WO2017104262A1 - ウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法 - Google Patents

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WO2017104262A1
WO2017104262A1 PCT/JP2016/081189 JP2016081189W WO2017104262A1 WO 2017104262 A1 WO2017104262 A1 WO 2017104262A1 JP 2016081189 W JP2016081189 W JP 2016081189W WO 2017104262 A1 WO2017104262 A1 WO 2017104262A1
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wafer
polishing
chuck top
probe card
probe
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PCT/JP2016/081189
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由多加 赤池
剛央 齊藤
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東京エレクトロン株式会社
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    • B24—GRINDING; POLISHING
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Definitions

  • the present invention relates to a wafer inspection apparatus for polishing a needle-like probe of a probe card for wafer inspection and a maintenance method thereof.
  • a prober In order to inspect a wafer on which a large number of semiconductor devices are formed, a prober is used as an inspection apparatus.
  • the prober includes a probe card facing the wafer, and the probe card includes a plurality of needle-like contact terminals arranged to face each electrode pad and each solder bump of the semiconductor device on the wafer.
  • the wafer is vacuum-sucked so as to press against the probe card, and each probe of the probe card is brought into contact with an electrode pad or a solder bump in the semiconductor device (see, for example, Patent Document 1).
  • the electrical characteristics of the semiconductor device are inspected by flowing electricity from each probe to the electrical circuit of the semiconductor device connected to each electrode pad or each solder bump.
  • a chuck top which is a thick plate member for placing the wafer together with the wafer, is vacuum-sucked to the probe card and the warping of the wafer is suppressed by the chuck top.
  • the wafer W placed on the chuck top 72 is made to face the probe card 71 mounted on the pogo frame 70 which is the base.
  • a lip seal 73 as an elastic sealing member protrudes from the chuck top 72 toward the pogo frame 70.
  • the chuck top 72 is moved toward the pogo frame 70 and the lip seal 73 is brought into contact with the pogo frame 70 to seal the space S between the chuck top 72 and the pogo frame 70.
  • the space S is depressurized, whereby the wafer W is attracted to the pogo frame 70 together with the chuck top 72, and the contact state of the wafer W with the probe card 71 is maintained.
  • the lip seal 73 is compressed (FIG. 7B).
  • An object of the present invention is to provide a wafer inspection apparatus and a maintenance method thereof that can appropriately bring a polishing wafer into contact with a probe without lowering the throughput.
  • a probe card having a large number of contact terminals protruding toward a wafer, and a chuck top as a thick plate member on which the wafer is placed and opposed to the probe card And a seal that seals a space between the probe card and the chuck top when the chuck top moves to the probe card, and is mounted on the chuck top and polishes the contact terminal
  • a wafer inspection apparatus having a thickness to be brought into contact with a terminal is provided.
  • a probe card having a large number of contact terminals protruding toward a wafer, and a chuck top as a thick plate member on which the wafer is placed and opposed to the probe card
  • a sealing method for sealing a space between the probe card and the chuck top when the chuck top moves to the probe card wherein the raising member is mounted on the chuck top.
  • a polishing wafer for polishing the contact terminal is placed on the raising member, the chuck top is moved to the probe card, and the raising member moves the chuck top to the probe card. In doing so, the polishing wafer is brought into contact with each contact terminal before the seal seals the space.
  • Maintenance method for wafer inspection apparatus is provided having a thickness that.
  • the raising member on which the polishing wafer for polishing the contact terminal is interposed between the wafer and the chuck top is sealed when the chuck top moves to the probe card. Since the thickness is such that the polishing wafer is brought into contact with each contact terminal before, the polishing wafer comes into contact with each contact terminal before the space is sealed. That is, before the polishing wafer is brought into contact with each contact terminal, a repulsive force does not act on the chuck top, so that the polishing wafer can be brought into contact with each contact terminal appropriately. In addition, since it is not necessary to consider the decompression of the space and the relaxation of the pressure rise, the decompression process and the low-speed movement of the chuck top to the probe card are not necessary, thereby preventing a reduction in throughput.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a wafer inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a transfer stage and a tester in FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a transfer stage and a tester for explaining a state of polishing each probe in FIG.
  • FIGS. 5A to 5C are views for explaining the configuration of the polishing plate in FIG. 4, FIG. 5A is a side view, FIG. 5B is a plan view, and FIG.
  • 6A to 6D are process diagrams showing a probe polishing method as a maintenance method of the wafer inspection apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • 7A to 7C are process diagrams for explaining a state of contact between a wafer and a probe card in a prober as a conventional wafer inspection apparatus.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a wafer inspection apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • the internal configuration is shown transparently for easy understanding.
  • all the probes of the probe card come into contact with all the electrode pads and solder bumps of all the semiconductor devices formed on the wafer at one time, thereby This is a collective contact type wafer inspection apparatus for inspecting characteristics.
  • a wafer inspection apparatus 10 includes an inspection area 11 for inspecting electrical characteristics of each semiconductor device formed on a wafer W, and a wafer W, a polishing wafer 34 and a probe card 21 described later. And a loading / unloading area 12 for loading / unloading the wafer W and the like, and a transfer area 13 for transferring the wafer W or the like disposed between the loading / unloading area 12 and the inspection area 11.
  • a loading / unloading cell 14 is disposed in the loading / unloading area 12, and a receiving mechanism (not shown) for a FOUP 15 that is a container for the wafer W is disposed in the loading / unloading cell 14. Further, in the carry-in / out area 12, in addition to the carry-in / out cell 14, a temporary alignment cell (pre-aligner) 16 for aligning the wafer W before the inspection and a plate storage cell (a plurality of polishing wafers 34) are stored.
  • a stocker 17 is also arranged. The pre-aligner 16 is provided with a sub chuck 18 that vacuum-sucks the wafer W when the wafer W is aligned. Further, the stocker 17 stores each of the polishing wafers 34 in a state of being placed on a polishing plate 35 described later.
  • a transfer arm mechanism 19 is disposed in the transfer area 13, and the transfer arm mechanism 19 transfers the uninspected wafer W received from the FOUP 15 in the carry-in / out area 12 in the transfer area 13.
  • the wafer W after being placed on the top 23 is received from the chuck top 23 and transferred to the loading / unloading area 12.
  • a plurality of inspection units (testers) 20 are arranged in the inspection area 11.
  • the testers 20 are not partitioned from each other, and a plurality of testers 20 each having a probe card 21 are arranged in a space constituting the inspection region 11.
  • the inspection area 11 is divided into a plurality of floors, for example, the third floor, and a plurality of testers 20 are arranged on each floor, and a transfer stage 22 that moves between the testers 20 and an alignment device (aligner). And an alignment camera (both not shown) are arranged.
  • the transfer stage 22 is placed on the chuck top 23 mounted on the transfer stage 22 by placing the uninspected wafer W transferred to the boundary between the inspection area 11 and the transfer area 13 by the transfer arm mechanism 19.
  • the wafer W is moved so as to face the probe card 21.
  • the transfer stage 22 brings the wafer W and the chuck top 23 closer to the probe card 21, and finally brings the wafer W into contact with the probe card 21.
  • the tester 20 inspects the electrical characteristics of a plurality of semiconductor devices on the wafer W that is in contact with the probe card 21.
  • the transfer stage 22 transfers the inspected wafer W and the chuck top 23 to the boundary between the inspection area 11 and the transfer area 13, and transfers the inspected wafer W to the transfer arm. Delivered to mechanism 19.
  • the transfer arm mechanism 19 loads the inspected wafer W into the FOUP 15 of the loading / unloading cell 14.
  • the transfer arm mechanism 19 and the transfer stage 22 cooperate to carry out one wafer W from one FOUP 15 and carry it into one tester 20. While the electrical characteristics of the semiconductor device are being inspected, another wafer W unloaded from the other hoop 15 can be loaded into the other tester 20. Further, while the electrical characteristics of the semiconductor device of one wafer W are being inspected by one tester 20, the transfer arm mechanism 19 and the transfer stage 22 cooperate with each other after the inspection from the other tester 20. The wafer W can be unloaded and loaded into another hoop 15.
  • the transfer arm mechanism 19 and the transfer stage 22 cooperate with each other to sequentially load and unload the wafer W between the plurality of FOUPs 15 and the plurality of testers 20, so that the electric power of the semiconductor device of each wafer W can be efficiently obtained. Realistic inspection is realized.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the transfer stage and the tester in FIGS.
  • FIG. 3 shows a state in which the transfer stage 22 has brought the wafer W into contact with the probe card 21 of the tester 20.
  • the tester 20 includes a probe card 21, a pogo frame 24 as a plate-like base portion on which the probe card 21 is mounted, and a base 25 that supports the pogo frame 24.
  • the probe card 21 is arranged so as to protrude downward from the lower surface of the main body 26, a disk-shaped main body 26, a large number of electrodes (not shown) arranged on substantially the entire upper surface of the main body 26, and the like.
  • the probe 27 is a large number of needle-like contact terminals. Each electrode is connected to a corresponding probe 27, and each probe 27 comes into contact with an electrode pad or a solder bump of each semiconductor device formed on the wafer W when the wafer W comes into contact with the probe card 21.
  • the pogo frame 24 has a substantially flat body 28 and a plurality of pogo block insertion holes 29 that are perforated in the vicinity of the center of the main body 28.
  • the pogo block 30 formed by arranging the pogo pins is inserted.
  • the pogo block 30 is connected to an inspection circuit (not shown) included in the tester 20, and contacts a number of electrodes on the upper surface of the main body 28 of the probe card 21 mounted on the pogo frame 24, and is connected to the electrodes.
  • a current is supplied to each of the probes 27 of the wafer 21 and a current flowing from the electric circuit of each semiconductor device of the wafer W through the probes 27 is supplied to the inspection circuit.
  • the space between the pogo frame 24 and the base 25 is sealed with a seal member 31, and the pogo frame 24 is supported by the base 25 by evacuating the space.
  • the space between the pogo frame 24 and the probe card 21 is also sealed by the seal member 32, and the probe card 21 is mounted on the pogo frame 24 by evacuating the space.
  • the transfer stage 22 is composed of a flat plate member disposed below the tester 20, and the transfer stage 22 places and holds a chuck top 23, which is a thick plate member, and a wafer W is placed on the upper surface of the chuck top 23. Mounted and held.
  • the chuck top 23 is vacuum-sucked to the transfer stage 22 by a suction port (not shown) of the transfer stage 22, and the wafer W is suctioned to the chuck top 23 (hereinafter referred to as “chuck top suction port”) (not shown). ) Is sucked by vacuum onto the chuck top 23. Therefore, it is possible to prevent the chuck top 23 and the wafer W from moving relative to the transfer stage 22 when the transfer stage 22 moves.
  • the method for holding the chuck top 23 and the wafer W is not limited to vacuum suction, and any method that can prevent relative movement of the chuck top 23 and the wafer W with respect to the transfer stage 22 may be used. It may be.
  • the transfer stage 22 Since the transfer stage 22 is movable, the wafer W placed on the chuck top 23 can be moved to the lower side of the probe card 21 of the tester 20 to face the probe card 21 and moved toward the tester 20. Thus, the wafer W can be brought into contact with the probe card 21. Both the probe card 21 of the tester 20 and the chuck top 23 and the wafer W placed on the transfer stage 22 are arranged horizontally. Therefore, when the transfer stage 22 moves toward the tester 20, the wafer W uniformly contacts the probes 27.
  • the chuck top 23 has a lip seal 33 that is an elastic sealing member protruding toward the pogo frame 24 on the upper surface, that is, the surface facing the pogo frame 24.
  • the lip seal 33 contacts the lower surface of the main body 28 of the pogo frame 24.
  • a space S surrounded by the chuck top 23, the pogo frame 24, and the probe card 21 formed when the wafer W is pressed against the probe card 21 is sealed by a lip seal 33, and the space S is evacuated.
  • the chuck top 23 is pulled toward the pogo frame 24 and presses the wafer W against the probe card 21. Thereby, the contact state between each electrode pad and each solder bump in each semiconductor device on the wafer W and each probe 27 of the probe card 21 is maintained.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the transfer stage and the tester for explaining the state of each probe in FIG. 3 during polishing.
  • FIG. 4 shows a state in which the transfer stage 22 makes the polishing wafer 34 contact each probe 27 of the probe card 21.
  • a polishing plate 35 (raising member) made of a substantially disk-shaped member is placed on the upper surface of the chuck top 23, and a polishing wafer 34 is placed on the upper surface of the polishing plate 35. Since the upper surface and the lower surface of the polishing plate 35 are formed in parallel, the upper surface of the polishing plate 35 placed on the chuck top 23 arranged horizontally is also kept horizontal, and as a result, is placed on the upper surface of the polishing plate 35. The polishing wafer 34 to be placed is also kept horizontal. As a result, when the transfer stage 22 moves toward the tester 20, the polishing wafer 34 contacts the probes 27 evenly and polishes the probes 27 evenly.
  • the thickness of the polishing plate 35 is such that the lip seal 33 is brought into contact with the lower surface of the main body 28 of the pogo frame 24 when the transport stage 22 moves toward the tester 20.
  • the value is set so that the polishing wafer 34 placed on the probe card 21 comes into contact with each probe 27 of the probe card 21.
  • the thickness t 1 of the polishing plate 35, to the lower end of each probe 27 of the probe card 21 from the lower surface of the thickness t 2 and pogo frame 24 of the body 28 of the polishing wafer 34 the sum T of the protruding amount t 3 is set larger than the projection amount t 4 from the upper surface of the chuck top 23 of the lip seal 33.
  • the lip seal 33 does not abut on the lower surface of the main body 28 of the pogo frame 24, and the space surrounded by the chuck top 23, the pogo frame 24 and the probe card 21. S is not sealed by the lip seal 33, and the pressure in the space S does not increase.
  • the thickness of the polishing plate 35 is such that the lip seal 33 has the pogo frame 24.
  • the value is set so that the polishing wafer 34 placed on the polishing plate 35 is brought into contact with each probe 27 of the probe card 21 before contacting the lower surface of the main body 28.
  • the thickness of the polishing plate 35 is such that the lip seal 33 contacts the lower surface of the main body 26 of the probe card 21.
  • the value is set so that the polishing wafer 34 placed on the polishing plate 35 is brought into contact with each probe 27. That is, the thickness of the polishing plate 35 may be a value that allows the polishing wafer 34 placed on the polishing plate 35 to abut each probe 27 before the space S is sealed by the lip seal 33. .
  • FIG. 5A to 5C are views for explaining the configuration of the polishing plate in FIG. 4, FIG. 5A is a side view, FIG. 5B is a plan view, and FIG. 5C is a bottom view.
  • the polishing plate 35 has a plurality of suction grooves 36 formed on the upper surface on which the polishing wafer 34 is placed.
  • the suction groove 36 includes a plurality of radial grooves 36 a that spread radially from the center of the polishing plate 35 toward the outer periphery, and a plurality of circumferential grooves 36 b that are formed concentrically with respect to the center of the polishing plate 35.
  • the suction groove 36 is a groove having a cross section of several mm in both width and depth, and communicates with a through hole 37 described later.
  • the polishing plate 35 has a plurality of through holes 37 (communication holes) penetrating the polishing plate 35 in the thickness direction.
  • Each through hole 37 is opened on the lower surface of the polishing plate 35 so as to face the chuck top suction port.
  • the chuck top suction port can evacuate the inside of the suction groove 36 through each through hole 37, so that the polishing wafer 34 placed on the upper surface of the polishing plate 35 can be removed from the polishing plate 35. 35 can be vacuum-adsorbed. Further, when the polishing wafer 34 is vacuum-sucked to the polishing plate 35, the polishing wafer 34 presses the polishing plate 35 toward the chuck top 23.
  • a slightly wider suction groove 38 is formed on the lower surface of the polishing plate 35, and each through hole 37 opens into the suction groove 38. Therefore, even if each through hole 37 does not open so as to coincide with the chuck top suction port, the polishing wafer 34 is vacuum-sucked by the chuck top suction port only by making the suction groove 38 face the chuck top suction port. be able to.
  • the sub chuck 18 vacuum-adsorbs the polishing wafer 34 and the polishing plate 35.
  • the sub chuck 18 is smaller than the chuck top 23, and the suction port (hereinafter referred to as “sub chuck top suction port”) (not shown) of the sub chuck 18 is concentrated at the center of the sub chuck 18.
  • the suction groove 38 in which each through hole 37 opens is formed near the center of the polishing plate 35, for example, within 38 mm from the center.
  • the suction groove 38 can be opposed to the sub chuck top suction port that is concentrated on the center of the sub chuck 18, and the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 are vacuum suctioned by the sub chuck top suction port. be able to.
  • the polishing plate 35 has a plurality of, for example, four depressions 39 on the outer periphery of the upper surface. Each recess 39 is partially covered by the polishing wafer 34. Therefore, the polishing wafer 34 can be easily separated from the polishing plate 35 by inserting a thin plate member such as a ridge into each recess 39.
  • the polishing plate 35 has an alignment notch 40 at a position corresponding to the alignment notch of the polishing wafer 34. Since the notch 40 penetrates the polishing plate 35 in the thickness direction, the notch of the polishing wafer 34 can be confirmed from below even when the polishing wafer 34 is placed on the polishing plate 35. Accordingly, the polishing wafer 34 can be aligned while the polishing wafer 34 is placed on the polishing plate 35 in the pre-aligner 16 or the like. Further, the polishing plate 35 has an ID reading hole 41 that penetrates the polishing plate 35 in the thickness direction inside the notch 40.
  • the wafer ID formed inside the notch of the polishing wafer 34 can be read while the polishing wafer 34 is placed on the polishing plate 35, and the management process of the polishing wafer 34 is simplified. be able to.
  • the notch 40 and the ID reading hole 41 are collectively formed in one place in the polishing plate 35, the strength of the polishing plate 35 can be ensured as compared with the case where they are formed separately.
  • the polishing plate 35 has a plurality of recesses 42 formed on the lower surface by countersinking or the like. Moreover, each recessed part 42 is arrange
  • the polishing wafer 34 is made of silicon.
  • aluminum is inexpensive and lightweight and has high workability. It is preferable to use aluminum.
  • Aluminum may have a large difference in thermal expansion with silicon depending on the temperature range, but if it is around 85 ° C., the polishing wafer 34 will not be displaced from the polishing plate 35 due to the difference in thermal expansion.
  • the polishing plate 35 be made of silicon or silicon carbide.
  • silicon carbide has a thermal expansion coefficient equivalent to silicon in the entire temperature range. Therefore, it is possible to prevent the polishing wafer 34 from being displaced from the polishing plate 35 due to a difference in thermal expansion regardless of the polishing temperature of the polishing plate 35.
  • 6A to 6D are process diagrams showing a probe polishing method as a maintenance method of the wafer inspection apparatus according to the present embodiment.
  • the transfer arm mechanism 19 unloads the polishing wafer 34 from the stocker 17 while being placed on the polishing plate 35, and aligns the polishing wafer 34 in the pre-aligner 16. After that, it is transported to the boundary between the inspection area 11 and the transport area 13 (FIG. 6A). At this time, since the transfer arm mechanism 19 does not vacuum-suck the polishing wafer 34 or the polishing plate 35, the transfer arm mechanism 19 prevents the aligned polishing wafer 34 from shifting with respect to the polishing plate 35. The polishing wafer 34 and the polishing plate 35 are transferred at a speed slower than the speed at which the wafer W is transferred.
  • the transfer stage 22 of one tester 20 places the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 transferred by the transfer arm mechanism 19 on the chuck top 23 mounted on the transfer stage 22.
  • the chuck top 23 vacuum-sucks the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 through the chuck top suction port (FIG. 6B).
  • the transfer stage 22 moves horizontally, and the polishing plate 35 and the polishing wafer 34 placed on the chuck top 23 are opposed to the probe card 21 (FIG. 6C). Further, the transfer stage 22 moves upward to bring the polishing plate 35 and the polishing wafer 34 closer to the probe card 21 (FIG. 6D).
  • the projection amount to the lower end of each probe 27 of the probe card 21 from the lower surface of the polishing thickness t 1 of the plate 35, polishing the wafer 34 of thickness t 2 and pogo frame 24 of the body 28 Since the total value T of t 3 is set to be larger than the protruding amount t 4 of the lip seal 33 from the upper surface of the chuck top 23, the lip seal 33 is polished before contacting the lower surface of the main body 28 of the pogo frame 24.
  • the wafer 34 comes into contact with each probe 27. At this time, each probe 27 is polished by the polishing wafer 34.
  • the transfer stage 22 moves the polishing wafer 34 away from the probe card 21 and transfers the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 to the boundary between the inspection region 11 and the transfer region 13, and the polishing wafer 34 and the polishing plate are transferred. 35 is transferred to the transfer arm mechanism 19. Thereafter, the transfer arm mechanism 19 carries the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 into the stocker 17 and ends the present method.
  • the polishing plate 35 mounted on the chuck top 23 and mounting the polishing wafer 34 has the lip seal 33 in the space S when the transfer stage 22 moves toward the tester 20. Therefore, the polishing wafer 34 comes into contact with each probe 27 before the space S is sealed. That is, before the polishing wafer 34 is brought into contact with each probe 27, the repulsive force due to the pressure increase in the space S does not act on the chuck top 23, so that the polishing wafer 34 is appropriately applied to each probe 27. Can be touched. In addition, since it is not necessary to consider the pressure reduction of the space S or the relaxation of the pressure increase, the pressure reduction process and the low-speed movement of the transfer stage 22 toward the tester 20 are not necessary, thereby preventing a reduction in throughput. .
  • the polishing plate 35 has a plurality of suction grooves 36 formed on the upper surface, and the suction groove 36 is evacuated to vacuum the polishing wafer 34 to the polishing plate 35.
  • Adsorb That is, since the polishing wafer 34 is vacuum-sucked by the suction groove 36, it is not necessary to evacuate between the upper surface of the polishing plate 35 other than the suction groove 36 and the polishing wafer 34, and a vacuum heat insulating layer is formed. Can be prevented. Thereby, the heat transfer property between the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 can be improved, and the occurrence of a difference in thermal expansion between the polishing wafer 34 and the polishing plate 35 can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the polishing wafer 34 from being displaced from the polishing plate 35.

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Abstract

スループットを低下させることなく研磨用ウエハをプローブへ適切に当接させることができるウエハ検査装置を提供する。研磨用プレート３５の厚さｔ１、研磨用ウエハ３４の厚さｔ２及びポゴフレーム２４の本体２８の下面からプローブカード２１の各プローブ２７の下端までの突出量ｔ３の合計値Ｔが、リップシール３３のチャックトップ２３の上面からの突出量ｔ４よりも大きく設定される。

Description

ウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法
　本発明は、ウエハ検査用のプローブカードの針状のプローブを研磨するウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法に関する。
　多数の半導体デバイスが形成されたウエハの検査を行うために、検査装置としてプローバが用いられている。プローバはウエハと対向するプローブカードを備え、プローブカードは、ウエハの半導体デバイスの各電極パッドや各半田バンプと対向するように配置された複数の針状接触端子であるプローブを備える。プローバでは、ウエハをプローブカードへ押し当てるように真空吸着させ、プローブカードの各プローブを半導体デバイスにおける電極パッドや半田バンプと接触させる（例えば、特許文献１参照。）。このとき、各プローブから各電極パッドや各半田バンプに接続された半導体デバイスの電気回路へ電気を流すことによって半導体デバイスの電気的特性を検査する。
　ところが、ウエハの剛性は低いため、ウエハのみをプローブカードへ真空吸着させるとウエハが反って各電極パッドや各半田バンプがプローブカードの各プローブへ均等に接触しないことがある。そこで、ウエハとともにウエハを載置する厚板部材であるチャックトップをプローブカードへ真空吸着させ、該チャックトップによってウエハの反りを抑制することが提案されている。具体的には、図７Ａに示すように、基部であるポゴフレーム７０に装着されたプローブカード７１へチャックトップ７２に載置されたウエハＷを対向させる。チャックトップ７２からはポゴフレーム７０へ向けて弾性密封部材であるリップシール７３が突出する。その後、チャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて移動させ、リップシール７３をポゴフレーム７０へ当接させることにより、チャックトップ７２及びポゴフレーム７０の間の空間Ｓを密封する。ウエハＷがプローブカード７１へ押し当てられた後は空間Ｓが減圧されることにより、ウエハＷがチャックトップ７２ごとポゴフレーム７０へ引き寄せられ、ウエハＷのプローブカード７１への当接状態が維持される。このとき、リップシール７３は圧縮される（図７Ｂ）。
　ところで、プローブカード７１を用いたウエハＷの検査を繰り返すと、各電極パッドや各半田バンプとプローブカード７１の各プローブ７４との接触が繰り返され、各プローブ７４が摩耗する。したがって、定期的に各プローブ７４を研磨する必要がある。各プローブ７４を研磨する際には、研磨用ウエハを各プローブ７４へ当接させる。
特開２０１４−２９９１７号公報
　しかしながら、上述したチャックトップ７２を用いてウエハＷをプローブカード７１へ押し当てる方法では、チャックトップ７２に研磨用ウエハ７５を載置してチャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて移動させると、研磨用ウエハ７５が各プローブ７４に当接する前に、リップシール７３がポゴフレーム７０へ当接してチャックトップ７２及びポゴフレーム７０の間に空間Ｓが形成される（図７Ｃ）。その後、さらに、チャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて移動させると、空間Ｓの圧力が上昇してチャックトップ７２に反発力が作用し、結果として研磨用ウエハ７５が各プローブ７４へ適切に当接しないという問題がある。
　空間Ｓの圧力の上昇を防止するために空間Ｓを減圧することも考えられるが、この場合、減圧工程に時間を要する。また、空間Ｓの圧力の上昇を緩やかにすることによって空間Ｓの圧力上昇を緩和し、研磨用ウエハ７５を各プローブ７４へ適切に当接させることも考えられるが、この場合、チャックトップ７２をポゴフレーム７０へ向けて低速で移動させる必要がある。すなわち、スループットが低下するという問題がある。
　本発明の目的は、スループットを低下させることなく研磨用ウエハをプローブへ適切に当接させることができるウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法を提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置において、前記チャックトップに載置され、前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置する嵩上げ部材を備え、前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有するウエハ検査装置が提供される。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置のメンテナンス方法であって、前記チャックトップへ嵩上げ部材を載置し、さらに、前記嵩上げ部材へ前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置し、前記チャックトップを前記プローブカードへ移動させ、前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有するウエハ検査装置のメンテナンス方法が提供される。
　本発明によれば、ウエハ及びチャックトップの間に介在して接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置する嵩上げ部材は、チャックトップがプローブカードへ移動する際、シールが空間を密封する前に研磨用ウエハを各接触端子へ当接させる厚みを有するので、上記空間が密封される前に研磨用ウエハが各接触端子へ当接する。すなわち、研磨用ウエハを各接触端子へ当接させる前にチャックトップへ反発力が作用することがなく、もって、研磨用ウエハを各接触端子へ適切に当接させることができる。また、空間の減圧や圧力上昇緩和を考慮する必要が無いので、減圧工程やプローブカードへのチャックトップの低速移動が不要であり、もって、スループットの低下を防止することができる。
　［図１］本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置の構成を概略的に示す平面図である。
　［図２］図１における線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
　［図３］図１及び図２における搬送ステージ及びテスターの構成を概略的に示す断面図である。
　［図４］図３における各プローブの研磨時の様子を説明するための搬送ステージ及びテスターの断面図である。
　［図５Ａ乃至図５Ｃ］図４における研磨用プレートの構成を説明するための図であり、図５Ａは側面図であり、図５Ｂは平面図であり、図５Ｃは底面図である。
　［図６Ａ乃至図６Ｄ］本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置のメンテナンス方法としてのプローブの研磨方法を示す工程図である。
　［図７Ａ乃至図７Ｃ］従来のウエハ検査装置としてのプローバにおけるウエハ及びプローブカードの当接の様子を説明するための工程図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
　図１は、本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置の構成を概略的に示す平面図であり、図２は、図１における線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。なお、図１では理解を容易にするために内部の構成が透過して示される。本実施の形態に係るウエハ検査装置は、ウエハに形成された全ての半導体デバイスにおける全ての電極パッドや半田バンプへ、プローブカードの全てのプローブが一度に当接することにより、各半導体デバイスの電気的特性を検査する一括接触型のウエハ検査装置である。
　図１において、ウエハ検査装置１０は、ウエハＷに形成された各半導体デバイスの電気的特性を検査する検査領域１１と、当該ウエハ検査装置１０にウエハＷ、後述する研磨用ウエハ３４やプローブカード２１等の搬出入を行う搬出入領域１２と、該搬出入領域１２及び検査領域１１の間に配置されてウエハＷ等の搬送を行う搬送領域１３とを備える。
　搬出入領域１２には搬出入用セル１４が配置され、搬出入用セル１４には、ウエハＷの容器であるフープ１５の受け入れ機構（図示しない）が配置される。また、搬出入領域１２には、搬出入用セル１４の他に検査前のウエハＷの位置合わせを行う仮位置合わせセル（プレアライナー）１６や複数の研磨用ウエハ３４を格納するプレート格納セル（ストッカー）１７も配置される。なお、プレアライナー１６にはウエハＷの位置合わせ時にウエハＷを真空吸着するサブチャック１８が配置される。また、ストッカー１７には、研磨用ウエハ３４の各々が後述する研磨用プレート３５に載置された状態で格納される。
　搬送領域１３には搬送アーム機構１９が配置され、該搬送アーム機構１９は、搬出入領域１２のフープ１５から受け取った検査前のウエハＷを搬送領域１３において搬送し、検査領域１１において後述のチャックトップ２３へ載置すると共に、検査後のウエハＷをチャックトップ２３から受け取って搬出入領域１２まで搬送する。
　検査領域１１には複数の検査部（テスター）２０が配置される。各テスター２０は相互に区画されず、検査領域１１を構成する空間に、それぞれプローブカード２１を有する複数のテスター２０が配列されている。
　図２において、検査領域１１は、複数階、例えば、３階に分かれ、各階に複数のテスター２０が配置され、各テスター２０の相互間を移動する搬送ステージ２２、並びに、位置合わせ装置（アライナー）及び位置合わせ用カメラ（いずれも図示しない）がそれぞれ配置される。
　搬送ステージ２２は、搬送アーム機構１９によって検査領域１１及び搬送領域１３の境界まで搬送された検査前のウエハＷを当該搬送ステージ２２に載置されたチャックトップ２３上に載置させ、載置されたウエハＷを移動させてプローブカード２１と対向させる。その後、搬送ステージ２２は、ウエハＷ及びチャックトップ２３をプローブカード２１へ接近させ、最終的に、ウエハＷをプローブカード２１に当接させる。テスター２０は、プローブカード２１に当接されたウエハＷの複数の半導体デバイスの電気的特性を検査する。半導体デバイスの電気的特性の検査が終了した後、搬送ステージ２２は、検査後のウエハＷ及びチャックトップ２３を検査領域１１及び搬送領域１３の境界部まで搬送し、検査後のウエハＷを搬送アーム機構１９に受け渡す。その後、搬送アーム機構１９は、検査後のウエハＷを搬出入用セル１４のフープ１５へ搬入する。
　ウエハ検査装置１０では、搬送アーム機構１９及び搬送ステージ２２が協働して一のフープ１５から一のウエハＷを搬出して一のテスター２０に搬入するが、一のテスター２０で一のウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査が行われている間に、他のフープ１５から搬出した他のウエハＷを他のテスター２０に搬入することができる。また、一のテスター２０で一のウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査が行われている間に、搬送アーム機構１９及び搬送ステージ２２が協働して他のテスター２０から検査後の他のウエハＷを搬出して他のフープ１５に搬入することもできる。すなわち、搬送アーム機構１９及び搬送ステージ２２は、協働して複数のフープ１５及び複数のテスター２０の間で順次ウエハＷの搬出入を行うことにより、効率的な各ウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査を実現する。
　図３は、図１及び図２における搬送ステージ及びテスターの構成を概略的に示す断面図である。なお、図３は、搬送ステージ２２がウエハＷをテスター２０のプローブカード２１へ当接させた状態を示す。
　図３において、テスター２０は、プローブカード２１と、該プローブカード２１が下部に装着される板状基部としてのポゴフレーム２４と、ポゴフレーム２４を釣支するベース２５とを備える。
　プローブカード２１は、円板状の本体２６と、該本体２６の上面のほぼ一面に配置される多数の電極（図示しない）と、本体２６の下面から図中下方へ向けて突出するように配置される多数の針状接触端子であるプローブ２７とを有する。各電極は対応する各プローブ２７と接続され、各プローブ２７は、プローブカード２１へウエハＷが当接した際、該ウエハＷに形成された各半導体デバイスの電極パッドや半田バンプと接触する。
　ポゴフレーム２４は、略平板状の本体２８と、該本体２８の中央部近辺に穿設された複数の貫通穴であるポゴブロック挿嵌穴２９とを有し、各ポゴブロック挿嵌穴２９には多数のポゴピンが配列されて形成されるポゴブロック３０が挿嵌される。ポゴブロック３０はテスター２０が有する検査回路（図示しない）に接続されるとともに、ポゴフレーム２４へ装着されたプローブカード２１における本体２８の上面の多数の電極へ接触し、該電極に接続されるプローブカード２１の各プローブ２７へ電流を流すとともに、ウエハＷの各半導体デバイスの電気回路から各プローブ２７を介して流れてきた電流を検査回路へ向けて流す。
　テスター２０では、ポゴフレーム２４及びベース２５の間の空間はシール部材３１で密封され、該空間が真空引きされることによってポゴフレーム２４がベース２５に釣支される。ポゴフレーム２４及びプローブカード２１の間の空間もシール部材３２で密封され、該空間が真空引きされることによってプローブカード２１がポゴフレーム２４に装着される。
　搬送ステージ２２はテスター２０の下方に配置される平板状部材からなり、該搬送ステージ２２は厚板部材であるチャックトップ２３を載置して保持し、該チャックトップ２３の上面にはウエハＷが載置されて保持される。チャックトップ２３は搬送ステージ２２が有する吸着口（図示しない）によって当該搬送ステージ２２へ真空吸着され、ウエハＷはチャックトップ２３が有する吸着口（以下、「チャックトップ吸着口」という。）（図示しない）によって当該チャックトップ２３に真空吸着される。したがって、搬送ステージ２２が移動する際、チャックトップ２３やウエハＷが搬送ステージ２２に対して相対的に移動するのを防止することができる。なお、チャックトップ２３やウエハＷの保持方法は真空吸着に限られず、チャックトップ２３やウエハＷの搬送ステージ２２に対する相対的な移動を防止できる方法であればよく、例えば、電磁吸着やクランプによる保持であってもよい。
　搬送ステージ２２は移動自在であるため、テスター２０のプローブカード２１の下方へ移動してチャックトップ２３に載置されたウエハＷをプローブカード２１へ対向させることができるとともに、テスター２０へ向けて移動してウエハＷをプローブカード２１に当接させることができる。テスター２０のプローブカード２１、搬送ステージ２２に載置されたチャックトップ２３やウエハＷはいずれも水平に配置される。したがって、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、ウエハＷは各プローブ２７と満遍なく当接する。
　チャックトップ２３は、上面、すなわち、ポゴフレーム２４に対向する面において、ポゴフレーム２４へ向けて突出する弾性密封部材であるリップシール３３を有する。搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動してウエハＷがプローブカード２１へ押し当てられる際、リップシール３３はポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する。ウエハＷがプローブカード２１へ押し当てられた際に形成される、チャックトップ２３、ポゴフレーム２４及びプローブカード２１が囲む空間Ｓはリップシール３３によって密封され、該空間Ｓが真空引きされることによってチャックトップ２３がポゴフレーム２４へ引き寄せられ、ウエハＷをプローブカード２１へ押し当てる。これにより、ウエハＷの各半導体デバイスにおける各電極パッドや各半田バンプと、プローブカード２１の各プローブ２７との当接状態が維持される。
　図４は、図３における各プローブの研磨時の様子を説明するための搬送ステージ及びテスターの断面図である。なお、図４は、搬送ステージ２２が研磨用ウエハ３４をプローブカード２１の各プローブ２７へ当接させた状態を示す。
　図４において、チャックトップ２３の上面には略円板状部材からなる研磨用プレート３５（嵩上げ部材）が載置され、該研磨用プレート３５の上面には研磨用ウエハ３４が載置される。研磨用プレート３５の上面及び下面は平行に形成されるため、水平に配置されるチャックトップ２３に載置される研磨用プレート３５の上面も水平を保ち、結果として研磨用プレート３５の上面に載置される研磨用ウエハ３４も水平を保つ。その結果、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、研磨用ウエハ３４は各プローブ２７と満遍なく当接し、各プローブ２７を均等に研磨する。
　本実施の形態において、研磨用プレート３５の厚さは、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４をプローブカード２１の各プローブ２７へ当接させる値に設定される。具体的には、本実施の形態において、研磨用プレート３５の厚さｔ１、研磨用ウエハ３４の厚さｔ２及びポゴフレーム２４の本体２８の下面からプローブカード２１の各プローブ２７の下端までの突出量ｔ３の合計値Ｔが、リップシール３３のチャックトップ２３の上面からの突出量ｔ４よりも大きく設定される。これにより、研磨用ウエハ３４が各プローブ２７へ当接した際、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接することがなく、チャックトップ２３、ポゴフレーム２４及びプローブカード２１が囲む空間Ｓがリップシール３３によって密封されず、空間Ｓの圧力が高まることもない。
　なお、本実施の形態では、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面に当接することによって空間Ｓが形成されるため、研磨用プレート３５の厚さは、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４をプローブカード２１の各プローブ２７へ当接させる値に設定される。しかしながら、リップシール３３がプローブカード２１の本体２６の下面に当接することによって空間Ｓが形成される場合、研磨用プレート３５の厚さは、リップシール３３がプローブカード２１の本体２６の下面へ当接する前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる値に設定される。すなわち、研磨用プレート３５の厚さは、空間Ｓがリップシール３３によって密封される前に、研磨用プレート３５に載置された研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる値であればよい。
　図５Ａ乃至図５Ｃは、図４における研磨用プレートの構成を説明するための図であり、図５Ａは側面図であり、図５Ｂは平面図であり、図５Ｃは底面図である。
　図５Ａ乃至図５Ｃにおいて、研磨用プレート３５は、研磨用ウエハ３４が載置される上面に形成される複数の吸着溝３６を有する。吸着溝３６は、研磨用プレート３５の中心から外周へ向けて放射状に広がる複数の放射溝３６ａと、研磨用プレート３５の中心に関して同心円状に形成される複数の円周溝３６ｂとを有する。吸着溝３６は幅、深さとも数ｍｍの断面を有する溝であり、後述する貫通穴３７と連通する。
　研磨用プレート３５は、厚さ方向に当該研磨用プレート３５を貫通する複数の貫通穴３７（連通穴）を有する。各貫通穴３７は研磨用プレート３５の下面においてチャックトップ吸着口と対向するように開口する。これにより、チャックトップ吸着口は、各貫通穴３７を介して吸着溝３６の内部を真空引きすることができ、もって、研磨用プレート３５の上面に載置される研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５へ真空吸着することができる。また、研磨用ウエハ３４が研磨用プレート３５へ真空吸着される際、研磨用ウエハ３４は研磨用プレート３５をチャックトップ２３へ向けて押圧する。したがって、搬送ステージ２２が移動する際、研磨用プレート３５や研磨用ウエハ３４がチャックトップ２３に対して相対的に移動するのを防止することができる。また、研磨用プレート３５の下面にはやや幅広の吸着溝３８が形成され、各貫通穴３７は吸着溝３８内に開口する。したがって、各貫通穴３７がチャックトップ吸着口と一致するように開口していなくても、吸着溝３８をチャックトップ吸着口に対向させるだけで、チャックトップ吸着口によって研磨用ウエハ３４を真空吸着することができる。
　ところで、ウエハ検査装置１０では、プレアライナー１６において研磨用ウエハ３４は研磨用プレート３５に載置されたまま位置合わせが行われるため、サブチャック１８は研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を真空吸着する必要があるが、サブチャック１８はチャックトップ２３よりも小さく、サブチャック１８が有する吸着口（以下、「サブチャックトップ吸着口」という。）（図示しない）はサブチャック１８の中心に集中して配置される。これに対応して、研磨用プレート３５では、各貫通穴３７が開口する吸着溝３８が当該研磨用プレート３５の中心近傍、例えば、中心から３８ｍｍ以内に形成される。これにより、吸着溝３８をサブチャック１８の中心に集中して配置されるサブチャックトップ吸着口と対向させることができ、サブチャックトップ吸着口によって研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を真空吸着することができる。
　研磨用プレート３５は上面の外周において複数、例えば、４つの窪み３９を有する。各窪み３９は研磨用ウエハ３４によって一部が覆われる。したがって、各窪み３９に篦等の薄板部材を挿入することにより、研磨用プレート３５から研磨用ウエハ３４を容易に剥離させることができる。
　また、研磨用プレート３５は、研磨用ウエハ３４の位置合わせ用のノッチに対応する位置に位置合わせ用の切り欠き４０を有する。該切り欠き４０は研磨用プレート３５を厚み方向に貫通するため、研磨用プレート３５に研磨用ウエハ３４が載置されても、研磨用ウエハ３４のノッチを下方から確認することができる。これにより、プレアライナー１６等において研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５に載置させたまま、当該研磨用ウエハ３４の位置合わせを行うことができる。さらに、研磨用プレート３５は、切り欠き４０の内側に研磨用プレート３５を厚み方向に貫通するＩＤ読み取り穴４１を有する。これにより、研磨用ウエハ３４のノッチの内側に形成されるウエハＩＤを、研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５に載置させたまま読み取ることができ、研磨用ウエハ３４の管理工程を簡素化することができる。なお、研磨用プレート３５において切り欠き４０及びＩＤ読み取り穴４１は１箇所にまとめて形成されるため、これらを分離して形成する場合よりも研磨用プレート３５の強度を確保することができる。
　さらに、研磨用プレート３５は、下面において座繰り加工等によって形成される複数の凹部４２を有する。また、各凹部４２は上面の吸着溝３６と対向しないように配置される。これにより、研磨用プレート３５の強度を確保しつつ、研磨用プレート３５を軽量化することができる。
　研磨用ウエハ３４は珪素からなるが、高温域、例えば、８５℃近傍において研磨用ウエハ３４によって各プローブ２７を研磨する場合、アルミニウムは安価かつ軽量であり加工性も高いため、研磨用プレート３５をアルミニウムで構成するのが好ましい。アルミニウムは、温度域によって珪素との熱膨張量差が大きいことがあるが、８５℃近傍であれば研磨用ウエハ３４が熱膨張量差によって研磨用プレート３５に対してずれることがない。また、高温域だけでなく低温域、例えば、−３０℃近傍でも各プローブ２７を研磨する場合、研磨用プレート３５を珪素や炭化硅素で構成するのが好ましい。特に、炭化硅素は全温度域において珪素と同等の熱膨張率を有する。したがって、研磨用プレート３５の研磨時の温度にかかわらず、研磨用ウエハ３４が熱膨張量差によって研磨用プレート３５に対してずれるのを防止することができる。
　図６Ａ乃至図６Ｄは、本実施の形態に係るウエハ検査装置のメンテナンス方法としてのプローブの研磨方法を示す工程図である。
　図６Ａ乃至図６Ｄにおいて、まず、搬送アーム機構１９が、ストッカー１７から研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５に載置された状態で搬出し、プレアライナー１６において研磨用ウエハ３４の位置合わせを行った後、検査領域１１及び搬送領域１３の境界まで搬送する（図６Ａ）。このとき、搬送アーム機構１９は研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を真空吸着しないため、搬送アーム機構１９は、位置合わせされた研磨用ウエハ３４が研磨用プレート３５に対してずれないように、研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を、ウエハＷを搬送するときの速度よりも遅い速度で搬送する。
　次いで、一のテスター２０の搬送ステージ２２は、搬送アーム機構１９によって搬送された研磨用ウエハ３４や研磨用プレート３５を当該搬送ステージ２２に載置されたチャックトップ２３上に載置させる。このとき、チャックトップ２３はチャックトップ吸着口によって研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５を真空吸着する（図６Ｂ）。
　次いで、搬送ステージ２２は水平に移動し、チャックトップ２３上に載置された研磨用プレート３５及び研磨用ウエハ３４をプローブカード２１に対向させる（図６Ｃ）。さらに、搬送ステージ２２は上方に移動し、研磨用プレート３５及び研磨用ウエハ３４をプローブカード２１へ接近させる（図６Ｄ）。このとき、上述したように、研磨用プレート３５の厚さｔ１、研磨用ウエハ３４の厚さｔ２及びポゴフレーム２４の本体２８の下面からプローブカード２１の各プローブ２７の下端までの突出量ｔ３の合計値Ｔが、リップシール３３のチャックトップ２３の上面からの突出量ｔ４よりも大きく設定されるため、リップシール３３がポゴフレーム２４の本体２８の下面へ当接する前に、研磨用ウエハ３４が各プローブ２７へ当接する。このとき、各プローブ２７は研磨用ウエハ３４によって研磨される。
　その後、搬送ステージ２２は研磨用ウエハ３４をプローブカード２１から離間させ、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５を検査領域１１及び搬送領域１３の境界部まで搬送し、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５を搬送アーム機構１９に受け渡す。その後、搬送アーム機構１９は研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５をストッカー１７へ搬入し、本方法を終了する。
　本実施の形態によれば、チャックトップ２３に載置され、且つ研磨用ウエハ３４を載置する研磨用プレート３５は、搬送ステージ２２がテスター２０へ向けて移動する際、リップシール３３が空間Ｓを密封する前に研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる厚みを有するので、上記空間Ｓが密封される前に研磨用ウエハ３４が各プローブ２７へ当接する。すなわち、研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ当接させる前にチャックトップ２３へ空間Ｓの圧力上昇に伴う反発力が作用することがなく、もって、研磨用ウエハ３４を各プローブ２７へ適切に当接させることができる。また、空間Ｓの減圧や圧力上昇の緩和を考慮する必要が無いので、減圧工程や搬送ステージ２２のテスター２０へ向けての低速移動が不要であり、もって、スループットの低下を防止することができる。
　また、本実施の形態では、研磨用プレート３５が上面に形成される複数の吸着溝３６を有し、吸着溝３６の内部を真空引きすることにより、研磨用ウエハ３４を研磨用プレート３５へ真空吸着する。すなわち、吸着溝３６によって研磨用ウエハ３４を真空吸着するため、吸着溝３６以外の研磨用プレート３５の上面と、研磨用ウエハ３４との間を真空引きする必要が無く、真空断熱層が形成されるのを防ぐことができる。これにより、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５の間の熱伝達性を改善することができ、研磨用ウエハ３４及び研磨用プレート３５の熱膨張量差が生じるのを抑制することができる。その結果、研磨用ウエハ３４が研磨用プレート３５に対してずれるのを抑制することができる。
　以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
　本出願は、２０１５年１２月１７日に出願された日本出願第２０１５−２４６１８０号に基づく優先権を主張するものであり、当該日本出願に記載された全内容を本出願に援用する。
Ｓ　空間
Ｗ　ウエハ
１０　ウエハ検査装置
２１　プローブカード
２３　チャックトップ
２７　プローブ
３４　研磨用ウエハ
３５　研磨用プレート
３７　貫通穴

Claims (6)

  1. 　ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置において、
    　前記チャックトップに載置され、前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置する嵩上げ部材を備え、
    　前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有することを特徴とするウエハ検査装置。
  2. 　前記チャックトップは真空吸着を行う吸着口を有し、
    　前記嵩上げ部材は前記吸着口と前記嵩上げ部材に載置される前記研磨用ウエハとを連通させる連通穴を有することを特徴とする請求項１記載のウエハ検査装置。
  3. 　前記嵩上げ部材はアルミニウムからなることを特徴とする請求項１又は２記載のウエハ検査装置。
  4. 　前記嵩上げ部材は珪素又は炭化硅素からなることを特徴とする請求項１又は２記載のウエハ検査装置。
  5. 　ウエハへ向けて突出する多数の接触端子を有するプローブカードと、前記ウエハを載置して前記プローブカードに対向する厚板部材としてのチャックトップと、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際に前記プローブカード及び前記チャックトップの間の空間を密封するシールとを備えるウエハ検査装置のメンテナンス方法であって、
    　前記チャックトップへ嵩上げ部材を載置し、さらに、前記嵩上げ部材へ前記接触端子を研磨するための研磨用ウエハを載置し、
    　前記チャックトップを前記プローブカードへ移動させ、
    　前記嵩上げ部材は、前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記シールが前記空間を密封する前に前記研磨用ウエハを各前記接触端子へ当接させる厚みを有することを特徴とするウエハ検査装置のメンテナンス方法。
  6. 　前記チャックトップは真空吸着を行う吸着口を有し、
    　前記嵩上げ部材は、前記吸着口と前記嵩上げ部材に載置される前記研磨用ウエハを連通させる連通穴とを有し、
    　前記チャックトップが前記プローブカードへ移動する際、前記吸着口は前記連通穴を介して前記研磨用ウエハを吸着することを特徴とする請求項５記載のウエハ検査装置のメンテナンス方法。
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