CN110095958B - 感光体、处理盒及图像形成装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供电子照相感光体、处理盒及图像形成装置。电子照相感光体具备导电性基体和单层的感光层。感光层含有电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂。光响应时间为0.05毫秒以上0.85毫秒以下。光响应时间是波长780nm的脉冲光照射到感光层(3)的带电为+800V的表面开始，直到感光层(3)的表面电位从+800V衰减至+400V为止的时间。脉冲光的强度是脉冲光照射到感光层的带电为+800V的表面400毫秒后，使得感光层的表面电位从+800V变为+200V的强度。导电性基体具有阳极氧化膜，该阳极氧化膜至少设置于感光层侧的表面。

Description

感光体、处理盒及图像形成装置

技术领域

本发明涉及感光体(尤其是电子照相感光体)、处理盒及图像形成装置。

背景技术

电子照相感光体用在电子照相方式的图像形成装置中。电子照相感光体例如有层叠型电子照相感光体或单层型电子照相感光体。电子照相感光体具备感光层。层叠型电子照相感光体的感光层具备：具有电荷产生功能的电荷产生层和具有电荷传输功能的电荷输送层。单层型电子照相感光体的感光层是单层的感光层，该单层的感光层具有电荷产生功能和电荷传输功能。

有一种电子照相感光体，通过保护层覆盖感光层，该保护层含有固化性树脂和特定的电荷传输材料，从而通过该感光体能够抑制图像残影。

发明内容

然而，本发明的发明人通过研究得知，上述例子的电子照相感光体不能充分抑制转印飞白，并且对图像残影的抑制还有待改善。

本发明鉴于上述技术问题，其目的在于提供一种感光体，能够抑制曝光记忆引起的图像不良和转印飞白。并且，本发明的另一目的在于提供图像形成装置及处理盒，能够抑制曝光记忆引起的图像不良和转印飞白。

本发明的电子照相感光体具备导电性基体和单层的感光层。所述感光层含有电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂。光响应时间为0.05毫秒以上0.85毫秒以下。所述光响应时间是指：波长780nm的脉冲光照射到所述感光层的带电为+800V的表面开始，直到所述感光层的表面电位从+800V衰减到+400V为止的时间。所述脉冲光的强度是指：所述脉冲光照射到所述感光层的带电为+800V的所述表面400毫秒以后，使得所述感光层的所述表面电位从+800V变到+200V的强度。所述导电性基体具有阳极氧化膜，该阳极氧化膜至少设置于感光层侧的表面。

本发明的处理盒具备上述的电子照相感光体。

本发明的图像形成装置具备：像承载体、带电部、曝光部、显影部及转印部。所述带电部使所述像承载体的表面带电。所述曝光部使带电了的所述像承载体的所述表面曝光，来在所述像承载体的所述表面形成静电潜像。所述显影部将所述静电潜像显影为调色剂像。所述转印部使所述调色剂像从所述像承载体转印至被转印体。所述带电部使所述像承载体的所述表面带电成正极性。所述像承载体是上述的电子照相感光体。

本发明的电子照相感光体能够抑制曝光记忆引起的图像不良和图像飞白。并且，本发明的处理盒及图像形成装置能够抑制曝光记忆引起的图像不良和图像飞白。

附图说明

图1(a)及图1(b)分别是本发明第一实施方式所涉及的电子照相感光体的一例的局部截面图。

图2是感光层的表面电位的衰减曲线图。

图3是本发明第二实施方式所涉及的图像形成装置的一例图。

图4表示光响应时间的测量装置。

图5表示评价用图像。

图6表示由于曝光记忆引起了图像不良的图像。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。本发明不受以下实施方式的任何限定。在本发明的目的范围内，可以对本发明进行适当变更后来实施。另外，对于重复说明的地方，存在适当省略的情况，但并不因此限定发明的要旨。

以下，有时在化合物名称之后加上“类”来统称该化合物及其衍生物。此外，在化合物名称之后加上“类”来表示聚合物名称的情况下，表示聚合物的重复单元源自该化合物或者其衍生物。

以下，若无特别规定，卤素原子、C1-C6烷基、C1-C5烷基、C1-C4烷基、C1-C3烷基、C2-C4链烯基、C1-C6烷氧基、C1-C3烷氧基、C6-C14芳基、C6-C10芳基、C7-C20芳烷基、C7-C16芳烷基、杂环基及C5-C7环烷烃分别表示如下含义。

卤素原子例如：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

C1-C6烷基、C1-C5烷基、C1-C4烷基、C1-C3烷基都是直链状或者支链状的，且是无取代的。C1-C6烷基例如：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、1，1-二甲基丙基、新戊基、己基。C1-C5烷基例如C1-C6烷基的例子中的C1-C5基。C1-C4烷基例如C1-C6烷基的例子中的C1-C4基。C1-C3烷基例如C1-C6烷基的例子中的C1-C3基。

C2-C4链烯基是直链状或支链状的，且是无取代的。C2-C4链烯基具有1个或2个双键。C2-C4链烯基例如：乙烯基、丙烯基、丁烯基及丁二烯基。

C1-C6烷氧基、C1-C3烷氧基是直链状或者支链状的，且是无取代的。C1-C6烷氧基例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、己氧基。C1-C3烷氧基例如C1-C6烷氧基的例子中的C1-C3基。

C6-C14芳基、C6-C10芳基都是无取代的。C6-C14芳基例如：苯基、萘基、引达省基(indacenyl)、伸联苯基(Biphenylenyl)、苊烯基(acenaphthylenyl)、蒽基及菲基。C6-C10芳基例如苯基及萘基。

C7-C20芳烷基、C7-C16芳烷基是无取代的。C7-C20芳烷基例如是由C6-C14芳基进行取代了的C1-C6烷基。C7-C16芳烷基例如是具有C6-C14芳基取代基的C1或C2烷基。

杂环基例如5元以上14元以下的杂环基。5元以上14元以下的杂环基含有碳原子以外，至少含有1个杂原子，且是无取代的。杂原子是从氮原子、硫原子和氧原子构成的组中选择的1种以上原子。5元以上14元以下的杂环基例如：在杂环中含有碳原子以外还包含1个以上3个以下杂原子的5元或6元单环杂环(以下，有时记载为杂环(H))的杂环基；2个杂环(H)进行了缩合的杂环基；杂环(H)与5元或6元单环烃环进行了缩合的杂环基；3个杂环(H)进行了缩合的杂环基；2个杂环(H)与1个5元或6元单环烃环进行了缩合的杂环基；或者1个杂环(H)与2个5元或6元单环烃环进行了缩合的杂环基。5元以上14元以下的杂环基具体例如：哌啶基、哌嗪基、(2-或3-)吗啉基、苯硫基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、异噻唑基、异恶唑基、恶唑基、噻唑基、呋吖基、吡喃基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、吲哚基、1H-吲唑基、异吲哚基、苯并吡喃基、喹啉基、异喹啉基、嘌呤基、喋啶基、三唑基、四唑基、4H-喹嗪基、萘啶基、苯并呋喃基、1，3-苯并间二氧杂环戊烯基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、吩嗪基及菲咯啉基。

C5-C7环烷烃是无取代的。C5-C7环烷烃例如：环戊烷、环己烷及环庚烷。

<第一实施方式：电子照相感光体>

第一实施方式涉及一种电子照相感光体(以下，有时记载为感光体)。参照图1，对感光体1的结构进行说明。图1是第一实施方式所涉及的一例感光体1的截面图。

如图1(a)所示，感光体1例如具备导电性基体2及感光层3。感光层3是单层(一层)。导电性基体2具备基底层2b及阳极氧化膜2a，该阳极氧化膜2a覆盖该基底层2b中感光层3侧的表面。即，导电性基体2具有设置于感光层3侧的表面的阳极氧化膜2a。感光体1是具备单层的感光层3的单层型电子照相感光体。

如图1(b)所示，感光体1可以具备：导电性基体2、感光层3及中间层4(底涂层)。中间层4设置于导电性基体2与感光层3之间。即，中间层4设置于阳极氧化膜2a与感光层3之间。如图1(a)所示，感光层3可以直接设置于导电性基体2上。或者，如图1(b)所示，感光层3也可以隔着中间层4设置于导电性基体2上。中间层4可以是一层，也可以是若干层。

感光体1可以具备：导电性基体2、感光层3及保护层(未图示)。保护层设置于感光层3上。保护层可以是一层，也可以是若干层。

此外，导电性基体2中，阳极氧化膜2a只要设置在至少感光层3侧的表面即可。即，导电性基体2中，阳极氧化膜2a可以只设置在感光层3侧的表面，阳极氧化膜2a也可以设置于两面(感光层3侧的表面及其相反侧的表面)。

感光层3的厚度没有特别限制。感光层3的厚度优选为5μm以上100μm以下，更优选为10μm以上50μm以下。上述参照图1说明了感光体1的结构。以下，对感光体进一步进行详细说明。

<导电性基体>

导电性基体只要在至少感光层侧的表面设置有阳极氧化膜、且可以用作感光体的导电性基体即可，没有特别限制。导电性基体只要至少表面部由导电性材料形成即可。导电性基体例如是金属制基体被实施了阳极氧化处理的基体。金属制基体的材料例如：铝、铁、铜、锡、铂、银、钒、钼、铬、镉、钛、镍、钯、铟、不锈钢及黄铜。这些金属材料可以单独使用，也可以组合两种以上(例如作为合金)来使用。从电荷由感光层向导电性基体的移动性良好方面考虑，这些金属材料中，金属制基体的材料优选为铝或铝合金。

导电性基体通过具有在至少感光层侧的表面设置的阳极氧化膜，能够抑制转印飞白。其中，转印飞白是指：调色剂牢固地附着于感光体的曝光区域的一部分，在转印时不能脱离，从而在印刷的图像中的相应部位产生飞白或缺失的现象。以下说明转印飞白的原因。感光体所带电荷通常被设定为与调色剂所带电荷(例如正电荷)同极性(例如，正电荷)。然而，将调色剂像转印至被转印体时，有时由于转印电流(例如，赋予被转印体负电荷的转印电流)使得感光体的曝光区域的局部的电荷的正负反相，该部分所带电荷变为与调色剂所带电荷成相反极性(例如，负电荷)。其结果，感光体的该部分中，由于调色剂的牢固附着而产生转印飞白。对此，导电性基体通过具有在至少感光层侧的表面设置的阳极氧化膜，提高了感光体在转印时的电位的稳定性，并容易维持与调色剂所带电荷同极性的电荷，因而能够抑制转印飞白。

为了更有效地抑制转印飞白，阳极氧化膜的膜厚优选为1.0μm以上，更优选为3.0μm以上。此外，为了更有效地抑制转印飞白，阳极氧化膜的膜厚优选为15.0μm以下，更优选为10.0μm以下。

金属制基体的阳极氧化处理方法没有特别限制，例如有一种方法是将硫酸水溶液用作电解液。阳极氧化处理的处理时间例如为0.5分以上300分以下。使用硫酸水溶液的情况下，阳极氧化处理的电解液的浓度例如是0.1质量％以上80质量％以下。此外，阳极氧化处理的电解电压例如为5V以上30V以下。并且，阳极氧化处理的电流密度例如为0.5A/dm²以上2A/dm²以下。

此外，也可以对通过阳极氧化处理而形成的膜进行细微孔的封孔处理。即，也可以对设置于导电性基体的阳极氧化膜实施封孔处理。封孔处理只要是通常使用的处理法即可，没有特别限制，但优选为镍封孔处理(浸渍于含镍离子的液体中)，尤其优选为使用乙酸镍等的高温镍封孔处理。此外，也可以在镍封孔处理后进行高温纯水封孔处理。高温镍封孔处理中使用乙酸镍溶液的情况下，其浓度例如为0.5质量％以上5.0质量％以下。高温镍封孔处理及高温纯水封孔处理中的处理温度例如为70℃以上90℃以下。镍封孔处理、高温镍封孔处理及高温纯水封孔处理的处理时间例如为2分以上30分以下。

导电性基体的形状根据图像形成装置的结构而适当选择。导电性基体的形状例如片材状及鼓状。此外，导电性基体的厚度根据导电性基体的形状而适当选择。

<感光层>

感光层含有：电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂。

(光响应时间)

感光体的光响应时间为0.05毫秒以上0.85毫秒以下。光响应时间是指：波长780nm的脉冲光照射到感光层的带电为+800V的表面开始，直到感光层的表面电位从+800V衰减到+400V为止的时间。脉冲光的光强度被设定为：在波长780nm的脉冲光照射到感光层的带电为+800V的表面400毫秒后，使得感光层的表面电位从+800V变为+200V的强度。

结合图2对光响应时间进行说明。图2表示感光层的表面电位的衰减曲线。纵轴表示感光层的表面电位(单位：V)。横轴表示时间。感光层的表面电位的衰减曲线中，脉冲光照射至感光层的表面的时刻(更正确而言，照射到感光层的表面的脉冲光的输出为峰值输出的时刻)设为0.00毫秒。如感光层的表面电位的衰减曲线所示，脉冲光照射到感光层的带电为+800V的表面400毫秒以后，感光层的表面电位从+800V衰减到+200V。此时，脉冲光照射到感光层的带电为+800V的表面以后，感光层的表面电位从+800V衰减到+400V为止的时间τ作为光响应时间。

感光体的光响应时间为0.05毫秒以上0.85毫秒以下时，能够抑制曝光记忆导致的图像不良。其中，曝光记忆是指，由于图像形成时曝光的影响，感光体中与前一圈的曝光区域对应的表面区域的带电电位比感光体中与前一圈的非曝光区域对应的表面区域低的现象。产生曝光记忆时，形成图像中，与感光体的前一圈的曝光区域对应的区域产生发黑的图像不良。感光体的光响应时间超过0.85毫秒时，电荷(尤其是空穴)容易残留于感光层内。因此，曝光记忆导致图像不良的产生。此外，由于感光体进行光响应需要一定的时间，因此能够将感光体的光响应时间的下限设为0.05毫秒。

为了抑制曝光记忆导致的图像不良的产生，感光体的光响应时间的上限优选为0.60毫秒，更优选为0.45毫秒，进一步优选为0.40毫秒。

感光体的光响应时间通过实施例所述的方法来测量。感光体的光响应时间例如可以通过改变空穴输送剂的种类来进行调整。此外，感光体的光响应时间例如可以通过改变电子输送剂的种类来进行调整。此外，感光体的光响应时间例如可以通过改变添加剂的种类来进行调整。此外，感光体的光响应时间例如可以通过改变相对于感光层的质量的、空穴输送剂的含有率来进行调整。此外，感光体的光响应时间例如可以通过改变空穴输送剂的质量m_HTM相对于电子输送剂的质量m_ETM的比率m_HTM/m_ETM来进行调整。

(空穴输送剂)

空穴输送剂例如：三苯胺衍生物、二胺衍生物(例如：N，N，N’，N’-四苯基联苯胺衍生物衍生物、N，N，N’，N’-四苯基苯二胺衍生物、N，N，N’，N’-四苯基萘二胺衍生物、N，N，N’，N’-四苯基亚菲基二胺(N，N，N′，N′-tetraphenyl phenanthrylene diamine)衍生物或二(氨基苯基乙烯基)苯衍生物)、恶二唑类化合物(例如，2，5-二(4-甲基氨基苯基)-1，3，4-恶二唑)、苯乙烯类化合物(例如，9-(4-二乙氨基苯乙烯基)蒽)、咔唑类化合物(例如，聚乙烯基咔唑)、有机聚硅烷化合物、吡唑啉类化合物(例如，1-苯基-3-(对二甲基氨基苯基)吡唑啉)、腙类化合物、吲哚类化合物、恶唑类化合物、异恶唑类化合物、噻唑类化合物、噻二唑类化合物、咪唑类化合物、吡唑类化合物及三唑类化合物。感光层可以只含有一种空穴输送剂，可以含有两种以上空穴输送剂。

为了更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良和转印飞白，空穴输送剂优选为包含通式(11)～(18)所表示的化合物中的至少1种。以下，有时将通式(11)～(18)所表示的化合物分别记载为化合物(11)～(18)。

对化合物(11)进行说明。通式(11)中，Q¹、Q²、Q³及Q⁴各自独立，表示C1-C6烷基。b₁、b₂、b₃及b₄各自独立，表示0以上5以下的整数。b₅表示0或1。

【化1】

b₁表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q¹可以相同也可以不同。b₂表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q²可以相同也可以不同。b₃表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q³可以相同也可以不同。b₄表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁴可以相同也可以不同。

通式(11)中的Q¹、Q²、Q³及Q⁴所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基。

通式(11)中，Q¹、Q²、Q³及Q⁴各自独立，优选为表示C1-C3烷基。b₁、b₂、b₃及b₄各自独立，优选为表示0或1。

化合物(11)优选为化学式(11-HT8)及(11-HT9)所表示的化合物(以下，有时分别记载为化合物(11-HT8)及(11-HT9))。

【化2】

对化合物(12)进行说明。通式(12)中，Q²¹及Q²⁸各自独立，表示：苯基、具有C1-C6烷基取代基的苯基、氢原子、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基。Q²²及Q²⁹各自独立，表示C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或苯基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷各自独立，表示：氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或苯基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷中相邻的两个也可以互相键合形成环(例如C5-C7环烷烃，具体地，环戊烷、环己烷或环庚烷)。d₁及d₂各自独立，表示0以上2以下的整数。d₃及d₄各自独立，表示0以上5以下的整数。

【化3】

d₃表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q²²可以相同也可以不同。d₄表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q²⁹可以相同也可以不同。

通式(12)中，Q²¹及Q²⁸各自独立，优选为表示：苯基、具有C1-C6烷基取代基的苯基或氢原子。Q²²及Q²⁹各自独立，优选为表示C1-C6烷基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷各自独立，优选为表示氢原子、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷中相邻的两个可以互相键合形成C5-C7环烷烃。该情况下，C5-C7环烷烃与苯基的缩合部位也可以含有双键。d₁及d₂各自独立，优选为表示0以上2以下的整数。d₃及d₄各自独立，优选为表示0或1。

Q²¹及Q²⁸所表示的可以具有C1-C6烷基取代基的苯基优选为可以具有C1-C3烷基取代基的苯基，更优选为可以具有甲基取代基的苯基。Q²²及Q²⁹所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷所表示的C1-C6烷基优选为C1-C4烷基，更优选为甲基、乙基或正丁基，进一步优选为甲基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷所表示的C1-C6烷氧基优选为C1-C3烷氧基，更优选为乙氧基。Q²³、Q²⁴、Q²⁵、Q²⁶及Q²⁷中相邻的两个互相键合表示的C5-C7环烷烃优选为环己烷。

通式(12)中，优选的是，Q²¹与Q²⁸彼此相同，Q²²与Q²⁹彼此相同，d₁与d₂表示彼此相同的整数，d₃与d₄表示彼此相同的整数。

化合物(12)优选为化学式(12-HT3)、(12-HT4)、(12-HT5)、(12-HT6)、(12-HT10)、(12-HT11)、(12-HT12)及(12-HT18)所表示的化合物(以下，有时分别记载为化合物(12-HT3)、(12-HT4)、(12-HT5)、(12-HT6)、(12-HT10)、(12-HT11)、(12-HT12)及(12-HT18))。

【化4】

对化合物(13)进行说明。通式(13)中，Q³¹、Q³²、Q³³及Q³⁴各自独立，表示C1-C6烷基或C1-C6烷氧基。e₁、e₂、e₃及e₄各自独立，表示0以上5以下的整数。e₅表示2或3。

【化5】

e₁表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q³¹可以相同也可以不同。e₂表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q³²可以相同也可以不同。e₃表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q³³可以相同也可以不同。e₄表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q³⁴可以相同也可以不同。

通式(13)中，优选为Q³¹、Q³²、Q³³及Q³⁴各自独立，表示C1-C6烷基。Q³¹、Q³²、Q³³及Q³⁴所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基。e₁、e₂、e₃及e₄各自独立，优选为表示0或1。e₅优选为表示2或3。

化合物(13)优选为化学式(13-HT16)及(13-HT17)所表示的化合物(以下，有时分别记载为化合物(13-HT16)及(13-HT17))。

【化6】

对化合物(14)进行说明。通式(14)中，Q⁴¹、Q⁴²、Q⁴³、Q⁴⁴、Q⁴⁵及Q⁴⁶各自独立，表示：氢原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或苯基。Q⁴⁷、Q⁴⁸、Q⁴⁹及Q⁵⁰各自独立，表示C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或苯基。g₁及g₂各自独立，表示0以上5以下的整数。g₃及g₄各自独立，表示0以上4以下的整数。f表示0或1。

【化7】

g₁表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁴⁷可以相同也可以不同。g₂表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁴⁸可以相同也可以不同。g₃表示2以上4以下整数的情况下，若干个Q⁴⁹可以相同也可以不同。g₄表示2以上4以下整数的情况下，若干个Q⁵⁰可以相同也可以不同。

通式(14)中，优选为Q⁴¹、Q⁴²、Q⁴³、Q⁴⁴、Q⁴⁵及Q⁴⁶各自独立，表示氢原子或者C1-C6烷基。g₁及g₂优选为都表示0。g₃及g₄优选为都表示0。f优选为表示0或1。Q⁴¹、Q⁴²、Q⁴³、Q⁴⁴、Q⁴⁵及Q⁴⁶所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基或乙基。

化合物(14)优选为化学式(14-HT1)及(14-HT2)所表示的化合物(以下，有时分别记载为化合物(14-HT1)及(14-HT2))。

【化8】

对化合物(15)进行说明。通式(15)中，Q⁵¹、Q⁵²、Q⁵³、Q⁵⁴、Q⁵⁵及Q⁵⁶各自独立，表示具有1个以上苯基取代基的C2-C4链烯基，或者表示C2-C4链烯基、C1-C6烷基、苯基或C1-C6烷氧基。h₃及h₆各自独立，表示0以上4以下的整数。h₁、h₂、h₄及h₅各自独立，表示0以上5以下的整数。

【化9】

h₃表示2以上4以下整数的情况下，若干个Q⁵³可以相同也可以不同。h₆表示2以上4以下整数的情况下，若干个Q⁵⁶可以相同也可以不同。h₁表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁵¹可以相同也可以不同。h₂表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁵²可以相同也可以不同。h₄表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁵⁴可以相同也可以不同。h₅表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁵⁵可以相同也可以不同。

通式(15)中，优选为Q⁵¹、Q⁵²、Q⁵³、Q⁵⁴、Q⁵⁵及Q⁵⁶各自独立，表示：C1-C6烷基、C2-C4链烯基或具有1个以上苯基取代基的C2-C4链烯基。h₃及h₆优选为都表示0。优选为h₁、h₂、h₄及h₅各自独立，表示0以上2以下的整数。Q⁵¹、Q⁵²、Q⁵³、Q⁵⁴、Q⁵⁵及Q⁵⁶所表示的可以具有1个以上苯基取代基的C2-C4链烯基优选为具有1个以上3个以下的苯基取代基的乙烯基，更优选为联苯乙烯基。Q⁵¹、Q⁵²、Q⁵³、Q⁵⁴、Q⁵⁵及Q⁵⁶所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基或乙基。

化合物(15)优选为化学式(15-HT13)、(15-HT14)及(15-HT15)所表示的化合物(以下，有时分别记载为化合物(15-HT13)、(15-HT14)及(15-HT15))。

【化10】

对化合物(16)进行说明。通式(16)中，Q⁶¹、Q⁶²及Q⁶³各自独立，表示C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或苯基。f₁、f₂及f₃各自独立，表示0以上5以下的整数。Q⁶⁴、Q⁶⁵及Q⁶⁶各自独立，表示苯基、具有C1-C6烷基取代基的苯基、氢原子、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基。f₄、f₅及f₆各自独立，表示0或1。

【化11】

f₁表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁶¹可以相同也可以不同。f₂表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁶²可以相同也可以不同。f₃表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁶³可以相同也可以不同。

通式(16)中，优选为Q⁶¹、Q⁶²及Q⁶³各自独立，表示C1-C6烷基。Q⁶¹、Q⁶²及Q⁶³所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基。f₁、f₂及f₃各自独立，优选为表示0或1。Q⁶⁴、Q⁶⁵及Q⁶⁶优选为都表示氢原子。f₄、f₅及f₆优选为都表示0。

化合物(16)优选为化学式(16-HT7)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(16-HT7))。

【化12】

对化合物(17)进行说明。通式(17)中，Q⁷¹、Q⁷²、Q⁷³、Q⁷⁴、Q⁷⁵及Q⁷⁶各自独立，表示：卤素原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或C6-C14芳基。n₁、n₂、n₃、n₄、n₅及n₆各自独立，表示0以上5以下的整数。x表示1以上3以下的整数。r及s各自独立，表示0或1。

【化13】

n₁表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁷¹可以相同也可以不同。n₂表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁷²可以相同也可以不同。n₃表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁷³可以相同也可以不同。n₄表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁷⁴可以相同也可以不同。n₅表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁷⁵可以相同也可以不同。n₆表示2以上5以下整数的情况下，若干个Q⁷⁶可以相同也可以不同。

通式(17)中，优选为Q⁷¹、Q⁷²、Q⁷³、Q⁷¹、Q⁷⁵及Q⁷⁶各自独立，表示C1-C6烷基。n₁、n₂、n₃、n₄、n₅及n₆各自独立，优选为表示0或1。x优选为2。r及s优选为都表示0。Q⁷¹、Q⁷²、Q⁷³、Q⁷⁴、Q⁷⁵及Q⁷⁶所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基。

化合物(17)优选为化学式(17-HT19)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(17-HT19))。

【化14】

对化合物(18)进行说明。通式(18)中，Q⁸¹及Q⁸²各自独立，表示C1-C6烷基或C6-C14芳基，且Q⁸¹及Q⁸²中的至少一个表示C1-C6烷基。Q⁸³表示C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C7-C20芳烷基或C6-C14芳基。m表示0以上5以下的整数。p表示0以上2以下的整数。

【化15】

通式(18)中，Q⁸¹及Q⁸²两者都表示C1-C6烷基，或者，Q⁸¹及Q⁸²中的一个表示C1-C6烷基，另一个表示C6-C14芳基。

通式(18)中的m表示2以上5以下整数的情况下，存在于同一芳香环的若干个Q⁸³都可以相同，也可以彼此不同。

优选的是通式(18)中的Q⁸¹及Q⁸³中的一个表示C6-C14芳基。m优选为0。p优选为1。Q⁸¹、Q⁸²及Q⁸³所表示的C1-C6烷基优选为C1-C3烷基，更优选为甲基。Q⁸¹、Q⁸²及Q⁸³所表示的C6-C14芳基优选为C6-C10芳基，更优选为苯基。通式(18)中的Q⁸³所表示的C1-C6烷氧基优选为C1-C3烷氧基。Q⁸³所表示的C7-C20芳烷基优选为C7-C16芳烷基。

化合物(18)优选为化学式(18-HT21)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(18-HT21))。

【化16】

感光层可以只含有化合物(11)～(18)中的1种空穴输送剂，感光层也可以含有2种以上空穴输送剂。例如，化合物(12-HT3)及(12-HT10)可以分别单独使用，也可以分别将它们与化合物(14-HT1)并用。此外，感光层在含有化合物(11)～(18)的基础上，还可以含有化合物(11)～(18)以外的空穴输送剂。

相对于感光层的质量，空穴输送剂的含有率优选为35质量％以上，更优选为40质量％以上。相对于感光层的质量，空穴输送剂的含有率优选为65质量％以下，更优选为55质量％以下。相对于感光层的质量，空穴输送剂的含有率为30质量％以上时，能够更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良。而相对于感光层的质量，空穴输送剂的含有率为65质量％以下时，能够更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良。

空穴输送剂的质量m_HTM相对于电子输送剂的质量m_ETM的比率m_HTM/m_ETM优选为1.2以上，更优选为1.6以上。空穴输送剂的质量m_HTM相对于电子输送剂的质量m_ETM的比率m_HTM/m_ETM优选为5.5以下，更优选为4.0以下，进一步优选为3.0以下。比率m_HTM/m_ETM为1.2以上时，能够更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良。而比率m_HTM/m_ETM为4.0以下时，能够更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良。此外，感光层中含有2种以上电子输送剂的情况下，电子输送剂的质量m_ETM为2种以上电子输送剂的总质量。此外，感光层中含有2种以上空穴输送剂的情况下，空穴输送剂的质量m_HTM为2种以上空穴输送剂的总质量。

感光层中，相对于粘结树脂100质量份，空穴输送剂的含量优选为10质量份以上300质量份以下，更优选为80质量份以上250质量份以下，进一步优选为120质量份以上180质量份以下。

(电子输送剂)

电子输送剂例如：醌类化合物、二酰亚胺类化合物、腙类化合物、丙二腈类化合物、噻喃类化合物、三硝基噻吨酮类化合物、3，4，5，7-四硝基-9-芴酮类化合物、二硝基蒽类化合物、二硝基吖啶类化合物、四氰乙烯、2，4，8-三硝基噻吨酮、二硝基苯、二硝基吖啶、琥珀酸酐、马来酸酐及二溴马来酸酐。醌类化合物例如：联苯醌类化合物、偶氮醌类化合物、蒽醌类化合物、萘醌类化合物、硝基蒽醌类化合物及二硝基蒽醌类化合物。这些电子输送剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

这些电子输送剂中，电子输送剂的优选例如通式(21)、(22)及(23)所表示的化合物(以下，有时分别记载为化合物(21)～(23))。

【化17】

通式(21)中，R¹¹及R¹²各自独立，表示C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C14芳基或C7-C20芳烷基。

通式(21)中，优选为R¹¹及R¹²各自独立，表示C1-C6烷基。通式(21)中的R¹¹及R¹²所表示的C1-C6烷基优选为C1-C5烷基，更优选为1，1-二甲基丙基。

化合物(21)优选为化学式(ET1)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(ET1))。

【化18】

通式(22)中，R²¹、R²²及R²³各自独立，表示卤素原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C14芳基、具有卤素原子取代基的C6-C14芳基、C7-C20芳烷基或5元以上14元以下的杂环基。

通式(22)中，优选为R²¹及R²²各自独立，表示C1-C6烷基。R²³优选为表示C6-C14芳基或具有卤素原子取代基的C6-C14芳基。R²¹及R²²所表示的C1-C6烷基优选为C1-C4烷基，更优选为叔丁基。R²³所表示的C6-C14芳基优选为C6-C10芳基，更优选为苯基。R²³所表示的C6-C14芳基可以具有卤素原子取代基。这样的卤素原子优选为氟原子或氯原子，更优选为氯原子。R²³所示的C6-C14芳基所具有卤素原子的数量优选为1以上3以下，更优选为1。

化合物(22)优选为化学式(ET2)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(ET2))。

【化19】

通式(23)中，R³¹及R³²各自独立，表示卤素原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、氨基、C6-C14芳基或者具有取代基的C6-C14芳基。

通式(23)中，优选为R³¹及R³²各自独立，表示可以由取代基进行取代的C6-C14芳基。R³¹及R³²所表示的C6-C14芳基优选为C6-C10芳基，更优选为苯基。R³¹及R³²所表示的C6-C14芳基可以具有取代基。这样的取代基例如：卤素原子、羟基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、硝基、氰基或C6-C14芳基。R³¹及R³²所表示的C6-C14芳基中的取代基优选为C1-C6烷基，更优选为C1-C3烷基，进一步优选为甲基或乙基。R³¹及R³²所表示的C6-C14芳基中的取代基的数量优选为1以上3以下，更优选为1以上2以下，进一步优选为2。

化合物(23)优选为化学式(ET3)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(ET3))。

【化20】

为了更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良，电子输送剂优选为化合物(21)，更优选为化合物(ET1)。

感光层也可以只含有化合物(21)、(22)及(23)的1种来作为电子输送剂。此外，感光层可以含有化合物(21)、(22)及(23)的2种以上来作为电子输送剂。此外，感光层在含有化合物(21)、(22)或(23)来作为电子输送剂的基础上，还可以含有化合物(21)、(22)及(23)以外的电子输送剂。

相对于100质量份的粘结树脂，电子输送剂的含量优选为20质量份以上120质量份以下，更优选为20质量份以上100质量份以下，进一步优选为40质量份以上90质量份以下，尤其优选为60质量份以上90质量份以下。

为了更有效地抑制曝光记忆导致的图像不良，空穴输送剂的质量m_HTM、电子输送剂的质量m_ETM及粘结树脂的质量m_R优选为满足下述所示的关系式(A)。

[(m_HTM+m_ETM)/m_R]＞1.30……(A)

(m_HTM+m_ETM)/m_R更优选为1.50以上，进一步优选为2.00以上。(m_HTM+m_ETM)/m_R优选为4.50以下，更优选为3.50以下，进一步优选为2.50以下。

(电荷产生剂)

电荷产生剂只要是感光体用的电荷产生剂即可，没有特别限制。电荷产生剂例如：酞菁类颜料、苝类颜料、双偶氮颜料、三偶氮颜料、二硫酮吡咯并吡咯(dithioketo-pyrrolopyrrole)颜料、无金属萘酞菁颜料、金属萘酞菁颜料、方酸颜料、靛蓝颜料、甘菊蓝颜料、菁颜料、无机光导材料(例如，硒、硒-碲、硒-砷、硫化镉或非晶硅)的粉末、吡喃颜料、蒽嵌蒽醌类颜料、三苯甲烷类颜料、士林类颜料、甲苯胺类颜料、吡唑啉类颜料及喹吖啶酮类颜料。电荷产生剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

酞菁类颜料例如无金属酞菁及金属酞菁。金属酞菁例如：氧钛酞菁、羟基镓酞菁及氯镓酞菁。氧钛酞菁例如由化学式(CG1)表示。无金属酞菁例如由化学式(CG2)表示。

【化21】

【化22】

酞菁类颜料可以为结晶，也可以为非结晶。酞菁类颜料的晶体形状(例如，α型、β型、Y型、V型或者II型)没有特别限制，可以使用各种晶体形状的酞菁类颜料。无金属酞菁的晶体例如有：无金属酞菁的X型晶体(以下，有时记载为X型无金属酞菁)。氧钛酞菁的结晶例如：氧钛酞菁的α型、β型及Y型结晶(以下，有时分别记载为α型、β型及Y型氧钛酞菁)。

例如，在数字光学式图像形成装置(例如，使用半导体激光器之类光源的激光打印机或者传真机)中，优选使用在700nm以上波长区域具有感光度的感光体。从在700nm以上的波长区域具有高量子产率方面考虑，电荷产生剂优选为酞菁类颜料，更优选为无金属酞菁或氧钛酞菁，进一步优选为X型无金属酞菁或Y型氧钛酞菁，尤其优选为Y型氧钛酞菁。

例如，Y型氧钛酞菁在CuKα特征X射线衍射光谱中，在布拉格角(2θ±0.2°)的27.2°具有主峰。CuKα特征X射线衍射光谱中的主峰是指在布拉格角(2θ±0.2°)为3°以上40°以下的范围中具有第一大或者第二大强度的峰。

举例说明CuKα特征X射线衍射光谱的测量方法。将样品(氧钛酞菁)填充到X射线衍射装置(例如，Rigaku Corporation制造“RINT(日本注册商标)1100”)的样品支架上，在X射线管Cu、管电压40kV、管电流30mA及CuKα特征X射线波长

的条件下，测量X射线衍射光谱。例如，测量范围(2θ)是3°以上40°以下(起始角：3°；停止角：40°)，扫描速度是10°/分。

使用了短波长激光源(例如，具有350nm以上550nm以下波长的激光源)的图像形成装置中应用的感光体中，电荷产生剂优选为蒽嵌蒽醌类颜料。

相对于感光层所含有的粘结树脂100质量份，电荷产生剂的含量优选为0.1质量份以上50质量份以下，更优选为0.5质量份以上30质量份以下，尤其优选为0.5质量份以上5质量份以下。

(粘结树脂)

粘结树脂例如：热塑性树脂、热固性树脂及光固化树脂。热塑性树脂例如：聚碳酸酯树脂、聚芳酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-顺丁烯二酸共聚物、丙烯酸聚合物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、聚乙烯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、离聚物树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、醇酸树脂、聚酰胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚砜树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚酯树脂及聚醚树脂。热固性树脂例如：硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂及三聚氰胺树脂。光固化树脂例如：环氧化合物的丙烯酸加成物及聚氨酯化合物的丙烯酸加成物。粘结树脂可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

粘结树脂优选为具有通式(31)所表示的重复单元的聚碳酸酯树脂(以下，有时记载为聚碳酸酯树脂(31))。

【化23】

通式(31)中，R⁴¹、R⁴²、R⁴³及R⁴⁴各自独立，表示：氢原子、具有卤素原子取代基的C1-C3烷基、C1-C3烷基或C6-C14芳基。R⁴³及R⁴⁴可以彼此结合表示通式(X)所表示的二价基。

【化24】

通式(X)中，t表示1以上3以下的整数。＊表示结合键。

通式(31)中的R⁴¹、R⁴²、R⁴³及R⁴⁴所表示的C1-C3烷基优选为甲基或乙基。R⁴¹、R⁴²、R⁴³及R⁴⁴所表示的C1-C3烷基可以具有卤素原子取代基。C1-C3烷基所具有的卤素原子取代基优选为氟原子或氯原子，更优选为氟原子。C1-C3烷基所具有的卤素原子的数量优选为1以上7以下，更优选为1以上5以下，进一步优选为1以上3以下。

通式(31)中的R⁴¹、R⁴²、R⁴³及R⁴⁴所表示的C6-C14芳基优选为C6-C10芳基，更优选为苯基。

通式(X)中的t优选为表示2。

通式(31)中，优选的是，R⁴¹及R⁴²各自独立，表示：氢原子、C1-C3烷基或具有卤素原子取代基的C1-C3烷基。优选的是，R⁴³及R⁴⁴各自独立地表示C1-C3烷基，或者，R⁴³及R⁴⁴彼此结合表示通式(X)所表示的二价基。

聚碳酸酯树脂(31)的优选例如：具有化学式(R1)所表示的重复单元的聚碳酸酯树脂(以下，有时记载为聚碳酸酯树脂(R1))。

【化25】

聚碳酸酯树脂(31)的粘均分子量优选为25,000以上60,000以下，更优选为35,000以上53,000以下。聚碳酸酯树脂(31)的粘均分子量为25,000以上时，能够适当地提高感光层的硬度。聚碳酸酯树脂(31)的粘均分子量为60,000以下时，聚碳酸酯树脂(31)易溶解于感光层形成用的溶剂，从而能够容易形成感光层。

聚碳酸酯树脂(31)的重复单元可以只具有通式(31)所表示的重复单元。此外，聚碳酸酯树脂(31)的重复单元在具有通式(31)所表示的重复单元的基础上，还可以具有通式(31)所表示的重复单元以外的重复单元。相对于聚碳酸酯树脂(31)所具有的重复单元的总数，通式(31)所表示的重复单元的数量的比率优选为0.80以上，更优选为0.90以上，尤其优选为1.00。

感光层也可以只含有聚碳酸酯树脂(31)的1种来作为粘结树脂。此外，感光层可以含有2种以上的聚碳酸酯树脂(31)来作为粘结树脂。此外，感光层在聚碳酸酯树脂(31)的基础上，还可以含有聚碳酸酯树脂(31)以外的粘结树脂来作为粘结树脂。

(添加剂)

添加剂例如：劣化抑制剂(例如，抗氧化剂、自由基捕获剂、单重态淬灭剂或紫外线吸收剂)、软化剂、表面改性剂、增量剂、增稠剂、分散稳定剂、蜡、受体、供体、表面活性剂、可塑剂、增感剂及流平剂。抗氧化剂例如：受阻酚(例如，二叔丁基对甲酚、受阻胺、对苯二胺、芳基烷烃、对苯二酚、螺苯并二氢吡喃(spirochroman)、螺茚酮(spiroindanone)及它们的衍生物、有机硫化合物以及有机磷化合物。

(各个成分的组合)

感光层中空穴输送剂及电子输送剂的组合优选为表1所示的组合(j-1)～(j-22)。并且，表1的空穴输送剂中，“12-HT3/14-HT1”表示与化合物(12-HT3)与(14-HT1)并用，“14-HT1/12-HT10”表示化合物(14-HT1)与(12-HT10)并用。

【表1】

组合	空穴输送剂	电子输送剂
			j-1	14-HT1	ET1
j-2	14-HT2	ET1
			j-3	12-HT3/14-HT1	ET1
j-4	12-HT4	ET1
			j-5	12-HT5	ET1
j-6	12-HT6	ET1
			j-7	16-HT7	ET1
j-8	11-HT8	ET1
			j-9	11-HT9	ET1
j-10	14-HT1/12-HT10	ET1
			j-11	12-HT11	ET1
j-12	12-HT12	ET1
			j-13	15-HT13	ET1
j-14	15-HT14	ET1
			j-15	15-HT15	ET1
j-16	13-HT16	ET1
			j-17	13-HT17	ET1
j-18	12-HT18	ET1
			j-19	17-HT19	ET1
j-20	14-HT1	ET2
			j-21	14-HT1	ET3
j-22	18-HT21	ET1

感光层中，电荷产生剂、空穴输送剂及电子输送剂的组合优选为组合(j-1)～(j-22)中任意一个的各个成分与X型无金属酞菁的组合。此外，感光层中，电荷产生剂、空穴输送剂及电子输送剂的组合也优选为组合(j-1)～(j-22)中任意一个的各个成分与Y型氧钛酞菁的组合。

感光层中，电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂的组合优选为组合(j-1)～(j-22)中任意一个的各个成分、X型无金属酞菁与聚碳酸酯树脂(R1)的组合。此外，感光层中，电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂的组合也优选为组合(j-1)～(j-22)中任意一个的各个成分、Y型氧钛酞菁与聚碳酸酯树脂(R1)的组合。

<中间层>

中间层(底涂层)例如含有无机颗粒及用于中间层的树脂(中间层用树脂)。可以认为：由于存在中间层，所以在维持可抑制漏电的发生这种程度的绝缘状态的同时，使曝光感光体时产生的电流流动顺利，从而抑制电阻的增加。

无机颗粒例如：金属(例如，铝、铁或铜)、金属氧化物(例如，二氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化锡或氧化锌)的颗粒及非金属氧化物(例如，二氧化硅)的颗粒。这些无机颗粒可以单独使用一种，也可以两种以上并用。

中间层用树脂只要是能够用作形成中间层的树脂即可，没有特别限制。中间层也可以含有添加剂。中间层中含有的添加剂的例子与感光层中含有的添加剂的例子相同。

<感光体的制造方法>

感光体例如按下述来制造。通过将感光层用涂布液涂布在导电性基体上并进行干燥，来制造感光体。感光层用涂布液通过将电荷产生剂、电子输送剂、粘结树脂、空穴输送剂及根据需要添加的成分(例如，添加剂)溶解或分散于溶剂来制造。

感光层用涂布液中含有的溶剂只要能够对涂布液所含的各成分进行溶解或者分散即可，没有特别限制。溶剂例如：醇类(例如，甲醇、乙醇、异丙醇或丁醇)、脂肪烃(例如，正己烷、辛烷或环己烷)、芳香族烃(例如，苯、甲苯或二甲苯)、卤化烃(例如，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳或氯苯)、醚类(例如，二甲醚、二乙醚、四氢呋喃、乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚或丙二醇单甲醚)、酮类(例如，丙酮、甲基乙基酮或环己酮)、酯类(例如，乙酸乙酯或乙酸甲酯)、二甲基甲醛、二甲基甲酰胺及二甲基亚砜。这些溶剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。为了提高制造感光体时的操作性，溶剂优选使用的是非卤代溶剂(卤化烃以外的溶剂)。

通过将各成分进行混合并分散到溶剂中，来制备感光层用涂布液。例如可以使用珠磨机、辊磨机、球磨机、磨碎机、油漆振荡器或超声波分散机来进行混合或分散。

为了提高各成分的分散性，感光层用涂布液中例如也可以含有表面活性剂。

使用感光层用涂布液进行涂布的方法只要是能够在导电性基体上均匀涂布上涂布液的方法即可，没有特别限制。涂布方法例如：刮涂法、浸涂法、喷涂法、旋涂法及棒涂法。

对感光层用涂布液进行干燥的方法只要是能够使涂布液中的溶剂蒸发的方法即可，没有特别限制。例如，有一种方法是使用高温干燥机或者减压干燥机来进行热处理(热风干燥)。热处理温度例如是40℃以上150℃以下。热处理时间例如是3分钟以上120分钟以下。

另外，感光体的制造方法也可以根据需要，进一步包含形成中间层的工序和形成保护层的工序中的一个或者两个工序。可以适当地选择众所周知的方法来实现形成中间层的工序和形成保护层的工序。

<第二实施方式：图像形成装置>

对第二实施方式所涉及的图像形成装置进行说明。第二实施方式所涉及的图像形成装置具备第一实施方式所涉及的感光体。以下，参照图3，以采用直接转印方式及串联方式的彩色图像形成装置为例，对第二实施方式所涉及的图像形成装置的一方式进行说明。

图3所示的图像形成装置90具备：图像形成单元40a、40b、40c及40d、转印带38及定影部36。以下，在不需要区分的情况下，图像形成单元40a、40b、40c和40d都记载为图像形成单元40。

图像形成单元40具备：像承载体30、带电部42、曝光部44、显影部46及转印部48。像承载体30是第一实施方式所涉及的感光体1。像承载体30设置于图像形成单元40的中央位置。像承载体30设置为可按箭头方向(逆时针方向)旋转。在像承载体30的周围，以带电部42为基准从像承载体30的旋转方向的上游侧依次设置带电部42、曝光部44、显影部46及转印部48。图像形成单元40还可以具备清洗部(未图示，具体是刮板清洗部)及除电部(未图示)的一者或两者。此外，图像形成单元40也可以不具备清洗刮板。即，图像形成装置90可以采用无清洗刮板方式。

通过各个图像形成单元40a～40d，若干种颜色(例如，黑色、青色、品红色和黄色这四种颜色)的调色剂像被依次重叠于转印带38上的记录媒介M。

带电部42使像承载体30的表面(具体地，周面)带电。带电部42的带电极性为正极性。即，带电部42使像承载体30的表面带电成正极性。

带电部42例如是带电辊。带电辊通过与像承载体30的表面接触，使像承载体30的表面带电。图像形成装置90采用接触带电方式。带电辊以外的接触带电方式的带电部例如：带电刷。此外，带电部也可以是非接触方式。非接触方式的带电部例如：电晕管充电器及栅极电晕管充电器。

曝光部44使带电了的像承载体30的表面曝光。由此，在像承载体30的表面形成静电潜像。静电潜像基于输入到图像形成装置90的图像数据而形成。

显影部46将调色剂提供至像承载体30的表面。由此，显影部46将静电潜像显影为调色剂像。由此，像承载体30承载调色剂像。显影剂可以是单组分显影剂，也可以是双组分显影剂。显影剂是单组分显影剂的情况下，显影部46将作为单组分显影剂的调色剂提供至像承载体30的表面上形成的静电潜像。显影剂是双组分显影剂的情况下，显影部46将双组分显影剂中含有的调色剂和载体中的调色剂提供至像承载体30的表面上形成的静电潜像。

像承载体30的表面中，规定的位置被曝光部44曝光后开始到显影部46进行显影为止的时间(以下，有时记载为曝光与显影之间的经过时间)优选为100毫秒以下。曝光与显影之间的经过时间更具体地是指曝光部44对像承载体30的表面中的规定位置照射曝光用的光开始，直到显影部46开始将调色剂提供到该规定位置为止的时间。像承载体30的表面中的规定位置例如是像承载体30的周面被曝光的区域中的1个点。曝光与显影之间的经过时间与像承载体30的转速对应。

通常，曝光与显影之间的经过时间为100毫秒以下时，像承载体的转速快，像承载体的感光层中电荷容易残存。因此，容易产生曝光记忆导致的图像不良。然而，图像形成装置90具备第一实施方式所涉及的感光体1来作为像承载体30。感光体1能够抑制曝光记忆导致的图像不良。因此，即使曝光与显影之间的经过时间为100毫秒以下，具备感光体1作为像承载体30的图像形成装置90也能够抑制曝光记忆导致的图像不良。

曝光与显影之间的经过时间优选为大于0毫秒且在100毫秒以下，更优选为50毫秒以上90毫秒以下，进一步优选为65毫秒以上70毫秒以下。

转印带38将记录媒介M在像承载体30与转印部48之间输送。转印带38是环状带。转印带38设置为可以按箭头方向(顺时针方向)旋转。

转印部48将由显影部46显影的调色剂像从像承载体30的表面转印至被转印体。被转印体是记录媒介M。转印部48例如是转印辊。

转印部48结束将调色剂像从像承载体30的表面转印到作为被转印体的记录媒介M后，像承载体30的表面区域不被除电，再次被带电部42进行带电。即，图像形成装置90可以采用所谓的无除电方式。通常，采用无除电方式的图像形成装置中，电荷容易残留于像承载体的感光层中。因此，容易产生曝光记忆导致的图像不良。然而，图像形成装置90具备第一实施方式所涉及的感光体1来作为像承载体30。感光体1能够抑制曝光记忆导致的图像不良。因此，具备感光体1作为像承载体30的图像形成装置90即使采用无除电方式，也能够抑制曝光记忆导致的图像不良。

转印部48将未定影的调色剂像转印至记录媒介M，定影部36将转印至记录媒介M的未定影的调色剂像进行加热及/或加压。定影部36例如是加热辊及/或加压辊。调色剂像通过加热及/或加压而被定影于记录媒介M。其结果，图像形成于记录媒介M。

上述对图像形成装置的一例进行了说明，但图像形成装置不限于上述的图像形成装置90。上述的图像形成装置90是彩色图像形成装置，图像形成装置也可以是单色图像形成装置。该情况下，图像形成装置例如可以只具备1个图像形成单元。此外，上述的图像形成装置90采用的是串联方式，但图像形成装置例如也可以采用回转方式(Rotary方式)。此外，上述的图像形成装置90采用的是直接转印方式，但图像形成装置例如也可以采用中间转印方式。该情况下，转印部相当于一次转印部及二次转印部，被转印体相当于记录媒介及转印带。

<第三实施方式：处理盒>

对第三实施方式所涉及的处理盒进行说明。第三实施方式所涉及的处理盒具备第一实施方式所涉及的感光体。以下，继续参照图3，对第三实施方式所涉及的处理盒的一例进行说明。处理盒是图像形成用的墨盒。处理盒相当于各个图像形成单元40a～40d。处理盒具备像承载体30。像承载体30是第一实施方式所涉及的感光体1。处理盒除了具备感光体1，还可以具备由带电部42、曝光部44、显影部46及转印部48构成的组中选择的至少1个。处理盒还可以具备清洗部(未图示)及除电部(未图示)的一者或两者。处理盒设计为相对于图像形成装置90自如地拆装。因此，处理盒容易处理，感光体1的感光度特性等变差的情况下，能够容易且迅速地对包括感光体1在内的处理盒进行更换。上述参照图3，对第三实施方式所涉及的处理盒进行了说明。

【实施例】

以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明并不受实施例范围的任何限制。

<用于形成感光层的材料>

准备以下的电子输送剂、空穴输送剂、电荷产生剂及粘结树脂来作为用于形成感光体的感光层的材料。

(电子输送剂)

准备第一实施方式中说明的化合物(ET1)～(ET3)来作为电子输送剂。

(空穴输送剂)

准备第一实施方式中说明的化合物(14-HT1)、(14-HT2)、(12-HT3)、(12-HT4)、(12-HT5)、(12-HT6)、(16-HT7)、(11-HT8)、(11-HT9)、(12-HT10)、(12-HT11)、(12-HT12)、(15-HT13)、(15-HT14)、(15-HT15)、(13-HT16)、(13-HT17)、(12-HT18)、(17-HT19)或(18-HT21)来作为空穴输送剂。此外，还准备化学式(HT20)所表示的化合物(以下，有时记载为化合物(HT20))来作为空穴输送剂。

【化26】

(电荷产生剂)

准备Y型氧钛酞菁及X型无金属酞菁，来作为电荷产生剂。Y型氧钛酞菁是由第一实施方式中所述的化学式(CG1)表示，并具有Y型结晶结构的氧钛酞菁(以下，有时记载为化合物(CG1))。X型无金属酞菁是由第一实施方式中所述的化学式(CG2)表示，并具有X型结晶结构的无金属酞菁(以下，有时记载为化合物(CG2))。

(粘结树脂)

准备第一实施方式中说明的聚碳酸酯树脂(R1)来作为粘结树脂。聚碳酸酯树脂(R1)只具有化学式(R1)所表示的重复单元。聚碳酸酯树脂(R1)的粘均分子量为40,000。

<导电性基体>

通过下述方法获得周面设置有阳极氧化膜的圆筒状的导电性基体。首先，将直径30mm、总长247.5mm的铝管坯浸渍于含有中性洗涤剂(Kanei Industry Co.，Ltd.制造“Clean Super EC”)的2质量％中性洗涤剂水溶液。对该中性洗涤剂水溶液施加5分钟的25kHz的超声波振动(超声波清洗处理)。经过了超声波清洗处理的铝管坯在10质量％的硫酸水溶液中以电流密度1.0A/dm²进行阳极氧化处理17分钟。然后，通过流水清洗5分钟。接着，浸渍于乙酸镍溶液(0.9质量％，80℃)10分钟来进行封孔处理。得到的导电性基体所具有的阳极氧化膜的膜厚为5.0μm。此外，改变阳极氧化处理的时间，除此以外在完全相同的条件下，另外获得阳极氧化膜的膜厚为2.0μm的导电性基体和阳极氧化膜的膜厚为9.0μm的导电性基体。

此外，导电性基体中的阳极氧化膜的膜厚使用涡电流式膜厚试验机(京瓷办公信息系统株式会社制造)来测量。

<感光体的制造>

使用用于形成感光层的材料，分别制造感光体(A-1)～(A-29)及(B-1)～(B-4)。

(感光体(A-1)的制造)

向容器内加入：作为电荷产生剂的化合物(CG1)4质量份、作为空穴输送剂的化合物(14-HT1)150质量份、作为电子输送剂的化合物(ET1)75质量份、作为粘结树脂的树脂(R1)100质量份及作为溶剂的四氢呋喃800质量份。使用球磨机将容器的内含物混合50小时，使材料分散到溶剂中。由此，得到感光层用涂布液。使用浸涂法，在周面设置有膜厚5.0μm的阳极氧化膜的导电性基体上涂布感光层用涂布液。将所涂布的感光层用涂布液在120℃热风干燥60分钟。由此，在导电性基体上形成单层的感光层(膜厚25μm)。从而，获得感光体(A-1)。

(感光体(A-2)～(A-29)及(B-1)～(B-4)的制造)

除了改变下述方面以外，通过与制造感光体(A-1)相同的方法，分别制造感光体(A-2)～(A-29)及(B-1)～(B-4)。感光体(A-1)的制造过程中，电荷产生剂使用的是化合物(CG1)，而在感光体(A-2)～(A-29)及(B-1)～(B-4)各自的制造中使用表2～表3所示种类的电荷产生剂。感光体(A-1)的制造中，空穴输送剂使用的是150质量份的化合物(14-HT1)，电子输送剂使用的是75质量份的化合物(ET1)，而感光体(A-2)～(A-29)及(B-1)～(B-4)各自的制造中使用表2～表3所示种类及量的空穴输送剂及电子输送剂。感光体(A-1)的制造中，导电性基体使用的是周面设置了膜厚5.0μm的阳极氧化膜的导电性基体，而在感光体(A-27)及(A-28)各自的制造中使用周面设置了表3所示的膜厚的阳极氧化膜的导电性基体。此外，感光体(B-4)的制造过程中，使用的是在周面没有设置阳极氧化膜的导电性基体(即，没有进行阳极氧化处理的导电性基体)。

<光响应时间的测量>

测量感光体(A-1)～(A-29)及(B-1)～(B-4)各自的光响应时间。光响应时间的测量环境是温度25℃及相对湿度50％RH。

参照图4，说明感光体1的光响应时间的测量方法。图4表示感光体1的光响应时间的测量装置50。测量装置50具备带电装置52、曝光装置54、透明探针56及电位检测装置58。测量装置50使用鼓感光度试验机(GENTEC株式会社制造)。首先，将感光体1(具体地，感光体(A-1)～(A-29)及(B-1)～(B-4)的任意一个)安装到测量装置50。

通过带电装置52使感光体1的感光层3的表面3a带电为+800V。由此，感光层3的表面3a在带电位置A带电为+800V。带电位置A是带电装置52与感光层3的表面3a接触的位置。

使感光体1从带电位置A沿朝向曝光位置B的方向(图4中实线箭头所示的方向)旋转，使带电了的感光层3的表面3a移动至曝光位置B。曝光位置B是照射脉冲光的位置。移动后，停止感光体1的旋转，将感光体1的位置固定。感光层3的表面3a的电位(表面电位)的测量在将感光体1固定的状态下进行。在曝光位置B，曝光装置54对带电了的感光层3的表面3a照射脉冲光(波长780nm，半宽度40微秒)。脉冲光的光强度设定为：对感光层3的带电至+800V的表面3a照射脉冲光400毫秒后(更正确地说，照射到感光层3的表面3a的脉冲光的输出为峰值输出的时刻开始400毫秒以后)，使得感光层3的表面电位从+800V变为+200V的强度。脉冲光的照射为1次。即，照射1脉冲。曝光装置54的光源使用氙气灯(HamamatsuPhotonics K.K.制造“C4479”)。脉冲光的波长及光强度通过光学过滤器(未图示)来调整。此外，严格地说，通过带电装置52使感光层3的表面3a带电为比+800V稍大的值。接着，经过规定时间后，在感光层3的表面电位暗衰减到+800V的时刻，通过曝光装置54对感光层3的表面3a照射脉冲光。

透明探针56测量感光层3的表面电位。透明探针56设置于脉冲光的光轴上，使脉冲光透过。图4中，从曝光装置54指向感光体1的虚线的箭头表示脉冲光的光轴。透明探针56使用探针(Trek株式会社制造“3629A”)。

电位检测装置58与透明探针56电连接。通过电位检测装置58，得到透明探针56在各个时刻测量的感光层3的表面电位。由此，得到感光层3的表面电位的衰减曲线。从所得衰减曲线得到时间τ，该时间τ是脉冲光照射到感光层3的表面3a后感光层3的表面电位从+800V衰减至+400V为止的时间。所得时间τ作为光响应时间。上述参照图4，对感光体1的光响应时间的测量方法进行了说明。测量出的感光体的光响应时间如表2～表3所示。

<图像评价1：曝光记忆导致的图像不良>

对感光体(A-1)～(A-29)及(B-1)～(B-4)的每一个评价是否抑制了曝光记忆导致的图像不良。曝光记忆导致的图像不良的评价在温度10℃及相对湿度15％RH环境下进行。

将感光体安装到评价设备。评价设备使用彩色图像形成装置(京瓷办公信息系统株式会社制造“FS-C5250DN”)的改装机。改装机改造的是将清洗刮板卸下和将除电部(具体地，除电灯)卸下。即，该评价设备具备栅极电晕管充电器来作为带电部。此外，该评价设备不具备除电部和作为清洗部的清洗刮板。带电电位设定为+700V。调整感光体的转速，使曝光与显影之间的经过时间为72毫秒。

参照图5，对用于评价曝光记忆导致的图像不良的评价用图像70进行说明。图5表示评价用图像70。评价用图像70包含第一区域72及第二区域74。第一区域72相当于形成于像承载体的第一圈的图像的区域。第一区域72包含第一图像76。第一图像76由环状的实心图像(图像浓度100％)构成。该实心图像由2个同心圆为1组构成。第二区域74相当于形成于像承载体的第二圈的图像的区域。第二区域74包含第二图像78。第二图像78由整面半色调图像(图像浓度40％)构成。

接下来，参照图6，对产生了曝光记忆导致的图像不良的图像80进行说明。图6表示产生了曝光记忆导致的图像不良的图像80。图像80包含评价用图像70中说明的第一区域72、第二区域74、第一图像76及第二图像78。印刷评价用图像70时产生了曝光记忆导致的图像不良的情况下，在第二区域74中要印刷第二图像78的位置，第二区域74的第二图像78中出现了重像图像G。重像图像G的图像浓度比第二图像78浓。重像图像G反映第一区域72的曝光区域中的第一图像76，浓度变得比设计图像浓，是曝光记忆导致的图像不良。

首先，使用评价设备，以20秒为间隔，在4000张记录媒介(A4大小的纸张)上印刷图像(印刷覆盖率4％的印刷图像)。印刷在4000张记录媒介以后，在1张记录媒介(A4大小的纸张)上印刷图5所示的评价用图像70。通过肉眼观察所印刷的评价用图像70，确认有没有产生曝光记忆导致的图像不良。具体地，确认在评价用图像70的第二区域74是否产生与第一图像76对应的重像图像G。基于下述基准，从评价用图像70的观察结果评价是否能够抑制曝光记忆导致的图像不良。评价结果如表4所示。并且，评价A～C为合格。

(曝光记忆导致的图像不良的评价基准)

评价A：没有观察到与第一图像76对应的重像图像G。

评价B：仅观察到少许与第一图像76对应的重像图像G。

评价C：观察到了与第一图像76对应的重像图像G，但不影响实际应用。

评价D：明确观察到与第一图像76对应的重像图像G，影响实际应用。

<图像评价2：转印飞白>

对感光体(A-1)～(A-29)及(B-1)～(B-4)的每一个评价是否抑制了转印飞白。转印飞白的评价在温度32℃及相对湿度80％RH环境下进行。

首先，将感光体安装于评价设备。使用的评价设备与用于评价曝光记忆导致的图像不良的评价设备相同。带电电位设定为+700V。调整感光体的转速，使曝光与显影之间的经过时间为72毫秒。为了容易产生转印飞白，转印电流为通常的2.0倍(-20μA)。

在1张记录媒介(A4大小的纸张)上印刷整面图像来作为评价用图像。通过肉眼观察所印刷的评价用图像，确认转印飞白的有无。基于下述基准，根据评价用图像的观察结果评价是否抑制了转印飞白。评价结果如表4所示。此外，评价A及B为合格。

(转印飞白的评价基准)

评价A：确认到整面图像中飞白及缺失都没有。

评价B：观察到整面图像存在轻微的飞白及缺失中的至少一方，但不影响实际应用。

评价C：观察到整面图像中存在飞白及缺失中的至少一方，并影响实际应用。

(转印后电位)

测量上述转印飞白的评价用图像的印刷中、感光体的转印后位置的表面电位。测量出的转印后位置的表面电位作为转印后电位(单位：V)。各个感光体的转印后电位如表4所示。转印后电位为负值的情况下，表示转印电流导致转印后电位变得不稳定。

表2～表3中，CGM、HTM、ETM、份及wt％分别表示电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、质量份及质量％。此外，表2所示感光体(A-7)的空穴输送剂的种类“12-HT3/14-HT1”及含量“75/75”表示含有75质量份化合物(12-HT3)及75质量份化合物(14-HT1)，来作为空穴输送剂。同样地，表2所示的感光体(A-14)的空穴输送剂的种类“14-HT1/12-HT10”表示含有75质量份化合物(14-HT1)及75质量份化合物(12-HT10)，来作为空穴输送剂。

表2～3中，膜表示阳极氧化膜。表3所示的感光体(B-4)的阳极氧化膜的膜厚“-”表示导电性基体的周面没有设置阳极氧化膜。

表2～表3中，HTM的“含有率”表示相对于感光层的质量的空穴输送剂的含有率。相对于感光层的质量，空穴输送剂的含有率根据计算式“含有率(单位：质量％)＝100×空穴输送剂的量(单位：质量份)/[电荷产生剂的量(单位：质量份)+空穴输送剂的量(单位：质量份)+电子输送剂的量(单位：质量份)+粘结树脂的量(单位：质量份)]”求出。

表2～表3中，“比率m_HTM/m_ETM”表示空穴输送剂的质量m_HTM相对于电子输送剂的质量m_ETM的比率。比率m_HTM/m_ETM根据计算式“比率m_HTM/m_ETM＝空穴输送剂的量(单位：质量份)/电子输送剂的量(单位：质量份)”求出。

表2～表3中，“比率(m_HTM+m_ETM)/m_R”表示电子输送剂及空穴输送剂的总质量(质量m_ETM+质量m_HTM)相对于粘结树脂的质量m_B的比率。比率(m_HTM+m_ETM)/m_R根据计算式“比率(m_HTM+m_ETM)/m_R＝[空穴输送剂的量(单位：质量份)+电子输送剂的量(单位：质量份)]/粘结树脂的量(单位：质量份)”求出。

【表4】

感光体(A-1)～(A-29)都具备导电性基体和单层的感光层。导电性基体具有设置在至少感光层侧表面的阳极氧化膜。感光层含有：电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂。光响应时间为0.05毫秒以上0.85毫秒以下。因此，如表4所示，各个感光体(A-1)～(A-29)中，抑制曝光记忆导致的图像不良为评价A～C，且转印飞白的抑制为评价A，都合格。即，各个感光体(A-1)～(A-29)能够抑制曝光记忆导致的图像不良和转印飞白。

另一方面，各个感光体(B-1)～(B-3)的光响应时间为超过0.85毫秒。因此，如表4所示，各个感光体(B-1)～(B-3)的曝光记忆导致的图像不良的抑制都为评价D。即，各个感光体(B-1)～(B-3)不能充分抑制曝光记忆导致的图像不良。

就感光体(B-4)而言，在导电性基体的感光层侧的表面没有设置阳极氧化膜。因此，如表4所示，感光体(B-4)的转印飞白的抑制为评价C。即，感光体(B-4)不能充分抑制转印飞白。该情况也可以根据感光体(B-4)的转印后电位小于0V，转印后电位由于转印电流变得不稳定来进行确认。

综上所述，本发明所涉及的感光体能够抑制曝光记忆导致的图像不良和转印记忆。此外，本发明所涉及的处理盒及图像形成装置能够抑制曝光记忆导致的图像不良和转印记忆。

Claims (7)

1.一种电子照相感光体，具备导电性基体和单层的感光层，其特征在于，

所述感光层含有电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂及粘结树脂，

光响应时间为0.05毫秒以上0.45毫秒以下，

所述光响应时间是指：波长780nm的脉冲光照射到所述感光层的带电为+800V的表面开始，直到所述感光层的表面电位从+800V衰减到+400V为止的时间，

所述脉冲光的强度是指：所述脉冲光照射到所述感光层的带电为+800V的所述表面400毫秒以后，使得所述感光层的所述表面电位从+800V变为+200V的强度，

所述空穴输送剂的质量m_HTM相对于所述电子输送剂的质量m_ETM的比率m_HTM/m_ETM为2.0以上2.6以下，

所述空穴输送剂的质量m_HTM、所述电子输送剂的质量m_ETM及所述粘结树脂的质量m_R满足下述所示的关系式，

2.25≤[(m_HHTM+m_ETM)/m_R]≤3.30

所述空穴输送剂是化学式(14-HT2)、(12-HT4)、(12-HT5)、(12-HT6)、(16-HT7)、(12-HT11)、(12-HT12)、(17-HT19)及(18-HT21)所示的化合物中的至少1种，

所述导电性基体具有阳极氧化膜，所述阳极氧化膜至少设置于感光层侧的表面。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于，

所述阳极氧化膜的膜厚为1.0μm以上15.0μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，其特征在于，

所述阳极氧化膜被实施了封孔处理。

4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，其特征在于，

相对于所述感光层的质量，所述空穴输送剂的含量为35质量％以上65质量％以下。

5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，其特征在于，

所述电子输送剂包含化学式(ET1)、(ET2)及(ET3)所示的化合物中的至少1种，

6.一种处理盒，具备：

权利要求1或2所述的电子照相感光体。

7.一种图像形成装置，具备：

像承载体；

带电部，使所述像承载体的表面带电；

曝光部，使带电了的所述像承载体的所述表面曝光，在所述像承载体的所述表面形成静电潜像；

显影部，将所述静电潜像显影为调色剂像；以及

转印部，将所述调色剂像从所述像承载体转印至被转印体，

所述图像形成装置的特征在于，

所述带电部使所述像承载体的所述表面带电成正极性，

所述像承载体是权利要求1或2所述的电子照相感光体。

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