TWI688777B - 晶圓檢查裝置及其維護方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種不會使生產率降低而可使研磨用晶圓適切地抵接於探針之晶圓檢查裝置。

將研磨用板體(35)的厚度t1、研磨用晶圓(34)的厚度t2及從彈性框架(24)之本體(28)的下面起至探針卡(21)之各探針(27)的下端之突出量t3的合計值T，設定成大於從唇密封(33)之吸盤頂(23)之上面的突出量t4。

Description

晶圓檢查裝置及其維護方法
本發明，係關於研磨晶圓檢查用之探針卡之針狀之探針的晶圓檢查裝置及其維護方法。
為了進行形成有多數個半導體元件之晶圓的檢查，而使用針測機作為檢查裝置。針測機，係具備有與晶圓相對向的探針卡，探針卡，係具備有配置為與晶圓之半導體元件的各電極焊墊或各焊錫凸塊相對向的複數個針狀接觸端子即探針。針測機，係以將晶圓抵靠於探針卡的方式而予以真空吸附，使探針卡之各探針與半導體元件中之電極焊墊或焊錫凸塊接觸(例如，參閱專利文獻1。)。此時，使電氣從各探針流至連接於各電極焊墊或各焊錫凸塊之半導體元件的電路，藉此，檢查半導體元件的電性特性。
然而，由於晶圓的剛性低，因此，當僅使晶圓真空吸附於探針卡時，則存在有晶圓翹曲而各電極焊墊或各焊錫凸塊不均等地接觸於探針卡之各探針的情形。因此，提出如下述之方案：使晶圓與載置晶圓的厚板構件即 吸盤頂一起真空吸附於探針卡，藉由該吸盤頂以抑制晶圓的翹曲。具體而言，係如圖7(A)所示，使載置於吸盤頂72的晶圓W與裝設於基部即彈性框架70的探針卡71相對向。彈性密封構件即唇密封73從吸盤頂72朝向彈性框架70突出。其後，使吸盤頂72朝向彈性框架70移動，並使唇密封73抵接於彈性框架70，藉此，將吸盤頂72及彈性框架70之間的空間S密封。晶圓W被抵靠於探針卡71後，係藉由空間S經減壓的方式，使晶圓W針對每一吸盤頂72而拉近至彈性框架70，維持晶圓W朝探針卡71的抵接狀態。此時，唇密封73會被壓縮(圖7(B))。
然而，當重複使用了探針卡71之晶圓W的檢查時，則各電極焊墊或各焊錫凸塊與探針卡71之各探針74的接觸會重複，使得各探針74磨耗。因此，必需定期地研磨各探針74。在研磨各探針74之際，係使研磨用晶圓抵接於各探針74。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-29917號公報
然而，在使用上述之吸盤頂72且將晶圓W抵 靠於探針卡的方法中，係當將研磨用晶圓75載置於吸盤頂72而使吸盤頂72朝向彈性框架70移動時，則在研磨用晶圓75抵接於各探針74之前，唇密封73便朝彈性框架70抵接，在吸盤頂72及彈性框架70之間形成空間S(圖7(C))。其後，當進一步使吸盤頂72朝向彈性框架70移動時，則空間S的壓力上升，排斥力便作用於吸盤頂72，作為結果，研磨用晶圓75有不適切地抵接於各探針74的問題。
為了防止空間S之壓力的上升，雖亦考慮對空間S進行減壓，但在該情況下，減壓工程需要時間。又，雖亦考慮使空間S之壓力的上升變緩和，藉此，緩和空間S之壓力上升而使研磨用晶圓75適切地抵接於各探針74，但在該情況下，必需使吸盤頂72低速地朝向彈性框架70移動。亦即，生產率有降低的問題。
本發明之目的，係在於提供一種不會使生產率降低而可使研磨用晶圓適切地抵接於探針之晶圓檢查裝置及其維護方法。
為了達成上述目的，本發明之晶圓檢查裝置，係具備有探針卡、吸盤頂及密封件，該探針卡，係具有朝向晶圓突出的多數個接觸端子，該吸盤頂，係作為載置前述晶圓而與前述探針卡相對向的厚板構件，該密封件，係在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，密封前述探 針卡及前述吸盤頂之間的空間，該晶圓檢查裝置，其特徵係，具備有：隆起構件，載置於前述吸盤頂，並載置用以研磨前述接觸端子的研磨用晶圓，前述隆起構件，係具有在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，在前述密封件密封前述空間之前，使前述研磨用晶圓抵接於各前述接觸端子的厚度。
為了達成上述目的，本發明之晶圓檢查裝置之維護方法，係具備有探針卡、吸盤頂及密封件之晶圓檢查裝置之維護方法，該探針卡，係具有朝向晶圓突出的多數個接觸端子，該吸盤頂，係作為載置前述晶圓而與前述探針卡相對向的厚板構件，該密封件，係在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，密封前述探針卡及前述吸盤頂之間的空間，該晶圓檢查裝置之維護方法，其特徵係，將隆起構件載置於前述吸盤頂，而且，將用以研磨前述接觸端子之研磨用晶圓載置於前述隆起構件，使前述吸盤頂朝前述探針卡移動，前述隆起構件，係具有在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，在前述密封件密封前述空間之前，使前述研磨用晶圓抵接於各前述接觸端子的厚度。
根據本發明，由於介設於晶圓及吸盤頂之間而載置用以研磨接觸端子之研磨用晶圓的隆起構件，係具有在吸盤頂朝探針卡移動之際，在密封件密封空間之前，使研磨用晶圓抵接於各接觸端子的厚度，因此，在上述空 間被密封之前，研磨用晶圓抵接於各接觸端子。亦即，在使研磨用晶圓抵接於各接觸端子之前，排斥力並不會作用於吸盤頂，並且，可使研磨用晶圓適切地抵接於各接觸端子。又，由於不必考慮空間之減壓或壓力上升緩和，因此，無需減壓工程或朝探針卡之吸盤頂的低速移動，並且，可防止生產率的降低。
S‧‧‧空間
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧晶圓檢查裝置
21‧‧‧探針卡
23‧‧‧吸盤頂
27‧‧‧探針
34‧‧‧研磨用晶圓
35‧‧‧研磨用板體
37‧‧‧貫通孔
[圖1]概略地表示本發明之實施形態之晶圓檢查裝置之構成的平面圖。
[圖2]沿著圖1中之線II-II的剖面圖。
[圖3]概略地表示圖1及圖2中之搬送平台及測試器之構成的剖面圖。
[圖4]用以說明圖3中之各探針之研磨時的態樣之搬送平台及測試器的剖面圖。
[圖5]用以說明圖4中之研磨用板體之構成的圖；圖5(A)係側視圖；圖5(B)係平面圖；圖5(C)係底視圖。
[圖6]表示作為本發明之實施形態之晶圓檢查裝置之維護方法之探針之研磨方法的工程圖。
[圖7]用以說明作為以往之晶圓檢查裝置的針測機中之晶圓及探針卡之抵接之態樣的工程圖。
以下，參照圖面，詳細地說明關於本發明之實施形態。
圖1，係概略地表示本發明之實施形態之晶圓檢查裝置之構成的平面圖；圖2，係沿著圖1中之線II-II的剖面圖。另外，在圖1中，係為了使輕易理解，而穿透內部之構成來表示。本實施形態之晶圓檢查裝置，係批次接觸型之晶圓檢查裝置，該批次接觸型之晶圓檢查裝置，係藉由探針卡的所有探針一度抵接於形成在晶圓的所有半導體元件中之所有電極焊墊或焊錫凸塊的方式，檢查各半導體元件之電氣特性。
在圖1中，晶圓檢查裝置10，係具備有：檢查區域11，檢查形成於晶圓W之各半導體元件的電性特性；搬入搬出區域12，在該晶圓檢查裝置10中，進行晶圓W、後述之研磨用晶圓34或探針卡21等的搬入搬出；及搬送區域13，配置於該搬入搬出區域12與檢查區域11之間，進行晶圓W等的搬送。
在搬入搬出區域12，係配置有搬入搬出用單元14，在搬入搬出用單元14，係配置有晶圓W之容器即晶圓傳送盒15的收容機構(未圖示)。又，在搬入搬出區域12，係除了搬入搬出用單元14以外，亦配置有進行檢查前之晶圓W之定位的臨時定位單元(預先對準器)16或儲存複數個研磨用晶圓34的板體儲存單元(儲藏體)17。另外，在預先對準器16，係配置有：副卡盤(sub chuck)18，在晶圓W之定位時，真空吸附晶圓W。又， 在儲藏體17中，係於載置在後述之研磨用板體35的狀態下，儲存有各個研磨用晶圓34。
在搬送區域13，係配置有搬送臂機構19，搬送臂機構19，係在搬送區域13中，搬送從搬入搬出區域12之晶圓傳送盒15所接收之檢查前的晶圓W，在檢查區域11中，載置於後述的吸盤頂23，並且，從吸盤頂23接收檢查後的晶圓W而搬送至搬入搬出區域12。
在檢查區域11，係配置有複數個檢查部(測試器)20。各測試器20，係未相互分隔，在構成檢查區域11的空間，分別配列有具有探針卡21的複數個測試器20。
在圖2中，檢查區域11，係分成複數層例如3層，在各層配置有複數個測試器20，並分別配置有在各測試器20相互間移動的搬送平台22和定位裝置(對準器)及定位用攝像機(皆未圖示)。
搬送平台22，係使藉由搬送臂機構19所搬送至檢查區域11及搬送區域13之邊界之檢查前的晶圓W載置於被載置在該搬送平台22的吸盤頂23上，並使所載置的晶圓W移動而與探針卡21相對向。其後，搬送平台22，係使晶圓W及吸盤頂23朝探針卡21接近，最後，使晶圓W抵接於探針卡21。測試器20，係檢查抵接於探針卡21之晶圓W之複數個半導體元件的電性特性。半導體元件之電性特性的檢查結束後，搬送平台22，係將檢查後的晶圓W及吸盤頂23搬送至檢查區域11及搬送區域13的邊界部，並將檢查後的晶圓W收授至搬送臂機構 19。其後，搬送臂機構19，係將檢查後的晶圓W朝搬入搬出用單元14的晶圓傳送盒15搬入。
晶圓檢查裝置10，雖係搬送臂機構19及搬送平台22一起動作，從一晶圓傳送盒15搬出一晶圓W而搬入至一測試器20，但在以一測試器20進行一晶圓W之半導體元件之電性特性的檢查之期間，可將從其他晶圓傳送盒15所搬出的其他晶圓W搬入至其他測試器20。又，亦可在以一測試器20進行一晶圓W之半導體元件之電性特性的檢查之期間，搬送臂機構19及搬送平台22一起動作，從其他測試器20搬出檢查後的其他晶圓W而搬入至其他晶圓傳送盒15。亦即，搬送臂機構19及搬送平台22，係一起動作而在複數個晶圓傳送盒15及複數個測試器20之間依序進行晶圓W的搬入搬出，藉此，有效率地實現各晶圓W之半導體元件之電性特性的檢查。
圖3，係概略地表示圖1及圖2中之搬送平台及測試器之構成的剖面圖。另外，圖3，係表示搬送平台22使晶圓W抵接於測試器20之探針卡21的狀態。
在圖3中，測試器20，係具備有：探針卡21；作為板狀基部之彈性框架24，在下部裝設有該探針卡21；及基座25，懸吊彈性框架24。
探針卡21，係具有：圓板狀之本體26；多數個電極(未圖示)，配置於該本體26之上面的大致整個面；及多數個針狀接觸端子即探針27，配置為從本體26的下面朝向圖中下方突出。各電極，係與相對應的各探針 27連接，各探針27，係在晶圓W抵接於探針卡21之際，與形成於該晶圓W之各半導體元件的電極焊墊或焊錫凸塊接觸。
彈性框架24，係具有：大致為平板狀之本體28；及複數個貫通孔即彈針塊插嵌孔29，穿設於該本體28的中央部附近，在彈針塊插嵌孔29，係插嵌有配列多數個彈簧銷而形成的彈針塊30。彈針塊30，係連接於測試器20所具有的檢測電路(未圖示)，並且接觸於被裝設至彈性框架24的探針卡21中之本體28之上面的多數個電極，使電流流至連接於該電極之探針卡21的各探針27，並且，使經由各探針27所流過的電流從晶圓W之各半導體元件的電路流向檢測電路。
在測試器20中，彈性框架24及基座25之間的空間，係被密封構件31密封，藉由該空間被抽真空，彈性框架24被懸吊於基座25。彈性框架24及探針卡21之間的空間亦被密封構件32密封，藉由該空間被抽真空，探針卡21被裝設於彈性框架24。
搬送平台22，係由配置於測試器20之下方的平板狀構件所構成，該搬送平台22，係載置並保持厚板構件即吸盤頂23，在該吸盤頂23的上面，係載置而保持有晶圓W。吸盤頂23，係藉由搬送平台22所具有的吸附口(未圖示)，真空吸附於該搬送平台22，晶圓W，係藉由吸盤頂23所具有的吸附口(以下，稱為「吸盤頂吸附口」。)(未圖示)，真空吸附於該吸盤頂23。因此，在搬 送平台22移動之際，可防止吸盤頂23或晶圓W對搬送平台22相對地移動。另外，吸盤頂23或晶圓W的保持方法，係不限於真空吸附，只要為可防止吸盤頂23或晶圓W對搬送平台22相對地移動的方法即可，例如，亦可為電磁吸附或夾鉗所致之保持。
由於搬送平台22，係移動自如，因此，可使移動至測試器20之探針卡21的下方而載置於吸盤頂23的晶圓W與探針卡21相對向，並且可朝向測試器20移動而使晶圓W抵接於探針卡21。測試器20的探針卡21、載置於搬送平台22的吸盤頂23或晶圓，係皆被水平配置。因此，在搬送平台朝向測試器20移動之際，晶圓W，係與各探針27全面抵接。
吸盤頂23，係在上面亦即與彈性框架24相對向的面，具有朝向彈性框架24突出的彈性密封構件即唇密封33。在搬送平台22朝向測試器20移動而晶圓W被抵靠於探針卡21之際，唇密封33，係抵接於彈性框架24之本體28的下面。在晶圓W被抵靠於探針卡21之際所形成的吸盤頂23、彈性框架24及探針卡21包圍的空間S，係藉由唇密封33而密封，藉由該空間S被抽真空，吸盤頂23被拉近至彈性框架24，並將晶圓W抵靠於探針卡21。藉此，維持晶圓W的各半導體元件中之各電極焊墊或各焊錫凸塊與探針卡21之各探針27的抵接狀態。
圖4，係用以說明圖3中之各探針之研磨時的態樣之搬送平台及測試器的剖面圖。另外，圖4，係表示 搬送平台22使研磨用晶圓34抵接於探針卡21之各探針27的狀態。
在圖4中，在吸盤頂23的上面，係載置有由大致為圓板狀構件所構成的研磨用板體35(隆起構件)，在該研磨用板體35的上面，係載置有研磨用晶圓34。由於研磨用板體35的上面及下面，係平行地形成，因此，載置於水平配置之吸盤頂23之研磨用板體35的上面亦保持水平，作為結果，載置於研磨用板體35之上面的研磨用晶圓34亦保持水平。其結果，在搬送平台22朝向測試器20移動之際，研磨用晶圓34，係與各探針27全面抵接，並均等地研磨各探針27。
在本實施形態中，研磨用板體35的厚度，係設定成在搬送平台22朝向測試器20移動之際，在唇密封33抵接於彈性框架24之本體28的下面之前，使載置於研磨用板體35的研磨用晶圓34抵接於探針卡21之各探針27的值。具體而言，係在本實施形態中，將研磨用板體35的厚度t1、研磨用晶圓34的厚度t2及從彈性框架24之本體28的下面起至探針卡21之各探針27的下端之突出量t3的合計值T，設定成大於從唇密封33之吸盤頂23之上面的突出量t4。藉此，在研磨用晶圓34抵接於各探針27之際，唇密封33不會抵接於彈性框架24之本體28的下面，且吸盤頂23、彈性框架24及探針卡21包圍的空間S不會被唇密封33密封，空間S的壓力亦不會升高。
另外，由於本實施形態，係藉由唇密封33抵接於彈性框架24之本體28的下面之方式而形成空間S，因此，研磨用板體35的厚度，係設定成在唇密封33抵接於彈性框架24之本體28的下面之前，使載置於研磨用板體35的研磨用晶圓34抵接於探針卡21之各探針27的值。然而，在藉由唇密封33抵接於探針卡21之本體26的下面之方式而形成空間S時，研磨用板體35的厚度，係設定成在唇密封33抵接於探針卡21之本體26的下面之前，使載置於研磨用板體35的研磨用晶圓34抵接於各探針27的值。亦即，研磨用板體35的厚度，係只要為在空間S藉由唇密封33而密封之前，使載置於研磨用板體35的研磨用晶圓34抵接於各探針27的值即可。
圖5，係用以說明圖4中之研磨用板體之構成的圖；圖5(A)係側視圖；圖5(B)係平面圖；圖5(C)係底視圖。
在圖5中，研磨用板體35，係具有：複數個吸附溝36，形成於載置有研磨用晶圓34的上面。吸附溝36，係具有：複數個放射溝36a，從研磨用板體35的中心朝向外周而擴散成放射狀；及複數個圓周溝36b，相對於研磨用板體35的中心而形成為同心圓狀。吸附溝36，係寬度、深度皆具有數mm之剖面的溝，與後述的貫通孔37連通。
研磨用板體35，係具有：複數個貫通孔37(連通孔)，於厚度方向貫通該研磨用板體35。各貫通孔 37，係在研磨用板體35的下面，以與吸盤頂吸附口相對向的方式形成開口。藉此，吸盤頂吸附口，係可經由各貫通孔37，對吸附溝36的內部進行抽真空，並且，可使載置於研磨用板體35之上面的研磨用晶圓34真空吸附於研磨用板體35。又，在研磨用晶圓34被真空吸附於研磨用板體35之際，研磨用晶圓34，係將研磨用板體35朝向吸盤頂23推壓。因此，在搬送平台22移動之際，可防止研磨用板體35或研磨用晶圓34對吸盤頂23相對地移動。又，在研磨用板體35的下面，係形成寬度稍寬的吸附溝38，各貫通孔37，係在吸附溝38內形成開口。因此，即便各貫通孔37不以與吸盤頂吸附口一致的方式形成開口，亦可僅使吸附溝38與吸盤頂吸附口相對向，藉由吸盤頂吸附口真空吸附研磨用晶圓34。
然而，由於晶圓檢查裝置10，係在預先對準器16中，研磨用晶圓34持續被載置於研磨用板體35而進行定位，因此，副卡盤18，雖係必需真空吸附研磨用晶圓34或研磨用板體35，但副卡盤18，係小於吸盤頂23，且副卡盤18所具有的吸附口(以下，稱為「副吸盤頂吸附口」。)(未圖示)，係集中於副卡盤18的中心而配置。對應於此，研磨用板體35，係各貫通孔37所開口的吸附溝38形成於該研磨用板體35的中心附近，例如從中心起38mm以內。藉此，可使吸附溝38與集中於副卡盤18的中心而配置的副吸盤頂吸附口相對向，並可藉由副吸盤頂吸附口，真空吸附研磨用晶圓34或研磨用板體 35。
研磨用板體35，係在上面的外周具有複數例如4個凹窪39。各凹窪39，係藉由研磨用晶圓34覆蓋一部分。因此，藉由將刮勺等的薄板構件插入至各凹窪39的方式，可使研磨用晶圓34從研磨用板體35輕易地剝離。
又，研磨用板體35，係在與研磨用晶圓34之定位用之切口相對應的位置，具有定位用之缺口40。由於該缺口40，係於厚度方向貫通研磨用板體35，因此，即便在研磨用板體35載置有研磨用晶圓34，亦可從下方確認研磨用晶圓34的切口。藉此，在預先對準器16等中，可使研磨用晶圓34持續載置於研磨用板體35，進行該研磨用晶圓34的定位。而且，研磨用板體35，係具有：ID讀取孔41，在缺口40的內側，於厚度方向貫通研磨用板體35。藉此，可使研磨用晶圓34持續載置於研磨用板體35，讀取形成於研磨用晶圓34之切口之內側的晶圓ID，並可使研磨用晶圓34的管理工程簡單化。另外，在研磨用板體35中，由於缺口40及ID讀取孔41，係集中地形成於1部位，因此，與分離地形成該些的情形相比，更可確保研磨用板體35的強度。
而且，研磨用板體35，係在下面，具有藉由锪孔加工等所形成的複數個凹部42。又，各凹部42，係配置為不與上面的吸附溝36相對向。藉此，可一面確保研磨用板體35的強度，一面使研磨用板體35輕量化。
研磨用晶圓34，雖係由矽所構成，但在高溫區域例如85℃附近，藉由研磨用晶圓34研磨各探針27時，由於鋁，係低價且輕量而加工性亦高，因此，以鋁構成研磨用板體35為佳。鋁，雖係存在有因溫度區域而與矽之熱膨脹量差較大的情形，但只要在85℃附近，則不存在研磨用晶圓34因熱膨脹量差而相對於研磨用板體35偏移的情形。又，不僅高溫區域，即便在低溫區域例如-30℃附近亦研磨各探針27時，以矽或碳化矽構成研磨用板體35為佳。特別是，碳化矽，係在全溫度區域中，具有與矽同等的熱膨脹係數。因此，不管研磨用板體35之研磨時的溫度為何，可防止研磨用晶圓34因熱膨脹量差而相對於研磨用板體35偏移的情形。
圖6，係表示作為本實施形態之晶圓檢查裝置之維護方法之探針之研磨方法的工程圖。
在圖6中，首先，於載置於研磨用板體35的狀態下，搬送臂機構19從儲藏體17搬出研磨用晶圓34，在預先對準器16中，進行了研磨用晶圓34的定位後，搬送至檢查區域11及搬送區域13的邊界(圖6(A))。此時，由於搬送臂機構19，係不會真空吸附研磨用晶圓34或研磨用板體35，因此，搬送臂機構19，係以被定位後之研磨用晶圓34不會相對於研磨用板體35偏移的方式，以比搬送晶圓W時之速度慢的速度，搬送研磨用晶圓34或研磨用板體35。
其次，一測試器20的搬送平台22，係使藉由 搬送臂機構19所搬送之研磨用晶圓34或研磨用板體35載置於被載置在該搬送平台22的吸盤頂23上。此時，吸盤頂23，係藉由吸盤頂吸附口，真空吸附研磨用晶圓34及研磨用板體35(圖6(B))。
其次，搬送平台22，係水平移動，使載置於吸盤頂23上的研磨用板體35及研磨用晶圓34與探針卡21相對向(圖6(C))。而且，搬送平台22，係往上方移動，使晶圓W及吸盤頂23朝探針卡21接近。此時，如上述，由於研磨用板體35的厚度t1、研磨用晶圓34的厚度t2及從彈性框架24之本體28的下面起至探針卡21之各探針27的下端之突出量t3的合計值T，被設定成大於從唇密封33之吸盤頂23之上面的突出量t4，因此，在唇密封33抵接於彈性框架24之本體28的下面之前，研磨用晶圓34抵接於各探針27。此時，各探針27，係藉由研磨用晶圓34而研磨。
其後，搬送平台22，係使研磨用晶圓34從探針卡21脫離，將研磨用晶圓34及研磨用板體35搬送至檢查區域11及搬送區域13的邊界部，並將研磨用晶圓34及研磨用板體35收授至搬送臂機構19。其後，搬送臂機構19，係將研磨用晶圓34及研磨用板體35朝儲藏體17搬入，結束本方法。
根據本實施形態，由於被載置於吸盤頂23且載置研磨用晶圓34的研磨用板體35，係具有在搬送平台22朝向測試器20移動之際，在唇密封33密封空間S之 前，使研磨用晶圓34抵接於各探針27的厚度，因此，在上述空間S被密封之前，研磨用晶圓34抵接於各探針27。亦即，在使研磨用晶圓34抵接於各探針27之前，伴隨著空間S之壓力上升的排斥力不會作用於吸盤頂23，並且，可使研磨用晶圓34適切地抵接於各探針27。又，由於不必考慮空間S之減壓或壓力上升緩和，因此，無需減壓工程或搬送平台22朝向測試器20的低速移動，並且，可防止生產率的降低。
又，本實施形態，係具有在上面形成有研磨用板體35的複數個吸附溝36，藉由對吸附溝36之內部進行抽真空的方式，將研磨用晶圓34真空吸附於研磨用板體35。亦即，由於藉由吸附溝36真空吸附研磨用晶圓34，因此，不必對吸附溝36以外之研磨用板體35的上面與研磨用晶圓34之間進行抽真空，且可防止形成真空絕熱層。藉此，可改善研磨用晶圓34及研磨用板體35之間的熱傳導性，並可抑制研磨用晶圓34及研磨用板體35產生熱膨脹量差的情形。其結果，可抑制研磨用晶圓34相對於研磨用板體35偏移的情形。
以上，雖說明了關於本發明的實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態者。
20‧‧‧測試器
21‧‧‧探針卡
22‧‧‧搬送平台
23‧‧‧吸盤頂
24‧‧‧彈性框架
27‧‧‧探針
28‧‧‧本體
33‧‧‧唇密封
34‧‧‧研磨用晶圓
35‧‧‧研磨用板體

Claims (6)

  1. 一種晶圓檢查裝置，係具備有探針卡、吸盤頂及密封件，該探針卡，係具有朝向晶圓突出的多數個接觸端子，該吸盤頂，係作為載置前述晶圓而與前述探針卡相對向的厚板構件，該密封件，係在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，密封前述探針卡及前述吸盤頂之間的空間，該晶圓檢查裝置，其特徵係，具備有：隆起構件，載置於前述吸盤頂，並載置用以研磨前述接觸端子的研磨用晶圓，前述隆起構件，係具有在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，在前述密封件密封前述空間之前，使前述研磨用晶圓抵接於各前述接觸端子的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓檢查裝置，其中，前述吸盤頂，係具有進行真空吸附的吸附口，前述隆起構件，係具有：連通孔，使前述吸附口與載置於前述隆起構件的前述研磨用晶圓連通。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓檢查裝置，其中，前述隆起構件，係由鋁所構成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓檢查裝置，其中，前述隆起構件，係由矽或碳化矽所構成。
  5. 一種晶圓檢查裝置之維護方法，係具備有探針卡、吸盤頂及密封件之晶圓檢查裝置之維護方法，該探針 卡，係具有朝向晶圓突出的多數個接觸端子，該吸盤頂，係作為載置前述晶圓而與前述探針卡相對向的厚板構件，該密封件，係在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，密封前述探針卡及前述吸盤頂之間的空間，該晶圓檢查裝置之維護方法，其特徵係，將隆起構件載置於前述吸盤頂，而且，將用以研磨前述接觸端子之研磨用晶圓載置於前述隆起構件，使前述吸盤頂朝前述探針卡移動，前述隆起構件，係具有在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，在前述密封件密封前述空間之前，使前述研磨用晶圓抵接於各前述接觸端子的厚度。
  6. 如申請專利範圍第5項之晶圓檢查裝置之維護方法，其中，前述吸盤頂，係具有進行真空吸附的吸附口，前述隆起構件，係具有：連通孔，使前述吸附口與載置於前述隆起構件的前述研磨用晶圓連通，在前述吸盤頂朝前述探針卡移動之際，前述吸附口，係經由前述連通孔吸附前述研磨用晶圓。
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