して
研磨状態を制御出来るようにした、研磨装置を提供す
る。 【構成】 ウェーハを保持するチャックテーブルと、こ
のチャックテーブルに対向しチャックテーブルに保持さ
れたウェーハを研磨する研磨手段とを少なくとも含み、
研磨手段は研磨ベースと、この研磨ベースに装着される
研磨布と、研磨液を供給する研磨液供給手段と、研磨ベ
ースを回転するスピンドル手段とから構成される。前記
チャックテーブルと研磨ベースとを相対速度０．１５ｍ
／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲で回転して研磨布でウェーハの
表面を研磨する。ウェーハの一部が露出した状態で研磨
が遂行され、この露出部の表面状態を検出する状態検出
センサが配設される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの表面を研磨
する研磨装置に関する。
する研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の研磨装置は、図４に示すように研
磨プレートＡの下面に固定された半導体ウェーハＷを、
研磨定盤Ｂの上に貼り付けられた研磨布Ｃに接触させ、
研磨液Ｄを研磨布Ｃ上に供給しながら研磨定盤Ｂと研磨
プレートＡを回転させることによって半導体ウェーハＷ
をポリッシングするようになっている（例えば、特開平
３−２４８５３２号公報）。前記研磨液Ｄは、ウェーハ
Ｗを物理的に研磨作用するＳｉＯ2 等と化学的にエッチ
ング作用するアルカリ成分と水とを含んでおり、研磨布
Ｃに研磨液Ｄを常時供給しながらポリッシング（メカノ
ケミカルポリッシング）する。
磨プレートＡの下面に固定された半導体ウェーハＷを、
研磨定盤Ｂの上に貼り付けられた研磨布Ｃに接触させ、
研磨液Ｄを研磨布Ｃ上に供給しながら研磨定盤Ｂと研磨
プレートＡを回転させることによって半導体ウェーハＷ
をポリッシングするようになっている（例えば、特開平
３−２４８５３２号公報）。前記研磨液Ｄは、ウェーハ
Ｗを物理的に研磨作用するＳｉＯ2 等と化学的にエッチ
ング作用するアルカリ成分と水とを含んでおり、研磨布
Ｃに研磨液Ｄを常時供給しながらポリッシング（メカノ
ケミカルポリッシング）する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の研磨装置に
おいては、ウェーハＷを研磨布Ｃで押圧ししかもウェー
ハＷの表面全体を被覆しウェーハＷを研磨布Ｃに埋めた
状態で研磨されるため、ウェーハＷにダレが生じて超高
集積ＩＣを形成するウェーハにとっては甚だ不適当であ
った。又、従来の研磨装置では、研磨布ＣにウェーハＷ
の全面が覆われるので加工面の状態（温度、膜厚等）を
計測及び制御することは出来ず、例えば温度を例にとる
とウェーハＷの化学反応が促進される表面温度（例えば
シリコンウェーハなら３５°Ｃ）に調整することは不可
能であった。そこで、本発明は、このような従来の問題
点を解消するためになされ、ウェーハに押圧力のみにた
よらず高速回転の下で研磨を遂行し、ダレを防止して超
高集積ＩＣを形成するのに適したウェーハを得ると共
に、ウェーハの表面状態を検出しその温度分布に基づい
て研磨状態をコントロール出来るようにした、研磨装置
を提供することを課題とする。
おいては、ウェーハＷを研磨布Ｃで押圧ししかもウェー
ハＷの表面全体を被覆しウェーハＷを研磨布Ｃに埋めた
状態で研磨されるため、ウェーハＷにダレが生じて超高
集積ＩＣを形成するウェーハにとっては甚だ不適当であ
った。又、従来の研磨装置では、研磨布ＣにウェーハＷ
の全面が覆われるので加工面の状態（温度、膜厚等）を
計測及び制御することは出来ず、例えば温度を例にとる
とウェーハＷの化学反応が促進される表面温度（例えば
シリコンウェーハなら３５°Ｃ）に調整することは不可
能であった。そこで、本発明は、このような従来の問題
点を解消するためになされ、ウェーハに押圧力のみにた
よらず高速回転の下で研磨を遂行し、ダレを防止して超
高集積ＩＣを形成するのに適したウェーハを得ると共
に、ウェーハの表面状態を検出しその温度分布に基づい
て研磨状態をコントロール出来るようにした、研磨装置
を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、ウェーハを保持する
チャックテーブルと、このチャックテーブルに対向しチ
ャックテーブルに保持されたウェーハを研磨する研磨手
段とを少なくとも含み、前記研磨手段は研磨ベースと、
この研磨ベースに装着される研磨布と、研磨液を供給す
る研磨液供給手段と、研磨ベースを回転するスピンドル
手段とから構成され、前記チャックテーブルと研磨ベー
スとを相対速度０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲で回
転して研磨布でウェーハの表面を研磨する、研磨装置を
要旨とする。又、チャックテーブルと、研磨ベースとが
相対的に揺動すること、チャックテーブルと、研磨ベー
スとが相対的に接近又は離反する方向に移動可能であ
り、ウェーハを所定量又は所定厚さに研磨すること、ウ
ェーハの一部が露出した状態で研磨が遂行され、この露
出部の表面状態を検出する状態検出センサが配設されて
いること、状態検出センサによって検出されたウェーハ
の表面状態に基づき、研磨液（遊離砥粒）の供給量及び
供給箇所を調整してウェーハ表面の温度を均一にコント
ロールすること、研磨液の供給経路がスピンドルから供
給される経路と、外部から供給される経路の２系統から
構成されていること、スピンドルの回転負荷電流を検出
し、ウェーハと研磨布との接触抵抗をコントロールする
こと、ウェーハの厚さを計測する計測手段が配設されて
いて、ウェーハを研磨している際ウェーハの厚さを計測
すること、を要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、ウェーハを保持する
チャックテーブルと、このチャックテーブルに対向しチ
ャックテーブルに保持されたウェーハを研磨する研磨手
段とを少なくとも含み、前記研磨手段は研磨ベースと、
この研磨ベースに装着される研磨布と、研磨液を供給す
る研磨液供給手段と、研磨ベースを回転するスピンドル
手段とから構成され、前記チャックテーブルと研磨ベー
スとを相対速度０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲で回
転して研磨布でウェーハの表面を研磨する、研磨装置を
要旨とする。又、チャックテーブルと、研磨ベースとが
相対的に揺動すること、チャックテーブルと、研磨ベー
スとが相対的に接近又は離反する方向に移動可能であ
り、ウェーハを所定量又は所定厚さに研磨すること、ウ
ェーハの一部が露出した状態で研磨が遂行され、この露
出部の表面状態を検出する状態検出センサが配設されて
いること、状態検出センサによって検出されたウェーハ
の表面状態に基づき、研磨液（遊離砥粒）の供給量及び
供給箇所を調整してウェーハ表面の温度を均一にコント
ロールすること、研磨液の供給経路がスピンドルから供
給される経路と、外部から供給される経路の２系統から
構成されていること、スピンドルの回転負荷電流を検出
し、ウェーハと研磨布との接触抵抗をコントロールする
こと、ウェーハの厚さを計測する計測手段が配設されて
いて、ウェーハを研磨している際ウェーハの厚さを計測
すること、を要旨とするものである。
【０００５】
【作 用】研磨布でウェーハを押圧することのみに頼ら
ず、チャックテーブルと研磨ベースとを相対速度０．１
５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲で回転することにより研磨
するので、研磨最中の研磨布の変形を極力少なくしてウ
ェーハにダレが生じることはなく、且つ研磨布でウェー
ハの表面全体を覆わないので、ウェーハの表面状態を測
定すると共に研磨液（遊離砥粒）の供給量及び供給箇所
を調整してウェーハ表面の状態を均一にコントロールす
ることが出来る。又、スピンドルの回転負荷電流を検出
し、ウェーハと研磨布との接触抵抗をコントロールする
ことが可能であり、更にウェーハの厚さを計測する計測
手段により研磨している際にウェーハの厚さを計測する
ことが出来る。更に、チャックテーブルに圧力センサを
配設して研磨布によるウェーハへの押圧力をコントロー
ルすることも出来る。
ず、チャックテーブルと研磨ベースとを相対速度０．１
５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲で回転することにより研磨
するので、研磨最中の研磨布の変形を極力少なくしてウ
ェーハにダレが生じることはなく、且つ研磨布でウェー
ハの表面全体を覆わないので、ウェーハの表面状態を測
定すると共に研磨液（遊離砥粒）の供給量及び供給箇所
を調整してウェーハ表面の状態を均一にコントロールす
ることが出来る。又、スピンドルの回転負荷電流を検出
し、ウェーハと研磨布との接触抵抗をコントロールする
ことが可能であり、更にウェーハの厚さを計測する計測
手段により研磨している際にウェーハの厚さを計測する
ことが出来る。更に、チャックテーブルに圧力センサを
配設して研磨布によるウェーハへの押圧力をコントロー
ルすることも出来る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳説
する。図１において、１はウェーハＷを吸引保持するチ
ャックテーブルであり、保持台４に相対速度０．１５ｍ
／ｓ〜２０ｍ／ｓで軸回転可能に保持され、且つこの保
持台４を介してＹ軸方向に移動可能に形成されている。
即ち、保持台４はＹ軸移動機構５のボールネジ５ａに螺
合しており、このボールネジ５ａをＹ軸駆動用モータ５
ｂにより回転させることにより、ガイドレール５ｃに沿
ってＹ軸方向に移動するようになっている。
する。図１において、１はウェーハＷを吸引保持するチ
ャックテーブルであり、保持台４に相対速度０．１５ｍ
／ｓ〜２０ｍ／ｓで軸回転可能に保持され、且つこの保
持台４を介してＹ軸方向に移動可能に形成されている。
即ち、保持台４はＹ軸移動機構５のボールネジ５ａに螺
合しており、このボールネジ５ａをＹ軸駆動用モータ５
ｂにより回転させることにより、ガイドレール５ｃに沿
ってＹ軸方向に移動するようになっている。
【０００７】６はチャックテーブル１に関連して設けた
研磨液回収機構であり、ウェーハＷの研磨時に供給され
た研磨液を研磨液槽７内に回収出来るようにしてある。
この研磨液槽７にはｐＨコントローラ７ａが設けられ、
研磨液中のアルカリ溶液のｐＨを調整出来るようにして
ある。
研磨液回収機構であり、ウェーハＷの研磨時に供給され
た研磨液を研磨液槽７内に回収出来るようにしてある。
この研磨液槽７にはｐＨコントローラ７ａが設けられ、
研磨液中のアルカリ溶液のｐＨを調整出来るようにして
ある。
【０００８】８は前記チャックテーブル１に対向して設
けられた研磨手段であり、研磨ベース２と、この研磨ベ
ース２の下面に装着される研磨布３と、研磨液を供給す
る研磨液供給手段９と、研磨ベース２を相対速度０．１
５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓで回転させるスピンドル手段８ａ
とから構成されている。
けられた研磨手段であり、研磨ベース２と、この研磨ベ
ース２の下面に装着される研磨布３と、研磨液を供給す
る研磨液供給手段９と、研磨ベース２を相対速度０．１
５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓで回転させるスピンドル手段８ａ
とから構成されている。
【０００９】前記研磨手段８は支持台１０を介してＺ軸
方向に移動可能に形成されている。即ち、支持台１０は
Ｚ軸移動機構１１のボールネジ１１ａに螺合しており、
このボールネジ１１ａをＺ軸駆動用モータ１１ｂにより
回転させることにより、ガイドレール１１ｃに沿ってＺ
軸方向に移動するようになっている。これにより、前記
研磨ベース２とチャックテーブル１とは相対的に接近又
は離反する方向に移動可能であると共に、相対的に揺動
することが出来る。
方向に移動可能に形成されている。即ち、支持台１０は
Ｚ軸移動機構１１のボールネジ１１ａに螺合しており、
このボールネジ１１ａをＺ軸駆動用モータ１１ｂにより
回転させることにより、ガイドレール１１ｃに沿ってＺ
軸方向に移動するようになっている。これにより、前記
研磨ベース２とチャックテーブル１とは相対的に接近又
は離反する方向に移動可能であると共に、相対的に揺動
することが出来る。
【００１０】前記研磨液供給手段９は、研磨液の供給経
路が前記スピンドル手段８ａから供給される第１の供給
経路９ａと、外部から供給される第２の供給経路９ｂの
２系統から構成されている。即ち、前記研磨液槽７内の
研磨液をポンプ９ｃにより吸い上げると共に、供給管９
ｄを経て前記第１の供給経路９ａと第２の供給経路９ｂ
とに分岐してそれぞれ供給出来るようにしてある。
路が前記スピンドル手段８ａから供給される第１の供給
経路９ａと、外部から供給される第２の供給経路９ｂの
２系統から構成されている。即ち、前記研磨液槽７内の
研磨液をポンプ９ｃにより吸い上げると共に、供給管９
ｄを経て前記第１の供給経路９ａと第２の供給経路９ｂ
とに分岐してそれぞれ供給出来るようにしてある。
【００１１】前記第１の供給経路９ａは、供給管９ｄに
より送られてきた研磨液を研磨手段８に設けられた供給
路８ｂを経て研磨ベース２の供給孔２ａから前記研磨布
３に研磨液を供給する一方、前記第２の供給経路９ｂ
は、電磁弁１２の切り換え操作によって研磨箇所に外部
から研磨液を供給する。１３はノズル位置調整手段であ
り、前記第２の供給経路９ｂの先端ノズルの位置を調整
することが出来る。
より送られてきた研磨液を研磨手段８に設けられた供給
路８ｂを経て研磨ベース２の供給孔２ａから前記研磨布
３に研磨液を供給する一方、前記第２の供給経路９ｂ
は、電磁弁１２の切り換え操作によって研磨箇所に外部
から研磨液を供給する。１３はノズル位置調整手段であ
り、前記第２の供給経路９ｂの先端ノズルの位置を調整
することが出来る。
【００１２】１４は研削箇所に配設された状態検出セン
サであり、特に検出すべき状態として温度を例にとる
と、公知のサーモグラフィ装置により図２に示すように
モニタ１５に可視像とサーモ像が同時に表示１５ａさ
れ、このウェーハの温度分布に基づきＣＰＵ１６から前
記研磨液供給手段９に指令信号を出力して研磨液（遊離
砥粒）の供給量及び供給箇所を調整し、ウェーハ表面の
温度を均一にコントロールする。
サであり、特に検出すべき状態として温度を例にとる
と、公知のサーモグラフィ装置により図２に示すように
モニタ１５に可視像とサーモ像が同時に表示１５ａさ
れ、このウェーハの温度分布に基づきＣＰＵ１６から前
記研磨液供給手段９に指令信号を出力して研磨液（遊離
砥粒）の供給量及び供給箇所を調整し、ウェーハ表面の
温度を均一にコントロールする。
【００１３】１７はウェーハの厚さを計測する計測手段
であり、触針式又は非接触式のものが研削箇所に配設さ
れ、ウェーハを研磨している際にウェーハの厚さを計測
することが出来る。
であり、触針式又は非接触式のものが研削箇所に配設さ
れ、ウェーハを研磨している際にウェーハの厚さを計測
することが出来る。
【００１４】図１において、１８は負荷電流検出器であ
り、前記スピンドル手段８ａの回転負荷電流を検出し、
研磨時でのウェーハと研磨布３との接触抵抗をコントロ
ールする。又、チャックテーブル１の保持台４に圧力セ
ンサを配設し、ウェーハに加わる押圧力を検出して押圧
力をコントロールすることも出来る。尚、図１におい
て、ＣＰＵ１６は各部材との接続線が複雑になるためそ
れら接続線を全て省略してある。
り、前記スピンドル手段８ａの回転負荷電流を検出し、
研磨時でのウェーハと研磨布３との接触抵抗をコントロ
ールする。又、チャックテーブル１の保持台４に圧力セ
ンサを配設し、ウェーハに加わる押圧力を検出して押圧
力をコントロールすることも出来る。尚、図１におい
て、ＣＰＵ１６は各部材との接続線が複雑になるためそ
れら接続線を全て省略してある。
【００１５】本発明に係る研磨装置は上記のように構成
され、前記チャックテーブル１上に保持されたウェーハ
Ｗに、研磨ベース２の研磨布３を接触させて相対的に
（通常は研磨ベース２を）０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓ
の速度で回転して研磨布３でウェーハＷの表面を研磨す
る。この時、図３に示すようにチャックテーブル１と研
磨ベース２とが相対的に（通常はチャックテーブル１
を）揺動して研磨することもある。又、チャックテーブ
ル１と研磨ベース２とが相対的に（通常は研磨ベース
を）接近又は離反する方向に移動してウェーハＷを所定
量又は所定厚さに研磨する。
され、前記チャックテーブル１上に保持されたウェーハ
Ｗに、研磨ベース２の研磨布３を接触させて相対的に
（通常は研磨ベース２を）０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓ
の速度で回転して研磨布３でウェーハＷの表面を研磨す
る。この時、図３に示すようにチャックテーブル１と研
磨ベース２とが相対的に（通常はチャックテーブル１
を）揺動して研磨することもある。又、チャックテーブ
ル１と研磨ベース２とが相対的に（通常は研磨ベース
を）接近又は離反する方向に移動してウェーハＷを所定
量又は所定厚さに研磨する。
【００１６】前記チャックテーブル１は高速回転する研
磨ベース２に連れ回りさせるか、又は独自に研磨ベース
２とは逆方向に適宜回転させても良く、いずれにしても
ウェーハＷを押圧力のみに頼らず高速回転の下で研磨を
遂行する。高速回転で研磨すると、縦方向の荷重を横方
向の距離（及び面積）に転嫁し、研磨最中の研磨布３の
変形を極力少なくすることが出来、研磨布３の変形の無
い研磨が可能となる。従って、ウェーハＷの表面を均一
に研磨し且つダレが生じることはない。
磨ベース２に連れ回りさせるか、又は独自に研磨ベース
２とは逆方向に適宜回転させても良く、いずれにしても
ウェーハＷを押圧力のみに頼らず高速回転の下で研磨を
遂行する。高速回転で研磨すると、縦方向の荷重を横方
向の距離（及び面積）に転嫁し、研磨最中の研磨布３の
変形を極力少なくすることが出来、研磨布３の変形の無
い研磨が可能となる。従って、ウェーハＷの表面を均一
に研磨し且つダレが生じることはない。
【００１７】この場合、研磨布３がウェーハＷの上面全
体を覆わずにウェーハＷの一部が露出した状態で研磨が
遂行され、この露出部の表面状態を前記状態検出センサ
１４で検出し、モニタ１５及びＣＰＵ１６を介して研磨
状態が適正に制御される。更に研磨制御に関連して、前
記研磨液供給手段９による研磨液の供給量及び供給経路
の選択、ノズル位置調整手段１３によるノズルの位置調
整、負荷電流検出器１８によるウェーハＷと研磨布３と
の接触抵抗等がＣＰＵ１６からの各指令によって総合的
に調整される。又、研磨中でのウェーハＷの厚さは前記
計測手段１７によりリアルタイムで計測され、その検出
信号がＣＰＵ１６に入力される。
体を覆わずにウェーハＷの一部が露出した状態で研磨が
遂行され、この露出部の表面状態を前記状態検出センサ
１４で検出し、モニタ１５及びＣＰＵ１６を介して研磨
状態が適正に制御される。更に研磨制御に関連して、前
記研磨液供給手段９による研磨液の供給量及び供給経路
の選択、ノズル位置調整手段１３によるノズルの位置調
整、負荷電流検出器１８によるウェーハＷと研磨布３と
の接触抵抗等がＣＰＵ１６からの各指令によって総合的
に調整される。又、研磨中でのウェーハＷの厚さは前記
計測手段１７によりリアルタイムで計測され、その検出
信号がＣＰＵ１６に入力される。
【００１８】このようにして研磨されたウェーハは、従
来のようにダレが発生することはなく上面が均一に研磨
され、超高集積ＩＣを形成するのに適したものが得られ
る。特に、ＣＶＤ等によってウェーハの表面に回路を形
成していく途中で、ウェーハ表面に被覆された絶縁膜等
の凸部を平坦化する研磨に適している。尚、研磨布とウ
ェーハとの関係は前記実施例のように研磨布側が高速回
転する場合の外に、ウェーハ側が高速回転する場合、研
磨布側及びウェーハ側とも高速回転する場合があり、位
置関係もどちらが上下になっても構わない。又、研磨液
槽に温度センサを設け、且つ研磨液を加熱又は冷却する
研磨液温度制御手段を設け、研磨液をウェーハの研磨に
適した温度に設定することも可能である。
来のようにダレが発生することはなく上面が均一に研磨
され、超高集積ＩＣを形成するのに適したものが得られ
る。特に、ＣＶＤ等によってウェーハの表面に回路を形
成していく途中で、ウェーハ表面に被覆された絶縁膜等
の凸部を平坦化する研磨に適している。尚、研磨布とウ
ェーハとの関係は前記実施例のように研磨布側が高速回
転する場合の外に、ウェーハ側が高速回転する場合、研
磨布側及びウェーハ側とも高速回転する場合があり、位
置関係もどちらが上下になっても構わない。又、研磨液
槽に温度センサを設け、且つ研磨液を加熱又は冷却する
研磨液温度制御手段を設け、研磨液をウェーハの研磨に
適した温度に設定することも可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チャックテーブルに保持されたウェーハの表面を遊離砥
粒を供給しながら研磨布で研磨する研磨装置において、
研磨布でウェーハを押圧せず、チャックテーブルと研磨
ベースとを相対速度０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲
で回転することにより研磨するので、研磨最中の研磨布
の変形を極力少なくしてウェーハにダレが生じることは
なく、且つ研磨布でウェーハの表面全体を覆わないの
で、ウェーハの表面状態を検出すると共に研磨液（遊離
砥粒）の供給量及び供給箇所を調整してウェーハ表面の
状態を均一にコントロールすることが出来る等の優れた
効果を奏する。
チャックテーブルに保持されたウェーハの表面を遊離砥
粒を供給しながら研磨布で研磨する研磨装置において、
研磨布でウェーハを押圧せず、チャックテーブルと研磨
ベースとを相対速度０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲
で回転することにより研磨するので、研磨最中の研磨布
の変形を極力少なくしてウェーハにダレが生じることは
なく、且つ研磨布でウェーハの表面全体を覆わないの
で、ウェーハの表面状態を検出すると共に研磨液（遊離
砥粒）の供給量及び供給箇所を調整してウェーハ表面の
状態を均一にコントロールすることが出来る等の優れた
効果を奏する。
【図１】 本発明の一実施例を示す構成説明図である。
【図２】 研磨時の状態を示す要部説明図である。
【図３】 研磨ベースとチャックテーブルとの動きを示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】 従来例の説明図である。
１…チャックテーブル ２…研磨ベース ２ａ…供
給孔 ３…研磨布 ４…保持台 ５…Ｙ軸移動機構 ５ａ…ボールネジ
５ｂ…Ｙ軸駆動用モータ ５ｃ…ガイドレール
６…研磨液回収機構 ７…研磨液槽 ７ａ…ｐＨ
コントローラ ８…研磨手段 ８ａ…スピンドル手
段 ８ｂ…供給路 ９…研磨液供給手段 ９ａ…
第１の供給経路 ９ｂ…第２の供給経路 ９ｃ…ポ
ンプ ９ｄ…供給管 １０…支持台 １１…Ｚ軸
移動機構 １１ａ…ボールネジ １１ｂ…Ｚ軸駆動用モータ
１１ｃ…ガイドレール １２…電磁弁 １３…ノズ
ル位置調整手段 １４…状態検出センサ １５…モニタ １５ａ…表示 １６…ＣＰＵ １
７…計測手段 １８…負荷電流検出器
給孔 ３…研磨布 ４…保持台 ５…Ｙ軸移動機構 ５ａ…ボールネジ
５ｂ…Ｙ軸駆動用モータ ５ｃ…ガイドレール
６…研磨液回収機構 ７…研磨液槽 ７ａ…ｐＨ
コントローラ ８…研磨手段 ８ａ…スピンドル手
段 ８ｂ…供給路 ９…研磨液供給手段 ９ａ…
第１の供給経路 ９ｂ…第２の供給経路 ９ｃ…ポ
ンプ ９ｄ…供給管 １０…支持台 １１…Ｚ軸
移動機構 １１ａ…ボールネジ １１ｂ…Ｚ軸駆動用モータ
１１ｃ…ガイドレール １２…電磁弁 １３…ノズ
ル位置調整手段 １４…状態検出センサ １５…モニタ １５ａ…表示 １６…ＣＰＵ １
７…計測手段 １８…負荷電流検出器
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェーハを保持するチャックテーブル
と、このチャックテーブルに対向しチャックテーブルに
保持されたウェーハを研磨する研磨手段とを少なくとも
含み、前記研磨手段は研磨ベースと、この研磨ベースに
装着される研磨布と、研磨液を供給する研磨液供給手段
と、研磨ベースを回転するスピンドル手段とから構成さ
れ、前記チャックテーブルと研磨ベースとを相対速度
０．１５ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓで回転して研磨布でウェー
ハの表面を研磨することを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】 チャックテーブルと、研磨ベースとが相
対的に揺動する、請求項１記載の研磨装置。 - 【請求項３】 チャックテーブルと、研磨ベースとが相
対的に接近又は離反する方向に移動可能であり、ウェー
ハを所定量又は所定厚さに研磨する、請求項１乃至２記
載の研磨装置。 - 【請求項４】 ウェーハの一部が露出した状態で研磨が
遂行され、この露出部の表面状態を検出する状態検出セ
ンサが配設されている、請求項１乃至３記載の研磨装
置。 - 【請求項５】 状態検出センサによって検出されたウェ
ーハの表面状態に基づき、研磨液（遊離砥粒）の供給量
及び供給箇所を調整してウェーハ表面の状態を均一にコ
ントロールする、請求項４記載の研磨装置。 - 【請求項６】 研磨液の供給経路がスピンドルから供給
される経路と、外部から供給される経路の２系統から構
成されている、請求項１乃至５記載の研磨装置。 - 【請求項７】 スピンドルの回転負荷電流を検出し、ウ
ェーハと研磨布との接触抵抗をコントロールする、請求
項１乃至６記載の研磨装置。 - 【請求項８】 ウェーハの厚さを計測する計測手段が配
設されていて、ウェーハを研磨している際ウェーハの厚
さを計測する、請求項１乃至７記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26104394A JPH0899265A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26104394A JPH0899265A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0899265A true JPH0899265A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17356266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26104394A Pending JPH0899265A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0899265A (ja) |
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-
1994
- 1994-09-30 JP JP26104394A patent/JPH0899265A/ja active Pending
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