CN108475648A - 晶片检查装置及其维护方法 - Google Patents

晶片检查装置及其维护方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108475648A
CN108475648A CN201680073329.8A CN201680073329A CN108475648A CN 108475648 A CN108475648 A CN 108475648A CN 201680073329 A CN201680073329 A CN 201680073329A CN 108475648 A CN108475648 A CN 108475648A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
chip
probe card
chuck upper
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680073329.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108475648B (zh
Inventor
赤池由多加
齐藤刚央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN108475648A publication Critical patent/CN108475648A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108475648B publication Critical patent/CN108475648B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种不降低处理能力而能够使研磨用晶片与探针适当地抵接的晶片检查装置。研磨用板(35)的厚度(t1)、研磨用晶片(34)的厚度(t2)和自弹性框架(24)的主体(28)的下表面至探针卡(21)的各探针(27)的下端为止的突出量(t3)的共计值(T)被设定为大于唇形密封件(33)在卡盘上端部件(23)的上表面的突出量(t4)。

Description

晶片检查装置及其维护方法
技术领域
本发明涉及对晶片检查用的探针卡的针状探针进行研磨的晶片检查装置及其维护方法。
背景技术
为了对形成有多个半导体器件的晶片进行检查，使用探针作为检查装置。探针包括与晶片相对的探针卡，探针卡包括以与晶片的半导体器件的各电极焊盘或各焊料凸块相对的方式配置的多个针状接触端子即探针。对探针而言，以向探针卡推压晶片的方式对探针卡进行真空吸附，使探针卡的各探针与半导体器件的电极焊盘或焊料凸块接触(例如，参照专利文献1。)。此时，通过使电流从各探针向与各电极焊盘或各焊料凸块连接的半导体器件的电路流去，对半导体器件的电特性进行检查。
然而，由于晶片的刚性低，当仅使晶片真空吸附到探针卡时，晶片可能发生弯曲而各电极焊盘或各焊料凸块不与探针卡的各探针均匀地接触。因此，提出一种使作为载置晶片的厚板部件的卡盘上端部件与晶片一起真空吸附到探针卡，利用该卡盘上端部件来抑制晶片的弯曲的技术。具体而言，如图7A所示，使载置于卡盘上端部件72的晶片W与安装于作为基部的弹性框架70的探针卡71相对。作为弹性密封部件的唇形密封件73从卡盘上端部件72向弹性框架70突出。之后，使卡盘上端部件72向弹性框架70移动，使唇形密封件73与弹性框架70抵接，由此密封卡盘上端部件72与弹性框架70之间的空间S。在晶片W被推压到探针卡71之后空间S被减压，由此晶片W连同卡盘上端部件72被吸引到弹性框架70，能够维持晶片W与探针卡71的抵接状态。此时，唇形密封件73被压缩(图7B)。
然而，当反复使用了探针卡71的晶片W的检查时，反复各电极焊盘或各焊料凸块与探针卡71的各探针74的接触，各探针74发生磨损。因此，需要定期地对各探针74进行研磨。当对各探针74进行研磨时，使研磨用晶片与各探针74抵接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－29917号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，在使用上述的卡盘上端部件72向探针卡71推压晶片W的方法中，当在卡盘上端部件72载置研磨用晶片75使卡盘上端部件72向弹性框架70移动时，在研磨用晶片75与各探针74抵接之前，唇形密封件73与弹性框架70抵接而在卡盘上端部件72与弹性框架70之间形成空间S(图7C)。之后，当使卡盘上端部件72向弹性框架70移动时，空间S的压力上升，反作用力作用于卡盘上端部件72，结果产生研磨用晶片75不与各探针74适当地抵接的问题。
为了防止空间S的压力上升，也考虑对空间S进行减压，但是此情况下减压步骤需要时间。另外，也考虑通过使空间S的压力的上升缓慢而缓和空间S的压力上升，使研磨用晶片75与各探针74适当地抵接，但是此情况下需要使卡盘上端部件72向弹性框架70低速移动。即，产生处理能力降低的问题。
本发明的目的在于提供不降低处理能力而能够使研磨用晶片与探针适当地抵接的晶片检查装置及其维护方法。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，根据本发明，提供了一种晶片检查装置，其包括：具有向晶片突出的多个接触端子的探针卡；载置上述晶片的由与上述探针卡相对的厚板部件构成的卡盘上端部件；和当上述卡盘上端部件向上述探针卡移动时对上述探针卡与上述卡盘上端部件之间的空间进行密封的密封件，上述晶片检查装置包括加高部件，该加高部件载置于上述卡盘上端部件，载置用于对上述接触端子进行研磨的研磨用晶片，上述加高部件具有以下厚度，该厚度使得当上述卡盘上端部件向上述探针卡移动时，在上述密封件对上述空间进行密封之前使上述研磨用晶片与各上述接触端子抵接。
为了达成上述目的，根据本发明，提供了一种晶片检查装置的维护方法，其中，上述晶片检查装置包括：具有向晶片突出的多个接触端子的探针卡；载置上述晶片的由与上述探针卡相对的厚板部件构成的卡盘上端部件；和当上述卡盘上端部件向上述探针卡移动时对上述探针卡与上述卡盘上端部件之间的空间进行密封的密封件，在上述晶片检查装置的维护方法中，将加高部件载置于上述卡盘上端部件，进而将用于对上述接触端子进行研磨的研磨用晶片载置于向上述加高部件，使上述卡盘上端部件向上述探针卡移动，上述加高部件具有以下厚度，该厚度使得当上述卡盘上端部件向上述探针卡移动时，在上述密封件对上述空间进行密封之前使上述研磨用晶片与各上述接触端子抵接。
发明效果
根据本发明，介于晶片和卡盘上端部件之间载置用于对接触端子进行研磨的研磨用晶片的加高部件，具有当卡盘上端部件向探针卡移动时，在密封件对空间进行密封之前使研磨用晶片与各接触端子抵接的厚度，因此在上述空间被密封之前，研磨用晶片与各接触端子抵接。即，在使研磨用晶片与各接触端子抵接之前，反作用力不会作用到卡盘上端部件，并且能够使研磨用晶片与各接触端子适当地抵接。另外，由于无需考虑空间的减压或者压力上升的缓和，因此不需减压步骤或者卡盘上端部件向探针卡低速移动，并且能够防止处理能力降低。
附图说明
图1是概略地表示本发明的实施方式的晶片检查装置的结构的俯视图。
图2是沿图1的线II-II的截面图。
图3是概略地表示图1和图2的搬送台和检查器的结构的截面图。
图4是用于对图3的各探针的研磨时的情况进行说明的搬送台和检查器的截面图。
图5A至图5C是用于说明图4的研磨用板的结构的图，图5A是侧视图，图5B是俯视图，图5C是仰视图。
图6A至图6D是表示本发明的实施方式的、作为晶片检查装置的维护方法的探针的研磨方法的步骤图。
图7A至图7C是用于对作为现有的晶片检查装置的探针的晶片与探针卡抵接的情况进行说明的步骤图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是概略地表示本发明的实施方式的晶片检查装置的结构的俯视图，图2是沿图1的线II－II的截面图。此外，为了便于理解，图1表示透视的内部的结构。本实施方式的晶片检查装置是一同接触型的晶片检查装置，即探针卡的所有探针一同接触形成于晶片的全部半导体器件的所有电极焊盘或焊料凸块，对各半导体器件的电特性进行检查。
在图1中，晶片检查装置10包括：对形成于晶片W的各半导体器件的电特性进行检查的检查区域11；在该晶片检查装置10进行晶片W、后述的研磨用晶片34和探针卡21等的搬入搬出的搬入搬出区域12；和配置于该搬入搬出区域12与检查区域11之间，进行晶片W等的搬送的搬送区域13。
在搬入搬出区域12配置有搬入搬出用小室14，在搬入搬出用小室14中，配置有晶片W的容器即环圈(hoop)15的收纳机构(未图示)。另外，在搬入搬出区域12，除搬入搬出用小室14之外还配置有：对检查前的晶片W进行对位的预对位小室(pre-aligner，预匹配小室)16和收纳多个研磨用晶片34的板收纳小室(stocker，收纳小室)17。此外，在预匹配小室16配置有在晶片W的对位时对晶片W进行真空吸附晶片W的副卡盘18。另外，各研磨用晶片34以载置于后述的研磨用板35的状态收纳在收纳小室17。
在搬送区域13配置有搬送臂机构19，该搬送臂机构19在搬送区域13中搬送从搬入搬出区域12的环圈15接收到的检查前的晶片W，在检查区域11中将该晶片W载置在后述的卡盘上端部件23，并且，从卡盘上端部件23接收检查后的晶片W并搬送到搬入搬出区域12。
在检查区域11配置有多个检查部(检查器)20。各检查器20不互相划分区域，而在构成检查区域11的空间排列着多个各自具有探针卡21的检查器20。
在图2中，检查区域11分为多级，例如3级，在各级配置有多个检查器20，并分别配置有在各检查器20之间移动的搬送台22、对位装置(匹配器)和对位用照相机(均未图示)。
搬送台22使利用搬送臂机构19搬送到检查区域11与搬送区域13的边界的检查前的晶片W载置在载置于该搬送台22的卡盘上端部件23上，使被载置的载置晶片W移动来与探针卡21相对。之后，搬送台22使晶片W和卡盘上端部件23接近探针卡21，最终使晶片W与探针卡21抵接。检查器20检查与探针卡21抵接的晶片W的多个半导体器件的电特性。在半导体器件的电特性的检查结束之后，搬送台22将检查后的晶片W和卡盘上端部件23搬送到检查区域11和搬送区域13的边界部分，将检查后的晶片W交接到搬送臂机构19。之后，搬送臂机构19向搬入搬出用小室14的环圈15搬入检查后的晶片W。
在晶片检查装置10中，搬送臂机构19和搬送台22共同协作，从一个环圈15搬出一个晶片W并搬入一个检查器20，但是也可以在一个检查器20进行一个晶片W的半导体器件的电特性的检查期间，将从另一个环圈15搬出的另一个晶片W搬入另一个检查器20。另外，也可以在一个检查器20进行一个晶片W的半导体器件的电特性的检查期间，搬送臂机构19和搬送台22共同协作，从另一个检查器20搬出检查后的另一个晶片W并搬入另一个环圈15。即，搬送臂机构19和搬送台22共同协作，在多个环圈15和多个检查器20之间依次进行晶片W的搬入搬出，由此实现高效的各晶片W的半导体器件的电特性的检查。
图3是概略地表示图1和图2的搬送台和检查器的结构的截面图。此外，图3表示搬送台22使晶片W与检查器20的探针卡21抵接的状态。
在图3中，检查器20包括：探针卡21；该在下部安装有探针卡21的、作为板状基部的弹性框架24；和支承弹性框架24的基座25。
探针卡21包括：圆板形的主体26；配置在该主体26的上表面大致整个面的多个电极(未图示)；和作为以从主体26的下表面向图中下方突出的方式配置的多个针状接触端子的探针27。各电极与对应的各探针27连接，当晶片W与探针卡21抵接时，各探针27与形成于该晶片W的各半导体器件的电极焊盘或焊料凸块接触。
弹性框架24包括：大致平板形的主体28；和作为穿设于该主体28的中央部附近的多个贯通孔的弹性块插嵌孔29，在各弹性块插嵌孔29插嵌有由多个弹性针排列而成的弹性块30。弹性块30与具有检查器20的检查电路(未图示)连接，并且与安装于弹性框架24的探针卡21的主体28的上表面的多个电极接触，使向与该电极连接的探针卡21的各探针27流去，并且使从晶片W的各半导体器件的电路经由各探针27流动的电流向检查电路流去。
在检查器20中，弹性框架24和基座25之间的空间被密封部件31密封，通过对该空间进行抽真空，以在基座25支承弹性框架24。弹性框架24和探针卡21之间的空间也被密封部件32密封，通过对该空间进行抽真空，以在弹性框架24安装探针卡21。
搬送台22由配置于检查器20下方的平板形部件构成，该搬送台22载置并保持作为厚板部件的卡盘上端部件23，在该卡盘上端部件23的上表面载置并保持晶片W。利用搬送台22所具有的吸附口(未图示)将卡盘上端部件23真空吸附到该搬送台22，利用卡盘上端部件23所具有的吸附口(以下，称为“卡盘上端部件吸附口”。)(未图示)将晶片W真空吸附到该卡盘上端部件23。因此，当搬送台22移动时，能够防止卡盘上端部件23或者晶片W相对搬送台22移动。此外，卡盘上端部件23或者晶片W的维护方法不限于真空吸附，只要是能够防止卡盘上端部件23或者晶片W相对搬送台22移动的方法即可，例如可以利用电磁吸附或者夹具进行保持。
由于搬送台22可自由移动，因此能够向检查器20的探针卡21的下方移动而使载置于卡盘上端部件23的晶片W与探针卡21相对，并能够向检查器20移动而使晶片W与探针卡21抵接。检查器20的探针卡21、载置于搬送台22的卡盘上端部件23和晶片W均水平配置。因此，当搬送台22向检查器20移动时，晶片W与各探针27全部抵接。
对卡盘上端部件23而言，在上表面即与弹性框架24相对的面，设有朝向弹性框架24突出的弹性密封部件即唇形密封件33。当搬送台22向检查器20移动而晶片W被推压到探针卡21时，唇形密封件33与弹性框架24的主体28的下表面抵接。利用唇形密封件33密封当晶片W被推压到探针卡21时形成的、由卡盘上端部件23、弹性框架24和探针卡21包围而成的空间S，通过将该空间S吸为真空以使卡盘上端部件23被吸引到弹性框架24，向探针卡21推压晶片W。由此，能够维持晶片W的各半导体器件的各电极焊盘或各焊料凸块与探针卡21的各探针27的抵接状态。
图4是用于对图3的各探针的研磨时的情况进行说明的搬送台和检查器的截面图。此外，图4表示搬送台22使研磨用晶片34与探针卡21的各探针27抵接的状态。
在图4中，在卡盘上端部件23的上表面载置有由大致圆板形部件构成的研磨用板35(加高部件)，在该研磨用板35的上表面载置有研磨用晶片34。为了平行地形成研磨用板35的上表面和下表面，使载置于水平配置的卡盘上端部件23的研磨用板35的上表面保持水平，结果使载置于研磨用板35的上表面的研磨用晶片34也保持水平。其结果，当搬送台22向检查器20移动时，研磨用晶片34与各探针27全面地抵接，均匀地研磨各探针27。
在本实施方式中，研磨用板35的厚度被设为，当搬送台22向检查器20移动时，唇形密封件33与弹性框架24的主体28的下表面抵接之前，使载置于研磨用板35的研磨用晶片34与探针卡21的各探针27抵接的值。具体而言，在本实施方式中，研磨用板35的厚度t1、研磨用晶片34的厚度t2和自弹性框架24的主体28的下表面至探针卡21的各探针27的下端为止的突出量t3的共计值T被设定为大于唇形密封件33从卡盘上端部件23的上表面起的突出量t4。由此，当研磨用晶片34与各探针27抵接时，唇形密封件33不与弹性框架24的主体28的下表面抵接，卡盘上端部件23、弹性框架24和探针卡21包围的空间S不被唇形密封件33密封，也不会提高空间S的压力。
此外，在本实施方式中，研磨用板35的厚度被设定为，通过唇形密封件33与弹性框架24的主体28的下表面抵接而形成空间S，因此在唇形密封件33与弹性框架24的主体28的下表面抵接之前，使载置于研磨用板35的研磨用晶片34与探针卡21的各探针27抵接的值。然而，当通过唇形密封件33与探针卡21的主体26的下表面抵接而形成空间S时，研磨用板35的厚度被设定为，在唇形密封件33与探针卡21的主体26的下表面抵接之前，使载置于研磨用板35的研磨用晶片34与各探针27抵接的值。即，在空间S被唇形密封件33密封之前，研磨用板35的厚度可以为使载置于研磨用板35的研磨用晶片34与各探针27抵接的值。
图5A至图5C是用于对图4的研磨用板的结构进行说明的图，图5A是侧视图，图5B是俯视图，图5C是仰视图。
在图5A至图5C中，研磨用板35具有多个吸附槽36，所述吸附槽36形成于载置有研磨用晶片34的上表面。吸附槽36包括：从研磨用板35的中心向外周去呈辐射状扩散的多个辐射槽36a；和关于研磨用板35的中心呈同心圆形状形成的多个圆周槽36b。吸附槽36是具有宽度、深度均为数mm的截面的沟，并与后述的贯通孔37连通。
研磨用板35具有在厚度方向上贯通该研磨用板35的多个贯通孔37(连通孔)。各贯通孔37在研磨用板35的下表面以与卡盘上端部件吸附口相对的方式开口。由此，卡盘上端部件吸附口能够经由各贯通孔37对吸附槽36的内部进行抽真空，还能够将载置于研磨用板35的上表面的研磨用晶片34真空吸附到研磨用板35。另外，当研磨用晶片34被真空吸附到研磨用板35时，研磨用晶片34向卡盘上端部件23推压研磨用板35。因此，当搬送台22移动时，能够防止研磨用板35或者研磨用晶片34相对卡盘上端部件23移动。另外，在研磨用板35的下表面形成具有稍许宽度的吸附槽38，各贯通孔37在吸附槽38内开口。因此，虽然各贯通孔37不以与卡盘上端部件吸附口一致的方式开口，但是只要使吸附槽38与卡盘上端部件吸附口相对，就能够利用卡盘上端部件吸附口对研磨用晶片34进行真空吸附。
另外，在晶片检查装置10中，在预匹配小室16中研磨用晶片34载置于研磨用板35的状态下进行对位，因此副卡盘18需要对研磨用晶片34和研磨用板35进行真空吸附，副卡盘18比卡盘上端部件23小，副卡盘18具有的吸附口(以下，称为“副卡盘上端部件吸附口”。)(未图示)集中配置在副卡盘18的中心。与此对应，在研磨用板35中，开设有各贯通孔37的吸附槽38形成在该研磨用板35的中心附近，例如距中心38mm以内的位置。由此，吸附槽38能够与集中配置于副卡盘18的中心的副卡盘上端部件吸附口相对，能够利用副卡盘上端部件吸附口对研磨用晶片34和研磨用板35进行真空吸附。
研磨用板35在上表面的外周设有多个、例如4个凹口39。各凹口39被研磨用晶片34覆盖一部分。因此，通过在各凹口39中插入木片等的薄片部件，能够使研磨用晶片34容易地从研磨用板35剥离。
另外，研磨用板35在与研磨用晶片34的对位用的缺口对应的位置设有对位用的切口40。由于该切口40在厚度方向上贯通研磨用板35，因此即使在研磨用板35载置有研磨用晶片34，也能够从下方确认研磨用晶片34的缺口。由此，在预匹配小室16等中在研磨用板35载置有研磨用晶片34的情况下，能够进行该研磨用晶片34的对位。而且，研磨用板35在切口40的内侧设有在厚度方向上贯通研磨用板35的ID读取孔41。由此，能够在研磨用晶片34载置于研磨用板35的情况下，读取形成于研磨用晶片34的缺口的内侧的晶片ID，能够简化研磨用晶片34的管理步骤。此外，由于在研磨用板35上在一个部位集中形成切口40和ID读取孔41，因此与分离形成切口40和ID读取孔41的情况相比，能够确保研磨用板35的强度。
另外，研磨用板35在下表面设有通过手工缫丝加工等形成的多个凹部42。另外，各凹部42以不与上表面的吸附槽36相对的方式配置。由此，能够确保研磨用板35的强度，并且实现研磨用板35的轻质化。
研磨用晶片34由硅形成，但是在高温区域，例如在85℃附近利用研磨用晶片34对各探针27进行研磨时，由于铝价格低廉、质量轻，并且加工性强，因此优选以铝构成研磨用板35。由于温度区域不同，铝与硅的热膨胀量之差有时较大，若在85℃附近，由于热膨胀量之差，研磨用晶片34不会偏离研磨用板35。另外，不仅在高温区域，在低温区域例如在－30℃，当对各探针27进行研磨时，优选由硅和碳化硅构成研磨用板35。尤其是，碳化硅与硅在所有温度区域具有相同的热膨胀率。因此，不管研磨用板35的研磨时的温度如何，利用热膨胀量之差就能够防止研磨用晶片34偏离研磨用板35。
图6A至图6D是表示本实施方式的作为晶片检查装置的维护方法的探针研磨方法的步骤图。
在图6A至图6D中，首先，搬送臂机构19从收纳小室17将研磨用晶片34以载置于研磨用板35的状态搬出，在预匹配小室16中进行了研磨用晶片34的对位之后，搬送到检查区域11和搬送区域13的边界(图6A)。此时，搬送臂机构19不对研磨用晶片34或者研磨用板35进行真空吸附，因此搬送臂机构19以使经对位后的研磨用晶片34不偏离研磨用板35的方式，以比搬送晶片W时的速度慢的速度搬送研磨用晶片34和研磨用板35。
接着，一个检查器20的搬送台22将利用搬送臂机构19搬送的研磨用晶片34和研磨用板35载置于该搬送台22所载置的卡盘上端部件23上。此时，卡盘上端部件23利用卡盘上端部件吸附口对研磨用晶片34和研磨用板35进行真空吸附(图6B)。
接着，水平移动搬送台22，使载置于卡盘上端部件23上的研磨用板35和研磨用晶片34与探针卡21相对(图6C)。然后，搬送台22向上方移动，使研磨用板35和研磨用晶片34接近探针卡21(图6D)。此时，如上所述，研磨用板35的厚度t1、研磨用晶片34的厚度t2和自弹性框架24的主体28的下表面到探针卡21的各探针27的下端为止的突出量t3的共计值T被设定为大于唇形密封件33从卡盘上端部件23的上表面起的突出量t4，在唇形密封件33与弹性框架24的主体28的下表面抵接之前，研磨用晶片34与各探针27抵接。此时，利用研磨用晶片34对各探针27进行研磨。
之后，搬送台22使研磨用晶片34离开探针卡21，将研磨用晶片34和研磨用板35搬送到检查区域11和搬送区域13的边界部，将研磨用晶片34和研磨用板35交接到搬送臂机构19。之后，搬送臂机构19将研磨用晶片34和研磨用板35搬入收纳小室17，结束本方法。
根据本实施方式，载置于卡盘上端部件23并且载置研磨用晶片34的研磨用板35具有以下厚度，该厚度使得当搬送台22向检查器20移动时，在唇形密封件33密封空间S之前，使研磨用晶片34与各探针27抵接，因此在上述空间S被密封之前，研磨用晶片34与各探针27抵接。即，在使研磨用晶片34与各探针27抵接之前，伴随空间S的压力上升的反作用力不会作用到卡盘上端部件23，并且能够使研磨用晶片34与各探针27适当地抵接。另外，由于无需考虑空间S的减压或者压力上升的缓和，因此不需要减压步骤或者搬送台22向检查器20的低速移动，还能够防止处理能力的降低。
另外，在本实施方式中，研磨用板35具有在上表面形成的多个吸附槽36，通过对吸附槽36的内部进行抽真空，将研磨用晶片34真空吸附到研磨用板35。即，由于利用吸附槽36对研磨用晶片34进行真空吸附，因此无需对除了吸附槽36之外的研磨用板35的上表面与研磨用晶片34之间进行抽真空，能够防止形成真空隔热层。由此，能够改善研磨用晶片34和研磨用板35之间的热传导性，能够抑制产生研磨用晶片34与研磨用板35的热膨胀量之差。其结果，能够抑制研磨用晶片34偏离研磨用板35。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式。
本申请主张基于于2015年12月17日申请的日本申请第2015－246180号的优先权，本申请引用该日本申请所记载的全部内容。
附图标记说明
S 空间
W 晶片
10 晶片检查装置
21 探针卡
23 卡盘上端部件
27 探针
34 研磨用晶片
35 研磨用板
37 贯通孔。

Claims (6)

1.一种晶片检查装置，其特征在于，包括：
具有向晶片突出的多个接触端子的探针卡；
载置所述晶片的由与所述探针卡相对的厚板部件构成的卡盘上端部件；和
当所述卡盘上端部件向所述探针卡移动时对所述探针卡与所述卡盘上端部件之间的空间进行密封的密封件，
所述晶片检查装置包括加高部件，该加高部件载置于所述卡盘上端部件，载置用于对所述接触端子进行研磨的研磨用晶片，
所述加高部件具有以下厚度，该厚度使得当所述卡盘上端部件向所述探针卡移动时，在所述密封件对所述空间进行密封之前使所述研磨用晶片与各所述接触端子抵接。
2.如权利要求1所述的晶片检查装置，其特征在于：
所述卡盘上端部件具有进行真空吸附的吸附口，
所述加高部件具有使所述吸附口与载置于所述加高部件的所述研磨用晶片连通的连通孔。
3.如权利要求1或2所述的晶片检查装置，其特征在于：
所述加高部件由铝形成。
4.如权利要求1或2所述的晶片检查装置，其特征在于：
所述加高部件由硅或者碳化硅形成。
5.一种晶片检查装置的维护方法，其特征在于：
所述晶片检查装置包括：
具有向晶片突出的多个接触端子的探针卡；
载置所述晶片的由与所述探针卡相对的厚板部件构成的卡盘上端部件；和
当所述卡盘上端部件向所述探针卡移动时对所述探针卡与所述卡盘上端部件之间的空间进行密封的密封件，
在所述晶片检查装置的维护方法中，
将加高部件载置于所述卡盘上端部件，进而将用于对所述接触端子进行研磨的研磨用晶片载置于向所述加高部件，
使所述卡盘上端部件向所述探针卡移动，
所述加高部件具有以下厚度，该厚度使得当所述卡盘上端部件向所述探针卡移动时，在所述密封件对所述空间进行密封之前使所述研磨用晶片与各所述接触端子抵接。
6.如权利要求5所述的晶片检查装置的维护方法，其特征在于：
所述卡盘上端部件具有进行真空吸附的吸附口，
所述加高部件具有使所述吸附口与载置于所述加高部件的所述研磨用晶片连通的连通孔，
当所述卡盘上端部件向所述探针卡移动时，所述吸附口通过所述连通孔对所述研磨用晶片进行吸附。
CN201680073329.8A 2015-12-17 2016-10-14 晶片检查装置及其维护方法 Active CN108475648B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-246180 2015-12-17
JP2015246180A JP6625423B2 (ja) 2015-12-17 2015-12-17 ウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法
PCT/JP2016/081189 WO2017104262A1 (ja) 2015-12-17 2016-10-14 ウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108475648A true CN108475648A (zh) 2018-08-31
CN108475648B CN108475648B (zh) 2022-05-27

Family

ID=59056035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680073329.8A Active CN108475648B (zh) 2015-12-17 2016-10-14 晶片检查装置及其维护方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11226366B2 (zh)
JP (1) JP6625423B2 (zh)
KR (1) KR101996772B1 (zh)
CN (1) CN108475648B (zh)
TW (1) TWI688777B (zh)
WO (1) WO2017104262A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114402207A (zh) * 2019-09-30 2022-04-26 三菱电机株式会社 检查夹具

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102047665B1 (ko) * 2018-09-19 2019-11-22 (주)티에스이 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
JP7170494B2 (ja) 2018-10-15 2022-11-14 東京エレクトロン株式会社 中間接続部材及び検査装置
JP2020096028A (ja) * 2018-12-11 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 検査装置、及び、検査方法
TWI701438B (zh) * 2019-05-06 2020-08-11 美商第一檢測有限公司 檢測設備
CN111951880A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 第一检测有限公司 检测设备
JP7285739B2 (ja) 2019-08-28 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 プローバおよびプローブカードのクリーニング方法
JP2021038999A (ja) * 2019-09-03 2021-03-11 東京エレクトロン株式会社 電気的接続装置、検査装置及び接触対象体と接触子との電気的接続方法
CN113690157B (zh) * 2020-05-18 2024-02-20 上海众鸿电子科技有限公司 一种晶圆加工单元用挡板控制方法及控制系统
JP6844804B1 (ja) * 2020-11-25 2021-03-17 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及び露光方法
JP2023102503A (ja) * 2022-01-12 2023-07-25 株式会社日本マイクロニクス プローブカードおよび検査システム

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306187B1 (en) * 1997-04-22 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Abrasive material for the needle point of a probe card
JP2003100817A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Japan Electronic Materials Corp プローブ先端クリーニング部材、プローブクリーニング装置及びプローブ先端クリーニング方法
JP2005049254A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 検査装置
CN103308735A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 东京毅力科创株式会社 晶片检查用接口和晶片检查装置
US8587331B2 (en) * 2009-12-31 2013-11-19 Tommie E. Berry Test systems and methods for testing electronic devices
US20140331421A1 (en) * 2009-12-03 2014-11-13 International Test Solutions, Inc Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
CN104508812A (zh) * 2012-07-31 2015-04-08 东京毅力科创株式会社 将衬底与探针卡抵接的方法
US20150130489A1 (en) * 2012-06-04 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Substrate inspection apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3462751B2 (ja) 1997-06-07 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプローブ装置
JP3784364B2 (ja) * 2002-10-15 2006-06-07 松下電器産業株式会社 プローブカードのクリーニング方法
JP5405575B2 (ja) * 2010-08-31 2014-02-05 株式会社アドバンテスト 半導体ウェハ試験装置及び半導体ウェハの試験方法
JP5889581B2 (ja) * 2010-09-13 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置
JP5675239B2 (ja) * 2010-09-15 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
JP2013033809A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd ウエハ搬送装置
JP6031238B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
JP2013191737A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査装置
JP6099347B2 (ja) * 2012-10-03 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 ウエハ取り付け方法及びウエハ検査装置
JP6215668B2 (ja) * 2012-11-30 2017-10-18 京セラ株式会社 セラミック焼結体、これを用いた流路部材ならびに半導体検査装置および半導体製造装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306187B1 (en) * 1997-04-22 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Abrasive material for the needle point of a probe card
JP2003100817A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Japan Electronic Materials Corp プローブ先端クリーニング部材、プローブクリーニング装置及びプローブ先端クリーニング方法
JP2005049254A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 検査装置
US20140331421A1 (en) * 2009-12-03 2014-11-13 International Test Solutions, Inc Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
US8587331B2 (en) * 2009-12-31 2013-11-19 Tommie E. Berry Test systems and methods for testing electronic devices
CN103308735A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 东京毅力科创株式会社 晶片检查用接口和晶片检查装置
US20150130489A1 (en) * 2012-06-04 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Substrate inspection apparatus
CN104508812A (zh) * 2012-07-31 2015-04-08 东京毅力科创株式会社 将衬底与探针卡抵接的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114402207A (zh) * 2019-09-30 2022-04-26 三菱电机株式会社 检查夹具

Also Published As

Publication number Publication date
TW201734478A (zh) 2017-10-01
US11226366B2 (en) 2022-01-18
JP2017112259A (ja) 2017-06-22
TWI688777B (zh) 2020-03-21
CN108475648B (zh) 2022-05-27
KR101996772B1 (ko) 2019-10-01
KR20180082526A (ko) 2018-07-18
JP6625423B2 (ja) 2019-12-25
US20180364300A1 (en) 2018-12-20
WO2017104262A1 (ja) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108475648A (zh) 晶片检查装置及其维护方法
TWI591354B (zh) Wafer mounting method and wafer inspection device
KR102302431B1 (ko) 도금 장치, 기판 홀더, 도금 장치의 제어 방법, 및 도금 장치의 제어 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체
KR101815081B1 (ko) 기판 검사 장치 및 프로브 카드 반송 방법
CN108140590B (zh) 晶片检查方法和晶片检查装置
TWI593976B (zh) Substrate contact method for probe card
TWI583975B (zh) Wafer inspection interface and wafer inspection device
JPWO2007010610A1 (ja) プッシャ、プッシャユニットおよび半導体試験装置
JP2012199508A (ja) ウエハ検査装置及びプローブカードのプリヒート方法
JP2018157131A (ja) ステージクリーニング方法およびステージクリーニング部材、ステージクリーニング部材の製造方法、ならびに検査システム
JP2021119638A (ja) 検査システム
JP2007178132A (ja) 半導体検査装置および半導体検査方法
KR102410891B1 (ko) 프로버 및 프로브 카드의 프리쿨링 방법
KR102129661B1 (ko) 기판 적재대 및 기판 검사 장치
JP2018206948A (ja) 検査装置、検査システム、および位置合わせ方法
JP6254432B2 (ja) プローバシステム
JP2021005686A (ja) プローバおよびプローブカードのプリヒート方法
JP2012198240A (ja) プッシャ、プッシャユニットおよび半導体試験装置
JP2015153970A (ja) 基板保持機構、基板搬送装置および基板搬送方法
KR20150137257A (ko) 반도체 패키지 고정용 흡착 패드

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant