TWI744896B - 導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法。導電玻璃基板包括一玻璃基板結構、一導電基底結構以及一導電延伸結構。玻璃基板結構具有一下表面以及相對於下表面的一上表面，且玻璃基板結構包括連接於下表面與上表面之間的至少一貫穿孔。導電基底結構設置在玻璃基板結構的下表面上。導電延伸結構電性連接於導電基底結構，且導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的上表面。藉此，使得導電玻璃基板能提供至少一導電通孔，以電性連接一上層電路與一下層電路。

Description

導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法
本發明涉及一種玻璃基板以及玻璃基板的製造系統與製作方法，特別是涉及一種導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法。
現有技術中，要在玻璃基板上製作導電通孔有相當的困難度。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種導電玻璃基板，其包括：一玻璃基板結構、一導電基底結構以及一導電延伸結構。玻璃基板結構具有一下表面以及相對於下表面的一上表面，玻璃基板結構包括連接於下表面與上表面之間的至少一貫穿孔。導電基底結構設置在玻璃基板結構的下表面上。導電延伸結構電性連接於導電基底結構，且導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的上表面。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種導電玻璃基板的製造系統，其包括：一雷射加工裝置、一導電基底材料成形裝置、一基板承載裝置以及一導電延伸材料成形裝置。雷射加工裝置用於產生一雷射光束，以在一玻璃基板結構上形成至少一貫穿孔。導電基底材料成形裝置用於形成一導電基底結構，且導電基底結構設置在玻璃基板結構的一下表面上。基板承載裝置用於承載具有導電基底結構的玻璃基板結構，且導電基底結構位於玻璃基板結構與基板承載裝置之間。導電延伸材料成形裝置用於形成電性連接於導電基底結構的一導電延伸結構，且導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的上表面。其中，雷射加工裝置、導電基底材料成形裝置、基板承載裝置以及導電延伸材料成形裝置都設置在同一生產線上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種導電玻璃基板的製作方法，其包括：透過一基板承載裝置以承載一複合式基板，複合式基板包括具有至少一貫穿孔的一玻璃基板結構以及設置在玻璃基板結構的一下表面與基板承載裝置之間的一導電基底結構；透過一導電延伸材料成形裝置以形成電性連接於導電基底結構的一導電延伸結構，導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的一上表面上；以及，移除基板承載裝置。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的導電玻璃基板，其能通過“玻璃基板結構包括連接於下表面與上表面之間的至少一貫穿孔”、“導電基底結構設置在玻璃基板結構的下表面上”以及“導電延伸結構電性連接於導電基底結構，且導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的上表面”的技術方案，以使得導電玻璃基板能提供至少一導電通孔（也就是設置在至少一貫穿孔內的一部分導電延伸結構），以電性連接一上層電路（也就是設置在玻璃基板結構的上表面上的另一部分導電延伸結構）與一下層電路（也就是設置在玻璃基板結構的下表面上的導電基底結構）。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的導電玻璃基板的製造系統，其能通過“雷射加工裝置用於產生一雷射光束，以在一玻璃基板結構上形成至少一貫穿孔”、“導電基底材料成形裝置用於形成一導電基底結構，且導電基底結構設置在玻璃基板結構的一下表面上”、“基板承載裝置用於承載具有導電基底結構的玻璃基板結構”以及“導電延伸材料成形裝置用於形成電性連接於導電基底結構的一導電延伸結構，且導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的上表面”的技術方案，以使得導電玻璃基板能提供至少一導電通孔（也就是設置在至少一貫穿孔內的一部分導電延伸結構），以電性連接一上層電路（也就是設置在玻璃基板結構的上表面上的另一部分導電延伸結構）與一下層電路（也就是設置在玻璃基板結構的下表面上的導電基底結構）。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法，其能通過“透過一基板承載裝置以承載一複合式基板，複合式基板包括具有至少一貫穿孔的一玻璃基板結構以及設置在玻璃基板結構的一下表面與基板承載裝置之間的一導電基底結構”、“透過一導電延伸材料成形裝置以形成電性連接於導電基底結構的一導電延伸結構，導電延伸結構從導電基底結構沿著至少一貫穿孔的一內表面延伸至玻璃基板結構的一上表面上”以及“移除基板承載裝置”的技術方案，以使得導電玻璃基板能提供至少一導電通孔（也就是設置在至少一貫穿孔內的一部分導電延伸結構），以電性連接一上層電路（也就是設置在玻璃基板結構的上表面上的另一部分導電延伸結構）與一下層電路（也就是設置在玻璃基板結構的下表面上的導電基底結構）。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“導電玻璃基板以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
配合圖1至圖18所示，本發明提供一種導電玻璃基板S，其包括：一玻璃基板結構1、一導電基底結構2以及一導電延伸結構3。玻璃基板結構1具有一下表面1001以及相對於下表面1001的一上表面1002，並且玻璃基板結構1包括連接於下表面1001與上表面1002之間的至少一貫穿孔100。導電基底結構2設置在玻璃基板結構1的下表面1001上。導電延伸結構3電性連接於導電基底結構2，並且導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002。
配合圖1至圖18所示，本發明提供一種導電玻璃基板的製造系統，其包括：一雷射加工裝置D1、一導電基底材料成形裝置D2、一基板承載裝置D3以及一導電延伸材料成形裝置D4，並且雷射加工裝置D1、導電基底材料成形裝置D2、基板承載裝置D3以及導電延伸材料成形裝置D4都設置在同一生產線上。雷射加工裝置D1用於產生一雷射光束L，以在一玻璃基板結構1上形成至少一貫穿孔100。導電基底材料成形裝置D2用於形成一導電基底結構2，且導電基底結構2設置在玻璃基板結構1的一下表面1001上。基板承載裝置D3用於承載具有導電基底結構2的玻璃基板結構1，並且導電基底結構2位於玻璃基板結構1與基板承載裝置D3之間。導電延伸材料成形裝置D4用於形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，並且導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002。
配合圖1至圖18所示，本發明提供一種導電玻璃基板的製作方法，其包括：透過一基板承載裝置D3以承載一複合式基板，複合式基板包括具有至少一貫穿孔100的一玻璃基板結構1以及設置在玻璃基板結構1的一下表面1001與基板承載裝置D3之間的一導電基底結構2（步驟S1）；透過一導電延伸材料成形裝置D4以形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的一上表面1002上（步驟S2）；以及，移除基板承載裝置D3（步驟S3）。
[第一實施例]
參閱圖1至圖7所示，本發明第一實施例提供一種導電玻璃基板的製作方法，其包括：配合圖1與圖2所示，透過一雷射加工裝置D1所產生的一雷射光束L，以在一玻璃基板結構1上形成至少一貫穿孔100（步驟S100）；接著，配合圖1與圖3所示，透過一導電基底材料成形裝置D2，以在玻璃基板結構1的一下表面1001上形成一導電基底結構2（步驟S102）；然後，配合圖1與圖4所示，透過一基板承載裝置D3以承載具有導電基底結構2的玻璃基板結構1（步驟S104）；配合圖1與圖5所示，透過一導電延伸材料成形裝置D4以形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的一上表面1002上（步驟S106）；最後，配合圖1與圖6所示，移除基板承載裝置D3，而留下導電玻璃基板S。
更進一步來說，配合圖2至圖5所示，本發明第一實施例提供一種導電玻璃基板的製造系統，其包括：一雷射加工裝置D1、一導電基底材料成形裝置D2、一基板承載裝置D3以及一導電延伸材料成形裝置D4，並且雷射加工裝置D1、導電基底材料成形裝置D2、基板承載裝置D3以及導電延伸材料成形裝置D4都設置在同一生產線上。
再者，如圖2所示，雷射加工裝置D1能用於產生一雷射光束L，以在一玻璃基板結構1上形成至少一貫穿孔100。舉例來說，雷射加工裝置D1也可以替換成其它的貫穿孔加工裝置。另外，如圖3所示，導電基底材料成形裝置D2能用於形成一導電基底結構2於玻璃基板結構1的一下表面1001上。舉例來說，導電基底材料成形裝置D2可為導電材料印刷設備、導電材料塗佈設備、導電材料電鍍設備、導電材料濺鍍設備、化學氣相沉積設備或者物理氣相沉積設備等。也就是說，導電基底結構2可以透過印刷、塗佈、電鍍、濺鍍或者氣相沉積等方式，以形成在玻璃基板結構1的下表面1001上。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
此外，如圖4所示，基板承載裝置D3能用於承載具有導電基底結構2的玻璃基板結構1，並且導電基底結構2位於玻璃基板結構1與基板承載裝置D3之間。另外，如圖5所示，導電延伸材料成形裝置D4能用於形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，並且導電延伸結構3會從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002。舉例來說，導電延伸材料成形裝置D4可為導電材料印刷設備、導電材料塗佈設備、導電材料電鍍設備、導電材料濺鍍設備、化學氣相沉積設備或者物理氣相沉積設備等。也就是說，導電延伸結構3可以透過印刷、塗佈、電鍍、濺鍍或者氣相沉積等方式，以依序形成在至少一貫穿孔100的內表面1000與玻璃基板結構1的上表面1002上。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
更進一步來說，配合圖6與圖7所示，本發明第一實施例提供一種導電玻璃基板S，其包括：一玻璃基板結構1、一導電基底結構2以及一導電延伸結構3。玻璃基板結構1具有一下表面1001以及相對於下表面1001的一上表面1002，並且玻璃基板結構1包括連接於下表面1001與上表面1002之間的至少一貫穿孔100。導電基底結構2設置在玻璃基板結構1的下表面1001上。導電延伸結構3電性連接於導電基底結構2，並且導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002。
舉例來說，配合圖3、圖6與圖7所示，導電基底結構2包括設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的一第一導電基底層21以及設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的一第二導電基底層22，並且第一導電基底層21與第二導電基底層22彼此分離而不接觸。另外，第一導電基底層21與第二導電基底層22都直接設置在玻璃基板結構1的下表面1001上且直接接觸玻璃基板結構1的下表面1001。此外，第一導電基底層21的一內側表面2101與至少一貫穿孔100的內表面1000相互切齊，並且第二導電基底層22的一內側表面2201與至少一貫穿孔100的內表面1000相互切齊。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖6與圖7所示，導電延伸結構3包括電性連接於第一導電基底層21的一第一導電延伸層31以及電性連接於第二導電基底層22的一第二導電延伸層32，並且第一導電延伸層31與第二導電延伸層32可以彼此分離。另外，第一導電延伸層31包括設置在至少一貫穿孔100的內表面1000上的一第一導電內埋部311以及設置在玻璃基板結構1的上表面1002上且連接於第一導電內埋部311的一第一導電外露部312。此外，第二導電延伸層32包括設置在至少一貫穿孔100的內表面1000上的一第二導電內埋部321以及設置在玻璃基板結構1的上表面1002上且連接於第二導電內埋部321的一第二導電外露部322。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
舉例來說，第一導電內埋部311會覆蓋第一導電基底層21的內側表面2101，並且第一導電內埋部311的一底端3110與第一導電基底層21的一下表面2102會相互切齊。另外，第二導電內埋部321會覆蓋第二導電基底層22的內側表面2201，並且第二導電內埋部321的一底端3210與第二導電基底層22的一下表面2202會相互切齊。值得注意的是，如圖7所示，如果玻璃基板結構1的至少一貫穿孔100是經由雷射加工裝置D1所成形的話，至少一貫穿孔100的內表面1000可為經由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不規則表面，藉此以用於增加導電延伸結構3的第一導電內埋部311（或者第二導電內埋部321）與至少一貫穿孔100的內表面1000之間的接觸面積。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
[第二實施例]
參閱圖1至圖4、圖8以及圖9所示，本發明第二實施例提供一種導電玻璃基板S以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法。由圖8與圖5的比較，以及圖9與圖6的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，導電延伸結構3包括一導電內埋部331以及連接於導電內埋部331的一導電外露部332。另外，導電內埋部331填滿至少一貫穿孔100且連接於第一導電基底層21與第二導電基底層22，並且導電外露部332設置在玻璃基板結構1的上表面1002上且覆蓋導電內埋部331。此外，導電內埋部331會覆蓋第一導電基底層21的內側表面2101與第二導電基底層22的內側表面2201，並且導電內埋部331的一底端3310與第一導電基底層21的一下表面2102（或者與第二導電基底層22的一下表面2202）會相互切齊。
[第三實施例]
參閱圖1、圖2以及圖10至圖12所示，本發明第三實施例提供一種導電玻璃基板的製作方法，其包括：首先，配合圖1與圖2所示，透過一雷射加工裝置D1所產生的一雷射光束L，以在一玻璃基板結構1上形成至少一貫穿孔100（步驟S200）；接著，配合圖1與圖10所示，透過一導電基底材料成形裝置D2，以提供承載在基板承載裝置D3上的一導電基底結構2（步驟S202）；然後，配合圖1與圖11所示，透過基板承載裝置D3的移動（例如可同時配合使用第一黏著層H1與一第二黏著層H2），以將導電基底結構2黏附到玻璃基板結構1的下表面1001上（步驟S204）；接下來，配合圖1與圖12所示，透過一導電延伸材料成形裝置D4以形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的一上表面1002上（步驟S206）；最後，配合圖1與圖6所示，移除基板承載裝置D3（例如同時移除第一黏著層H1與一第二黏著層H2），而留下導電玻璃基板S。舉例來說，在步驟S202中，導電基底結構2可以預先透過導電基底材料成形裝置D2而成形，然後再透過黏附的方式將導電基底結構2黏附在玻璃基板結構1的下表面1001上。
更進一步來說，配合圖2以及圖10至圖12所示，本發明第三實施例提供一種導電玻璃基板的製造系統，其包括：一雷射加工裝置D1、一導電基底材料成形裝置D2、一基板承載裝置D3以及一導電延伸材料成形裝置D4，並且雷射加工裝置D1、導電基底材料成形裝置D2、基板承載裝置D3以及導電延伸材料成形裝置D4都設置在同一生產線上。
再者，如圖10所示，導電基底結構2可以預先透過導電基底材料成形裝置D2而成形，然後再透過黏附的方式將導電基底結構2黏附在玻璃基板結構1的下表面1001上。另外，如圖12所示，導電延伸材料成形裝置D4能用於形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，並且導電延伸結構3會從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002。舉例來說，導電延伸材料成形裝置D4可為導電材料印刷設備、導電材料塗佈設備、導電材料電鍍設備、導電材料濺鍍設備、化學氣相沉積設備或者物理氣相沉積設備等。也就是說，導電延伸結構3可以是透過印刷、塗佈、電鍍、濺鍍或者氣相沉積等方式，以依序形成在至少一貫穿孔100的內表面1000與玻璃基板結構1的上表面1002上。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
更進一步來說，如圖12所示，本發明第三實施例提供一種導電玻璃基板S，其包括：一玻璃基板結構1、一導電基底結構2以及一導電延伸結構3。玻璃基板結構1具有一下表面1001以及相對於下表面1001的一上表面1002，並且玻璃基板結構1包括連接於下表面1001與上表面1002之間的至少一貫穿孔100。導電基底結構2設置在玻璃基板結構1的下表面1001上。導電延伸結構3電性連接於導電基底結構2，並且導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面延伸至玻璃基板結構1的上表面1002。
舉例來說，如圖12所示，導電基底結構2包括設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的一第一導電基底層21以及設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的一第二導電基底層22，並且第一導電基底層21與第二導電基底層22彼此分離而不接觸。另外，第一導電基底層21與第二導電基底層22可分別透過一第一黏著層H1以及一第二黏著層H2而間接設置在玻璃基板結構1的下表面1001上。此外，第一導電基底層21的一內側表面2101與至少一貫穿孔100的內表面1000相互切齊，並且第二導電基底層22的一內側表面2201與至少一貫穿孔100的內表面1000相互切齊。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
舉例來說，如圖12所示，導電延伸結構3包括電性連接於第一導電基底層21的一第一導電延伸層31以及電性連接於第二導電基底層22的一第二導電延伸層32，並且第一導電延伸層31與第二導電延伸層32可以彼此分離。另外，第一導電延伸層31包括設置在至少一貫穿孔100的內表面1000上的一第一導電內埋部311以及設置在玻璃基板結構1的上表面1002上且連接於第一導電內埋部311的一第一導電外露部312。此外，第二導電延伸層32包括設置在至少一貫穿孔100的內表面1000上的一第二導電內埋部321以及設置在玻璃基板結構1的上表面1002上且連接於第二導電內埋部321的一第二導電外露部322。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
舉例來說，如圖12所示，第一導電內埋部311會覆蓋第一導電基底層21的內側表面2101，並且第一導電內埋部311的一底端3110與第一導電基底層21的一下表面2102會相互切齊。另外，第二導電內埋部321會覆蓋第二導電基底層22的內側表面2201，並且第二導電內埋部321的一底端3210與第二導電基底層22的一下表面2202會相互切齊。然而，上述的說明只是本發明的其中一實施例而已，其並非用以限定本發明。
[第四實施例]
參閱圖13至圖15所示，本發明第四實施例提供一種導電玻璃基板S以及導電玻璃基板的製造系統與製作方法。由圖13與圖10的比較，圖14與圖11的比較，以及圖15與圖12的比較可知，本發明第四實施例與第三實施例最大的差別在於：第四實施例提供的導電基底結構2為一單一式導電基底層（一體成型的導電基底層）。更進一步來說，導電延伸結構3包括一導電內埋部331以及連接於導電內埋部331的一導電外露部332。另外，導電內埋部331填滿至少一貫穿孔100且連接於導電基底結構2，並且導電外露部332設置在玻璃基板結構1的上表面1002上且覆蓋導電內埋部331。此外，導電內埋部331的一底端3310與導電基底結構2的一上表面2001會相互切齊。
[第五實施例]
參閱圖1以及圖16至圖18所示，本發明第五實施例提供一種導電玻璃基板的製作方法，其包括：首先，配合圖1與圖16所示，透過一導電基底材料成形裝置D2，以在一初始玻璃基板結構1a的一下表面1001上形成一導電基底材料2a（步驟S300）；接著，配合圖1與圖17所示，透過一雷射加工裝置D1所產生的一雷射光束L貫穿初始玻璃基板結構1a與導電基底材料2a，以使得初始玻璃基板結構1a形成具有至少一貫穿孔100的玻璃基板結構1，且使得導電基底材料2a形成具有至少一貫穿孔200的導電基底結構2（步驟S302）；然後，配合圖1與圖18所示，透過基板承載裝置D3以承載具有導電基底結構2的玻璃基板結構1（步驟S304）。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的導電玻璃基板S，其能通過“玻璃基板結構1包括連接於上表面1002與下表面1001之間的至少一貫穿孔100”、“導電基底結構2設置在玻璃基板結構1的下表面1001上”以及“導電延伸結構3電性連接於導電基底結構2，且導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002”的技術方案，以使得導電玻璃基板S能提供至少一導電通孔（也就是設置在至少一貫穿孔100內的一部分導電延伸結構3），以電性連接一上層電路（也就是設置在玻璃基板結構1的上表面1002上的另一部分導電延伸結構3）與一下層電路（也就是設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的導電基底結構2）。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的導電玻璃基板的製造系統，其能通過“雷射加工裝置D1用於產生一雷射光束L，以在一玻璃基板結構1上形成至少一貫穿孔100”、“導電基底材料成形裝置D2用於形成一導電基底結構2於玻璃基板結構1的一下表面1001上”、“基板承載裝置D3用於承載具有導電基底結構2的玻璃基板結構1”以及“導電延伸材料成形裝置D4用於形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，且導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的上表面1002”的技術方案，以使得導電玻璃基板S能提供至少一導電通孔（也就是設置在至少一貫穿孔100內的一部分導電延伸結構3），以電性連接一上層電路（也就是設置在玻璃基板結構1的上表面1002上的另一部分導電延伸結構3）與一下層電路（也就是設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的導電基底結構2）。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法，其能通過“透過一基板承載裝置D3以承載一複合式基板，複合式基板包括具有至少一貫穿孔100的一玻璃基板結構1以及設置在玻璃基板結構1的一下表面1001與基板承載裝置D3之間的一導電基底結構2”、“透過一導電延伸材料成形裝置D4以形成電性連接於導電基底結構2的一導電延伸結構3，導電延伸結構3從導電基底結構2沿著至少一貫穿孔100的一內表面1000延伸至玻璃基板結構1的一上表面1002上”以及“移除基板承載裝置D3”的技術方案，以使得導電玻璃基板S能提供至少一導電通孔（也就是設置在至少一貫穿孔100內的一部分導電延伸結構3），以電性連接一上層電路（也就是設置在玻璃基板結構1的上表面1002上的另一部分導電延伸結構3）與一下層電路（也就是設置在玻璃基板結構1的下表面1001上的導電基底結構2）。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
S:導電玻璃基板 1a:初始玻璃基板結構 1:玻璃基板結構 100:貫穿孔 1000:內表面 1001:下表面 1002:上表面 2a:導電基底材料 2:導電基底結構 200:貫穿孔 2001:上表面 21:第一導電基底層 2101:內側表面 2102:下表面 22:第二導電基底層 2201:內側表面 2202:下表面 3:導電延伸結構 31:第一導電延伸層 311:第一導電內埋部 3110:底端 312:第一導電外露部 32:第二導電延伸層 321:第二導電內埋部 3210:底端 322:第二導電外露部 331:導電內埋部 3310:底端 332:導電外露部 H1:第一黏著層 H2:第二黏著層 D1:雷射加工裝置 L:雷射光束 D2:導電基底材料成形裝置 D3:基板承載裝置 D4:導電延伸材料成形裝置
圖1為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的流程圖。
圖2為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S100與步驟S200的剖面示意圖。
圖3為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S102的剖面示意圖。
圖4為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S104的剖面示意圖。
圖5為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S106的剖面示意圖。
圖6為本發明第一實施例所提供的導電玻璃基板的剖面示意圖。
圖7為圖6的VII部分的放大示意圖。
圖8為本發明第二實施例所提供的導電延伸結構包括填滿至少一貫穿孔的一導電內埋部以及連接於導電內埋部的一導電外露部的示意圖。
圖9為本發明第二實施例所提供的導電玻璃基板的剖面示意圖。
圖10為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S202的剖面示意圖。
圖11為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S204的剖面示意圖。
圖12為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S206的剖面示意圖。
圖13為本發明第四實施例透過一導電基底材料成形裝置，以提供承載在基板承載裝置上的一導電基底結構的剖面示意圖。
圖14為本發明第四實施例透過基板承載裝置的移動，以將導電基底結構黏附到玻璃基板結構的下表面上的剖面示意圖。
圖15為本發明第四實施例透過一導電延伸材料成形裝置，以形成電性連接於導電基底結構的一導電延伸結構的剖面示意圖。
圖16為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S300的剖面示意圖。
圖17為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S302的剖面示意圖。
圖18為本發明所提供的導電玻璃基板的製作方法的步驟S304的剖面示意圖。
S:導電玻璃基板
1:玻璃基板結構
100:貫穿孔
1000:內表面
1001:下表面
1002:上表面
2:導電基底結構
21:第一導電基底層
2101:內側表面
2102:下表面
22:第二導電基底層
2201:內側表面
2202:下表面
3:導電延伸結構
31:第一導電延伸層
311:第一導電內埋部
3110:底端
312:第一導電外露部
32:第二導電延伸層
321:第二導電內埋部
3210:底端
322:第二導電外露部

Claims (10)

  1. 一種導電玻璃基板，其包括：一玻璃基板結構，所述玻璃基板結構具有一下表面以及相對於所述下表面的一上表面，所述玻璃基板結構包括連接於所述下表面與所述上表面之間的至少一貫穿孔；一導電基底結構，所述導電基底結構設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上；以及一導電延伸結構，所述導電延伸結構電性連接於所述導電基底結構，且所述導電延伸結構從所述導電基底結構沿著所述至少一貫穿孔的一內表面延伸至所述玻璃基板結構的所述上表面，其中，所述至少一貫穿孔的所述內表面為經由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不規則表面，以用於增加所述導電延伸結構與所述至少一貫穿孔的所述內表面之間的直接接觸面積。
  2. 如請求項1所述的導電玻璃基板，其中，所述導電基底結構包括設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上的一第一導電基底層以及設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上的一第二導電基底層，且所述第一導電基底層與所述第二導電基底層彼此分離而不接觸；其中，所述第一導電基底層與所述第二導電基底層都直接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上且直接接觸所述玻璃基板結構的所述下表面，或者所述第一導電基底層與所述第二導電基底層分別透過一第一黏著層以及一第二黏著層而間接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上；其中，所述第一導電基底層的一內側表面與所述至少一貫穿孔的所述內表面相互切齊，且所述第二導電基底層的一內側表面與所述至少一貫穿孔的所述內表面相互切齊；其中， 所述導電延伸結構包括電性連接於所述第一導電基底層的一第一導電延伸層以及電性連接於所述第二導電基底層的一第二導電延伸層，且所述第一導電延伸層與所述第二導電延伸層彼此分離或者相互連接；其中，所述第一導電延伸層包括設置在所述至少一貫穿孔的所述內表面上的一第一導電內埋部以及設置在所述玻璃基板結構的所述上表面上且連接於所述第一導電內埋部的一第一導電外露部，且所述第二導電延伸層包括設置在所述至少一貫穿孔的所述內表面上的一第二導電內埋部以及設置在所述玻璃基板結構的所述上表面上且連接於所述第二導電內埋部的一第二導電外露部；其中，所述第一導電內埋部覆蓋所述第一導電基底層的所述內側表面，且所述第一導電內埋部的一底端與所述第一導電基底層的一下表面相互切齊；其中，所述第二導電內埋部覆蓋所述第二導電基底層的所述內側表面，且所述第二導電內埋部的一底端與所述第二導電基底層的一下表面相互切齊。
  3. 如請求項1所述的導電玻璃基板，其中，所述導電基底結構為一單一式導電基底層；其中，所述導電基底結構直接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上且直接接觸所述玻璃基板結構的所述下表面，或者所述導電基底結構透過一第一黏著層以及一第二黏著層而間接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上；其中，所述導電延伸結構包括一導電內埋部以及連接於所述導電內埋部的一導電外露部，所述導電內埋部填滿所述至少一貫穿孔且連接於所述導電基底結構，且所述導電外露部設置在所述玻璃基板結構的所述上表面上且覆蓋所述導電內埋部。
  4. 一種導電玻璃基板的製造系統，其包括：一雷射加工裝置，所述雷射加工裝置用於產生一雷射光束，以將一玻璃基板形成為具有至少一貫穿孔的玻璃基板結構；一導電基底材料成形裝置，所述導電基底材料成形裝置用於形成一導電基底結構，所述導電基底結構設置在所述玻璃基板結構的一下表面上；一基板承載裝置，所述基板承載裝置用於承載具有所述導電基底結構的所述玻璃基板結構，且所述導電基底結構位於所述玻璃基板結構與所述基板承載裝置之間；以及一導電延伸材料成形裝置，所述導電延伸材料成形裝置用於形成電性連接於所述導電基底結構的一導電延伸結構，且所述導電延伸結構從所述導電基底結構沿著所述至少一貫穿孔的一內表面延伸至所述玻璃基板結構的所述上表面，其中，所述至少一貫穿孔的所述內表面為經由所述雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不規則表面，以用於增加所述導電延伸結構與所述至少一貫穿孔的所述內表面之間的直接接觸面積；其中，所述雷射加工裝置、所述導電基底材料成形裝置、所述基板承載裝置以及所述導電延伸材料成形裝置都設置在同一生產線上。
  5. 一種導電玻璃基板的製作方法，其包括：透過一基板承載裝置以承載一複合式基板，所述複合式基板包括具有至少一貫穿孔的一玻璃基板結構以及設置在所述玻璃基板結構的一下表面與所述基板承載裝置之間的一導電基底結構；透過一導電延伸材料成形裝置以形成電性連接於所述導電基 底結構的一導電延伸結構，所述導電延伸結構從所述導電基底結構沿著所述至少一貫穿孔的一內表面延伸至所述玻璃基板結構的一上表面上，其中，所述至少一貫穿孔的所述內表面為經由一雷射加工所形成的一粗糙表面或者一不規則表面，以用於增加所述導電延伸結構與所述至少一貫穿孔的所述內表面之間的直接接觸面積；以及移除所述基板承載裝置。
  6. 如請求項5所述的導電玻璃基板的製作方法，其中，在透過所述基板承載裝置以承載所述複合式基板的步驟中，進一步包括：透過一雷射加工裝置所產生的所述雷射光束，以在所述玻璃基板結構上形成所述至少一貫穿孔；透過一導電基底材料成形裝置，以在所述玻璃基板結構的所述下表面上形成所述導電基底結構；以及透過所述基板承載裝置以承載具有所述導電基底結構的所述玻璃基板結構；其中，所述導電延伸結構是透過電鍍的方式以依序形成在所述至少一貫穿孔的所述內表面與所述玻璃基板結構的所述上表面上。
  7. 如請求項5所述的導電玻璃基板的製作方法，其中，在透過所述基板承載裝置以承載所述複合式基板的步驟中，進一步包括：透過一雷射加工裝置所產生的所述雷射光束，以在所述玻璃基板結構上形成所述至少一貫穿孔；透過一導電基底材料成形裝置，以提供承載在所述基板承載 裝置上的所述導電基底結構；以及透過所述基板承載裝置的移動，以將所述導電基底結構黏附到所述玻璃基板結構的所述下表面上；其中，所述導電延伸結構是透過電鍍的方式以依序形成在所述至少一貫穿孔的所述內表面與所述玻璃基板結構的所述上表面上。
  8. 如請求項5所述的導電玻璃基板的製作方法，其中，在透過所述基板承載裝置以承載所述複合式基板的步驟中，進一步包括：透過一導電基底材料成形裝置，以在一初始玻璃基板結構的一下表面上形成一導電基底材料；透過一雷射加工裝置所產生的所述雷射光束貫穿所述初始玻璃基板結構與所述導電基底材料，以使得所述初始玻璃基板結構形成具有所述至少一貫穿孔的所述玻璃基板結構，且使得所述導電基底材料形成所述導電基底結構；以及透過所述基板承載裝置以承載具有所述導電基底結構的所述玻璃基板結構；其中，所述導電延伸結構是透過電鍍的方式以依序形成在所述至少一貫穿孔的所述內表面與所述玻璃基板結構的所述上表面上。
  9. 如請求項5所述的導電玻璃基板的製作方法，其中，所述導電基底結構包括設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上的一第一導電基底層以及設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上的一第二導電基底層，且所述第一導電基底層與所述第二導電基底層彼此分離而不接觸；其中，所述第一導電基底層 與所述第二導電基底層都直接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上且直接接觸所述玻璃基板結構的所述下表面，或者所述第一導電基底層與所述第二導電基底層分別透過一第一黏著層以及一第二黏著層而間接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上；其中，所述第一導電基底層的一內側表面與所述至少一貫穿孔的所述內表面相互切齊，且所述第二導電基底層的一內側表面與所述至少一貫穿孔的所述內表面相互切齊；其中，所述導電延伸結構包括電性連接於所述第一導電基底層的一第一導電延伸層以及電性連接於所述第二導電基底層的一第二導電延伸層，且所述第一導電延伸層與所述第二導電延伸層彼此分離或者相互連接；其中，所述第一導電延伸層包括設置在所述至少一貫穿孔的所述內表面上的一第一導電內埋部以及設置在所述玻璃基板結構的所述上表面上且連接於所述第一導電內埋部的一第一導電外露部，且所述第二導電延伸層包括設置在所述至少一貫穿孔的所述內表面上的一第二導電內埋部以及設置在所述玻璃基板結構的所述上表面上且連接於所述第二導電內埋部的一第二導電外露部；其中，所述第一導電內埋部覆蓋所述第一導電基底層的所述內側表面，且所述第一導電內埋部的一底端與所述第一導電基底層的一下表面相互切齊；其中，所述第二導電內埋部覆蓋所述第二導電基底層的所述內側表面，且所述第二導電內埋部的一底端與所述第二導電基底層的一下表面相互切齊。
  10. 如請求項5所述的導電玻璃基板的製作方法，其中，所述導電基底結構為一單一式導電基底層；其中，所述導電基底結構直接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上且直接接觸所述玻璃基板結構的所述下表面，或者所述導電基底結構透過 一第一黏著層以及一第二黏著層而間接設置在所述玻璃基板結構的所述下表面上；其中，所述導電延伸結構包括一導電內埋部以及連接於所述導電內埋部的一導電外露部，所述導電內埋部填滿所述至少一貫穿孔且連接於所述導電基底結構，且所述導電外露部設置在所述玻璃基板結構的所述上表面上且覆蓋所述導電內埋部。
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