CN110111827B - 一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构 - Google Patents
一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,包括存储器单元和控制MOS管,所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇,且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点,从而形成存储器单元的3个节点,三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极,所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的一个读写端口,所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,最大化的减小了MOS管的数量,从而减少了多值阻变结构的面积。
Description
技术领域
本发明设计阻变存储器领域,具体涉及一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构。
背景技术
近年来,越来越多的新型存储器,诸如磁存储器,铁存储器,相变存储器的产生对于整个存储器行业产生了巨大影响。这些存储器因为功耗低,速度快,面积小的特点,可以作为传统存储器的一种补充。阻变存储器,即RRAM,也是其中非常重要的一类存储器,它可以由多种材料制作而成,主要特性在于自身存在两种电阻值,可以通过加入适当的电学条件控制,达到在两种阻值之间的转换。
如图1所示,将RRAM串联一个MOS管,即可形成一个典型的1T1R单值存储单元结构。近年来,一些阻变材料也体现出多值特性,使得RRAM存在忆阻器特性。忆阻器在神经网络领域具有非常重要的作用,因为它是神经元突触的天然电学替代品,可以非常贴近的模拟出神经突触的效果。尽管如此,因为多值RRAM在制造上仍然不是很完善,而且在性能上在现阶段也无法把控,所以通过将多个单值RRAM拟合成多值结构,也是现在的一种可行的替代做法。
传统的做法是单纯的将多个RRAM做并联结构,如附图2所示,这种结构的问题在于使用了过多的MOS晶体管,因为晶体管的面积普遍会远大于单值RRAM的面积,所以过多的晶体管将占用大量面积,是一种在面积上非常不划算的做法。因此,能否在使用尽量少的MOS管的基础上,做出一个多值存储器结构,是一项非常有意义的事情。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,包括若干个单值阻变存储器以及一个控制MOS管,最大化的减小了MOS管的数量,从而减少了多值阻变结构的面积。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,包括存储器单元和控制MOS管,所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇,且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点,从而形成存储器单元的3个节点,三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极,所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的读写端口,所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。
进一步地,所述控制MOS管在导通时的阻值小于任意一个阻变存储器簇的阻值。
进一步地,所述多值阻变结构可以产生8个不同的阻值:R1on||(R2on+R3on),R1on||(R2on+R3off),R1on||(R2off+R3on),R1on||(R2off+R3off),R1off||(R2on+R3on),R1off||(R2on+R3off),R1off||(R2off+R3on),R1off||(R2off+R3off),其中,R1on,R1off,R2on,R2off,R3on,R3off分别表示阻变存储器簇A1、阻变存储器簇A2和阻变存储器簇A3导通和关闭时的电阻值,所述阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,其中一个节点连接控制MOS管。
进一步地,当编程其中一个阻变存储器簇时,通过控制三个节点对应的电压,确保另外两个阻变存储器簇不被编程。
进一步地,当编程阻变存储器簇A1时,控制V1-V3>VTH,V2=1/2(V1+V3);当编程阻变存储器簇A2时,控制V1-V2>VTH,V3=1/2(V1+V2);当编程阻变存储器簇A3时,控制V2-V3>VTH,V1=1/2(V2+V3);其中,所述阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,其中一个节点连接控制MOS管,所施加的电压为V3,另外一个节点上施加的电压为V1;阻变存储器簇A3位于控制MOS管的另一侧,阻变存储器簇A3两端的节点上施加的电压分别为V3和V2;VTH为阻变存储器簇的阻值发生变化时对应的阈值电压。
进一步地,所述两个控制端口为读写端口。
进一步地,所述两个控制端口分别为读写端口和只写输入端口。
进一步地,所述阻变存储器簇包括至少一个单值阻变存储器,当所述阻变存储器簇中的单值阻变存储器个数大于1时,所有的单值阻变存储器并联连接。
进一步地,所述单值阻变存储器的电阻值相同。
进一步地,所述控制MOS管的源极和漏极可以互换。
本发明的有益效果为:本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,包括若干个单值阻变存储器以及一个控制MOS管,其中,单值阻变存储器形成三个首尾连接的阻变存储器簇,每一个阻变存储器簇中的单值阻变存储器并联,通过对阻变存储器簇的编程,可以得到若干个不同的阻值,最大化的减小了MOS管的数量,从而减少了多值阻变结构的面积。同时,控制MOS管作为整个结构的选择关,可以保证在整个多值阻变结构作为存储阵列一部分的同时,也保持该结构的相对独立性,该结构产生了多种阻值,可以应用于神经网络、图像存储等需要用到多值存储器的场合。
附图说明
附图1为现有技术中典型的单值存储单元示意图。
附图2为现有技术中多个单值阻变存储器并联形成的多值阻变存储器结构。
附图3为本发明一种多值阻变结构的示意图。
附图4为实施例1中多值阻变结构的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的详细说明。
如附图3所示,本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,包括存储器单元和控制MOS管,存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇,且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点,从而形成存储器单元的3个节点,三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极,控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的读写端口,控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。
其中,两个控制端口可以为两个读写端口,也可以为一个读写端口和一个只写输入端口;需要说明的是,当两个控制端口均为读写端口时,其中一个读写端口只需要使用其写入功能,并不需要用到其读出功能。
阻变存储器簇包括至少一个单值阻变存储器,且当阻变存储器簇中的单值阻变存储器的个数大于1时,所有的单值阻变存储器并联连接,并联之后的阻值为该阻变存储器簇的阻值。
本发明中控制MOS管在导通时,具有电阻值RT,该电阻值RT远小于任意一个阻变存储器簇的阻值。也就是说,若该阻变存储器簇中只含有一个单值阻变存储器,则电阻值RT远小于该单值阻变存储器的阻值;若阻变存储器簇中含有多个并联的单值阻变存储器,则电阻值RT远小于该阻变存储器簇的阻值。假设R1on,R1off,R2on,R2off,R3on,R3off分别表示阻变存储器簇A1、阻变存储器簇A2和阻变存储器簇A3导通和关闭时的电阻值,阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,其中一个节点连接控制MOS管;那么本发明中多值阻变结构可以产生8个不同的阻值:R1on||(R2on+R3on),R1on||(R2on+R3off),R1on||(R2off+R3on),R1on||(R2off+R3off),R1off||(R2on+R3on),R1off||(R2on+R3off),R1off||(R2off+R3on),R1off||(R2off+R3off)。由于阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,那么阻变存储器簇A1在多值阻变结构中为并联连接,即阻变存储器簇A2和阻变存储器簇A3串联之后再并联阻变存储器簇A1;当其余的阻变存储器簇两端的节点用于实现读出功能时,上述阻值发生对应变化。本发明中控制MOS管对应的节点上必然为读出端口,当阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能时,阻变存储器簇A1的两端均为读出端口,剩余的一个端口可以为读出端口,也可以为只写输入端口,设置两个读出端口一个只写输入端口可以大大减小外围电路的面积。
请继续参阅附图3,本发明中阻变存储器簇两端的电压高于阈值电压时,其电阻值可以被改变,因此,可以通过三个控制端口中合适的电信号输入,改变阻变存储器簇的电阻值。其中,当编程其中一个阻变存储器簇时,通过控制三个节点对应的电压,确保另外两个阻变存储器簇不被编程。例如,阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,其中一个节点连接控制MOS管,所施加的电压为V3,另外一个节点上施加的电压为V1;阻变存储器簇A3位于控制MOS管的另一侧,阻变存储器簇A3两端的节点上施加的电压分别为V3和V2;若需要对阻变存储器簇进行编程,只需满足下列条件即可:
当编程阻变存储器簇A1时,控制V1-V3>VTH,V2=1/2(V1+V3);
当编程阻变存储器簇A2时,控制V1-V2>VTH,V3=1/2(V1+V2);
当编程阻变存储器簇A3时,控制V2-V3>VTH,V1=1/2(V2+V3)。其中,VTH为阻变存储器簇的阻值发生变化时对应的阈值电压。本发明可以使得阻变存储器簇中所有的单值阻变存储器相同,且同一个阻变存储器簇中的单值阻变存储器并联连接,因此,每一个阻变存储器簇的电阻发生变化时,其两端对应的阈值电压均相同。
同样地,本发明中控制MOS管对应的节点上必然为读出端口,当阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能时,阻变存储器簇A1的两端均为读出端口,剩余的一个端口可以为读出端口,也可以为只写输入端口,设置两个读出端口一个只写输入端口可以大大减小外围电路的面积。
以下通过具体实施例1对本发明进行进一步说明:
实施例1
请参阅附图4,附图4为一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其中,单值阻变存储器R1单独作为阻变存储器簇A1,单值阻变存储器R2单独作为阻变存储器簇A2,单值阻变存储器R3和单值阻变存储器R4单独作为阻变存储器簇A3,其中,单值阻变存储器R1和单值阻变存储器R2之间节点连接读写端口,施加电压V1;阻变存储器R2和阻变存储器簇A3之间节点连接只写输入端口,施加电压V2;阻变存储器R1和阻变存储器簇A3之间节点连接控制MOS管的漏极,且控制MOS管的源极连接读写端口,施加电压V3。
请继续参阅附图4,在工作时,控制MOS管始终处于导通状态,其导通阻值为RT。
整个多值阻变结构的电阻值为
R1||[R2+(R3||R4)]+RT (1)
由于阻变存储器簇的电阻值将远高于控制MOS管导通时的电阻,所以公式(1)可以简化为:
R1||[R2+(R3||R4)] (2)
根据阻变存储器簇的特性,当阻变存储器簇两端的电阻高于某个阈值电压VTH时,会产生电阻的变化,反之电阻将不会改变,所以对V1-V3取合理的电压值,即可保证只有一个阻变存储器簇下的存储器能够被编程,具体的电压配置如下:
编程R1时:V1-V3>VTH,V2=1/2(V1+V3)
编程R2时:V1-V2>VTH,V3=1/2(V1+V2)
编程R3&R4时:V2-V3>VTH,V1=1/2(V2+V3)。
假设单值阻变存储器的导通和关闭电阻分别为R’on和R’off,那么根据每个单值阻变存储器的阻值变化,可以产生以下八种电阻值:
R’on||3/2R’on,R’on||1/2R’off+R’on,Ron||1/2R’on+R’off,R’on||3/2R’off,R’off||3/2R’on,R’off||1/2R’off+R’on,R’off||1/2R’on+R’off,R’off||3/2R’off。
本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,包括若干个单值阻变存储器以及一个控制MOS管,其中,单值阻变存储器形成三个首尾连接的阻变存储器簇,每一个阻变存储器簇中的单值阻变存储器并联,通过对阻变存储器簇的编程,可以得到若干个不同的阻值,最大化的减小了MOS管的数量,从而减少了多值阻变结构的面积。同时,控制MOS管作为整个结构的选择关,可以保证在整个多值阻变结构作为存储阵列一部分的同时,也保持该结构的相对独立性,该结构产生了多种阻值,可以应用于神经网络、图像存储等需要用到多值存储器的场合。
以上所述仅为本发明的优选实施例,所述实施例并非用于限制本发明的专利保护范围,因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化,同理均应包含在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,包括存储器单元和控制MOS管,所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇,所述阻变存储器簇为两端口器件,且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点,从而形成存储器单元的3个节点,三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极,所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的读写端口,所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述控制MOS管在导通时的阻值小于任意一个阻变存储器簇的阻值。
3.根据权利要求1所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述多值阻变结构可以产生8个不同的阻值:R1on||(R2on+R3on),R1on||(R2on+R3off),R1on||(R2off+R3on),R1on||(R2off+R3off),R1off||(R2on+R3on),R1off||(R2on+R3off),R1off||(R2off+R3on),R1off||(R2off+R3off),其中,R1on,R1off,R2on,R2off,R3on,R3off分别表示阻变存储器簇A1、阻变存储器簇A2和阻变存储器簇A3导通和关闭时的电阻值,所述阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,其中一个节点连接控制MOS管。
4.根据权利要求1所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,当编程其中一个阻变存储器簇时,通过控制三个节点对应的电压,确保另外两个阻变存储器簇不被编程。
5.根据权利要求4所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,当编程阻变存储器簇A1时,控制V1-V3>VTH,V2=1/2(V1+V3);当编程阻变存储器簇A2时,控制V1-V2>VTH,V3=1/2(V1+V2);当编程阻变存储器簇A3时,控制V2-V3>VTH,V1=1/2(V2+V3);其中,所述阻变存储器簇A1两端的节点用于实现读出功能,其中一个节点连接所述控制MOS管,所施加的电压为V3,另外一个节点上施加的电压为V1;所述阻变存储器簇A3位于所述控制MOS管的另一侧,所述阻变存储器簇A3两端的节点上施加的电压分别为V3和V2;VTH为阻变存储器簇的阻值发生变化时对应的阈值电压。
6.根据权利要求3或5所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述两个控制端口为读写端口。
7.根据权利要求3或5所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述两个控制端口分别为读写端口和只写输入端口。
8.根据权利要求1所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述阻变存储器簇包括至少一个单值阻变存储器,当所述阻变存储器簇中的单值阻变存储器个数大于1时,所有的单值阻变存储器并联连接。
9.根据权利要求8所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述单值阻变存储器的电阻值相同。
10.根据权利要求1所述的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构,其特征在于,所述控制MOS管的源极和漏极可以互换。
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