CN109950226A - 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置 - Google Patents

一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109950226A
CN109950226A CN201910231829.5A CN201910231829A CN109950226A CN 109950226 A CN109950226 A CN 109950226A CN 201910231829 A CN201910231829 A CN 201910231829A CN 109950226 A CN109950226 A CN 109950226A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
underlay substrate
conductive connection
connection part
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910231829.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109950226B (zh
Inventor
曲连杰
齐永莲
赵合彬
邱云
徐晓玲
杨瑞智
石广东
徐诗雨
张珊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910231829.5A priority Critical patent/CN109950226B/zh
Publication of CN109950226A publication Critical patent/CN109950226A/zh
Priority to US16/703,045 priority patent/US11127764B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109950226B publication Critical patent/CN109950226B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Abstract

本发明公开一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置，涉及显示技术领域，为解决采用玻璃基底制作Micro LED和mini LED背光基板或显示基板时，玻璃基底的加工性能较差，在进行高精度的打孔时，玻璃基底容易损坏的问题；以及Micro LED和mini LED背光基板或显示基板在用于拼接时，基板侧面的导电连接部容易磨损，导致出现产品信赖性降低的问题。电路基板包括表面设置有多个凹槽的衬底基板；设置在衬底基板上的驱动电路，驱动电路包括位于衬底基板的顶表面的信号线和位于衬底基板的底表面的信号线引线，以及导电连接部，导电连接部用于分别连接相对应的信号线和信号线引线。本发明提供的电路基板用于制作背板或拼接显示屏。

Description

一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，Micro LED(英文：Light-Emitting Diode，简称：LED)和mini LED等新型显示技术在背光领域的应用范围越来越广泛。
目前，Micro LED和mini LED无论是用于液晶显示装置的背光，还是用于大尺寸TV的背光，均是集成在印制电路板(英文：Printed Circuit Board，简称：PCB)上，并采用被动驱动的方式实现发光，这种方式虽然能够实现正常的背光功能，但是在动态局域背光亮度调整、信赖性、功耗等方面还存在一定缺陷。为了解决上述问题，考虑使用玻璃基底，即将Micro LED和mini LED均集成在玻璃基底上，但是采用玻璃基底时，玻璃基底的加工性能较差，在进行高密度、高精度的整面打孔时，玻璃基底容易产生易碎、易裂等问题；而为了避免在玻璃基底上打孔，可以考虑将用于连接玻璃基底上下表面的导电连接部制作在玻璃基底的侧面，但这种结构的玻璃基底在用于拼接显示时，位于玻璃基底侧面的导电连接部容易在玻璃基底移动过程中磨损，导致出现产品信赖性降低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置，用于解决采用玻璃基底制作Micro LED和mini LED背光基板或显示基板时，玻璃基底的加工性能较差，在进行高密度、高精度的打孔时，玻璃基底容易产生易碎、易裂的问题；以及Micro LED和mini LED背光基板或显示基板在用于拼接时，基板侧面的导电连接部容易磨损，导致出现产品信赖性降低的问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种电路基板，所述电路基板包括：
衬底基板，所述衬底基板的侧表面设置有多个凹槽，每个所述凹槽均沿垂直于所述衬底基板的方向延伸，且贯穿所述衬底基板相对的顶表面和底表面；
设置在所述衬底基板上的驱动电路，所述驱动电路包括位于所述衬底基板的顶表面的信号线和位于所述衬底基板的底表面的信号线引线；
与所述凹槽一一对应的导电连接部，所述导电连接部的至少一部分位于对应的所述凹槽内，且所述导电连接部用于分别连接相对应的所述信号线和所述信号线引线。
可选的，所述导电连接部包括：位于所述凹槽中的第一部分，与所述第一部分连接、且位于所述衬底基板的顶表面的第二部分，以及与所述第一部分连接、且位于所述衬底基板的底表面的第三部分，所述第二部分与对应的所述信号线连接，所述第三部分与对应的所述信号线引线连接，在平行于所述衬底基板的方向上，所述第一部分的最大厚度小于或等于所述凹槽的最大深度。
可选的，所述驱动电路还包括设置在所述衬底基板的顶表面的薄膜晶体管阵列层，所述信号线和所述信号线引线用于为所述薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，以使所述薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管的输出电极输出驱动信号。
可选的，所述衬底基板包括玻璃基板和印制电路板。
基于上述电路基板的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示基板，包括上述电路基板，所述显示基板还包括：
设置在所述电路基板上的多个微发光二极管，所述电路基板用于驱动所述多个微发光二极管发光。
基于上述显示基板的技术方案，本发明的第三方面提供一种拼接显示装置，包括拼接在一起的多个上述显示基板。
基于上述电路基板的技术方案，本发明的第四方面提供一种电路基板的制作方法，用于制作上述电路基板，所述制作方法包括：
提供一衬底基板母板；
在所述衬底基板母板上制作驱动电路，所述驱动电路包括位于所述衬底基板母板的顶表面的信号线和位于所述衬底基板母板的底表面的信号线引线，所述顶表面与所述底表面相对；
制作多个贯穿所述衬底基板母板的过孔，每个所述过孔均分布在预设的切割线上，并能够被所述切割线沿垂直于所述衬底基板母板的方向分割成两个凹槽，该两个凹槽分别位于所述切割线相对的两侧；
制作与所述凹槽一一对应的导电连接部，所述导电连接部的至少一部分位于对应的所述凹槽中，所述导电连接部用于分别连接相对应的所述信号线和所述信号线引线；
沿着所述切割线对形成有所述导电连接部的衬底基板母板进行切割，形成多个独立的电路基板。
可选的，在所述衬底基板母板上制作驱动电路的步骤还包括：
在所述衬底基板母板的顶表面制作薄膜晶体管阵列层，所述信号线和所述信号线引线用于为所述薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，以使所述薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管的输出电极输出驱动信号。
可选的，制作与所述凹槽一一对应的导电连接部的步骤具体包括：
形成完全包覆所述衬底基板母板的光刻胶薄膜；
对所述光刻胶薄膜进行图案化，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中所述光刻胶去除区域对应各所述导电连接部所在的区域，所述光刻胶保留区域对应除所述各所述导电连接部所在的区域之外的其它区域；
在所述光刻胶去除区域沉积导电材料；
将位于所述光刻胶保留区域的光刻胶薄膜去除，形成所述导电连接部。
可选的，制作与所述凹槽一一对应的导电连接部的步骤具体包括：
形成完全包覆所述衬底基板母板的第一导电材料层；
形成完全包覆所述第一导电材料层的光刻胶薄膜；
对所述光刻胶薄膜进行图案化，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中所述光刻胶去除区域对应各所述导电连接部所在的区域，所述光刻胶保留区域对应除所述各所述导电连接部所在的区域之外的其它区域；
在所述光刻胶去除区域形成第二导电材料层；
去除位于光刻胶保留区域的光刻胶薄膜；
去除位于光刻胶保留区域的第一导电材料层，形成所述导电连接部。
本发明提供的技术方案中，在衬底基板的侧面设置了多个能够贯穿衬底基板的顶表面和底表面的凹槽，并在凹槽中设置了导电连接部，通过导电连接部能够连通位于衬底基板的顶表面的信号线和位于衬底基板的底表面的信号线引线，从而实现信号线和信号线引线之间的信号传输，可见，本发明提供的技术方案中，无需在电路基板的衬底基板的内部形成过孔，因此，所选用的衬底基板的类型不受加工性能的限制，而且，连通信号线和信号线引线的导电连接部是设置在位于衬底基板的侧面的凹槽中的，因此，即使将电路基板拼接使用，在电路基板之间发生相对移动时，位于不同电路基板对应的凹槽内的导电连接部彼此之间也不会产生摩擦，避免了对导电连接部产生损伤，有效提升了电路基板在拼接使用时的信赖性。
可见，本发明提供的技术方案中，当衬底基板采用玻璃基板时，由于玻璃基板具有较高的平坦性，在玻璃基板上制作驱动电路时，能够实现主动式的驱动方案，从而减小了电路基板整体的体积，更好的降低了电路基板的功耗；而且，采用玻璃基板制作的电路基板的耐水和氧气侵蚀的性能更好，从而更有利于提升电路基板的使用寿命和信赖性，因此，在利用本发明技术方案中的电路基板制作Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板时，不仅更符合Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板的分辨率水平，而且在利用本发明技术方案中的电路基板制作Micro LED或mini LED的背光基板时，可以实现动态局域背光的亮度调整，使得应用该背光基板的显示装置的对比度大幅提升。
因此，当本发明提供的技术方案中电路基板采用玻璃基板作为基底时，在实现了上述由玻璃基板带来的有益效果的同时，无需在玻璃基板上进行打孔，克服了玻璃基板的加工性能较差，在进行高精度的打孔时，玻璃基底容易产生易碎、易裂的问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为相关技术中微发光二极管贴装在玻璃基底上的第一示意图；
图2为相关技术中基板拼接的第一示意图；
图3为相关技术中微发光二极管贴装在玻璃基底上的第二示意图；
图4为相关技术中基板拼接的第二示意图；
图5为本发明实施例提供的微发光二极管贴装在电路基板上的示意图；
图6为本发明实施例提供的在母板上贴装微发光二极管的示意图；
图7为本发明实施例提供的在母板上形成过孔的示意图；
图8为本发明实施例提供的在过孔中形成导电连接部的示意图；
图9为本发明实施例提供的在母板上形成信号线的示意图；
图10为本发明实施例提供的对母板进行切割的示意图；
图11为本发明实施例提供的在各电路基板上贴装微发光二极管的示意图；
图12a-图12d为本发明实施例提供的一种制作导电连接部的流程示意图；
图13a-图13e为本发明实施例提供的另一种制作导电连接部的流程示意图。
附图标记：
1-玻璃基底， 2-Cu柱，
3-焊盘， 4-微发光二极管，
5-金属走线， 6-衬底基板母板，
60-信号线， 61-过孔，
62-凹槽， 63-切割线，
64-导电连接部， 641-第一导电材料层
642-第二导电材料层， 65-衬底基板，
70-光刻胶薄膜。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
基于背景技术存在问题，本发明的发明人经研究发现，在采用玻璃基底时，如图1和图2所示，可以考虑先在玻璃基底1上形成过孔，然后在过孔中通过电铸形成Cu柱2，并在Cu柱2上形成焊盘3，最后将微发光二极管4，例如：Micro LED或mini LED贴装在焊盘3上，这种方式虽然能够保证采用玻璃基底时，形成的过孔具有良好的导电性能，但是这种方式还存在两个主要的问题在实际应用中难以克服，一方面是高密度过孔带来的玻璃基底1加工难度过大，示例性的，目前利用激光打孔的过孔直径在50um-100um之间，而现有Micro LED和mini LED的尺寸在50um-200um之间，因此，当采用玻璃基底1制作Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板时，意味着绝大多数的玻璃面积上都是过孔，这样的玻璃基底1是无法使用的；而另一方面，由于Cu的线膨胀系数为:1.7×10-5/K，而玻璃的线热膨胀系数为(3.3±0.1)×10-6/K，二者相差数倍，因此在实际的应用中，随着温度的变化，会造成Cu柱2和玻璃基底上的过孔之间产生挤压或者分离，这会严重影响产品的信赖性。
另外，本发明的发明人还研究发现，可以考虑在玻璃基底1的侧面形成金属走线5，以此实现对玻璃基底1的顶表面和底表面之间的连通，具体如图3和图4所示，通过在玻璃基底1的侧面形成金属走线5，可将位于玻璃基底1顶表面的微发光二极管4像素与位于玻璃基底1底表面的驱动部分相连，这种方式能够避免在玻璃基底1上形成高密度的过孔，以及Cu和玻璃基底1膨胀系数差异大的问题；但是这种方式也存在一些问题，其中比较大的问题是玻璃基底1侧面走线完全突出，使得玻璃基底1在拼接的过程中若发生拼接块之间相对移动，则会造成侧面走线损伤；另一个问题是侧面金属走线5的工艺不成熟，还没有成熟的方案，给产品性能带来很大的不确定性。
基于上述方案存在的问题，本发明的发明人进一步研究发现，可通过在玻璃基底的侧面形成贯穿衬底基板的顶表面和底表面的凹槽，然后将金属走线5形成在该凹槽内，这样不仅避免了在玻璃基板的表面形成大面积的过孔，解决了玻璃基底的加工性能较差，在进行高精度的打孔时，玻璃基底容易产生易碎、易裂的问题，而且，在进行拼接时，即使拼接块之间产生相对移动，也不会造成侧面走线损伤。
具体地，请参阅图5和图6，本发明实施例提供了一种电路基板，所述电路基板包括：
衬底基板65，衬底基板65的侧表面设置有多个凹槽62，每个凹槽62均沿垂直于衬底基板65的方向延伸，且贯穿衬底基板65相对的顶表面和底表面；
设置在衬底基板65上的驱动电路，驱动电路包括位于衬底基板65的顶表面的信号线60和位于衬底基板65的底表面的信号线引线；
与凹槽62一一对应的导电连接部64，导电连接部64的至少一部分位于对应的凹槽62内，且导电连接部64用于分别连接相对应的信号线60和信号线引线。
具体地，上述衬底基板65可选用的类型多种多样，示例性的，可选用玻璃基板或印制电路板，在选用合适的衬底基板65后，可在衬底基板65的侧面形成凹槽62，该凹槽62的沿垂直于衬底基板65的方向延伸，且贯穿衬底基板65相对的顶表面和底表面，凹槽62的槽底和相对的两个侧壁均由衬底基板65的侧表面形成，凹槽62的尺寸可根据实际需要设置，只需能够容纳设置在其中的导电连接部64即可。
在凹槽62中设置的导电连接部64的材质可根据实际需要进行选择，只需具有良好的导电性能即可，例如：选用金属材料制作导电连接部64，导电连接部64具体可采用电镀、等离子体增强化学的气相沉积法或溅射等方式在凹槽62侧壁沉积一定厚度的金属材料来形成。
上述设置在衬底基板65上的驱动电路可具体包括设置在衬底基板65的顶表面的信号线60和设置在衬底基板65的底表面的信号线引线，示例性的，信号线60和信号线引线可均与凹槽62中的导电连接部64一一对应，且信号线60与对应的导电连接部64中位于顶表面的一端连接，信号线引线与对应的导电连接部64中位于底表面的一端连接，因此相对应的信号线60和信号线引线通过对应的导电连接部64实现电连接。
上述电路基板在实际应用时，可在衬底基板65的顶表面所在的一侧形成微发光二极管4，驱动电路与微发光二极管4连接，通过信号线60和信号线引线为驱动电路提供控制信号，以使驱动电路产生能够驱动微发光二极管4的驱动信号，从而实现驱动微发光二极管4发光。需要说明，上述电路基板可用于驱动微发光二极管4，也可以应用于液晶显示或有机发光二极管显示中。
根据上述实施例提供的电路基板的具体结构和实际应用方式可知，本发明实施例提供的电路基板中，在衬底基板65的侧面设置了多个能够贯穿衬底基板65的顶表面和底表面的凹槽62，并在凹槽62中设置了导电连接部64，通过导电连接部64能够连通位于衬底基板65的顶表面的信号线60和位于衬底基板65的底表面的信号线引线，从而实现信号线60和信号线引线之间的信号传输，可见，上述电路基板无需在衬底基板65的内部形成过孔，因此，所选用的衬底基板65的类型不受加工性能的限制，示例性的，可选用玻璃基板或印制电路板；而且，连通信号线60和信号线引线的导电连接部64是设置在位于衬底基板65的侧面的凹槽62中的，因此，即使将电路基板拼接使用，在电路基板之间发生相对移动时，位于不同电路基板对应的凹槽62内的导电连接部64彼此之间也不会产生摩擦，避免了对导电连接部64产生损伤。
可见，本发明实施例提供的电路基板中，当衬底基板65采用玻璃基板时，由于玻璃基板具有较高的平坦性，在玻璃基板上制作驱动电路时，能够实现主动式的驱动方案，从而减小了电路基板整体的体积，更好的降低了电路基板的功耗；而且，采用玻璃基板制作的电路基板的耐水和氧气侵蚀的性能更好，从而更有利于提升电路基板的使用寿命和信赖性，因此，在利用本发明实施例提供的电路基板制作Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板时，不仅更符合Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板的分辨率水平，而且在利用本发明实施例提供的电路基板制作Micro LED或mini LED的背光基板时，可以实现动态局域背光的亮度调整，使得应用该背光基板的显示装置的对比度大幅提升。
综上分析，当本发明实施例提供的电路基板中，采用玻璃基板作为基底时，在实现了上述由玻璃基板带来的有益效果的同时，无需在玻璃基板上进行打孔，克服了玻璃基板的加工性能较差，在进行高精度的打孔时，玻璃基底容易产生易碎、易裂的问题。
在一些实施例中，上述实施例提供的导电连接部64包括：位于凹槽62中的第一部分，与第一部分连接、且位于衬底基板65的顶表面的第二部分，以及与第一部分连接、且位于衬底基板65的底表面的第三部分，第二部分与对应的信号线60连接，第三部分与对应的信号线引线连接，在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度小于或等于凹槽62的最大深度。
具体地，在制作上述导电连接部64时，可在凹槽62中制作导电连接部64的第一部分，并在衬底基板65的顶表面所在一侧制作与第一部分连接的第二部分，在衬底基板65的底表面所在一侧制作与第一部分连接的第三部分，这三部分的厚度可根据实际需要设置，示例性的，在垂直于衬底基板65的方向上第二部分的厚度、第三部分的厚度，以及在平行于衬底基板65的方向上，所述第一部分的最大厚度均相同；或者，在垂直于衬底基板65的方向上第二部分的厚度与第三部分的厚度相同，且该厚度大于在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度。
值得注意，当设置在垂直于衬底基板65的方向上第二部分的厚度与第三部分的厚度相同，且该厚度大于在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度时，能够使得第二部分与信号线60之间，以及第三部分与信号线引线之间具有更好的连接性能，从而更好的保证在信号线60和信号线引线之间传输信号。
另外，可设置在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度小于凹槽62的最大深度，这样能够使得第一部分更好的贴附在凹槽62中，从而更好的降低由于导电连接部64与玻璃基板的线热膨胀系数不同，随着温度的变化，导电连接部64的第一部分和玻璃基板容易分离的风险，保证电路基板在实际应用时的信赖性。当设置在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度等于凹槽62的最大深度时，使得第一部分具有较大的尺寸，这样不仅更有利于第一部分对信号的传输性能，而且能够更好的保证第一部分与第二部分之间，以及第一部分与第三部分之间的连接性能。
在上述实施例中，设置导电连接部64包括上述第一部分、第二部分和第三部分，使得导电连接部64能够通过第二部分与信号线60实现连接，并能够通过第三部分与信号线引线实现连接，由于第二部分和信号线60均位于衬底基板65的顶表面所在的一侧，第三部分和信号线引线均位于衬底基板65的底表面所在的一侧，因此，使得信号线60与第二部分之间，以及信号线引线与第三部分之间均具有良好的连接性能，从而使得在实际应用中，信号线60与导电连接部64之间，以及信号线引线与导电连接部64之间不容易发生断路。
在一些实施例中，上述实施例提供的驱动电路还包括设置在衬底基板65的顶表面的薄膜晶体管阵列层，信号线60和信号线引线用于为薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，以使薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管的输出电极输出驱动信号。
具体地，上述薄膜晶体管阵列层可具体包括遮光层、有源层、栅极绝缘层、栅极、电介质层、源极、漏极、平坦层和阳极，其中有源层、栅极绝缘层、栅极、电介质层、源极和漏极构成薄膜晶体管，源极或漏极可作为薄膜晶体管的输出电极，通过形成在平坦层上的过孔与阳极连接，阳极可作为后续用于贴装Micro LED或mini LED的其中一个焊盘。上述薄膜晶体管阵列层还可以包括公共电极，公共电极可作为后续用于贴装Micro LED或mini LED的另一个焊盘。值得注意，在制作薄膜晶体管阵列层时，需要预留足够的高度和尺寸的焊盘，以便于后续贴装Micro LED或mini LED。
制作上述结构的薄膜晶体管阵列层时，上述信号线60和信号线引线可用于为薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，当信号线60与薄膜晶体管阵列层中包括的栅极连接时，信号线60用于为栅极提供扫描信号，当信号线60与薄膜晶体管阵列层中包括的不作为输出电极的源极或漏极连接时，信号线60用于为该源极或漏极提供数据信号。
制作上述薄膜晶体管阵列层以及信号线60和信号线引线时，可采用现有技术中常用的工艺流程，该工艺流程可与目前液晶显示装置包括的阵列基板中采用高载流子迁移率的低温多晶硅驱动电路的工艺流程相同。
本发明实施例还提供了一种显示基板，包括上述实施例提供的电路基板，所述显示基板还包括：设置在电路基板上的多个微发光二极管4，电路基板用于驱动多个微发光二极管4发光。
具体地，可通过多种方式在上述电路基板上形成微发光二极管4，示例性的，可以采用卷对平板打印机或者芯片键合设备在电路基板上贴装微发光二极管4。值得注意，在电路基板上贴装微发光二极管4时，要求微发光二极管4自身的焊盘3和电路基板上用于贴装微发光二极管4的焊盘3均具有较好的黏附性。
上述显示基板在工作时，由电路基板为所述多个微发光二极管4提供驱动信号，从而驱动多个微发光二极管4实现发光功能。
由于上述实施例提供的电路基板中，所选用的衬底基板65的类型不受加工性能的限制，而且，连通信号线60和信号线引线的导电连接部64是设置在位于衬底基板65的侧面的凹槽62中的，因此，本发明实施例提供的显示基板在包括上述电路基板时，即使将显示基板拼接使用，在显示基板之间发生相对移动时，位于不同显示基板上的电路基板对应的凹槽62内的导电连接部64彼此之间也不会产生摩擦，避免了对导电连接部64产生损伤，提升了显示基板的信赖性。
另外，由于当电路基板中的衬底基板65采用玻璃基板时，电路基板能够实现主动式的驱动方案，从而减小了电路基板整体的体积，更好的降低了电路基板的功耗；而且，采用玻璃基板制作的电路基板的耐水和氧气侵蚀的性能更好，从而更有利于提升电路基板的使用寿命和信赖性，因此，本发明实施例提供的显示基板在包括上述电路基板时，不仅具有上述有益效果，同时还能够实现更高的分辨率水平。
本发明实施例还提供了一种拼接显示装置，包括拼接在一起的多个如上述实施例所述的显示基板。
由于上述显示基板包括的电路基板中，衬底基板65的类型不受加工性能的限制，而且，连通信号线60和信号线引线的导电连接部64是设置在位于衬底基板65的侧面的凹槽62中的，因此，本发明实施例提供的拼接显示装置在包括拼接在一起的多个显示基板时，即使在显示基板之间发生相对移动，位于不同显示基板上的电路基板对应的凹槽62内的导电连接部64彼此之间也不会产生摩擦，避免了对导电连接部64产生损伤，从而提升了拼接显示装置的信赖性。
另外，由于当上述显示基板包括的电路基板中的衬底基板65采用玻璃基板时，电路基板能够实现主动式的驱动方案，从而减小了电路基板整体的体积，更好的降低了电路基板的功耗；而且，采用玻璃基板制作的电路基板的耐水和氧气侵蚀的性能更好，从而更有利于提升电路基板的使用寿命和信赖性，因此，本发明实施例提供的拼接显示装置在包括上述显示基板时，不仅具有上述有益效果，同时还能够实现更高的分辨率水平。
需要说明的是，所述拼接显示装置可以为：电视、显示器、数码相框等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了一种电路基板的制作方法，用于制作上述实施例提供的电路基板，如图7至图11所示，所述制作方法包括：
提供一衬底基板母板6；
在衬底基板母板6上制作驱动电路，驱动电路包括位于衬底基板母板6的顶表面的信号线60和位于衬底基板母板6的底表面的信号线引线，顶表面与底表面相对；
制作多个贯穿衬底基板母板6的过孔61，每个过孔61均分布在预设的切割线63上，并能够被切割线63沿垂直于所述衬底基板母板6的方向分割成两个凹槽62，该两个凹槽62分别位于切割线63相对的两侧；示例性的，凹槽62与信号线60一一对应；
制作与凹槽62一一对应的导电连接部64，导电连接部64的至少一部分位于对应的凹槽62中，导电连接部64用于分别连接相对应的信号线60和信号线引线；
沿着切割线63对形成有导电连接部64的衬底基板母板6进行切割，形成多个独立的电路基板。
具体地，在制作电路基板时，所使用的衬底基板母板6的类型可选为玻璃基板或印制电路板，且在该衬底基板母板6上可设置有预设的切割线63，预设的切割线63的数量和分布方式可根据实际需要设置，示例性的，包括相互垂直的两条切割线63，沿这两条切割线63切割衬底基板母板6时，能够将衬底基板母板6切割成尺寸相同的四块矩形形状的衬底基板子板。
在提供了衬底基板母板6后，可在衬底基板母板6上制作驱动电路，该驱动电路可具体包括位于衬底基板母板6的顶表面的信号线60和位于衬底基板母板6底表面的信号线引线，其中信号线60和信号线引线的材质可根据实际需要选择，示例性的，选用金属导电材料制作，另外，也可以将信号线60和信号线引线与驱动电路中同层设置的其它导电膜层采用同种材料制作，这样就可以通过一次构图工艺同时形成信号线60和与其同层设置的其它导电膜层，以及通过一次构图工艺同时形成信号线引线和与其同层设置的其它导电膜层。
上述在衬底基板母板6上制作过孔61(如图7所示)的方法多种多样，示例性的，可采用激光照射或者利用掩膜板构图的方法形成过孔61，目前，所采用的衬底基板母板6的厚度一般为0.5t，利用激光在该厚度的衬底基板母板6上形成的过孔61的孔径可在50um-100um之间，当采用更薄的衬底基板母板6时，例如：厚度为0.2t或者0.1t的衬底基板母板6，则能够获得更小的过孔61。另外，过孔61的位置应形成在衬底基板母板6的切割线63上，即在垂直于衬底基板母板6的方向上，每个过孔61均与切割线63部分重叠，并能够被切割线63沿垂直于所述衬底基板母板6的方向分割成两个凹槽62，该两个凹槽62分别位于切割线63相对的两侧，这样在后续沿着切割线63对衬底基板母板6进行切割时，能够将过孔61分成两个凹槽62，每个凹槽62均作为切割后对应的衬底基板子板侧面的凹槽62，能够贯穿该衬底基板子板的顶表面和底表面。
如图8所示，接着可制作与凹槽62一一对应的导电连接部64，导电连接部64的至少部分位于对应的凹槽62中，导电连接部64用于分别连接相对应的信号线60和信号线引线；导电连接部64的具体制作方式多种多样，示例性的，采用过孔61侧边沉铜工艺，在过孔61中形成导电连接部64，更具体地，可通过电镀、等离子体增强化学的气相沉积法或溅射等方式在过孔61侧壁沉积一定厚度的金属材料，例如：铜材料，来形成导电连接部64。需要说明，在过孔61中沉积金属材料时，沉积的厚度可根据实际需要设置，示例性的，可在过孔61中沉满金属材料，或者只沉积孔壁附近一定范围内的区域。
最后可采用激光或者刀轮沿着衬底基板母板6上预设的切割线63进行切割，形成多个独立的电路基板。值得注意，在切割时应选用高精度的激光设备，目前一些主流的激光切割设备厂商可以实现10微米精度以内的玻璃切割。另外，在切割时，可以通过调整切割宽度控制所形成的凹槽62深度，示例性的，可控制切割后的凹槽62的深度在40微米-90微米左右。
采用本发明实施例提供的制作方法制作的电路基板在实际应用时，可在衬底基板65的顶表面所在的一侧形成微发光二极管4，驱动电路与微发光二极管4连接，通过信号线60和信号线引线为驱动电路提供控制信号，以使驱动电路产生能够驱动微发光二极管4的驱动信号，从而实现驱动微发光二极管4发光。
采用本发明实施例提供的制作方法制作电路基板时，先在衬底基板母板6的预设切割线63上制作了过孔61，然后在过孔61中制作了能够将衬底基板母板6的顶表面上的信号线60和底表面上的信号线引线连通的导电连接部64，然后再沿切割线63对衬底基板母板6进行切割形成多个独立的电路基板，使得形成的电路基板中，在衬底基板65的侧面具有多个能够贯穿衬底基板65的顶表面和底表面的凹槽62，且凹槽62中具有导电连接部64，通过导电连接部64能够连通位于衬底基板65的顶表面的信号线60和位于衬底基板65的底表面的信号线引线，从而实现信号线60和信号线引线之间的信号传输，可见，采用本发明实施例提供的制作方法制作电路基板时，无需在衬底基板65的内部形成过孔61，因此，所选用的衬底基板65的类型不受加工性能的限制，示例性的，可选用玻璃基板或印制电路板；而且，连通信号线60和信号线引线的导电连接部64是设置在位于衬底基板65的侧面的凹槽62中的，因此，即使将电路基板拼接使用，在电路基板之间发生相对移动时，位于不同电路基板对应的凹槽62内的导电连接部64彼此之间也不会产生摩擦，避免了对导电连接部64产生损伤。
可见，采用本发明实施例提供的制作方法制作电路基板中，当衬底基板65采用玻璃基板时，由于玻璃基板具有较高的平坦性，在玻璃基板上制作驱动电路时，能够实现主动式的驱动方案，从而减小了电路基板整体的体积，更好的降低了电路基板的功耗；而且，采用玻璃基板制作的电路基板的耐水和氧气侵蚀的性能更好，从而更有利于提升电路基板的使用寿命和信赖性，因此，在利用该电路基板制作Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板时，更符合Micro LED或mini LED的背光基板或显示基板的分辨率水平。
综上分析，采用本发明实施例提供的制作方法制作电路基板中，当采用玻璃基板作为基底时，在实现了上述由玻璃基板带来的有益效果的同时，无需在玻璃基板上进行打孔，克服了玻璃基板的加工性能较差，在进行高精度的打孔时，玻璃基底容易产生易碎、易裂的问题。而且，由于采用本发明实施例提供的制作方法制作电路基板时，是先在过孔61中制作导电连接部64，然后再沿切割线63对过孔61进行切割，因此，避免了直接在衬底基板65的侧面形成导电连接部64时，技术手段不成熟的问题。
在一些实施例中，上述实施例提供的在衬底基板母板6上制作驱动电路的步骤还具体包括：
在衬底基板母板6的顶表面制作薄膜晶体管阵列层，信号线60和信号线引线用于为薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，以使薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管的输出电极输出驱动信号。
具体地，所制作的薄膜晶体管阵列层可具体包括遮光层、有源层、栅极绝缘层、栅极、电介质层、源极、漏极、平坦层和阳极，其中有源层、栅极绝缘层、栅极、电介质层、源极和漏极构成薄膜晶体管，源极或漏极可作为薄膜晶体管的输出电极，通过形成在平坦层上的过孔与阳极连接，阳极可作为后续用于贴装Micro LED或mini LED的其中一个焊盘。上述薄膜晶体管阵列层还可以包括公共电极，公共电极可作为后续用于贴装Micro LED或miniLED的另一个焊盘。值得注意，在制作薄膜晶体管阵列层时，需要预留足够的高度和尺寸的焊盘，以便于后续贴装Micro LED或mini LED。
制作上述结构的薄膜晶体管阵列层时，上述信号线60和信号线引线可用于为薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，当信号线60与薄膜晶体管阵列层中包括的栅极连接时，信号线60用于为栅极提供扫描信号，当信号线60与薄膜晶体管阵列层中包括的不作为输出电极的源极或漏极连接时，信号线60用于为该源极或漏极提供数据信号。
制作上述薄膜晶体管阵列层以及信号线60和信号线引线时，可采用现有技术中常用的工艺流程，该工艺流程可与目前液晶显示装置包括的阵列基板中采用高载流子迁移率的低温多晶硅驱动电路的工艺流程相同。因此，采用上述实施例提供的制作方法制作电路基板时，可以兼容现有产线的薄膜晶体管阵列层制作工艺，很高的缩减了电路基板的制作成本。
在一些实施例中，上述实施例提供的制作与凹槽62一一对应的导电连接部64的步骤具体包括：
在凹槽62中制作导电连接部64的第一部分，在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度小于该凹槽62对应的过孔61的半径；在衬底基板65的顶表面制作与第一部分连接的导电连接部64的第二部分；在衬底基板65的底表面制作与第一部分连接的导电连接部64的第三部分。
具体地，在制作上述导电连接部64时，可在凹槽62中制作导电连接部64的第一部分，并在衬底基板65的顶表面所在一侧制作与第一部分连接的第二部分，在衬底基板65的底表面所在一侧制作与第一部分连接的第三部分，这三部分的厚度可根据实际需要设置，示例性的，在垂直于衬底基板65的方向上第二部分的厚度与第三部分的厚度，以及在垂直于凹槽62底部的方向上，第一部分的厚度均相同；或者，在垂直于衬底基板65的方向上第二部分的厚度与第三部分的厚度相同，且该厚度大于在垂直于凹槽62底部的方向上，第一部分的厚度。
另外，可设置在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度小于该凹槽62对应的过孔61的半径；这样能够使得第一部分更好的贴附在凹槽62中，从而更好的降低由于导电连接部64与玻璃基板的线热膨胀系数不同，随着温度的变化，导电连接部64的第一部分和玻璃基板容易分离的风险，保证电路基板在实际应用时的信赖性。另外，可具体设置在平行于衬底基板65的方向上，第一部分的最大厚度等于凹槽62的最大深度，使得第一部分具有较大的尺寸，这样不仅更有利于第一部分对信号的传输性能，而且能够更好的保证第一部分与第二部分之间，以及第一部分与第三部分之间的连接性能。
采用上述实施例提供的制作方法制作的导电连接部64包括上述第一部分、第二部分和第三部分，使得导电连接部64能够通过第二部分与信号线60实现连接，并能够通过第三部分与信号线引线实现连接，由于第二部分和信号线60均位于衬底基板65的顶表面所在的一侧，第三部分和信号线引线均位于衬底基板65的底表面所在的一侧，因此，使得信号线60与第二部分之间，以及信号线引线与第三部分之间均具有良好的连接性能，从而使得在实际应用中，信号线60与导电连接部64之间，以及信号线引线与导电连接部64之间不容易发生断路。
如图12a-12d所示，在一些实施例中，上述实施例提供的制作与凹槽62一一对应的导电连接部64的步骤具体包括：
形成完全包覆衬底基板母板6的光刻胶薄膜70；
对光刻胶薄膜70进行图案化，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶去除区域对应各导电连接部64所在的区域，光刻胶保留区域对应除各导电连接部64所在的区域之外的其它区域；
在光刻胶去除区域沉积导电材料；
将位于光刻胶保留区域的光刻胶薄膜70去除，形成导电连接部64。
具体地，可先形成完全包覆衬底基板母板6的光刻胶薄膜70，然后利用掩膜板对光刻胶薄膜70进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶去除区域对应各导电连接部64所在的区域，光刻胶保留区域对应除各导电连接部64所在的区域之外的其它区域；然后利用显影液将位于光刻胶去除区域的光刻胶薄膜70去除；接着在光刻胶去除区域沉积导电材料，形成导电连接部64；最后将位于光刻胶保留区域的光刻胶薄膜70去除，完成导电连接部64的制作。
如图13a-13e所示，在另外一些实施例中，上述实施例提供的制作与凹槽62一一对应的导电连接部64的步骤还可以具体包括：
形成完全包覆衬底基板母板6的第一导电材料层641；
形成完全包覆第一导电材料层641的光刻胶薄膜70；
对光刻胶薄膜70进行图案化，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶去除区域对应各导电连接部64所在的区域，光刻胶保留区域对应除各导电连接部64所在的区域之外的其它区域；
在光刻胶去除区域形成第二导电材料层642；
去除位于光刻胶保留区域的光刻胶薄膜70；
去除位于光刻胶保留区域的第一导电材料层641，形成导电连接部64。
具体地，可先沉积形成完全包覆衬底基板母板6的第一导电材料层641，然后在第一导电材料层641上形成完全包覆第一导电材料层641的光刻胶薄膜70，利用掩膜板对光刻胶薄膜70进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶去除区域对应各导电连接部64所在的区域，光刻胶保留区域对应除各导电连接部64所在的区域之外的其它区域；然后利用显影液将位于光刻胶去除区域的光刻胶薄膜70去除；接着在光刻胶去除区域沉积形成第二导电材料层642；最后剥离位于光刻胶保留区域的光刻胶薄膜70，并采用刻蚀工艺将位于该光刻胶保留区域的第一导电材料层641去除，形成由剩余的第一导电材料层641和第二导电材料层642共同构成的导电连接部64。值得注意，在去除位于该光刻胶保留区域的第一导电材料层641时，也可以去除位于凹槽62中的部分第二导电材料层642，以调节导电连接部64在平行于衬底基板的方向上的最大厚度。
值得注意，上述实施例中形成的光刻胶薄膜70可选用干膜光刻胶，这样能够使光刻胶均匀的形成在第一导电材料层641上，避免了光刻胶过多的流入到过孔61中。
另外，除了采用上述方式形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域外，也可以直接在光刻胶保留区域涂敷已经图案化的干膜光刻胶，该已经图案化的干膜光刻胶与光刻胶保留区域相匹配。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种电路基板，其特征在于，所述电路基板包括：
衬底基板，所述衬底基板的侧表面设置有多个凹槽，每个所述凹槽均沿垂直于所述衬底基板的方向延伸，且贯穿所述衬底基板相对的顶表面和底表面；
设置在所述衬底基板上的驱动电路，所述驱动电路包括位于所述衬底基板的顶表面的信号线和位于所述衬底基板的底表面的信号线引线；
与所述凹槽一一对应的导电连接部，所述导电连接部的至少一部分位于对应的所述凹槽内，且所述导电连接部用于分别连接相对应的所述信号线和所述信号线引线。
2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述导电连接部包括：位于所述凹槽中的第一部分，与所述第一部分连接、且位于所述衬底基板的顶表面的第二部分，以及与所述第一部分连接、且位于所述衬底基板的底表面的第三部分，所述第二部分与对应的所述信号线连接，所述第三部分与对应的所述信号线引线连接，在平行于所述衬底基板的方向上，所述第一部分的最大厚度小于或等于所述凹槽的最大深度。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，所述驱动电路还包括设置在所述衬底基板的顶表面的薄膜晶体管阵列层，所述信号线和所述信号线引线用于为所述薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，以使所述薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管的输出电极输出驱动信号。
4.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，所述衬底基板包括玻璃基板、印制电路板和聚酰亚胺基板。
5.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1～4中任一项所述的电路基板，所述显示基板还包括：
设置在所述电路基板上的多个微发光二极管，所述电路基板用于驱动所述多个微发光二极管发光。
6.一种拼接显示装置，其特征在于，包括拼接在一起的多个如权利要求5所述的显示基板。
7.一种电路基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～4中任一项所述的电路基板，所述制作方法包括：
提供一衬底基板母板；
在所述衬底基板母板上制作驱动电路，所述驱动电路包括位于所述衬底基板母板的顶表面的信号线和位于所述衬底基板母板的底表面的信号线引线，所述顶表面与所述底表面相对；
制作多个贯穿所述衬底基板母板的过孔，每个所述过孔均分布在预设的切割线上，并能够被所述切割线沿垂直于所述衬底基板母板的方向分割成两个凹槽，该两个凹槽分别位于所述切割线相对的两侧；
制作与所述凹槽一一对应的导电连接部，所述导电连接部的至少一部分位于对应的所述凹槽中，所述导电连接部用于分别连接相对应的所述信号线和所述信号线引线；
沿着所述切割线对形成有所述导电连接部的衬底基板母板进行切割，形成多个独立的电路基板。
8.根据权利要求7所述的电路基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板母板上制作驱动电路的步骤还包括：
在所述衬底基板母板的顶表面制作薄膜晶体管阵列层，所述信号线和所述信号线引线用于为所述薄膜晶体管阵列层提供相应的控制信号，以使所述薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管的输出电极输出驱动信号。
9.根据权利要求7或8所述的电路基板的制作方法，其特征在于，制作与所述凹槽一一对应的导电连接部的步骤具体包括：
形成完全包覆所述衬底基板母板的光刻胶薄膜；
对所述光刻胶薄膜进行图案化，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中所述光刻胶去除区域对应各所述导电连接部所在的区域，所述光刻胶保留区域对应除所述各所述导电连接部所在的区域之外的其它区域；
在所述光刻胶去除区域沉积导电材料；
将位于所述光刻胶保留区域的光刻胶薄膜去除，形成所述导电连接部。
10.根据权利要求7或8所述的电路基板的制作方法，其特征在于，制作与所述凹槽一一对应的导电连接部的步骤具体包括：
形成完全包覆所述衬底基板母板的第一导电材料层；
形成完全包覆所述第一导电材料层的光刻胶薄膜；
对所述光刻胶薄膜进行图案化，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中所述光刻胶去除区域对应各所述导电连接部所在的区域，所述光刻胶保留区域对应除所述各所述导电连接部所在的区域之外的其它区域；
在所述光刻胶去除区域形成第二导电材料层；
去除位于光刻胶保留区域的光刻胶薄膜；
去除位于光刻胶保留区域的第一导电材料层，形成所述导电连接部。
CN201910231829.5A 2019-03-26 2019-03-26 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置 Active CN109950226B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910231829.5A CN109950226B (zh) 2019-03-26 2019-03-26 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置
US16/703,045 US11127764B2 (en) 2019-03-26 2019-12-04 Circuit substrate, method for manufacturing the same, display substrate and tiled display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910231829.5A CN109950226B (zh) 2019-03-26 2019-03-26 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109950226A true CN109950226A (zh) 2019-06-28
CN109950226B CN109950226B (zh) 2020-12-15

Family

ID=67011542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910231829.5A Active CN109950226B (zh) 2019-03-26 2019-03-26 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11127764B2 (zh)
CN (1) CN109950226B (zh)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110808268A (zh) * 2019-11-07 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、显示面板、显示器
CN110867137A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
CN110911392A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种微型发光二极管显示面板及其制作方法
CN111048529A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 电路基板及其制作方法、显示基板
CN111063649A (zh) * 2019-12-03 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED的转移方法及转移装置
CN111223411A (zh) * 2019-12-11 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 一种用于微型led显示面板的基板及其制造方法
CN111384067A (zh) * 2020-03-20 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 微型led的驱动背板及其制作方法和led显示装置
CN111446354A (zh) * 2020-03-27 2020-07-24 深圳市隆利科技股份有限公司 mini-LED背光模组的制备方法
CN111768718A (zh) * 2020-07-13 2020-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Led显示基板、显示装置
CN112309268A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置及显示装置制备方法
CN112750370A (zh) * 2020-01-14 2021-05-04 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN112770495A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法
CN112991965A (zh) * 2021-03-30 2021-06-18 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
TWI732551B (zh) * 2020-01-14 2021-07-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN113192996A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示面板
CN113380834A (zh) * 2021-06-04 2021-09-10 东莞市中晶半导体科技有限公司 一种玻璃基板的制作方法
WO2021204070A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 北京芯海视界三维科技有限公司 端子连接结构、显示单元及显示器
CN113660770A (zh) * 2020-05-12 2021-11-16 台湾爱司帝科技股份有限公司 导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法
CN114038334A (zh) * 2021-12-01 2022-02-11 厦门天马微电子有限公司 一种拼接显示面板及显示装置
CN114783285A (zh) * 2022-04-02 2022-07-22 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115035811A (zh) * 2022-05-23 2022-09-09 广州新视界光电科技有限公司 一种led显示面板及其制造方法
WO2023070302A1 (zh) * 2021-10-26 2023-05-04 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种驱动背板、显示面板及显示面板制备方法
US11764229B2 (en) 2020-11-20 2023-09-19 Au Optronics Corporation Pixel array substrate

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013131A (zh) * 2019-12-20 2021-06-22 群创光电股份有限公司 发光装置及包含其的拼接式显示器
CN115152334A (zh) * 2021-01-28 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 布线基板、阵列基板和发光模组
CN116417491A (zh) * 2021-12-31 2023-07-11 北京京东方技术开发有限公司 显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202003620U (zh) * 2011-03-29 2011-10-05 四川虹视显示技术有限公司 一种拼接式pmoled显示屏
CN103065561A (zh) * 2013-01-11 2013-04-24 林谊 一种led显示屏显示单元及其自动化生产方法
CN203404572U (zh) * 2013-07-29 2014-01-22 Tcl集团股份有限公司 一种显示装置和拼接式底座
CN105789225A (zh) * 2016-05-30 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN206115896U (zh) * 2016-10-27 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 拼接显示面板及拼接显示装置
CN206674336U (zh) * 2017-04-14 2017-11-24 深圳市牧泰莱电路技术有限公司 一种侧面开槽的电路板
CN107393434A (zh) * 2017-09-06 2017-11-24 合肥同诺文化科技有限公司 Led显示屏面罩及其显示屏
CN107645832A (zh) * 2017-09-27 2018-01-30 王朝 一种高可靠性pcb续接结构

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200295119A1 (en) * 2019-03-14 2020-09-17 Innolux Corporation Electronic device and electronic apparatus

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202003620U (zh) * 2011-03-29 2011-10-05 四川虹视显示技术有限公司 一种拼接式pmoled显示屏
CN103065561A (zh) * 2013-01-11 2013-04-24 林谊 一种led显示屏显示单元及其自动化生产方法
CN203404572U (zh) * 2013-07-29 2014-01-22 Tcl集团股份有限公司 一种显示装置和拼接式底座
CN105789225A (zh) * 2016-05-30 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN206115896U (zh) * 2016-10-27 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 拼接显示面板及拼接显示装置
CN206674336U (zh) * 2017-04-14 2017-11-24 深圳市牧泰莱电路技术有限公司 一种侧面开槽的电路板
CN107393434A (zh) * 2017-09-06 2017-11-24 合肥同诺文化科技有限公司 Led显示屏面罩及其显示屏
CN107645832A (zh) * 2017-09-27 2018-01-30 王朝 一种高可靠性pcb续接结构

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309268A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置及显示装置制备方法
CN112770495A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法
CN112770495B (zh) * 2019-10-21 2022-05-27 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法
US11483931B2 (en) 2019-10-21 2022-10-25 Hongqisheng Precision Electronics (Qinhuangdao) Co., Ltd. All-directions embeded module, method for manufacturing the all-directions embeded module, and all-directions packaging structure
CN110867137A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
CN110867137B (zh) * 2019-10-30 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
CN110808268A (zh) * 2019-11-07 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、显示面板、显示器
CN110911392A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种微型发光二极管显示面板及其制作方法
CN110911392B (zh) * 2019-11-29 2022-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种微型发光二极管显示面板及其制作方法
CN111063649A (zh) * 2019-12-03 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED的转移方法及转移装置
CN111223411A (zh) * 2019-12-11 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 一种用于微型led显示面板的基板及其制造方法
US11942485B2 (en) 2019-12-11 2024-03-26 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Substrate having dual edge connection line and method for manufacturing the same, display panel, and display apparatus
CN111223411B (zh) * 2019-12-11 2022-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种用于微型led显示面板的基板及其制造方法
CN111048529A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 电路基板及其制作方法、显示基板
CN111048529B (zh) * 2019-12-25 2022-03-29 上海天马微电子有限公司 电路基板及其制作方法、显示基板
CN112750370A (zh) * 2020-01-14 2021-05-04 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
TWI732551B (zh) * 2020-01-14 2021-07-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US11444120B2 (en) 2020-01-14 2022-09-13 Au Optronics Corporation Display apparatus and method of fabricating the same
CN111384067B (zh) * 2020-03-20 2023-07-28 京东方科技集团股份有限公司 微型led的驱动背板及其制作方法和led显示装置
CN111384067A (zh) * 2020-03-20 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 微型led的驱动背板及其制作方法和led显示装置
CN111446354A (zh) * 2020-03-27 2020-07-24 深圳市隆利科技股份有限公司 mini-LED背光模组的制备方法
WO2021204070A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 北京芯海视界三维科技有限公司 端子连接结构、显示单元及显示器
CN113660770A (zh) * 2020-05-12 2021-11-16 台湾爱司帝科技股份有限公司 导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法
CN111768718A (zh) * 2020-07-13 2020-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Led显示基板、显示装置
US11764229B2 (en) 2020-11-20 2023-09-19 Au Optronics Corporation Pixel array substrate
CN112991965B (zh) * 2021-03-30 2023-01-31 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112991965A (zh) * 2021-03-30 2021-06-18 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2022217646A1 (zh) * 2021-04-13 2022-10-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示面板
CN113192996A (zh) * 2021-04-13 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示面板
CN113380834A (zh) * 2021-06-04 2021-09-10 东莞市中晶半导体科技有限公司 一种玻璃基板的制作方法
WO2023070302A1 (zh) * 2021-10-26 2023-05-04 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种驱动背板、显示面板及显示面板制备方法
CN114038334A (zh) * 2021-12-01 2022-02-11 厦门天马微电子有限公司 一种拼接显示面板及显示装置
CN114038334B (zh) * 2021-12-01 2023-11-17 厦门天马微电子有限公司 一种拼接显示面板及显示装置
CN114783285A (zh) * 2022-04-02 2022-07-22 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115035811A (zh) * 2022-05-23 2022-09-09 广州新视界光电科技有限公司 一种led显示面板及其制造方法
CN115035811B (zh) * 2022-05-23 2023-12-12 广州新视界光电科技有限公司 一种led显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200312883A1 (en) 2020-10-01
US11127764B2 (en) 2021-09-21
CN109950226B (zh) 2020-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109950226A (zh) 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置
CN107302011B (zh) 显示装置
TWI333580B (en) Backlight module and liquid crystal display using the same
CN110471219B (zh) Led基板及显示装置
CN111276474B (zh) 显示面板以及显示装置
CN109449259A (zh) 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置
JP2007311561A (ja) 表示装置、発光装置、および固体発光素子基板
CN110277365B (zh) 电子装置与拼接电子系统
CN101165570A (zh) 制造光源单元的方法、包括该光源单元的背光单元、以及包括该背光单元的液晶显示器
JP2019086773A (ja) 画素ユニット、画素アレイ、マルチメディア装置及びその製造方法
US20210005632A1 (en) Display substrate and method of manufacturing the same, display device
CN101840976A (zh) 发光元件
EP1883120A2 (en) LED substrate
CN212810308U (zh) 一种显示器件及显示装置
CN110752201B (zh) 显示背板及其制备方法、显示装置
EP3989282A1 (en) Substrate for manfacturing display device and method for manfacturing display device
WO2020232835A1 (zh) 显示面板和显示面板的制造方法
WO2022160216A1 (zh) 阵列基板和显示装置
CN113724617A (zh) 显示模组、拼接显示模组及其拼接方法、显示装置
CN100578780C (zh) 具有硅质载板的发光二极管阵列封装结构与其制作方法
CN110491974A (zh) 微型发光元件及微型发光二极管元件基板
US11652073B2 (en) Light source unit and display device including the same
WO2024055465A1 (zh) 驱动背板、发光装置及电子设备
CN210897243U (zh) 显示面板
CN210897242U (zh) 显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant