CN113660770A - 导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法。导电玻璃基板包括一玻璃基板结构、一导电基底结构以及一导电延伸结构。玻璃基板结构具有一下表面以及相对于下表面的一上表面，且玻璃基板结构包括连接于下表面与上表面之间的至少一贯穿孔。导电基底结构设置在玻璃基板结构的下表面上。导电延伸结构电性连接于导电基底结构，且导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的上表面。借此，使得导电玻璃基板能提供至少一导电通孔，以电性连接一上层电路与一下层电路。

Description

导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法
技术领域
本发明涉及一种玻璃基板以及玻璃基板的制造系统与制作方法，特别是涉及一种导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法。
背景技术
现有技术中，要在玻璃基板上制作导电通孔有相当的困难度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种导电玻璃基板，其包括：一玻璃基板结构、一导电基底结构以及一导电延伸结构。玻璃基板结构具有一下表面以及相对于下表面的一上表面，玻璃基板结构包括连接于下表面与上表面之间的至少一贯穿孔。导电基底结构设置在玻璃基板结构的下表面上。导电延伸结构电性连接于导电基底结构，且导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的上表面。
进一步地，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构包括设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第一导电基底层以及设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第二导电基底层，且所述第一导电基底层与所述第二导电基底层彼此分离而不接触；其中，所述第一导电基底层与所述第二导电基底层都直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述第一导电基底层与所述第二导电基底层分别通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述第一导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐，且所述第二导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐；其中，所述导电延伸结构包括电性连接于所述第一导电基底层的一第一导电延伸层以及电性连接于所述第二导电基底层的一第二导电延伸层，且所述第一导电延伸层与所述第二导电延伸层彼此分离或者相互连接；其中，所述第一导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第一导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第一导电内埋部的一第一导电外露部，且所述第二导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第二导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第二导电内埋部的一第二导电外露部；其中，所述第一导电内埋部覆盖所述第一导电基底层的所述内侧表面，且所述第一导电内埋部的一底端与所述第一导电基底层的一下表面相互切齐；其中，所述第二导电内埋部覆盖所述第二导电基底层的所述内侧表面，且所述第二导电内埋部的一底端与所述第二导电基底层的一下表面相互切齐。
进一步地，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构为一单一式导电基底层；其中，所述导电基底结构直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述导电基底结构通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述导电延伸结构包括一导电内埋部以及连接于所述导电内埋部的一导电外露部，所述导电内埋部填满所述至少一贯穿孔且连接于所述导电基底结构，且所述导电外露部设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且覆盖所述导电内埋部。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种导电玻璃基板的制造系统，其包括：一雷射加工装置、一导电基底材料成形装置、一基板承载装置以及一导电延伸材料成形装置。雷射加工装置用于产生一激光光束，以在一玻璃基板结构上形成至少一贯穿孔。导电基底材料成形装置用于形成一导电基底结构，且导电基底结构设置在玻璃基板结构的一下表面上。基板承载装置用于承载具有导电基底结构的玻璃基板结构，且导电基底结构位于玻璃基板结构与基板承载装置之间。导电延伸材料成形装置用于形成电性连接于导电基底结构的一导电延伸结构，且导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的上表面。其中，雷射加工装置、导电基底材料成形装置、基板承载装置以及导电延伸材料成形装置都设置在同一生产在线。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种导电玻璃基板的制作方法，其包括：通过一基板承载装置以承载一复合式基板，复合式基板包括具有至少一贯穿孔的一玻璃基板结构以及设置在玻璃基板结构的一下表面与基板承载装置之间的一导电基底结构；通过一导电延伸材料成形装置以形成电性连接于导电基底结构的一导电延伸结构，导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的一上表面上；以及，移除基板承载装置。
进一步地，在通过所述基板承载装置以承载所述复合式基板的步骤中，所述导电玻璃基板的制作方法进一步包括：通过一雷射加工装置所产生的一激光光束，以在所述玻璃基板结构上形成所述至少一贯穿孔；通过一导电基底材料成形装置，以在所述玻璃基板结构的所述下表面上形成所述导电基底结构；以及，通过所述基板承载装置以承载具有所述导电基底结构的所述玻璃基板结构；其中，所述导电延伸结构是通过电镀的方式以依序形成在所述至少一贯穿孔的所述内表面与所述玻璃基板结构的所述上表面上。
进一步地，在通过所述基板承载装置以承载所述复合式基板的步骤中，所述导电玻璃基板的制作方法进一步包括：通过一雷射加工装置所产生的一激光光束，以在所述玻璃基板结构上形成所述至少一贯穿孔；通过一导电基底材料成形装置，以提供承载在所述基板承载装置上的所述导电基底结构；以及，通过所述基板承载装置的移动，以将所述导电基底结构黏附到所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述导电延伸结构是通过电镀的方式以依序形成在所述至少一贯穿孔的所述内表面与所述玻璃基板结构的所述上表面上。
进一步地，在通过所述基板承载装置以承载所述复合式基板的步骤中，所述导电玻璃基板的制作方法进一步包括：通过一导电基底材料成形装置，以在一初始玻璃基板结构的一下表面上形成一导电基底材料；通过一雷射加工装置所产生的一激光光束贯穿所述初始玻璃基板结构与所述导电基底材料，以使得所述初始玻璃基板结构形成具有所述至少一贯穿孔的所述玻璃基板结构，且使得所述导电基底材料形成所述导电基底结构；以及，通过所述基板承载装置以承载具有所述导电基底结构的所述玻璃基板结构；其中，所述导电延伸结构是通过电镀的方式以依序形成在所述至少一贯穿孔的所述内表面与所述玻璃基板结构的所述上表面上。
进一步地，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构包括设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第一导电基底层以及设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第二导电基底层，且所述第一导电基底层与所述第二导电基底层彼此分离而不接触；其中，所述第一导电基底层与所述第二导电基底层都直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述第一导电基底层与所述第二导电基底层分别通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述第一导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐，且所述第二导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐；其中，所述导电延伸结构包括电性连接于所述第一导电基底层的一第一导电延伸层以及电性连接于所述第二导电基底层的一第二导电延伸层，且所述第一导电延伸层与所述第二导电延伸层彼此分离或者相互连接；其中，所述第一导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第一导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第一导电内埋部的一第一导电外露部，且所述第二导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第二导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第二导电内埋部的一第二导电外露部；其中，所述第一导电内埋部覆盖所述第一导电基底层的所述内侧表面，且所述第一导电内埋部的一底端与所述第一导电基底层的一下表面相互切齐；其中，所述第二导电内埋部覆盖所述第二导电基底层的所述内侧表面，且所述第二导电内埋部的一底端与所述第二导电基底层的一下表面相互切齐。
进一步地，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构为一单一式导电基底层；其中，所述导电基底结构直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述导电基底结构通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述导电延伸结构包括一导电内埋部以及连接于所述导电内埋部的一导电外露部，所述导电内埋部填满所述至少一贯穿孔且连接于所述导电基底结构，且所述导电外露部设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且覆盖所述导电内埋部。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的导电玻璃基板，其能通过“玻璃基板结构包括连接于下表面与上表面之间的至少一贯穿孔”、“导电基底结构设置在玻璃基板结构的下表面上”以及“导电延伸结构电性连接于导电基底结构，且导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的上表面”的技术方案，以使得导电玻璃基板能提供至少一导电通孔(也就是设置在至少一贯穿孔内的一部分导电延伸结构)，以电性连接一上层电路(也就是设置在玻璃基板结构的上表面上的另一部分导电延伸结构)与一下层电路(也就是设置在玻璃基板结构的下表面上的导电基底结构)。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的导电玻璃基板的制造系统，其能通过“雷射加工装置用于产生一激光光束，以在一玻璃基板结构上形成至少一贯穿孔”、“导电基底材料成形装置用于形成一导电基底结构，且导电基底结构设置在玻璃基板结构的一下表面上”、“基板承载装置用于承载具有导电基底结构的玻璃基板结构”以及“导电延伸材料成形装置用于形成电性连接于导电基底结构的一导电延伸结构，且导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的上表面”的技术方案，以使得导电玻璃基板能提供至少一导电通孔(也就是设置在至少一贯穿孔内的一部分导电延伸结构)，以电性连接一上层电路(也就是设置在玻璃基板结构的上表面上的另一部分导电延伸结构)与一下层电路(也就是设置在玻璃基板结构的下表面上的导电基底结构)。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法，其能通过“通过一基板承载装置以承载一复合式基板，复合式基板包括具有至少一贯穿孔的一玻璃基板结构以及设置在玻璃基板结构的一下表面与基板承载装置之间的一导电基底结构”、“通过一导电延伸材料成形装置以形成电性连接于导电基底结构的一导电延伸结构，导电延伸结构从导电基底结构沿着至少一贯穿孔的一内表面延伸至玻璃基板结构的一上表面上”以及“移除基板承载装置”的技术方案，以使得导电玻璃基板能提供至少一导电通孔(也就是设置在至少一贯穿孔内的一部分导电延伸结构)，以电性连接一上层电路(也就是设置在玻璃基板结构的上表面上的另一部分导电延伸结构)与一下层电路(也就是设置在玻璃基板结构的下表面上的导电基底结构)。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的流程图。
图2为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S100与步骤S200的剖面示意图。
图3为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S102的剖面示意图。
图4为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S104的剖面示意图。
图5为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S106的剖面示意图。
图6为本发明第一实施例所提供的导电玻璃基板的剖面示意图。
图7为图6的VII部分的放大示意图。
图8为本发明第二实施例所提供的导电延伸结构包括填满至少一贯穿孔的一导电内埋部以及连接于导电内埋部的一导电外露部的示意图。
图9为本发明第二实施例所提供的导电玻璃基板的剖面示意图。
图10为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S202的剖面示意图。
图11为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S204的剖面示意图。
图12为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S206的剖面示意图。
图13为本发明第四实施例通过一导电基底材料成形装置，以提供承载在基板承载装置上的一导电基底结构的剖面示意图。
图14为本发明第四实施例通过基板承载装置的移动，以将导电基底结构黏附到玻璃基板结构的下表面上的剖面示意图。
图15为本发明第四实施例通过一导电延伸材料成形装置，以形成电性连接于导电基底结构的一导电延伸结构的剖面示意图。
图16为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S300的剖面示意图。
图17为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S302的剖面示意图。
图18为本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法的步骤S304的剖面示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“导电玻璃基板以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
配合图1至图18所示，本发明提供一种导电玻璃基板S，其包括：一玻璃基板结构1、一导电基底结构2以及一导电延伸结构3。玻璃基板结构1具有一下表面1001以及相对于下表面1001的一上表面1002，并且玻璃基板结构1包括连接于下表面1001与上表面1002之间的至少一贯穿孔100。导电基底结构2设置在玻璃基板结构1的下表面1001上。导电延伸结构3电性连接于导电基底结构2，并且导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002。
配合图1至图18所示，本发明提供一种导电玻璃基板的制造系统，其包括：一雷射加工装置D1、一导电基底材料成形装置D2、一基板承载装置D3以及一导电延伸材料成形装置D4，并且雷射加工装置D1、导电基底材料成形装置D2、基板承载装置D3以及导电延伸材料成形装置D4都设置在同一生产在线。雷射加工装置D1用于产生一激光光束L，以在一玻璃基板结构1上形成至少一贯穿孔100。导电基底材料成形装置D2用于形成一导电基底结构2，且导电基底结构2设置在玻璃基板结构1的一下表面1001上。基板承载装置D3用于承载具有导电基底结构2的玻璃基板结构1，并且导电基底结构2位于玻璃基板结构1与基板承载装置D3之间。导电延伸材料成形装置D4用于形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，并且导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002。
配合图1至图18所示，本发明提供一种导电玻璃基板的制作方法，其包括：通过一基板承载装置D3以承载一复合式基板，复合式基板包括具有至少一贯穿孔100的一玻璃基板结构1以及设置在玻璃基板结构1的一下表面1001与基板承载装置D3之间的一导电基底结构2(步骤S1)；通过一导电延伸材料成形装置D4以形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的一上表面1002上(步骤S2)；以及，移除基板承载装置D3(步骤S3)。
第一实施例
参阅图1至图7所示，本发明第一实施例提供一种导电玻璃基板的制作方法，其包括：配合图1与图2所示，通过一雷射加工装置D1所产生的一激光光束L，以在一玻璃基板结构1上形成至少一贯穿孔100(步骤S100)；接着，配合图1与图3所示，通过一导电基底材料成形装置D2，以在玻璃基板结构1的一下表面1001上形成一导电基底结构2(步骤S102)；然后，配合图1与图4所示，通过一基板承载装置D3以承载具有导电基底结构2的玻璃基板结构1(步骤S104)；配合图1与图5所示，通过一导电延伸材料成形装置D4以形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的一上表面1002上(步骤S106)；最后，配合图1与图6所示，移除基板承载装置D3，而留下导电玻璃基板S。
更进一步来说，配合图2至图5所示，本发明第一实施例提供一种导电玻璃基板的制造系统，其包括：一雷射加工装置D1、一导电基底材料成形装置D2、一基板承载装置D3以及一导电延伸材料成形装置D4，并且雷射加工装置D1、导电基底材料成形装置D2、基板承载装置D3以及导电延伸材料成形装置D4都设置在同一生产在线。
再者，如图2所示，雷射加工装置D1能用于产生一激光光束L，以在一玻璃基板结构1上形成至少一贯穿孔100。举例来说，雷射加工装置D1也可以替换成其它的贯穿孔加工装置。另外，如图3所示，导电基底材料成形装置D2能用于形成一导电基底结构2于玻璃基板结构1的一下表面1001上。举例来说，导电基底材料成形装置D2可为导电材料印刷设备、导电材料涂布设备、导电材料电镀设备、导电材料溅镀设备、化学气相沉积设备或者物理气相沉积设备等。也就是说，导电基底结构2可以通过印刷、涂布、电镀、溅镀或者气相沉积等方式，以形成在玻璃基板结构1的下表面1001上。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
此外，如图4所示，基板承载装置D3能用于承载具有导电基底结构2的玻璃基板结构1，并且导电基底结构2位于玻璃基板结构1与基板承载装置D3之间。另外，如图5所示，导电延伸材料成形装置D4能用于形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，并且导电延伸结构3会从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002。举例来说，导电延伸材料成形装置D4可为导电材料印刷设备、导电材料涂布设备、导电材料电镀设备、导电材料溅镀设备、化学气相沉积设备或者物理气相沉积设备等。也就是说，导电延伸结构3可以通过印刷、涂布、电镀、溅镀或者气相沉积等方式，以依序形成在至少一贯穿孔100的内表面1000与玻璃基板结构1的上表面1002上。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
更进一步来说，配合图6与图7所示，本发明第一实施例提供一种导电玻璃基板S，其包括：一玻璃基板结构1、一导电基底结构2以及一导电延伸结构3。玻璃基板结构1具有一下表面1001以及相对于下表面1001的一上表面1002，并且玻璃基板结构1包括连接于下表面1001与上表面1002之间的至少一贯穿孔100。导电基底结构2设置在玻璃基板结构1的下表面1001上。导电延伸结构3电性连接于导电基底结构2，并且导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002。
举例来说，配合图3、图6与图7所示，导电基底结构2包括设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的一第一导电基底层21以及设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的一第二导电基底层22，并且第一导电基底层21与第二导电基底层22彼此分离而不接触。另外，第一导电基底层21与第二导电基底层22都直接设置在玻璃基板结构1的下表面1001上且直接接触玻璃基板结构1的下表面1001。此外，第一导电基底层21的一内侧表面2101与至少一贯穿孔100的内表面1000相互切齐，并且第二导电基底层22的一内侧表面2201与至少一贯穿孔100的内表面1000相互切齐。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
举例来说，配合图6与图7所示，导电延伸结构3包括电性连接于第一导电基底层21的一第一导电延伸层31以及电性连接于第二导电基底层22的一第二导电延伸层32，并且第一导电延伸层31与第二导电延伸层32可以彼此分离。另外，第一导电延伸层31包括设置在至少一贯穿孔100的内表面1000上的一第一导电内埋部311以及设置在玻璃基板结构1的上表面1002上且连接于第一导电内埋部311的一第一导电外露部312。此外，第二导电延伸层32包括设置在至少一贯穿孔100的内表面1000上的一第二导电内埋部321以及设置在玻璃基板结构1的上表面1002上且连接于第二导电内埋部321的一第二导电外露部322。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
举例来说，第一导电内埋部311会覆盖第一导电基底层21的内侧表面2101，并且第一导电内埋部311的一底端3110与第一导电基底层21的一下表面2102会相互切齐。另外，第二导电内埋部321会覆盖第二导电基底层22的内侧表面2201，并且第二导电内埋部321的一底端3210与第二导电基底层22的一下表面2202会相互切齐。值得注意的是，如图7所示，如果玻璃基板结构1的至少一贯穿孔100是经由雷射加工装置D1所成形的话，至少一贯穿孔100的内表面1000可为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，借此以用于增加导电延伸结构3的第一导电内埋部311(或者第二导电内埋部321)与至少一贯穿孔100的内表面1000之间的接触面积。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
第二实施例
参阅图1至图4、图8以及图9所示，本发明第二实施例提供一种导电玻璃基板S以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法。由图8与图5的比较，以及图9与图6的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，导电延伸结构3包括一导电内埋部331以及连接于导电内埋部331的一导电外露部332。另外，导电内埋部331填满至少一贯穿孔100且连接于第一导电基底层21与第二导电基底层22，并且导电外露部332设置在玻璃基板结构1的上表面1002上且覆盖导电内埋部331。此外，导电内埋部331会覆盖第一导电基底层21的内侧表面2101与第二导电基底层22的内侧表面2201，并且导电内埋部331的一底端3310与第一导电基底层21的一下表面2102(或者与第二导电基底层22的一下表面2202)会相互切齐。
第三实施例
参阅图1、图2以及图10至图12所示，本发明第三实施例提供一种导电玻璃基板的制作方法，其包括：首先，配合图1与图2所示，通过一雷射加工装置D1所产生的一激光光束L，以在一玻璃基板结构1上形成至少一贯穿孔100(步骤S200)；接着，配合图1与图10所示，通过一导电基底材料成形装置D2，以提供承载在基板承载装置D3上的一导电基底结构2(步骤S202)；然后，配合图1与图11所示，通过基板承载装置D3的移动(例如可同时配合使用第一黏着层H1与一第二黏着层H2)，以将导电基底结构2黏附到玻璃基板结构1的下表面1001上(步骤S204)；接下来，配合图1与图12所示，通过一导电延伸材料成形装置D4以形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的一上表面1002上(步骤S206)；最后，配合图1与图6所示，移除基板承载装置D3(例如同时移除第一黏着层H1与一第二黏着层H2)，而留下导电玻璃基板S。举例来说，在步骤S202中，导电基底结构2可以预先通过导电基底材料成形装置D2而成形，然后再通过黏附的方式将导电基底结构2黏附在玻璃基板结构1的下表面1001上。
更进一步来说，配合图2以及图10至图12所示，本发明第三实施例提供一种导电玻璃基板的制造系统，其包括：一雷射加工装置D1、一导电基底材料成形装置D2、一基板承载装置D3以及一导电延伸材料成形装置D4，并且雷射加工装置D1、导电基底材料成形装置D2、基板承载装置D3以及导电延伸材料成形装置D4都设置在同一生产在线。
再者，如图10所示，导电基底结构2可以预先通过导电基底材料成形装置D2而成形，然后再通过黏附的方式将导电基底结构2黏附在玻璃基板结构1的下表面1001上。另外，如图12所示，导电延伸材料成形装置D4能用于形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，并且导电延伸结构3会从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002。举例来说，导电延伸材料成形装置D4可为导电材料印刷设备、导电材料涂布设备、导电材料电镀设备、导电材料溅镀设备、化学气相沉积设备或者物理气相沉积设备等。也就是说，导电延伸结构3可以是通过印刷、涂布、电镀、溅镀或者气相沉积等方式，以依序形成在至少一贯穿孔100的内表面1000与玻璃基板结构1的上表面1002上。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
更进一步来说，如图12所示，本发明第三实施例提供一种导电玻璃基板S，其包括：一玻璃基板结构1、一导电基底结构2以及一导电延伸结构3。玻璃基板结构1具有一下表面1001以及相对于下表面1001的一上表面1002，并且玻璃基板结构1包括连接于下表面1001与上表面1002之间的至少一贯穿孔100。导电基底结构2设置在玻璃基板结构1的下表面1001上。导电延伸结构3电性连接于导电基底结构2，并且导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面延伸至玻璃基板结构1的上表面1002。
举例来说，如图12所示，导电基底结构2包括设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的一第一导电基底层21以及设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的一第二导电基底层22，并且第一导电基底层21与第二导电基底层22彼此分离而不接触。另外，第一导电基底层21与第二导电基底层22可分别通过一第一黏着层H1以及一第二黏着层H2而间接设置在玻璃基板结构1的下表面1001上。此外，第一导电基底层21的一内侧表面2101与至少一贯穿孔100的内表面1000相互切齐，并且第二导电基底层22的一内侧表面2201与至少一贯穿孔100的内表面1000相互切齐。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
举例来说，如图12所示，导电延伸结构3包括电性连接于第一导电基底层21的一第一导电延伸层31以及电性连接于第二导电基底层22的一第二导电延伸层32，并且第一导电延伸层31与第二导电延伸层32可以彼此分离。另外，第一导电延伸层31包括设置在至少一贯穿孔100的内表面1000上的一第一导电内埋部311以及设置在玻璃基板结构1的上表面1002上且连接于第一导电内埋部311的一第一导电外露部312。此外，第二导电延伸层32包括设置在至少一贯穿孔100的内表面1000上的一第二导电内埋部321以及设置在玻璃基板结构1的上表面1002上且连接于第二导电内埋部321的一第二导电外露部322。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
举例来说，如图12所示，第一导电内埋部311会覆盖第一导电基底层21的内侧表面2101，并且第一导电内埋部311的一底端3110与第一导电基底层21的一下表面2102会相互切齐。另外，第二导电内埋部321会覆盖第二导电基底层22的内侧表面2201，并且第二导电内埋部321的一底端3210与第二导电基底层22的一下表面2202会相互切齐。然而，上述的说明只是本发明的其中一实施例而已，其并非用以限定本发明。
第四实施例
参阅图13至图15所示，本发明第四实施例提供一种导电玻璃基板S以及导电玻璃基板的制造系统与制作方法。由图13与图10的比较，图14与图11的比较，以及图15与图12的比较可知，本发明第四实施例与第三实施例最大的差别在于：第四实施例提供的导电基底结构2为一单一式导电基底层(一体成型的导电基底层)。更进一步来说，导电延伸结构3包括一导电内埋部331以及连接于导电内埋部331的一导电外露部332。另外，导电内埋部331填满至少一贯穿孔100且连接于导电基底结构2，并且导电外露部332设置在玻璃基板结构1的上表面1002上且覆盖导电内埋部331。此外，导电内埋部331的一底端3310与导电基底结构2的一上表面2001会相互切齐。
第五实施例
参阅图1以及图16至图18所示，本发明第五实施例提供一种导电玻璃基板的制作方法，其包括：首先，配合图1与图16所示，通过一导电基底材料成形装置D2，以在一初始玻璃基板结构1a的一下表面1001上形成一导电基底材料2a(步骤S300)；接着，配合图1与图17所示，通过一雷射加工装置D1所产生的一激光光束L贯穿初始玻璃基板结构1a与导电基底材料2a，以使得初始玻璃基板结构1a形成具有至少一贯穿孔100的玻璃基板结构1，且使得导电基底材料2a形成具有至少一贯穿孔200的导电基底结构2(步骤S302)；然后，配合图1与图18所示，通过基板承载装置D3以承载具有导电基底结构2的玻璃基板结构1(步骤S304)。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的导电玻璃基板S，其能通过“玻璃基板结构1包括连接于上表面1002与下表面1001之间的至少一贯穿孔100”、“导电基底结构2设置在玻璃基板结构1的下表面1001上”以及“导电延伸结构3电性连接于导电基底结构2，且导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002”的技术方案，以使得导电玻璃基板S能提供至少一导电通孔(也就是设置在至少一贯穿孔100内的一部分导电延伸结构3)，以电性连接一上层电路(也就是设置在玻璃基板结构1的上表面1002上的另一部分导电延伸结构3)与一下层电路(也就是设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的导电基底结构2)。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的导电玻璃基板的制造系统，其能通过“雷射加工装置D1用于产生一激光光束L，以在一玻璃基板结构1上形成至少一贯穿孔100”、“导电基底材料成形装置D2用于形成一导电基底结构2于玻璃基板结构1的一下表面1001上”、“基板承载装置D3用于承载具有导电基底结构2的玻璃基板结构1”以及“导电延伸材料成形装置D4用于形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，且导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的上表面1002”的技术方案，以使得导电玻璃基板S能提供至少一导电通孔(也就是设置在至少一贯穿孔100内的一部分导电延伸结构3)，以电性连接一上层电路(也就是设置在玻璃基板结构1的上表面1002上的另一部分导电延伸结构3)与一下层电路(也就是设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的导电基底结构2)。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的导电玻璃基板的制作方法，其能通过“通过一基板承载装置D3以承载一复合式基板，复合式基板包括具有至少一贯穿孔100的一玻璃基板结构1以及设置在玻璃基板结构1的一下表面1001与基板承载装置D3之间的一导电基底结构2”、“通过一导电延伸材料成形装置D4以形成电性连接于导电基底结构2的一导电延伸结构3，导电延伸结构3从导电基底结构2沿着至少一贯穿孔100的一内表面1000延伸至玻璃基板结构1的一上表面1002上”以及“移除基板承载装置D3”的技术方案，以使得导电玻璃基板S能提供至少一导电通孔(也就是设置在至少一贯穿孔100内的一部分导电延伸结构3)，以电性连接一上层电路(也就是设置在玻璃基板结构1的上表面1002上的另一部分导电延伸结构3)与一下层电路(也就是设置在玻璃基板结构1的下表面1001上的导电基底结构2)。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种导电玻璃基板，其特征在于，所述导电玻璃基板包括：
一玻璃基板结构，所述玻璃基板结构具有一下表面以及相对于所述下表面的一上表面，所述玻璃基板结构包括连接于所述下表面与所述上表面之间的至少一贯穿孔；
一导电基底结构，所述导电基底结构设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；以及
一导电延伸结构，所述导电延伸结构电性连接于所述导电基底结构，且所述导电延伸结构从所述导电基底结构沿着所述至少一贯穿孔的一内表面延伸至所述玻璃基板结构的所述上表面。
2.根据权利要求1所述的导电玻璃基板，其特征在于，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构包括设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第一导电基底层以及设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第二导电基底层，且所述第一导电基底层与所述第二导电基底层彼此分离而不接触；其中，所述第一导电基底层与所述第二导电基底层都直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述第一导电基底层与所述第二导电基底层分别通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述第一导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐，且所述第二导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐；其中，所述导电延伸结构包括电性连接于所述第一导电基底层的一第一导电延伸层以及电性连接于所述第二导电基底层的一第二导电延伸层，且所述第一导电延伸层与所述第二导电延伸层彼此分离或者相互连接；其中，所述第一导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第一导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第一导电内埋部的一第一导电外露部，且所述第二导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第二导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第二导电内埋部的一第二导电外露部；其中，所述第一导电内埋部覆盖所述第一导电基底层的所述内侧表面，且所述第一导电内埋部的一底端与所述第一导电基底层的一下表面相互切齐；其中，所述第二导电内埋部覆盖所述第二导电基底层的所述内侧表面，且所述第二导电内埋部的一底端与所述第二导电基底层的一下表面相互切齐。
3.根据权利要求1所述的导电玻璃基板，其特征在于，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构为一单一式导电基底层；其中，所述导电基底结构直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述导电基底结构通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述导电延伸结构包括一导电内埋部以及连接于所述导电内埋部的一导电外露部，所述导电内埋部填满所述至少一贯穿孔且连接于所述导电基底结构，且所述导电外露部设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且覆盖所述导电内埋部。
4.一种导电玻璃基板的制造系统，其特征在于，所述导电玻璃基板的制造系统包括：
一雷射加工装置，所述雷射加工装置用于产生一激光光束，以在一玻璃基板结构上形成至少一贯穿孔；
一导电基底材料成形装置，所述导电基底材料成形装置用于形成一导电基底结构，所述导电基底结构设置在所述玻璃基板结构的一下表面上；
一基板承载装置，所述基板承载装置用于承载具有所述导电基底结构的所述玻璃基板结构，且所述导电基底结构位于所述玻璃基板结构与所述基板承载装置之间；以及
一导电延伸材料成形装置，所述导电延伸材料成形装置用于形成电性连接于所述导电基底结构的一导电延伸结构，且所述导电延伸结构从所述导电基底结构沿着所述至少一贯穿孔的一内表面延伸至所述玻璃基板结构的所述上表面；
其中，所述雷射加工装置、所述导电基底材料成形装置、所述基板承载装置以及所述导电延伸材料成形装置都设置在同一生产在线。
5.一种导电玻璃基板的制作方法，其特征在于，所述导电玻璃基板的制作方法包括：
通过一基板承载装置以承载一复合式基板，所述复合式基板包括具有至少一贯穿孔的一玻璃基板结构以及设置在所述玻璃基板结构的一下表面与所述基板承载装置之间的一导电基底结构；
通过一导电延伸材料成形装置以形成电性连接于所述导电基底结构的一导电延伸结构，所述导电延伸结构从所述导电基底结构沿着所述至少一贯穿孔的一内表面延伸至所述玻璃基板结构的一上表面上；以及
移除所述基板承载装置。
6.根据权利要求5所述的导电玻璃基板的制作方法，其特征在于，在通过所述基板承载装置以承载所述复合式基板的步骤中，所述导电玻璃基板的制作方法进一步包括：
通过一雷射加工装置所产生的一激光光束，以在所述玻璃基板结构上形成所述至少一贯穿孔；
通过一导电基底材料成形装置，以在所述玻璃基板结构的所述下表面上形成所述导电基底结构；以及
通过所述基板承载装置以承载具有所述导电基底结构的所述玻璃基板结构；
其中，所述导电延伸结构是通过电镀的方式以依序形成在所述至少一贯穿孔的所述内表面与所述玻璃基板结构的所述上表面上。
7.根据权利要求5所述的导电玻璃基板的制作方法，其特征在于，在通过所述基板承载装置以承载所述复合式基板的步骤中，所述导电玻璃基板的制作方法进一步包括：
通过一雷射加工装置所产生的一激光光束，以在所述玻璃基板结构上形成所述至少一贯穿孔；
通过一导电基底材料成形装置，以提供承载在所述基板承载装置上的所述导电基底结构；以及
通过所述基板承载装置的移动，以将所述导电基底结构黏附到所述玻璃基板结构的所述下表面上；
其中，所述导电延伸结构是通过电镀的方式以依序形成在所述至少一贯穿孔的所述内表面与所述玻璃基板结构的所述上表面上。
8.根据权利要求5所述的导电玻璃基板的制作方法，其特征在于，在通过所述基板承载装置以承载所述复合式基板的步骤中，所述导电玻璃基板的制作方法进一步包括：
通过一导电基底材料成形装置，以在一初始玻璃基板结构的一下表面上形成一导电基底材料；
通过一雷射加工装置所产生的一激光光束贯穿所述初始玻璃基板结构与所述导电基底材料，以使得所述初始玻璃基板结构形成具有所述至少一贯穿孔的所述玻璃基板结构，且使得所述导电基底材料形成所述导电基底结构；以及
通过所述基板承载装置以承载具有所述导电基底结构的所述玻璃基板结构；
其中，所述导电延伸结构是通过电镀的方式以依序形成在所述至少一贯穿孔的所述内表面与所述玻璃基板结构的所述上表面上。
9.根据权利要求5所述的导电玻璃基板的制作方法，其特征在于，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构包括设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第一导电基底层以及设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上的一第二导电基底层，且所述第一导电基底层与所述第二导电基底层彼此分离而不接触；其中，所述第一导电基底层与所述第二导电基底层都直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述第一导电基底层与所述第二导电基底层分别通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述第一导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐，且所述第二导电基底层的一内侧表面与所述至少一贯穿孔的所述内表面相互切齐；其中，所述导电延伸结构包括电性连接于所述第一导电基底层的一第一导电延伸层以及电性连接于所述第二导电基底层的一第二导电延伸层，且所述第一导电延伸层与所述第二导电延伸层彼此分离或者相互连接；其中，所述第一导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第一导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第一导电内埋部的一第一导电外露部，且所述第二导电延伸层包括设置在所述至少一贯穿孔的所述内表面上的一第二导电内埋部以及设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且连接于所述第二导电内埋部的一第二导电外露部；其中，所述第一导电内埋部覆盖所述第一导电基底层的所述内侧表面，且所述第一导电内埋部的一底端与所述第一导电基底层的一下表面相互切齐；其中，所述第二导电内埋部覆盖所述第二导电基底层的所述内侧表面，且所述第二导电内埋部的一底端与所述第二导电基底层的一下表面相互切齐。
10.根据权利要求5所述的导电玻璃基板的制作方法，其特征在于，所述至少一贯穿孔的所述内表面为经由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不规则表面，以用于增加所述导电延伸结构与所述至少一贯穿孔的所述内表面之间的接触面积；其中，所述导电基底结构为一单一式导电基底层；其中，所述导电基底结构直接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上且直接接触所述玻璃基板结构的所述下表面，或者所述导电基底结构通过一第一黏着层以及一第二黏着层而间接设置在所述玻璃基板结构的所述下表面上；其中，所述导电延伸结构包括一导电内埋部以及连接于所述导电内埋部的一导电外露部，所述导电内埋部填满所述至少一贯穿孔且连接于所述导电基底结构，且所述导电外露部设置在所述玻璃基板结构的所述上表面上且覆盖所述导电内埋部。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040028883A1 (en) * 2000-10-13 2004-02-12 Peter Straub Printed circuit board and method for producing a printed circuit board of this type and for producing a laminar composite material for such a printed circuit board
US20110258850A1 (en) * 2007-05-08 2011-10-27 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring substrate and method of manufacturing the same
CN103025083A (zh) * 2011-09-22 2013-04-03 Hoya株式会社 基板制造方法、布线基板的制造方法、玻璃基板以及布线基板
TW201401958A (zh) * 2012-06-27 2014-01-01 Unimicron Technology Corp 在玻璃基板形成導電通孔的方法
CN103904054A (zh) * 2014-03-31 2014-07-02 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基于玻璃基板的互连结构及方法
TW201626869A (zh) * 2015-01-06 2016-07-16 欣興電子股份有限公司 中介層結構及其製作方法
JP2017143140A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 凸版印刷株式会社 配線回路基板用のコア基板の製造方法、配線回路基板の製造方法、および半導体装置の製造方法
US20170358447A1 (en) * 2014-10-03 2017-12-14 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for producing glass substrate with through glass vias and glass substrate
JP2018113392A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 凸版印刷株式会社 配線基板、多層配線基板および配線基板の製造方法
JP2019036607A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 リード・エレクトロニクス株式会社 回路付きガラス基板含有多層配線板及びその製造方法
CN109950226A (zh) * 2019-03-26 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1306574C (zh) * 2004-03-09 2007-03-21 威盛电子股份有限公司 导电通孔制作工艺
TWI643534B (zh) * 2018-02-07 2018-12-01 欣興電子股份有限公司 線路板結構及其製作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040028883A1 (en) * 2000-10-13 2004-02-12 Peter Straub Printed circuit board and method for producing a printed circuit board of this type and for producing a laminar composite material for such a printed circuit board
US20110258850A1 (en) * 2007-05-08 2011-10-27 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring substrate and method of manufacturing the same
CN103025083A (zh) * 2011-09-22 2013-04-03 Hoya株式会社 基板制造方法、布线基板的制造方法、玻璃基板以及布线基板
TW201401958A (zh) * 2012-06-27 2014-01-01 Unimicron Technology Corp 在玻璃基板形成導電通孔的方法
CN103904054A (zh) * 2014-03-31 2014-07-02 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基于玻璃基板的互连结构及方法
US20170358447A1 (en) * 2014-10-03 2017-12-14 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for producing glass substrate with through glass vias and glass substrate
TW201626869A (zh) * 2015-01-06 2016-07-16 欣興電子股份有限公司 中介層結構及其製作方法
JP2017143140A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 凸版印刷株式会社 配線回路基板用のコア基板の製造方法、配線回路基板の製造方法、および半導体装置の製造方法
JP2018113392A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 凸版印刷株式会社 配線基板、多層配線基板および配線基板の製造方法
JP2019036607A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 リード・エレクトロニクス株式会社 回路付きガラス基板含有多層配線板及びその製造方法
CN109950226A (zh) * 2019-03-26 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置

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