JP6825585B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。

電子写真感光体は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる。電子写真感光体としては、例えば、積層型電子写真感光体又は単層型電子写真感光体が用いられる。電子写真感光体は、感光層を備える。積層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを備える。単層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能と電荷輸送の機能とを有する単層の感光層を備える。

特許文献１には、硬化性樹脂と特定の電荷輸送材料とを含有する保護層で感光層を被覆した感光体によって画像ゴーストを抑制できるとされている。

特開２００３−１８６２２２号公報

しかし、特許文献１に記載の電子写真感光体は、転写かすれを十分に抑制することができず、かつ画像ゴーストの抑制についても改善の余地があることが本発明者らの検討により判明した。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、露光メモリーに起因する画像不良と、転写かすれとを抑制できる感光体を提供することである。また、本発明の別の目的は、露光メモリーに起因する画像不良と、転写かすれとを抑制できる画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することである。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、単層の感光層とを備える。前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下である。前記光応答時間は、波長７８０ｎｍのパルス光が＋８００Ｖに帯電された前記感光層の表面に照射されてから、前記感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間である。前記パルス光の強度は、前記パルス光が＋８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に照射されてから４００ミリ秒後に、前記感光層の前記表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度である。前記導電性基体は、少なくとも感光層側の面に設けられた陽極酸化被膜を有する。

本発明のプロセスカートリッジは、上述の電子写真感光体を備える。

本発明の画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記帯電部は、前記像担持体の表面を帯電する。前記露光部は、帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記トナー像を前記像担持体から被転写体へ転写する。前記帯電部は、前記像担持体の前記表面を正極性に帯電する。前記像担持体は、上述の電子写真感光体である。

本発明の電子写真感光体によれば、露光メモリーに起因する画像不良と、画像かすれとを抑制できる。また、本発明のプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、露光メモリーに起因する画像不良と、画像かすれとを抑制できる。

（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明の第１実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す部分断面図である。 感光層の表面電位の減衰曲線を示すグラフ図である。 本発明の第２実施形態に係る画像形成装置の一例を示す図である。 光応答時間の測定装置を示す図である。 評価用画像を示す図である。 露光メモリーに起因する画像不良が発生した画像を示す図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨は限定されない。

以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。

以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数２以上４以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数６以上１０以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数７以上１６以下のアラルキル基、複素環基は、何ら規定していなければ、それぞれ次の意味である。

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、各々、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、ネオペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。炭素原子数１以上５以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上５以下である基である。炭素原子数１以上４以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上４以下である基である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上３以下である基である。

炭素原子数２以上４以下のアルケニル基は、直鎖状又は分岐状で非置換である。炭素原子数２以上４以下のアルケニル基は、１つ又は２つの二重結合を有する。炭素原子数２以上４以下のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基及びブタジエニル基が挙げられる。

炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基が挙げられる。炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基の例は、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上３以下である基である。

炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数６以上１０以下のアリール基は、各々、非置換である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、インダセニル基、ビフェニレニル基、アセナフチレニル基、アントリル基及びフェナントリル基が挙げられる。炭素原子数６以上１０以下のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。

炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数７以上１６以下のアラルキル基は、非置換である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数１以上６以下のアルキル基である。炭素原子数７以上１６以下のアラルキル基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数１又は２のアルキル基である。

複素環基として、例えば、５員以上１４員以下の複素環基が挙げられる。５員以上１４員以下の複素環基は、炭素原子以外にヘテロ原子を少なくとも１個含み、非置換である。ヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種以上である。５員以上１４員以下の複素環基は、例えば、炭素原子以外に１個以上３個以下のヘテロ原子を含む５員又は６員の単環の複素環（以下、複素環（Ｈ）と記載することがある）を含む複素環基；複素環（Ｈ）が２個縮合した複素環基；複素環（Ｈ）と、５員又は６員の単環の炭化水素環とが縮合した複素環基；複素環（Ｈ）が３個縮合した複素環基；複素環（Ｈ）２個と、５員又は６員の単環の炭化水素環１個とが縮合した複素環基；又は複素環（Ｈ）１個と、５員又は６員の単環の炭化水素環２個とが縮合した複素環基が挙げられる。５員以上１４員以下の複素環基の具体例としては、ピペリジニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、インドリル基、１Ｈ−インダゾリル基、イソインドリル基、クロメニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、プリニル基、プテリジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、４Ｈ−キノリジニル基、ナフチリジニル基、ベンゾフラニル基、１，３−ベンゾジオキソリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンズイミダゾリル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基及びフェナントロリニル基が挙げられる。

炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンは、非置換である。炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンとしては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン及びシクロヘプタンが挙げられる。

＜第１実施形態：電子写真感光体＞
第１実施形態は電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）に関する。図１を参照して、感光体１の構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る感光体１の一例を示す断面図である。

図１（ａ）に示すように、感光体１は、例えば、導電性基体２と感光層３とを備える。感光層３は単層（一層）である。導電性基体２は、素地層２ｂと、この素地層２ｂにおける感光層３側の面を被覆する陽極酸化被膜２ａとを備える。即ち、導電性基体２は、感光層３側の面に設けられた陽極酸化被膜２ａを有する。感光体１は、単層の感光層３を備える単層型電子写真感光体である。

図１（ｂ）に示すように、感光体１は、導電性基体２と、感光層３と、中間層４（下引き層）とを備えてもよい。中間層４は、導電性基体２と感光層３との間に設けられる。即ち、中間層４は、陽極酸化被膜２ａと感光層３との間に設けられる。図１（ａ）に示すように、感光層３は導電性基体２上に直接設けられてもよい。或いは、図１（ｂ）に示すように、感光層３は導電性基体２上に中間層４を介して設けられてもよい。中間層４は、一層であってもよく、複数の層であってもよい。

感光体１は、導電性基体２と、感光層３と、保護層（不図示）とを備えてもよい。保護層は、感光層３上に設けられる。保護層は、一層であってもよく、複数の層であってもよい。

なお、導電性基体２は、少なくとも感光層３側の面に陽極酸化被膜２ａが設けられていればよい。即ち、導電性基体２は、感光層３側の面のみに陽極酸化被膜２ａが設けられていてもよく、両面（感光層３側の面及びその反対側の面）に陽極酸化被膜２ａが設けられていてもよい。

感光層３の厚さは、特に限定されない。感光層３の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。以上、図１を参照して、感光体１の構造について説明した。以下、感光体について更に詳細に説明する。

＜導電性基体＞
導電性基体は、少なくとも感光層側の面に設けられた陽極酸化被膜を有し、かつ感光体の導電性基体として用いることができる限り、特に限定されない。導電性基体は、少なくとも表面部が導電性を有する材料で形成されていればよい。導電性基体の一例としては、金属製基体に陽極酸化処理を施したものが挙げられる。金属製基体の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼及び真鍮が挙げられる。これらの金属材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて（例えば、合金として）用いてもよい。金属製基体の材料としては、これらの金属材料のなかで、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。

導電性基体が少なくとも感光層側の面に設けられた陽極酸化被膜を有することで、転写かすれを抑制できる。ここで、転写かすれは、感光体の露光領域の一部においてトナーが強固に付着して転写時に離れないことにより、印刷された画像における対応部位にかすれや抜けが生じる現象である。転写かすれの原因を以下に説明する。感光体の帯びる電荷は、通常はトナーの帯びる電荷（例えば、正電荷）と同極性（例えば、正電荷）に設定される。しかし、トナー像を非転写体に転写する際に、転写電流（例えば、非転写体に負電荷を与える転写電流）によって感光体の露光領域の一部において電荷の正負反転が生じ、該部分の帯びる電荷がトナーの帯びる電荷と反対極性（例えば、負電荷）となることがある。その結果、感光体の該部分ではトナーが強固に付着するため転写かすれが生じる。これに対し、導電性基体が少なくとも感光層側の面に設けられた陽極酸化被膜を有することで、感光体において転写時における感光体の電位の安定性が向上し、トナーの帯びる電荷と同極性の電荷が維持され易くなるため、転写かすれが抑制される。

転写かすれをより効果的に抑制するためには、陽極酸化被膜の膜厚としては、１．０μｍ以上であることが好ましく、３．０μｍ以上であることが好ましい。また、転写かすれをより効果的に抑制するためには、陽極酸化被膜の膜厚としては、１５．０μｍ以下であることが好ましく、１０．０μｍ以下であることがより好ましい。

金属製基体の陽極酸化処理の方法としては、特に限定されないが、例えば、硫酸水溶液を電解液として用いた方法が挙げられる。陽極酸化処理の処理時間としては、例えば、０．５分以上３００分以下である。陽極酸化処理の電解液の濃度としては、硫酸水溶液を用いる場合には、例えば、０．１質量％以上８０質量％以下である。また、陽極酸化処理の電解電圧としては、例えば５Ｖ以上３０Ｖ以下である。更に、陽極酸化処理の電流密度としては、例えば、０．５Ａ／ｄｍ²以上２Ａ／ｄｍ²以下である。

また、陽極酸化処理により形成した被膜に、微細孔の封孔処理を行ってもよい。即ち、導電性基体に設けられた陽極酸化被膜には、封孔処理が施されていてもよい。封孔処理としては、通常使用される処理法であれば特に限定されるものではないが、ニッケルイオンを含む液に浸漬させるニッケル封孔処理であることが好ましく、酢酸ニッケル等を用いた高温ニッケル封孔処理であることが特に好ましい。また、ニッケル封孔処理の後に高温純水封孔処理を行ってもよい。高温ニッケル封孔処理に酢酸ニッケル溶液を用いる場合、その濃度としては、例えば、０．５質量％以上５．０質量％以下である。高温ニッケル封孔処理及び高温純水封孔処理における処理温度としては、例えば、７０℃以上９０℃以下である。ニッケル封孔処理、高温ニッケル封孔処理及び高温純水封孔処理における処理時間としては、例えば、２分以上３０分以下である。

導電性基体の形状は、画像形成装置の構造に合わせて適宜選択される。導電性基体の形状としては、例えば、シート状及びドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚さは、導電性基体の形状に応じて適宜選択される。

＜感光層＞
感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。

（光応答時間）
感光体の光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下である。光応答時間は、波長７８０ｎｍのパルス光が＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから、感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間である。パルス光の光強度は、波長７８０ｎｍのパルス光が＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから４００ミリ秒後に、感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度に設定される。

図２を用いて光応答時間を説明する。図２は、感光層の表面電位の減衰曲線を示す。縦軸は、感光層の表面電位（単位：Ｖ）を示す。横軸は、時間を示す。感光層の表面電位の減衰曲線では、パルス光が感光層の表面に照射された時点を０．００ミリ秒とする。感光層の表面電位の減衰曲線が示すように、パルス光が＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから４００ミリ秒後に、感光層の表面電位は＋８００Ｖから＋２００Ｖに減衰する。このとき、パルス光が＋８００Ｖに帯電された感光層の表面に照射されてから、感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間τを光応答時間とする。

感光体の光応答時間が０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下であると、露光メモリーに起因する画像不良を抑制できる。ここで、露光メモリーは、画像形成時の露光の影響によって、前の周の露光領域に対応する感光体の表面の領域の帯電電位が、前の周の非露光領域に対応する感光体の表面の領域よりも低下する現象である。露光メモリーが発生すると、形成画像において、感光体の前の周の露光領域に対応する領域が黒ずむ画像不良が発生する。感光体の光応答時間が０．８５ミリ秒を超えると、感光層内に電荷（特に正孔）が残留し易くなる。そのため、露光メモリーに起因する画像不良が発生する。なお、感光体が光応答するためにはある程度の時間が必要であることから、感光体の光応答時間の下限は、０．０５ミリ秒とすることができる。

露光メモリーに起因する画像不良の発生を抑制するためには、感光体の光応答時間の上限は、０．６０ミリ秒であることが好ましく、０．４５ミリ秒であることがより好ましく、０．４０ミリ秒であることが更に好ましい。

感光体の光応答時間は、実施例に記載の方法で測定される。感光体の光応答時間は、例えば、正孔輸送剤の種類を変更することにより、調整することができる。また、感光体の光応答時間は、例えば、電子輸送剤の種類を変更することによっても、調整することができる。また、感光体の光応答時間は、例えば、添加剤の種類を変更することによっても、調整することができる。また、感光体の光応答時間は、例えば、感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率を変更することによっても調整することができる。また、感光体の光応答時間は、例えば、電子輸送剤の質量ｍ_ETMに対する正孔輸送剤の質量ｍ_HTMの比率ｍ_HTM／ｍ_ETMを変更することによっても調整することができる。

（正孔輸送剤）
正孔輸送剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体、ジアミン誘導体（例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体又はジ（アミノフェニルエテニル）ベンゼン誘導体）、オキサジアゾール系化合物（例えば、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、スチリル系化合物（例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン）、カルバゾール系化合物（例えば、ポリビニルカルバゾール）、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン系化合物（例えば、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン）、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物及びトリアゾール系化合物が挙げられる。感光層は、正孔輸送剤の１種のみを含有してもよく、正孔輸送剤の２種以上を含有してもよい。

露光メモリーに起因する画像不良と、転写かすれとをより効果的に抑制するためには、正孔輸送剤は、一般式（１１）〜（１８）で表される化合物のうち少なくとも１種を含むことが好ましい。以下、一般式（１１）〜（１８）で表される化合物を、各々、化合物（１１）〜（１８）と記載することがある。

化合物（１１）について説明する。一般式（１１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³及びＱ⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｂ₁、ｂ₂、ｂ₃及びｂ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｂ₅は、０又は１を表す。

ｂ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｂ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ²は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｂ₃が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ³は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｂ₄が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁴は互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³及びＱ⁴が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

一般式（１１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³及びＱ⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましい。ｂ₁、ｂ₂、ｂ₃及びｂ₄は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。

化合物（１１）として好ましくは、化学式（１１−ＨＴ８）及び（１１−ＨＴ９）で表される化合物（以下、それぞれを化合物（１１−ＨＴ８）及び（１１−ＨＴ９）と記載することがある）が挙げられる。

化合物（１２）について説明する。一般式（１２）中、Ｑ²¹及びＱ²⁸は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよいフェニル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。Ｑ²²及びＱ²⁹は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷のうちの隣接した二つが互いに結合して環（例えば、炭素原子数５以上７以下のシクロアルカン、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン又はシクロヘプタン）を形成してもよい。ｄ₁及びｄ₂は、各々独立に、０以上２以下の整数を表す。ｄ₃及びｄ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。

ｄ₃が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ²²は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｄ₄が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ²⁹は互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１２）中、Ｑ²¹及びＱ²⁸は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよいフェニル基、又は水素原子を表すことが好ましい。Ｑ²²及びＱ²⁹は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表すことが好ましい。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷のうちの隣接した二つが互いに結合して炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンを形成してもよい。この場合、炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンとフェニル基との縮合部位は、二重結合を含んでもよい。ｄ₁及びｄ₂は、各々独立に、０以上２以下の整数を表すことが好ましい。ｄ₃及びｄ₄は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。

Ｑ²¹及びＱ²⁸が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよいフェニル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を有してもよいフェニル基が好ましく、メチル基を有してもよいフェニル基がより好ましい。Ｑ²²及びＱ²⁹が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上４以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基又はｎ−ブチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基がより好ましい。Ｑ²³、Ｑ²⁴、Ｑ²⁵、Ｑ²⁶及びＱ²⁷のうちの隣接した二つが互いに結合して表す炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンとしては、シクロヘキサンが好ましい。

一般式（１２）中、Ｑ²¹及びＱ²⁸は互いに同一であり、Ｑ²²及びＱ²⁹は互いに同一であり、ｄ₁及びｄ₂は互いに同じ整数を表し、ｄ₃及びｄ₄は互いに同じ整数を表すことが好ましい。

化合物（１２）として好ましくは、化学式（１２−ＨＴ３）、（１２−ＨＴ４）、（１２−ＨＴ５）、（１２−ＨＴ６）、（１２−ＨＴ１０）、（１２−ＨＴ１１）、（１２−ＨＴ１２）及び（１２−ＨＴ１８）で表される化合物（以下、それぞれを化合物（１２−ＨＴ３）、（１２−ＨＴ４）、（１２−ＨＴ５）、（１２−ＨＴ６）、（１２−ＨＴ１０）、（１２−ＨＴ１１）、（１２−ＨＴ１２）及び（１２−ＨＴ１８）と記載することがある）が挙げられる。

化合物（１３）について説明する。一般式（１３）中、Ｑ³¹、Ｑ³²、Ｑ³³及びＱ³⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｅ₅は、２又は３を表す。

ｅ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ³¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｅ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ³²は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｅ₃が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ³³は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｅ₄が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ³⁴は互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１３）中、Ｑ³¹、Ｑ³²、Ｑ³³及びＱ³⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。Ｑ³¹、Ｑ³²、Ｑ³³及びＱ³⁴が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。ｅ₅は、２又は３を表すことが好ましい。

化合物（１３）として好ましくは、化学式（１３−ＨＴ１６）及び（１３−ＨＴ１７）で表される化合物（以下、それぞれを化合物（１３−ＨＴ１７）及び（１３−ＨＴ１７）と記載することがある）が挙げられる。

化合物（１４）について説明する。一般式（１４）中、Ｑ⁴¹、Ｑ⁴²、Ｑ⁴³、Ｑ⁴⁴、Ｑ⁴⁵及びＱ⁴⁶は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。Ｑ⁴⁷、Ｑ⁴⁸、Ｑ⁴⁹及びＱ⁵⁰は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。ｇ₁及びｇ₂は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｇ₃及びｇ₄は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｆは、０又は１を表す。

ｇ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁴⁷は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｇ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁴⁸は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｇ₃が２以上４以下の整数を表す場合、複数のＱ⁴⁹は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｇ₄が２以上４以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵⁰は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１４）中、Ｑ⁴¹、Ｑ⁴²、Ｑ⁴³、Ｑ⁴⁴、Ｑ⁴⁵及びＱ⁴⁶は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。ｇ₁及びｇ₂は、各々、０を表すことが好ましい。ｇ₃及びｇ₄は、各々、０を表すことが好ましい。ｆは、０又は１を表すことが好ましい。Ｑ⁴¹、Ｑ⁴²、Ｑ⁴³、Ｑ⁴⁴、Ｑ⁴⁵及びＱ⁴⁶が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。

化合物（１４）として好ましくは、化学式（１４−ＨＴ１）及び（１４−ＨＴ２）で表される化合物（以下、それぞれを化合物（１４−ＨＴ１）及び（１４−ＨＴ２）と記載することがある）が挙げられる。

化合物（１５）について説明する。一般式（１５）中、Ｑ⁵¹、Ｑ⁵²、Ｑ⁵³、Ｑ⁵⁴、Ｑ⁵⁵及びＱ⁵⁶は、各々独立に、１つ以上のフェニル基を有してもよい炭素原子数２以上４以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｈ₃及びｈ₆は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｈ₁、ｈ₂、ｈ₄及びｈ₅は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。

ｈ₃が２以上４以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵³は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｈ₆が２以上４以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵⁶は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｈ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵¹は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｈ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵²は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｈ₄が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵⁴は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｈ₅が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁵⁵は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１５）中、Ｑ⁵¹、Ｑ⁵²、Ｑ⁵³、Ｑ⁵⁴、Ｑ⁵⁵及びＱ⁵⁶は、各々独立に、１つ以上のフェニル基を有してもよい炭素原子数２以上４以下のアルケニル基、又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。ｈ₃及びｈ₆は、各々、０を表すことが好ましい。ｈ₁、ｈ₂、ｈ₄及びｈ₅は、各々独立に、０以上２以下の整数を表すことが好ましい。Ｑ⁵¹、Ｑ⁵²、Ｑ⁵³、Ｑ⁵⁴、Ｑ⁵⁵及びＱ⁵⁶が表す１つ以上のフェニル基を有してもよい炭素原子数２以上４以下のアルケニル基としては、１つ以上３つ以下のフェニル基を有するエテニル基が好ましく、ジフェニルエテニル基がより好ましい。Ｑ⁵¹、Ｑ⁵²、Ｑ⁵³、Ｑ⁵⁴、Ｑ⁵⁵及びＱ⁵⁶が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。

化合物（１５）として好ましくは、化学式（１５−ＨＴ１３）、（１５−ＨＴ１４）及び（１５−ＨＴ１５）で表される化合物（以下、それぞれを化合物（１５−ＨＴ１３）、（１５−ＨＴ１４）及び（１５−ＨＴ１５）と記載することがある）が挙げられる。

化合物（１６）について説明する。一般式（１６）中、Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²及びＱ⁶³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又はフェニル基を表す。ｆ₁、ｆ₂及びｆ₃は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。Ｑ⁶⁴、Ｑ⁶⁵及びＱ⁶⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよいフェニル基、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｆ₄、ｆ₅及びｆ₆は、各々独立に、０又は１を表す。

ｆ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁶¹は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｆ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁶²は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｆ₃が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁶³は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１６）中、Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²及びＱ⁶³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²及びＱ⁶³が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。ｆ₁、ｆ₂及びｆ₃は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。Ｑ⁶⁴、Ｑ⁶⁵及びＱ⁶⁶は、各々、水素原子を表すことが好ましい。ｆ₄、ｆ₅及びｆ₆は、各々、０を表すことが好ましい。

化合物（１６）としては、化学式（１６−ＨＴ７）で表される化合物（以下、化合物（１６−ＨＴ７）と記載することがある）が好ましい。

化合物（１７）について説明する。一般式（１７）中、Ｑ⁷¹、Ｑ⁷²、Ｑ⁷³、Ｑ⁷⁴、Ｑ⁷⁵及びＱ⁷⁶は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｎ₁、ｎ₂、ｎ₃、ｎ₄、ｎ₅及びｎ₆は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｘは、１以上３以下の整数を表す。ｒ及びｓは、各々独立に、０又は１を表す。

ｎ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁷¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁷²は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ₃が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁷³は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ₄が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁷⁴は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ₅が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁷⁵は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ₆が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＱ⁷⁶は互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１７）中、Ｑ⁷¹、Ｑ⁷²、Ｑ⁷³、Ｑ⁷⁴、Ｑ⁷⁵及びＱ⁷⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。ｎ₁、ｎ₂、ｎ₃、ｎ₄、ｎ₅及びｎ₆は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。ｘは、２を表すことが好ましい。ｒ及びｓは、各々、０を表すことが好ましい。Ｑ⁷¹、Ｑ⁷²、Ｑ⁷³、Ｑ⁷⁴、Ｑ⁷⁵及びＱ⁷⁶が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

化合物（１７）として好ましくは、化学式（１７−ＨＴ１９）で表される化合物（以下、化合物（１７−ＨＴ１９）と記載することがある）が挙げられる。

化合物（１８）について説明する。一般式（１８）中、Ｑ⁸¹及びＱ⁸²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、且つＱ⁸¹及びＱ⁸²のうち少なくとも一方は炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。Ｑ⁸³は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｍは、０以上５以下の整数を表す。ｐは、０以上２以下の整数を表す。

一般式（１８）中、Ｑ⁸¹及びＱ⁸²は、両方が炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すか、又は一方が炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、他方が炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。

一般式（１８）中のｍが２以上５以下の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＱ⁸³は、各々、同一でも異なっていてもよい。

一般式（１８）中のＱ⁸¹及びＱ⁸³のうち一方は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましい。ｍは、０を表すことが好ましい。ｐは、１を表すことが好ましい。Ｑ⁸¹、Ｑ⁸²及びＱ⁸³が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｑ⁸¹、Ｑ⁸²及びＱ⁸³が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。一般式（１８）中のＱ⁸³が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基が好ましい。Ｑ⁸³が表す炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、炭素原子数７以上１６以下のアラルキル基が好ましい。

化合物（１８）として好ましくは、化学式（１８−ＨＴ２１）で表される化合物（以下、化合物（１８−ＨＴ２１）と記載することがある）が挙げられる。

正孔輸送剤は、化合物（１１）〜（１８）のうちの１種のみを感光層が含有してもよく、２種以上を感光層が含有してもよい。例えば、化合物（１２−ＨＴ３）及び（１２−ＨＴ１０）は、各々を単独で用いてもよいが、各々を化合物（１４−ＨＴ１）と併用してもよい。なお、感光層は、化合物（１１）〜（１８）に加えて、化合物（１１）〜（１８）以外の正孔輸送剤を更に含有してもよい。

感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率は、３５質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましい。感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率は、６５質量％以下であることが好ましく、５５質量％以下であることがより好ましい。感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率が３０質量％以上であると、露光メモリーに起因する画像不良がより効果的に抑制される。一方、感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率が６５質量％以下であると、露光メモリーに起因する画像不良がより効果的に抑制される。

電子輸送剤の質量ｍ_ETMに対する正孔輸送剤の質量ｍ_HTMの比率ｍ_HTM／ｍ_ETMは、１．２以上が好ましく、１．６以上がより好ましい。電子輸送剤の質量ｍ_ETMに対する正孔輸送剤の質量ｍ_HTMの比率ｍ_HTM／ｍ_ETMは、５．５以下が好ましく、４．０以下がより好ましく、３．０以下が更に好ましい。比率ｍ_HTM／ｍ_ETMが１．２以上であると、露光メモリーに起因する画像不良がより効果的に抑制される。一方、比率ｍ_HTM／ｍ_ETMが４．０以下であると、露光メモリーに起因する画像不良がより効果的に抑制される。なお、２種以上の電子輸送剤が感光層に含有される場合には、電子輸送剤の質量ｍ_ETMは２種以上の電子輸送剤の合計質量である。また、２種以上の正孔輸送剤が感光層に含有される場合には、正孔輸送剤の質量ｍ_HTMは２種以上の正孔輸送剤の合計質量である。

感光層に含有される正孔輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上３００質量部以下であることが好ましく、８０質量部以上２５０質量部以下であることがより好ましく、１２０質量部以上１８０質量部以下であることが更に好ましい。

（電子輸送剤）
電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸及びジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物及びジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

これらの電子輸送剤のうち、電子輸送剤の好適な例としては、一般式（２１）、（２２）及び（２３）で表される化合物（以下、それぞれを化合物（２１）〜（２３）と記載することがある）が挙げられる。

一般式（２１）中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。

一般式（２１）中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。一般式（２１）中のＲ¹¹及びＲ¹²が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、１，１−ジメチルプロピル基がより好ましい。

化合物（２１）としては、化学式（ＥＴ１）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴ１）と記載することがある）が好ましい。

一般式（２２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²及びＲ²³は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は５員以上１４員以下の複素環基を表す。

一般式（２２）中、Ｒ²¹及びＲ²²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。Ｒ²³は、ハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましい。Ｒ²¹及びＲ²²が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上４以下のアルキル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。Ｒ²³が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ²³が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、ハロゲン原子を有してもよい。このようなハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。Ｒ²³が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有するハロゲン原子の数は、１以上３以下であることが好ましく、１であることがより好ましい。

化合物（２２）としては、化学式（ＥＴ２）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴ２）と記載することがある）が好ましい。

一般式（２３）中、Ｒ³¹及びＲ³²は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、アミノ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。

一般式（２３）中、Ｒ³¹及びＲ³²は、各々独立に、置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましい。Ｒ³¹及びＲ³²が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ³¹及びＲ³²が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を有していてもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基が挙げられる。Ｒ³¹及びＲ³²が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有する置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基が更に好ましい。Ｒ³¹及びＲ³²が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有する置換基の数は、１以上３以下であることが好ましく、１以上２以下であることがより好ましく、２であることが更に好ましい。

化合物（２３）としては、化学式（ＥＴ３）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴ３）と記載することがある）が好ましい。

露光メモリーに起因する画像不良をより効果的に抑制するためには、電子輸送剤としては化合物（２１）が好ましく、化合物（ＥＴ１）がより好ましい。

感光層は、電子輸送剤として、化合物（２１）、（２２）及び（２３）の１種のみを含有してもよい。また、感光層は、電子輸送剤として、化合物（２１）、（２２）及び（２３）の２種以上を含有してもよい。また、感光層は、電子輸送剤として、化合物（２１）、（２２）又は（２３）に加えて、化合物（２１）、（２２）及び（２３）以外の電子輸送剤を更に含有してもよい。

電子輸送剤の含有量は、１００質量部のバインダー樹脂に対して、２０質量部以上１２０質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましく、４０質量部以上９０質量部以下であることが更に好ましく、６０質量部以上９０質量部以下であることが特に好ましい。

露光メモリーに起因する画像不良をより効果的に抑制するためには、正孔輸送剤の質量ｍ_HTM、電子輸送剤の質量ｍ_ETM及びバインダー樹脂の質量ｍ_Rは、次に示す関係式（Ａ）を満たすことが好ましい。
［（ｍ_HTM＋ｍ_ETM）／ｍ_R］＞１．３０・・・（Ａ）

（ｍ_HTM＋ｍ_ETM）／ｍ_Rとしては、１．５０以上がより好ましく、２．００以上が更に好ましい。（ｍ_HTM＋ｍ_ETM）／ｍ_Rとしては、４．５０以下が好ましく、３．５０以下がより好ましく、２．５０以下が更に好ましい。

（電荷発生剤）
電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤である限り、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（例えば、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム又はアモルファスシリコン）の粉末、ピリリウム顔料、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料及びキナクリドン系顔料が挙げられる。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フタロシアニン系顔料としては、例えば、無金属フタロシアニン及び金属フタロシアニンが挙げられる。金属フタロシアニンとしては、例えば、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン及びクロロガリウムフタロシアニンが挙げられる。チタニルフタロシアニンは、例えば、化学式（ＣＧ１）で表される。無金属フタロシアニンは、例えば、化学式（ＣＧ２）で表される。

フタロシアニン系顔料は、結晶であってもよく、非結晶であってもよい。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、α型、β型、Ｙ型、Ｖ型又はＩＩ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。無金属フタロシアニンの結晶としては、例えば、無金属フタロシアニンのＸ型結晶（以下、Ｘ型無金属フタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。チタニルフタロシアニンの結晶としては、例えば、チタニルフタロシアニンのα型、β型及びＹ型結晶（以下、それぞれをα型、β型及びＹ型チタニルフタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。

例えば、デジタル光学式の画像形成装置（例えば、半導体レーザーのような光源を使用した、レーザービームプリンター又はファクシミリ）には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。７００ｎｍ以上の波長領域で高い量子収率を有することから、電荷発生剤としては、フタロシアニン系顔料が好ましく、無金属フタロシアニン又はチタニルフタロシアニンがより好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンが更に好ましく、Ｙ型チタニルフタロシアニンが特に好ましい。

Ｙ型チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、例えば、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有する。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。

ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法の一例について説明する。試料（チタニルフタロシアニン）をＸ線回折装置（例えば、株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、例えば３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。

短波長レーザー光源（例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長を有するレーザー光源）を用いた画像形成装置に適用される感光体には、アンサンスロン系顔料が好適な電荷発生剤として用いられる。

電荷発生剤の含有量は、感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましく、０．５質量部以上５質量部以下であることが特に好ましい。

（バインダー樹脂）
バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル酸重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂及びポリエーテル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂及びメラミン樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物のアクリル酸付加物及びウレタン化合物のアクリル酸付加物が挙げられる。バインダー樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

バインダー樹脂としては、一般式（３１）で表される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂（以下、ポリカーボネート樹脂（３１）と記載することがある）が好ましい。

一般式（３１）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上３以下のアルキル基、又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は互いに結合して一般式（Ｘ）で表される２価の基を表してもよい。

一般式（Ｘ）中、ｔは、１以上３以下の整数を表す。＊は、結合手を表す。

一般式（３１）中のＲ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴が表わす炭素原子数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましい。Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴が表わす炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、ハロゲン原子を有していてもよい。炭素原子数１以上３以下のアルキル基が有するハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。炭素原子数１以上３以下のアルキル基が有するハロゲン原子の数は、１以上７以下であることが好ましく、１以上５以下であることがより好ましく、１以上３以下であることが更に好ましい。

一般式（３１）中のＲ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴が表わす炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

一般式（Ｘ）中のｔとしては、２を表すことが好ましい。

一般式（３１）中、Ｒ⁴¹及びＲ⁴²は、各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましい。Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、各々独立に炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すか、或いは、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴が互いに結合して一般式（Ｘ）で表される２価の基を表すことが好ましい。

ポリカーボネート樹脂（３１）の好適な例としては、化学式（Ｒ１）で表される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂（以下、ポリカーボネート樹脂（Ｒ１）と記載することがある）が挙げられる。

ポリカーボネート樹脂（３１）の粘度平均分子量は、２５，０００以上６０，０００以下であることが好ましく、３５，０００以上５３，０００以下であることがより好ましい。ポリカーボネート樹脂（３１）の粘度平均分子量が２５，０００以上であると、感光層の硬度を適度に向上させることができる。ポリカーボネート樹脂（３１）の粘度平均分子量が６０，０００以下であると、ポリカーボネート樹脂（３１）が感光層形成用の溶剤に溶解し易くなり、感光層を容易に形成できる。

ポリカーボネート樹脂（３１）は、繰り返し単位として、一般式（３１）で表される繰り返し単位のみを有していてもよい。また、ポリカーボネート樹脂（３１）は、繰り返し単位として、一般式（３１）で表される繰り返し単位に加えて、一般式（３１）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を更に有していてもよい。ポリカーボネート樹脂（３１）が有する繰り返し単位の総数に対する、一般式（３１）で表される繰り返し単位の数の比率は、０．８０以上であることが好ましく、０．９０以上であることがより好ましく、１．００であることが特に好ましい。

感光層は、バインダー樹脂として、ポリカーボネート樹脂（３１）の１種のみを含有してもよい。また、感光層は、バインダー樹脂として、ポリカーボネート樹脂（３１）の２種以上を含有してもよい。また、感光層は、バインダー樹脂として、ポリカーボネート樹脂（３１）に加えて、ポリカーボネート樹脂（３１）以外のバインダー樹脂を更に含有してもよい。

（添加剤）
添加剤としては、例えば、劣化防止剤（例えば、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、１重項消光剤又は紫外線吸収剤）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー、界面活性剤、可塑剤、増感剤及びレベリング剤が挙げられる。酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール（例えば、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ｐ−クレゾール）、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びこれらの誘導体、有機硫黄化合物並びに有機燐化合物が挙げられる。

（各成分の組み合わせ）
感光層における正孔輸送剤及び電子輸送剤の組み合わせとしては、表１に示す組み合わせ（ｊ−１）〜（ｊ−２２）が好ましい。なお、表１の正孔輸送剤において、「１２−ＨＴ３／１４−ＨＴ１」は化合物（１２−ＨＴ３）及び（１４−ＨＴ１）を併用することを示し、「１４−ＨＴ１／１２−ＨＴ１０」は化合物（１４−ＨＴ１）及び（１２−ＨＴ１０）を併用することを示す。

感光層における電荷発生剤、正孔輸送剤及び電子輸送剤の組み合わせとしては、組み合わせ（ｊ−１）〜（ｊ−２２）のうちの何れか１つにおける各成分と、Ｘ型無金属フタロシアニンとの組み合わせが好ましい。また、感光層における電荷発生剤、正孔輸送剤及び電子輸送剤の組み合わせとしては、組み合わせ（ｊ−１）〜（ｊ−２２）のうちの何れか１つにおける各成分と、Ｙ型チタニルフタロシアニンとの組み合わせも好ましい。

感光層における電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤及びバインダー樹脂の組み合わせとしては、組み合わせ（ｊ−１）〜（ｊ−２２）のうちの何れか１つにおける各成分と、Ｘ型無金属フタロシアニンと、ポリカーボネート樹脂（Ｒ１）との組み合わせが好ましい。また、感光層における電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤及びバインダー樹脂の組み合わせとしては、組み合わせ（ｊ−１）〜（ｊ−２２）のうちの何れか１つにおける各成分と、Ｙ型チタニルフタロシアニンと、ポリカーボネート樹脂（Ｒ１）との組み合わせも好ましい。

＜中間層＞
中間層（下引き層）は、例えば、無機粒子及び中間層に用いられる樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層が存在することにより、リーク発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇が抑えられると考えられる。

無機粒子としては、例えば、金属（例えば、アルミニウム、鉄又は銅）、金属酸化物（例えば、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ又は酸化亜鉛）の粒子及び非金属酸化物（例えば、シリカ）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

中間層用樹脂としては、中間層を形成する樹脂として用いることができる限り、特に限定されない。中間層は、添加剤を含有してもよい。中間層に含有される添加剤の例は、感光層に含有される添加剤の例と同じである。

＜感光体の製造方法＞
感光体は、例えば、以下のように製造される。感光体は、感光層用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥することによって製造される。感光層用塗布液は、電荷発生剤、電子輸送剤、バインダー樹脂、正孔輸送剤及び必要に応じて添加される成分（例えば、添加剤）を、溶剤に溶解又は分散させることにより製造される。

感光層用塗布液に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できる限り、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール又はブタノール）、脂肪族炭化水素（例えば、ｎ−ヘキサン、オクタン又はシクロヘキサン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン又はキシレン）、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素又はクロロベンゼン）、エーテル類（例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテル）、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノン）、エステル類（例えば、酢酸エチル又は酢酸メチル）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。感光体の製造時の作業性を向上させるためには、溶剤として非ハロゲン溶剤（ハロゲン化炭化水素以外の溶剤）を用いることが好ましい。

感光層用塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー又は超音波分散機を用いることができる。

感光層用塗布液は、各成分の分散性を向上させるために、例えば、界面活性剤を含有してもよい。

感光層用塗布液を塗布する方法としては、塗布液を導電性基体上に均一に塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ブレードコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法及びバーコート法が挙げられる。

感光層用塗布液を乾燥する方法としては、塗布液中の溶剤を蒸発させ得る限り、特に限定されない。例えば、高温乾燥機又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理温度は、例えば、４０℃以上１５０℃以下である。熱処理時間は、例えば、３分間以上１２０分間以下である。

なお、感光体の製造方法は、必要に応じて、中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程の一方又は両方を更に含んでもよい。中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程では、公知の方法が適宜選択される。

＜第２実施形態：画像形成装置＞
第２実施形態に係る画像形成装置について説明する。第２実施形態に係る画像形成装置は、第１実施形態に係る感光体を備える。以下、第２実施形態に係る画像形成装置の一態様として、直接転写方式及びタンデム方式を採用するカラー画像形成装置を例に挙げて、図３を参照しながら説明する。

図３に示す画像形成装置９０は、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄと、転写ベルト３８と、定着部３６とを備える。以下、区別する必要がない場合には、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄの各々を、画像形成ユニット４０と記載する。

画像形成ユニット４０は、像担持体３０と、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とを備える。像担持体３０は、第１実施形態に係る感光体１である。画像形成ユニット４０の中央位置に、像担持体３０が設けられる。像担持体３０は、矢符方向（反時計回り）に回転可能に設けられる。像担持体３０の周囲には、帯電部４２を基準として像担持体３０の回転方向の上流側から順に、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とが設けられる。画像形成ユニット４０には、クリーニング部（不図示、具体的にはブレードクリーニング部）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。なお、画像形成ユニット４０は、クリーニングブレードを備えなくてもよい。即ち、画像形成装置９０は、ブレードクリーニングレス方式を採用することができる。

画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々によって、転写ベルト３８上の記録媒体Ｍに、複数色（例えば、ブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの４色）のトナー像が順に重ねられる。

帯電部４２は、像担持体３０の表面（具体的には、周面）を帯電する。帯電部４２の帯電極性は、正極性である。即ち、帯電部４２は、像担持体３０の表面を正極性に帯電する。

帯電部４２は、帯電ローラーである。帯電ローラーは、像担持体３０の表面と接触しながら像担持体３０の表面を帯電する。画像形成装置９０は、接触帯電方式を採用している。帯電ローラー以外の接触帯電方式の帯電部としては、例えば、帯電ブラシが挙げられる。なお、帯電部は非接触方式であってもよい。非接触方式の帯電部としては、例えば、コロトロン帯電器及びスコロトロン帯電器が挙げられる。

露光部４４は、帯電された像担持体３０の表面を露光する。これにより、像担持体３０の表面に静電潜像が形成される。静電潜像は、画像形成装置９０に入力された画像データに基づいて形成される。

現像部４６は、像担持体３０の表面にトナーを供給する。これにより、現像部４６は、静電潜像をトナー像として現像する。これにより、像担持体３０が、トナー像を担持する。現像剤は一成分現像剤であっても二成分現像剤であってもよい。現像剤が一成分現像剤である場合、現像部４６は、像担持体３０の表面に形成された静電潜像に一成分現像剤であるトナーを供給する。現像剤が二成分現像剤である場合、現像部４６は、像担持体３０の表面に形成された静電潜像に、二成分現像剤に含まれるトナーとキャリアとのうちトナーを供給する。

像担持体３０の表面における所定の箇所が露光部４４によって露光されてから現像部４６によって現像されるまでの時間（以下、露光と現像との間のプロセス時間と記載することがある）は、１００ミリ秒以下であることが好ましい。露光と現像との間のプロセス時間は、より具体的には、露光部４４が照射する露光光が像担持体３０の表面における所定の箇所に照射され始めてから、現像部４６によってこの所定の箇所にトナーが供給され始めるまでの時間である。像担持体３０の表面における所定の箇所は、例えば、像担持体３０の周面の露光される領域における１つの点である。露光と現像との間のプロセス時間は、像担持体３０の周速と対応する。

通常、露光と現像との間のプロセス時間が１００ミリ秒以下であると、像担持体の周速が速く、像担持体の感光層中に電荷が残存し易い。そのため、露光メモリーに起因する画像不良が発生し易い。しかし、画像形成装置９０は、像担持体３０として第１実施形態に係る感光体１を備える。感光体１は、露光メモリーに起因する画像不良を抑制することができる。このため、像担持体３０として感光体１を備える画像形成装置９０は、露光と現像との間のプロセス時間が１００ミリ秒以下であっても、露光メモリーに起因する画像不良を抑制することができる。

露光と現像との間のプロセス時間は、０ミリ秒より大きく１００ミリ秒以下であることが好ましく、５０ミリ秒以上９０ミリ秒以下であることがより好ましく、６５ミリ秒以上７０ミリ秒以下であることが更に好ましい。

転写ベルト３８は、像担持体３０と転写部４８との間に記録媒体Ｍを搬送する。転写ベルト３８は、無端状のベルトである。転写ベルト３８は、矢符方向（時計回り）に回転可能に設けられる。

転写部４８は、現像部４６によって現像されたトナー像を、像担持体３０の表面から被転写体へ転写する。被転写体は、記録媒体Ｍである。転写部４８としては、例えば、転写ローラーが挙げられる。

転写部４８が像担持体３０の表面から被転写体である記録媒体Ｍにトナー像を転写し終えた像担持体３０の表面の領域は、除電されることなく、帯電部４２によって再び帯電される。即ち、画像形成装置９０は、いわゆる除電レス方式を採用することができる。通常、除電レス方式を採用する画像形成装置では、像担持体の感光層中に電荷が残留し易い。そのため、露光メモリーに起因する画像不良が発生し易い。しかし、画像形成装置９０は、像担持体３０として第１実施形態に係る感光体１を備える。感光体１は、露光メモリーに起因する画像不良の発生を抑制することができる。このため、像担持体３０として感光体１を備える画像形成装置９０は、除電レス方式を採用しても、露光メモリーに起因する画像不良の発生を抑制することができる。

定着部３６は、転写部４８によって記録媒体Ｍに転写された未定着のトナー像を、加熱及び／又は加圧する。定着部３６は、例えば、加熱ローラー及び／又は加圧ローラーである。トナー像を加熱及び／又は加圧することにより、記録媒体Ｍにトナー像が定着する。その結果、記録媒体Ｍに画像が形成される。

以上、画像形成装置の一例について説明したが、画像形成装置は、上述した画像形成装置９０に限定されない。上述した画像形成装置９０はカラー画像形成装置であったが、画像形成装置はモノクロ画像形成装置であってもよい。この場合、画像形成装置は、例えば画像形成ユニットを１つだけ備えていればよい。また、上述した画像形成装置９０はタンデム方式を採用していたが、画像形成装置は例えばロータリー方式を採用してもよい。また、上述した画像形成装置９０は直接転写方式を採用していたが、画像形成装置は例えば中間転写方式を採用してもよい。この場合、転写部は一次転写部及び二次転写部に相当し、被転写体は記録媒体及び転写ベルトに相当する。

＜第３実施形態：プロセスカートリッジ＞
第３実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明する。第３実施形態に係るプロセスカートリッジは、第１実施形態に係る感光体を備える。以下、図３を引き続き参照して、第３実施形態に係るプロセスカートリッジの一例について説明する。プロセスカートリッジは、画像形成用のカートリッジである。プロセスカートリッジは、画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々に相当する。プロセスカートリッジは、像担持体３０を備える。像担持体３０は、第１実施形態に係る感光体１である。プロセスカートリッジは、感光体１に加えて、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び転写部４８からなる群より選択される少なくとも１つを更に備えていてもよい。プロセスカートリッジには、クリーニング部（不図示）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。プロセスカートリッジは、画像形成装置９０に対して着脱自在に設計される。そのため、プロセスカートリッジは取り扱いが容易であり、感光体１の感度特性等が劣化した場合に、感光体１を含めて容易かつ迅速に交換することができる。以上、図３を参照して、第３実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明した。

以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。しかし、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。

＜感光層を形成するための材料＞
感光体の感光層を形成するための材料として、以下の電子輸送剤、正孔輸送剤、電荷発生剤、及びバインダー樹脂を準備した。

（電子輸送剤）
電子輸送剤として、第１実施形態で説明した化合物（ＥＴ１）〜（ＥＴ３）を準備した。

（正孔輸送剤）
正孔輸送剤として、第１実施形態で説明した化合物（１４−ＨＴ１）、（１４−ＨＴ２）、（１２−ＨＴ３）、（１２−ＨＴ４）、（１２−ＨＴ５）、（１２−ＨＴ６）、（１６−ＨＴ７）、（１１−ＨＴ８）、（１１−ＨＴ９）、（１２−ＨＴ１０）、（１２−ＨＴ１１）、（１２−ＨＴ１２）、（１５−ＨＴ１３）、（１５−ＨＴ１４）、（１５−ＨＴ１５）、（１３−ＨＴ１６）、（１３−ＨＴ１７）、（１２−ＨＴ１８）、（１７−ＨＴ１９）又は（１８−ＨＴ２１）を準備した。また、正孔輸送剤として、化学式（ＨＴ２０）で表される化合物（以下、化合物（ＨＴ２０）と記載することがある）も準備した。

（電荷発生剤）
電荷発生剤として、Ｙ型チタニルフタロシアニン及びＸ型無金属フタロシアニンを準備した。Ｙ型チタニルフタロシアニンは、第１実施形態で述べた化学式（ＣＧ１）で表され、Ｙ型の結晶構造を有するチタニルフタロシアニン（以下、化合物（ＣＧ１）と記載することがある）であった。Ｘ型無金属フタロシアニンは、第１実施形態で述べた化学式（ＣＧ２）で表され、Ｘ型の結晶構造を有する無金属フタロシアニン（以下、化合物（ＣＧ２）と記載することがある）であった。

（バインダー樹脂）
バインダー樹脂として、実施形態で説明したポリカーボネート樹脂（Ｒ１）を準備した。ポリカーボネート樹脂（Ｒ１）は、化学式（Ｒ１）で表される繰り返し単位のみを有していた。ポリカーボネート樹脂（Ｒ１）の粘度平均分子量は、４０，０００であった。

＜導電性基体＞
以下の方法により、周面に陽極酸化被膜が設けられた円筒状の導電性基体を得た。まず、中性洗剤（カンエイ産業株式会社製「クリンスーパーＥＣ」）を含有する２質量％中性洗剤水溶液に、直径３０ｍｍ、全長２４７．５ｍｍのアルミニウム素管を浸漬させた。この中性洗剤水溶液に２５ｋＨｚの超音波振動を５分間印加（超音波洗浄処理）した。超音波洗浄処理したアルミニウム素管を１０質量％の硫酸水溶液中で電流密度１．０Ａ／ｄｍ²にて陽極酸化処理を１７分間行った。その後、流水により５分間洗浄した。次いで、酢酸ニッケル溶液（０．９質量％、８０℃）に１０分浸漬し封孔処理を行った。得られた導電性基体の有する陽極酸化被膜の膜厚は、５．０μｍであった。また、陽極酸化処理の時間を変更し、それ以外の条件は全て同一として、陽極酸化被膜の膜厚が２．０μｍである導電性基体と、陽極酸化被膜の膜厚が９．０μｍである導電性基体とを別途得た。

なお、導電性基体における陽極酸化被膜の膜厚は、渦電流式膜厚試験機（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製）を用いて測定した。

＜感光体の製造＞
感光層を形成するための材料を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々を製造した。

（感光体（Ａ−１）の製造）
容器内に、電荷発生剤としての化合物（ＣＧ１）４質量部、正孔輸送剤としての化合物（１４−ＨＴ１）１５０質量部、電子輸送剤としての化合物（ＥＴ１）７５質量部、バインダー樹脂としての樹脂（Ｒ１）１００質量部及び溶剤としてのテトラヒドロフラン８００質量部を投入した。容器の内容物を、ボールミルを用いて５０時間混合して、溶剤に材料を分散させた。これにより、感光層用塗布液を得た。周面に膜厚５．０μｍの陽極酸化被膜が設けられた導電性基体上に、ディップコート法を用いて感光層用塗布液を塗布した。塗布した感光層用塗布液を、１２０℃で６０分間熱風乾燥させた。これにより、導電性基体上に、単層の感光層（膜厚２５μｍ）を形成した。その結果、感光体（Ａ−１）が得られた。

（感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の製造）
次の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の製造と同じ方法で、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々を製造した。感光体（Ａ−１）の製造においては、電荷発生剤として化合物（ＣＧ１）を使用したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々の製造においては表２〜表３に示す種類の電荷発生剤を使用した。感光体（Ａ−１）の製造においては、正孔輸送剤として１５０質量部の化合物（１４−ＨＴ１）を使用し、電子輸送剤として７５質量部の化合物（ＥＴ１）を使用したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々の製造においては表２〜表３に示す種類及び量の正孔輸送剤及び電子輸送剤を使用した。感光体（Ａ−１）の製造においては導電性基体として周面に膜厚５．０μｍの陽極酸化被膜が設けられた導電性基体を使用したが、感光体（Ａ−２７）及び（Ａ−２８）の各々の製造においては表３に示す膜厚の陽極酸化被膜が周面に設けられた導電性基体を使用した。また、感光体（Ｂ−４）の製造においては、周面に陽極酸化被膜が設けられていない導電性基体（即ち、陽極酸化処理を行っていない導電性基体）を使用した。

＜光応答時間の測定＞
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々の光応答時間を測定した。光応答性時間の測定環境は、温度２５℃及び相対湿度５０％ＲＨの環境下であった。

図４を参照して、感光体１の光応答時間の測定方法を説明する。図４は、感光体１の光応答時間の測定装置５０を示す。測定装置５０は、帯電装置５２と、露光装置５４と、透明プローブ５６と、電位検出装置５８とを備える。測定装置５０として、ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いた。まず、感光体１（具体的には、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の何れか）を測定装置５０に装着した。

帯電装置５２によって、感光体１の感光層３の表面３ａを＋８００Ｖに帯電した。これにより、感光層３の表面３ａが帯電位置Ａで＋８００Ｖに帯電した。帯電位置Ａは、帯電装置５２と、感光層３の表面３ａとが接触する位置であった。

帯電位置Ａから露光位置Ｂへ向かう方向（図４において実線の矢印で示す方向）に感光体１を回転させて、帯電された感光層３の表面３ａを、露光位置Ｂに移動させた。露光位置Ｂは、パルス光が照射される位置であった。移動後、感光体１の回転を止め、感光体１の位置を固定した。感光層３の表面３ａの電位（表面電位）の測定は、感光体１を固定した状態で実行された。露光位置Ｂで、帯電された感光層３の表面３ａに露光装置５４がパルス光（波長７８０ｎｍ、半値幅４０マイクロ秒）を照射した。パルス光の光強度を設定は、＋８００Ｖに帯電された感光層３の表面３ａにパルス光が照射されてから４００ミリ秒後に、感光層３の表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度とした。パルス光の照射は１回であった。即ち、１パルスを照射した。露光装置５４の光源としてキセノンフラッシュランプ（浜松ホトニクス株式会社製「Ｃ４４７９」）を用いた。パルス光の波長及び光強度は、光学フィルター（不図示）により調整した。なお、厳密には、帯電装置５２によって感光層３の表面３ａを＋８００Ｖよりわずかに大きい値に帯電させた。次いで、所定の時間を経過させて、感光層３の表面電位が＋８００Ｖまで暗減衰した時点で、露光装置５４によって、パルス光を感光層３の表面３ａに照射した。

透明プローブ５６によって、感光層３の表面電位を測定した。透明プローブ５６は、パルス光の光軸上に設置され、パルス光を透過させた。図４中、露光装置５４から感光体１へ向かう破線の矢印は、パルス光の光軸を示す。透明プローブ５６として、プローブ（トレック株式会社製「３６２９Ａ」）を用いた。

電位検出装置５８は、透明プローブ５６と電気的に接続されていた。電位検出装置５８によって、透明プローブ５６が測定した時間ごとの感光層３の表面電位を得た。これにより、感光層３の表面電位の減衰曲線を得た。得られた減衰曲線から、パルス光が感光層３の表面３ａに照射されてから感光層３の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間τを得た。得られた時間τを、光応答時間とした。以上、図４を参照して、感光体１の光応答時間の測定方法を説明した。測定された感光体の光応答時間を、表２〜表３に示す。

＜画像評価１：露光メモリーに起因する画像不良＞
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々に対して、露光メモリーに起因する画像不良が抑制されているか否かを評価した。露光メモリーに起因する画像不良の評価は、温度１０℃及び相対湿度１５％ＲＨの環境下で行った。

感光体を評価機に装着した。評価機として、カラー画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」）の改造機を用いた。改造機の改造点は、クリーニングブレードを取り外したこと、除電部（具体的には、除電ランプ）を取り外したことであった。即ち、この評価機は、帯電部としてスコロトロン帯電器を備えていた。また、この評価機は、除電部と、クリーニング部としてのクリーニングブレードとを備えていなかった。帯電電位を＋７００Ｖに設定した。露光と現像との間のプロセス時間が７２ミリ秒となるように、感光体の周速を調整した。

図５を参照して、露光メモリーに起因する画像不良の評価に使用した評価用画像７０を説明する。図５は、評価用画像７０を示す。評価用画像７０は、第１領域７２及び第２領域７４を含む。第１領域７２は、像担持体の１周目に形成される画像の領域に相当する。第１領域７２は、第１画像７６を含む。第１画像７６は、ドーナツ型のソリッド画像（画像濃度１００％）から構成される。このソリッド画像は、２つの同心円の１組から構成される。第２領域７４は、像担持体の２周目に形成される画像の領域に相当する。第２領域７４は第２画像７８を含む。第２画像７８は、全面ハーフトーン画像（画像濃度４０％）から構成される。

次に、図６を参照して、露光メモリーに起因する画像不良が発生した画像８０を説明する。図６は、露光メモリーに起因する画像不良が発生した画像８０を示す。画像８０は、評価用画像７０で説明した第１領域７２、第２領域７４、第１画像７６及び第２画像７８を含む。評価用画像７０を印刷して露光メモリーに起因する画像不良が発生した場合には、第２領域７４に第２画像７８が印刷されるべきところ、第２領域７４の第２画像７８中にゴースト画像Ｇが現れる。ゴースト画像Ｇの画像濃度は、第２画像７８に比べて濃い。ゴースト画像Ｇは、第１領域７２の露光領域の第１画像７６を反映して設計画像濃度よりも濃くなった、露光メモリーに起因する画像不良である。

まず、評価機を用いて、４０００枚の記録媒体（Ａ４サイズの紙）に、２０秒間隔で、画像（印字率４％の印字パターン画像）を印刷した。４０００枚の記録媒体に印刷した後、１枚の記録媒体（Ａ４サイズの紙）に、図５で示す評価用画像７０を印刷した。印刷した評価用画像７０を肉眼で観察し、露光メモリーに起因する画像不良の発生の有無を確認した。具体的には、評価用画像７０の第２領域７４に、第１画像７６に対応したゴースト画像Ｇが発生したか否かを確認した。評価用画像７０の観察結果から下記基準に基づいて、露光メモリーに起因する画像不良を抑制できているか評価した。評価結果を表４に示す。なお、評価Ａ〜Ｃを合格とした。

（露光メモリーに起因する画像不良の評価基準）
評価Ａ：第１画像７６に対応したゴースト画像Ｇが観察されなかった。
評価Ｂ：第１画像７６に対応したゴースト画像Ｇがわずかに観察された。
評価Ｃ：第１画像７６に対応したゴースト画像Ｇが観察されたが、実用上問題のない水準であった。
評価Ｄ：第１画像７６に対応したゴースト画像Ｇが明確に観察され、実用上問題のある水準であった。

＜画像評価２：転写かすれ＞
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）の各々に対して、転写かすれが抑制されているかを評価した。転写かすれの評価は、温度３２℃及び相対湿度８０％ＲＨの環境下で行った。

まず、感光体を評価機に装着した。評価機として、露光メモリーに起因する画像不良の評価に用いた評価機と同様のものを用いた。帯電電位を＋７００Ｖに設定した。露光と現像との間のプロセス時間が７２ミリ秒となるように、感光体の周速を調整した。転写電流は、転写かすれを生じ易くするため、通常の２．０倍（−２０μＡ）とした。

１枚の記録媒体（Ａ４サイズの紙）に、評価用画像としてべた画像を印刷した。印刷した評価用画像を肉眼で観察し、転写かすれの有無を確認した。評価用画像の観察結果から下記基準に基づいて、転写かすれを抑制できているか評価した。評価結果を表４に示す。なお、評価Ａ及びＢを合格とした。

（転写かすれの評価基準）
評価Ａ：べた画像にかすれ及び抜けはいずれも確認されなかった。
評価Ｂ：べた画像に軽微なかすれ及び抜けの少なくとも一方が観測されたが、実用上問題のない水準であった。
評価Ｃ：べた画像にかすれ及び抜けの少なくとも一方が観察され、実用上問題のある水準であった。

（転写後電位）
上述の転写かすれの評価用画像の印刷中、感光体の転写後位置における表面電位を測定した。測定された転写後位置の表面電位を、転写後電位（単位：Ｖ）とした。各感光体の転写後電位を表４に示す。転写後電位がマイナスの値である場合、転写電流によって転写後電位が不安定となっていることを示す。

表２〜表３中、ＣＧＭ、ＨＴＭ、ＥＴＭ、部及びｗｔ％は、各々、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、質量部及び質量％を示す。また、表２で示す感光体（Ａ−７）の正孔輸送剤の種類「１２−ＨＴ３／１４−ＨＴ１」及び含有量「７５／７５」は、正孔輸送剤として、化合物（１２−ＨＴ３）及び（１４−ＨＴ１）を７５質量部ずつ含有することを示す。同様に、表２で示す感光体（Ａ−１４）の正孔輸送剤の種類「１４−ＨＴ１／１２−ＨＴ１０」は、正孔輸送剤として、化合物（１４−ＨＴ１）及び（１２−ＨＴ１０）を７５質量部ずつ含有することを示す。

表２〜３中、被膜は陽極酸化被膜を示す。表３で示す感光体（Ｂ−４）の陽極酸化被膜の膜厚「−」は、導電性基体の周面に陽極酸化被膜が設けられていないことを示す。

表２〜表３中、ＨＴＭの「含有率」は、感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率を示す。感光層の質量に対する正孔輸送剤の含有率は、計算式「含有率（単位：質量％）＝１００×正孔輸送剤の量（単位：質量部）／［電荷発生剤の量（単位：質量部）＋正孔輸送剤の量（単位：質量部）＋電子輸送剤の量（単位：質量部）＋バインダー樹脂の量（単位：質量部）］」から求めた。

表２〜表３中、「比率ｍ_HTM／ｍ_ETM」は、電子輸送剤の質量ｍ_ETMに対する正孔輸送剤の質量ｍ_HTMの比率を示す。比率ｍ_HTM／ｍ_ETMは、計算式「比率ｍ_HTM／ｍ_ETM＝正孔輸送剤の量（単位：質量部）／電子輸送剤の量（単位：質量部）」から求めた。

表２〜表３中、「比率（ｍ_HTM＋ｍ_ETM）／ｍ_R」は、バインダー樹脂の質量ｍ_Bに対する電子輸送剤及び正孔輸送剤の合計質量（質量ｍ_ETM＋質量ｍ_HTM）の比率を示す。比率（ｍ_HTM＋ｍ_ETM）／ｍ_Rは、計算式「比率（ｍ_HTM＋ｍ_ETM）／ｍ_R＝［正孔輸送剤の量（単位：質量部）＋電子輸送剤の量（単位：質量部）］／バインダー樹脂の量（単位：質量部）」から求めた。

感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）は、各々、導電性基体と、単層の感光層とを備えていた。導電性基体は、少なくとも感光層側の面に設けられた陽極酸化被膜を有していた。感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有していた。光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下であった。そのため、表４に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）の各々では、露光メモリーに起因する画像不良の抑制が評価Ａ〜Ｃであり、かつ転写かすれの抑制が評価Ａであり、いずれも合格であった。即ち、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２９）の各々は、露光メモリーに起因する画像不良と、転写かすれとを抑制することができた。

一方、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々は、光応答時間が０．８５ミリ秒超であった。そのため、表４に示すように、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々では、露光メモリーに起因する画像不良の抑制がいずれも評価Ｄであった。即ち、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々は、露光メモリーに起因する画像不良を十分に抑制できなかった。

感光体（Ｂ−４）は、導電性基体の感光層側の面に陽極酸化被膜が設けられていなかった。そのため、表４に示すように、感光体（Ｂ−４）は、転写かすれの抑制が評価Ｃであった。即ち、感光体（Ｂ−４）は、転写かすれを十分に抑制できなかった。このことは、感光体（Ｂ−４）の転写後電位が０Ｖ未満であり、転写電流によって転写後電位が不安定となっていることからも確認できた。

以上のことから、本発明に係る感光体によれば、露光メモリーに起因する画像不良と、転写メモリーとを抑制することができることが示された。また、本発明に係るプロセスカートリッジ及び画像形成装置によれば、露光メモリーに起因する画像不良と、転写メモリーとを抑制することができることが示された。

本発明に係る感光体は、画像形成装置に利用することができる。本発明に係るプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、記録媒体に画像を形成するために利用することができる。

１ ：電子写真感光体
２ ：導電性基体
２ａ ：陽極酸化被膜
２ｂ ：素地層
３ ：感光層
３ａ ：感光層の表面
３０ ：像担持体
４２ ：帯電部
４４ ：露光部
４６ ：現像部
４８ ：転写部
９０ ：画像形成装置

Claims (10)

1. 導電性基体と、単層の感光層とを備える電子写真感光体であって、
   前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含有し、
   光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．８５ミリ秒以下であり、
   前記光応答時間は、波長７８０ｎｍのパルス光が＋８００Ｖに帯電された前記感光層の表面に照射されてから、前記感光層の表面電位が＋８００Ｖから＋４００Ｖに減衰するまでの時間であり、
   前記パルス光の強度は、前記パルス光が＋８００Ｖに帯電された前記感光層の前記表面に照射されてから４００ミリ秒後に、前記感光層の前記表面電位が＋８００Ｖから＋２００Ｖとなる強度であり、
   前記導電性基体は、少なくとも前記感光層側の面に設けられた陽極酸化被膜を有し、
   前記感光層の質量に対する前記正孔輸送剤の含有率は、３５質量％以上６５質量％以下であり、
   前記感光層に含有される前記正孔輸送剤の含有量は、前記バインダー樹脂１００質量部に対して、１００質量部以上３００質量部以下であり、
   前記感光層に含有される前記電子輸送剤の含有量は、前記バインダー樹脂１００質量部に対して、２０質量部以上１２０質量部以下であり、
   前記感光層に含有される前記電子輸送剤の質量ｍ _ETM に対する前記感光層に含有される前記正孔輸送剤の質量ｍ _HTM の比率ｍ _HTM ／ｍ _ETM は、１．２以上４．０以下であり、
   前記感光層に含有される前記正孔輸送剤の質量ｍ _HTM 、前記感光層に含有される前記電子輸送剤の質量ｍ _ETM 及び前記感光層に含有される前記バインダー樹脂の質量ｍ _R は、以下に示す関係式（Ａ）を満たし、
   前記正孔輸送剤は、化学式（１４−ＨＴ１）、（１４−ＨＴ２）、（１２−ＨＴ３）、（１２−ＨＴ４）、（１２−ＨＴ５）、（１２−ＨＴ６）、（１６−ＨＴ７）、（１２−ＨＴ１０）、（１２−ＨＴ１１）、（１２−ＨＴ１２）、（１２−ＨＴ１８）、（１７−ＨＴ１９）及び（１８−ＨＴ２１）で表される化合物のうち少なくとも１種を含む、電子写真感光体。
   ２．００≦［（ｍ _HTM ＋ｍ _ETM ）／ｍ _R ］≦３．５０・・・（Ａ）
   

   

   

   
2. 前記陽極酸化被膜の膜厚は、１．０μｍ以上１５．０μｍ以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記陽極酸化被膜は、封孔処理が施されている、請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
4. 前記光応答時間は、０．０５ミリ秒以上０．６０ミリ秒以下である、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子写真感光体。
5. 前記電子輸送剤は、一般式（２１）、（２２）及び（２３）で表される化合物のうち少なくとも１種を含む、請求項１〜４の何れか一項に記載の電子写真感光体。
   

   

   （前記一般式（２１）中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表し、
   前記一般式（２２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²及びＲ²³は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、ハロゲン原子を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基又は５員以上１４員以下の複素環基を表し、
   前記一般式（２３）中、Ｒ³¹及びＲ³²は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、アミノ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。）
6. 前記電子輸送剤は、化学式（ＥＴ１）、（ＥＴ２）及び（ＥＴ３）で表される化合物のうち少なくとも１種を含む、請求項５に記載の電子写真感光体。
   

   
7. 請求項１〜６の何れか一項に記載の電子写真感光体を備える、プロセスカートリッジ。
8. 像担持体と、
   前記像担持体の表面を帯電する帯電部と、
   帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する露光部と、
   前記静電潜像をトナー像として現像する現像部と、
   前記トナー像を前記像担持体から被転写体へ転写する転写部と
   を備える画像形成装置であって、
   前記帯電部は、前記像担持体の前記表面を正極性に帯電し、
   前記像担持体は、請求項１〜６の何れか一項に記載の電子写真感光体である、画像形成装置。
9. 前記像担持体の前記表面における所定の箇所が前記露光部によって露光されてから前記現像部によって現像されるまでの時間は、１００ミリ秒以下である、請求項８に記載の画像形成装置。
10. 前記トナー像を前記被転写体に転写し終えた前記像担持体の前記表面の領域は、除電されることなく、前記帯電部によって再び帯電される、請求項８又は９に記載の画像形成装置。

Images