CN108321134A - 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构及加工工艺 - Google Patents
高功率密度塑封式ipm模块的封装结构及加工工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108321134A CN108321134A CN201810311883.6A CN201810311883A CN108321134A CN 108321134 A CN108321134 A CN 108321134A CN 201810311883 A CN201810311883 A CN 201810311883A CN 108321134 A CN108321134 A CN 108321134A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper substrate
- graphene
- direct copper
- printed circuit
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 16
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 6
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 6
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 abstract description 5
- 206010054949 Metaplasia Diseases 0.000 abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015689 metaplastic ossification Effects 0.000 abstract description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- -1 bonding wire Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3738—Semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺，其结构包括上表面图形化生长石墨烯的直接敷铜基板、MOSFET芯片、快速恢复二极管芯片、驱动芯片、印刷电路板、焊料层、石墨烯填充增强导热银胶、键合引线、引线框架、塑封外壳、石墨烯填充增强封装树脂。其中采用化学气相沉积法在直接敷铜基板上表面图形化生长石墨烯薄膜，通过发挥其优异的面内热传导性能，将高功率密度塑封式IPM模块的局部热点热量迅速横向传开，进而通过直接敷铜基板向外传导，降低模块最高温度。同时采用石墨烯填充增强导热胶及封装树脂，改善传统封装材料的热传导性能，有效提高模块的可靠性。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺。
背景技术
智能功率模块(IPM)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，它把功率半导体芯片与控制电路、驱动电路、过压、过流、过热和欠压保护电路以及自诊断电路组合，并密封在同一绝缘外壳内的智能化电力半导体模块。
智能功率模块的封装结构是由多种不同热膨胀系数的材料组成，智能功率模块工作时，高温不仅可能引起芯片的过热失效，也可能因为模块材料间的热失配引起机械失效。高温下，层间界面热应力和端部处的热应力集中常常会造成基板、芯片断裂或者焊料层形变甚至封装结构的脱层破坏最终导致封装结构的失效。
发明内容
为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺，将石墨烯材料分别以散热薄膜形式应用于直接敷铜(DBC)基板上表面，与快速恢复二极管(FRD)芯片的阴极和MOSFET芯片的漏极位置对应，加速局部热点热量的横向传导，同时将石墨烯粉末以导热填料形式应用于导热胶中，减小驱动芯片和印刷电路板(PCB)之间的热阻，石墨烯粉末填充增强封装树脂，提高封装材料的整体热传导能力，解决高功率密度塑封式IPM模块的封装可靠性问题。
为达到上述目的，本发明采用下述技术方案。所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构包括：驱动芯片上表面的电路输出端与印刷电路板上表面的对应焊盘引线键合，驱动芯片下表面由石墨烯填充增强导热银胶与印刷电路板互连；还包括直接敷铜基板，其上表面具有第一铜层，其下表面具有第二铜层，在直接敷铜基板第一铜层上对应快速恢复二极管芯片阴极的位置制作有第一石墨烯薄膜，在直接敷铜基板第一铜层上对应MOSFET芯片漏极的位置制作有第二石墨烯薄膜；所述第一铜层与快速恢复二极管芯片的阴极、MOSFET芯片的漏极通过焊料层互连，所述焊料层将第一石墨烯薄膜、第二石墨烯薄膜包裹在内；由外壳将所述驱动芯片、印刷电路板、直接敷铜基板、MOSFET芯片、快速恢复二极管芯片及所有键合引线封装起来。
进一步的，所述外壳内部由石墨烯填充增强环氧树脂进行灌封。
所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构还包括引线框架，由焊料层与直接敷铜基板上表面第一铜层以及印刷电路板上表面输出引出端互连。
进一步的，所述快速恢复二极管芯片上表面阳极与引线框架的对应位置用第一铝线组键合，快速恢复二极管芯片下表面阴极由焊料层与直接敷铜基板的上表面图形化互连。
进一步的，所述MOSFET芯片上表面源极与快速恢复二极管芯片的阳极用第二铝线组键合，MOSFET芯片栅极与印刷电路板上表面的栅极驱动引出端用第三铝线组键合，MOSFET芯片下表面漏极由焊料层与直接敷铜基板的上表面图形化互连。
进一步的，所述引线框架局部伸出外壳。
本发明还提出了一种高功率密度塑封式IPM模块封装结构的加工工艺，其包括以下步骤：
步骤1、在直接敷铜基板上表面第一铜层图形化生长互不重叠的第一石墨烯薄膜和第二石墨烯薄膜；
步骤2、在直接敷铜基板、印刷电路板上表面涂覆焊料层，将MOSFET芯片和快速恢复二极管芯片贴装在直接敷铜基板对应位置上，分别与所述第二石墨烯薄膜、第一石墨烯薄膜位置对应，所述快速恢复二极管芯片下表面阴极、MOSFET芯片下表面漏极均由焊料层与直接敷铜基板的上表面图形化互连；将引线框架与直接敷铜基板、印刷电路板进行组装，真空焊接并清洗；
步骤3、在印刷电路板上表面涂覆石墨烯填充增强导热银胶，将驱动芯片贴装在印刷电路板上，加热固化并清洗；
步骤4、将MOSFET芯片的源极与快速恢复二极管芯片的阳极采用第二铝线组键合，将快速恢复二极管芯片的阳极与引线框架采用第一铝线组键合，将MOSFET芯片的栅极与印刷电路板栅极驱动引出端采用第三铝线组键合，将驱动芯片的电路引出端与印刷电路板上表面的对应焊盘用金线组键合；
步骤5、用外壳将所述驱动芯片、印刷电路板、直接敷铜基板、MOSFET芯片、快速恢复二极管芯片及所有键合引线封装起来，采用石墨烯填充增强环氧树脂作为封装材料，在塑料外壳中进行注塑灌封。
具体的，步骤1在直接敷铜基板上表面快速恢复二极管芯片对应的阴极连接区中心位置上，采用化学气相沉积法生长方形第一石墨烯薄膜；同时，在直接敷铜基板上表面MOSFET芯片对应的漏极连接区中心位置上，生长方形第二石墨烯薄膜。
具体的，步骤2在直接敷铜基板和印刷电路板上采用丝网印刷机按图形涂覆焊料，包括在直接敷铜基板上表面快速恢复二极管芯片对应的阴极连接区位置上，以及MOSFET芯片对应的漏极连接区位置上，涂覆焊料层，将第一石墨烯薄膜、第二石墨烯薄膜包裹在内，用于MOSFET芯片、快速恢复二极管芯片与直接敷铜基板的焊接互连；同时，在印刷电路板上表面输出引出端相应位置及直接敷铜基板上表面第一铜层的相应位置上涂覆焊料层，用于直接敷铜基板与引线框架的焊接互连；从而实现驱动芯片的控制信号连接以及MOSFET芯片和快速恢复二极管芯片的输出信号连接。
具体的，步骤5采用石墨烯填充增强环氧树脂进行注塑封装，将整个封装结构在烘箱内加热固化，完成后在引线框架焊接处电镀镍锡、去除注塑溢料、将引线框架切除及折弯，再对塑封式IPM模块的静态特性、动态特性以及绝缘特性进行测试，最后进行包装。
本发明与现有技术相比较，具有如下优点：
1、本发明在DBC基板上表面图形化生长石墨烯薄膜，作为散热辅助层，避免了石墨烯薄膜转移工艺对其热导率的影响，加强基板与石墨烯薄膜的结合力，提升基板整体的热传导能力，改善器件之间的温度差异性，对于高功率密度塑封式IPM模块的局部高热流热点是非常有效的热管理方案；
2、本发明以石墨烯粉末作为导热颗粒，填充到导热银胶中，借助二维材料自身的优异热导率，减小驱动芯片与PCB板之间的热阻，填充到封装树脂中，提高封装材料的整体导热性能，在高热流密度的大功率塑封式IPM模块中满足可靠性需求。
附图说明
图1是本发明实施例DBC基板上表面图形化生长石墨烯薄膜的结构示意图。
图2是本发明实施例DBC基板上表面用于与芯片互连的焊料层位置示意图。
图3是本发明实施例DBC基板上表面与MOSFET/FRD芯片下表面互连的结构示意图。
图4是本发明实施例的封装结构截面示意图。
图5是本发明实施例MOSFET芯片上表面栅极与PCB板上表面互连的结构示意图。
图6是本发明实施例的加工工艺流程图。
图7是本发明工艺实施步骤3中的PCB板导热银胶涂敷位置示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
本发明提出了一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，总体包括：上表面图形化生长石墨烯薄膜的DBC基板、MOSFET芯片、FRD芯片、驱动芯片、PCB板、焊料层、石墨烯填充增强导热胶、键合引线、引线框架、塑封外壳、石墨烯填充增强封装树脂。
参见图1，采用化学气相沉积法在DBC基板12上表面FRD芯片16阴极对应的连接区中心位置上图形化生长第一石墨烯薄膜30，DBC基板12上表面MOSFET芯片15漏极对应的连接区中心位置上图形化生长第二石墨烯薄膜31。第一石墨烯薄膜30和第二石墨烯薄膜31在DBC基板12上表面通过发挥其优异的面内热传导性能，将高功率密度塑封式IPM模块的局部热点热量迅速横向传开，进而通过DBC基板12向外传导，降低模块最高温度。
参见图2，采用丝网印刷，在DBC基板12上表面FRD芯片16阴极对应的连接区位置和MOSFET芯片15漏极对应的连接区位置上涂覆焊料层14。
参见图3，将FRD芯片16与MOSFET芯片15贴装在DBC基板12上表面对应位置，第一石墨烯薄膜30正好位于FRD芯片16阴极下方的焊料中，第二石墨烯薄膜31正好位于MOSFET芯片15漏极下方的焊料中。
本发明提出的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构截面示意图如图4所示。在DBC基板12上表面第一铜层13的输出引出端对应位置和PCB板19上输出引出端28上涂覆焊料层14，并将引线框架25贴装在对应位置上。通过真空回流焊接，完成FRD芯片16、MOSFET芯片15和引线框架25与DBC基板12上表面第一铜层13、引线框架25与PCB板19之间的互连。在PCB板19上表面驱动芯片17对应位置上涂覆石墨烯填充增强导热银胶18，通过固化完成驱动芯片17与PCB板19之间的互连。将FRD芯片16上表面阳极与引线框架25的对应位置用第一铝线组24键合，将MOSFET芯片15上表面源极与FRD芯片16的阳极用第二铝线组23键合，栅极与PCB板上表面的栅极驱动引出端20用第三铝线组22键合，参见图5。将驱动芯片17上表面的电路输出端与PCB板19上表面对应的焊盘20(多个)用金线组21键合。同时采用石墨烯填充增强环氧树脂26作为封装材料，在塑料外壳29中进行注塑灌封，改善传统封装树脂的热传导性能，有效提高模块的可靠性。
综上，本发明提出的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构包括：驱动芯片17上表面的电路输出端与印刷电路板19上表面的对应焊盘引线键合，驱动芯片17下表面由石墨烯填充增强导热银胶18与印刷电路板19互连；还包括直接敷铜基板12，其上表面具有第一铜层13，其下表面具有第二铜层11，在直接敷铜基板12第一铜层13上对应快速恢复二极管芯片16阴极的位置制作有第一石墨烯薄膜30，在直接敷铜基板12第一铜层13上对应MOSFET芯片15漏极的位置制作有第二石墨烯薄膜31；所述第一铜层13与快速恢复二极管芯片16的阴极、MOSFET芯片15的漏极通过焊料层14互连，所述焊料层14将第一石墨烯薄膜30、第二石墨烯薄膜31包裹在内；由外壳29将所述驱动芯片17、印刷电路板19、直接敷铜基板12、MOSFET芯片15、快速恢复二极管芯片16及所有键合引线封装起来。
本发明还提出了一种高功率密度塑封式IPM模块的加工工艺，工艺流程如图6所示，包括DBC基板基于石墨烯的预处理、DBC/PCB焊料涂覆、MOSFET/FRD芯片贴装、DBC/PCB/引线框架组装、焊接并清洗、石墨烯填充增强导热银胶涂覆、驱动芯片贴装、固化并清洗、铝线键合、金线键合、石墨烯填充增强树脂注塑、固化封装、电镀、切筋成型、电学测试和包装。该加工工艺具体步骤包括：
步骤1、如图1所示，对DBC基板12进行预处理，在DBC基板12上表面FRD芯片16对应的阴极连接区中心位置上，采用化学气相沉积法生长方形石墨烯薄膜30；同时，在DBC基板12上表面MOSFET芯片15对应的漏极连接区中心位置上，生长方形石墨烯薄膜31。图形化生长的石墨烯薄膜尺寸在8-10层的范围内，总体平均厚度约2.5～3nm，作为散热辅助层，避免了石墨烯薄膜转移工艺对其热导率的影响，加强DBC基板12与石墨烯薄膜的结合力，提升DBC基板12整体的热传导能力。
步骤2、在DBC基板12和PCB板上采用丝网印刷机按图形涂覆焊料，如图2所示，在DBC基板12上表面FRD芯片16对应的阴极连接区位置上，以及MOSFET芯片15对应的漏极连接区位置上，涂覆焊料层14，厚度100μm，将第一石墨烯薄膜30、第二石墨烯薄膜31包裹在内，用于MOSFET芯片15和FRD芯片16与DBC基板12的焊接互连；同时，在PCB板19上表面的输出引出端28相应位置及DBC基板12上表面13的相应位置上涂覆焊料层14，如图4所示，用于与引线框架25的焊接互连；从而实现驱动芯片17的控制信号连接以及MOSFET芯片15和FRD芯片16的输出信号连接。将MOSFET芯片15、FRD芯片16按照对应位置贴装在DBC基板12上，第二石墨烯薄膜31正好位于MOSFET芯片15漏极下方的焊料中，第一石墨烯薄膜30正好位于FRD芯片16阴极下方的焊料中，使芯片局部热点热量通过石墨烯薄膜迅速横向传开，进而通过DBC基板12向外散发。将DBC基板12、PCB板与引线框架25放入工装中进行真空焊接，完成后使用超声波清洗机，在100W功率下对助焊剂进行清洗去除。
步骤3、在PCB板19上驱动芯片17对应的位置上涂覆石墨烯填充增强的导热银胶18，厚度100μm，用于驱动芯片17与PCB板19的连接。石墨烯自身的高导热性能，填充到导热胶基体中，可以显著提高导热银胶的热导率，减小驱动芯片17与PCB板19之间的互连热阻。将驱动芯片17按照对应位置，如图7所示，贴装在PCB板19上，在烘箱中依次以100℃下30min，130℃下90min的温度曲线加热，使导热银胶固化。完成后使用等离子清洗机对MOSFET芯片15、FRD芯片16和驱动芯片17，以及DBC基板12和PCB板表面的污染物进行清洗去除，为下一步键合工作做准备。
步骤4、在粗铝线键合机上将MOSFET芯片15的源极与FRD芯片16的阳极采用第二铝线组23键合，将FRD芯片16的阳极与引线框架25上的对应位置采用第一铝线组24键合；在细铝线键合机上将MOSFET芯片15的栅极与PCB板19上栅极驱动引出端20采用第三铝线组22键合，如图5所示；使用金线键合机将驱动芯片17的电路引出端与PCB板19上表面对应的焊盘20用金线组21键合，用于驱动芯片17与PCB板19的连接。
步骤5、采用石墨烯填充增强环氧树脂26对IPM模块的整个结构进行注塑封装，石墨烯的填充可以有效提高树脂基体的导热性能，减小整个封装结构的纵向热阻。将石墨烯填充增强的树脂封装结构在烘箱内依次以80℃下30min，100℃下120min，120℃下60min的温度曲线加热固化，完成后在引线框架焊接处电镀镍锡，去除注塑溢料，将引线框架切除及折弯，对塑封式IPM模块的静态特性、动态特性以及绝缘特性等进行测试，最后进行包装。
本发明所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，包括：
驱动芯片(17)上表面的电路输出端与印刷电路板(19)上表面的对应焊盘引线键合，驱动芯片(17)下表面由石墨烯填充增强导热银胶(18)与印刷电路板(19)互连；
还包括直接敷铜基板(12)，其上表面具有第一铜层(13)，其下表面具有第二铜层(11)，在直接敷铜基板(12)第一铜层(13)上对应快速恢复二极管芯片(16)阴极的位置制作有第一石墨烯薄膜(30)，在直接敷铜基板(12)第一铜层(13)上对应MOSFET芯片(15)漏极的位置制作有第二石墨烯薄膜(31)；所述第一铜层(13)与快速恢复二极管芯片(16)的阴极、MOSFET芯片(15)的漏极通过焊料层(14)互连，所述焊料层(14)将第一石墨烯薄膜(30)、第二石墨烯薄膜(31)包裹在内；
由外壳(29)将所述驱动芯片(17)、印刷电路板(19)、直接敷铜基板(12)、MOSFET芯片(15)、快速恢复二极管芯片(16)及所有键合引线封装起来。
2.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述外壳(29)内部由石墨烯填充增强环氧树脂(26)进行灌封。
3.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，还包括引线框架(25)，由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)上表面第一铜层(13)以及印刷电路板(19)上表面输出引出端(28)互连。
4.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述快速恢复二极管芯片(16)上表面阳极与引线框架(25)的对应位置用第一铝线组(24)键合，快速恢复二极管芯片(16)下表面阴极由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)的上表面(13)图形化互连。
5.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片(15)上表面源极与快速恢复二极管芯片(16)的阳极用第二铝线组(23)键合，MOSFET芯片(15)栅极与印刷电路板(19)上表面的栅极驱动引出端(20)用第三铝线组(22)键合，MOSFET芯片(15)下表面漏极由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)的上表面(13)图形化互连。
6.根据权利要求3所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述引线框架(25)局部伸出外壳(29)。
7.高功率密度塑封式IPM模块封装结构的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在直接敷铜基板(12)上表面第一铜层(13)图形化生长互不重叠的第一石墨烯薄膜(30)和第二石墨烯薄膜(31)；
步骤2、在直接敷铜基板(12)、印刷电路板(19)上表面涂覆焊料层(14)，将MOSFET芯片(15)和快速恢复二极管芯片(16)贴装在直接敷铜基板(12)对应位置上，分别与所述第二石墨烯薄膜(31)、第一石墨烯薄膜(30)位置对应，所述快速恢复二极管芯片(16)下表面阴极、MOSFET芯片(15)下表面漏极均由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)的上表面(13)图形化互连；将引线框架(25)与直接敷铜基板(12)、印刷电路板(19)进行组装，真空焊接并清洗；
步骤3、在印刷电路板(19)上表面涂覆石墨烯填充增强导热银胶(18)，将驱动芯片(17)贴装在印刷电路板(19)上，加热固化并清洗；
步骤4、将MOSFET芯片(15)的源极与快速恢复二极管芯片(16)的阳极采用第二铝线组(23)键合，将快速恢复二极管芯片(16)的阳极与引线框架(25)采用第一铝线组(24)键合，将MOSFET芯片(15)的栅极与印刷电路板栅极驱动引出端(20)采用第三铝线组(22)键合，将驱动芯片(17)的电路引出端与印刷电路板(19)上表面的对应焊盘用金线组(21)键合；
步骤5、用外壳(29)将所述驱动芯片(17)、印刷电路板(19)、直接敷铜基板(12)、MOSFET芯片(15)、快速恢复二极管芯片(16)及所有键合引线封装起来，采用石墨烯填充增强环氧树脂(26)作为封装材料，在塑料外壳(29)中进行注塑灌封。
8.如权利要求7所述的高功率密度塑封式IPM模块封装结构的加工工艺，其特征在于，步骤1的方法为：在直接敷铜基板(12)上表面快速恢复二极管芯片(16)对应的阴极连接区中心位置上，采用化学气相沉积法生长方形第一石墨烯薄膜(30)；同时，在直接敷铜基板(12)上表面MOSFET芯片(15)对应的漏极连接区中心位置上，生长方形第二石墨烯薄膜(31)。
9.如权利要求7所述的高功率密度塑封式IPM模块封装结构的加工工艺，其特征在于，步骤2在直接敷铜基板(12)和印刷电路板(19)上采用丝网印刷机按图形涂覆焊料，包括在直接敷铜基板(12)上表面快速恢复二极管芯片(16)对应的阴极连接区位置上，以及MOSFET芯片(15)对应的漏极连接区位置上，涂覆焊料层(14)，将第一石墨烯薄膜(30)、第二石墨烯薄膜(31)包裹在内，用于MOSFET芯片(15)、快速恢复二极管芯片(16)与直接敷铜基板(12)的焊接互连；同时，在印刷电路板(19)上表面输出引出端(28)相应位置及直接敷铜基板(12)上表面第一铜层(13)的相应位置上涂覆焊料层(14)，用于直接敷铜基板(12)与引线框架(25)的焊接互连；从而实现驱动芯片(17)的控制信号连接以及MOSFET芯片(15)和快速恢复二极管芯片(16)的输出信号连接。
10.如权利要求7所述的高功率密度塑封式IPM模块封装结构的加工工艺，其特征在于，步骤5采用石墨烯填充增强环氧树脂(26)进行注塑封装，将整个封装结构在烘箱内加热固化，完成后在引线框架(25)焊接处电镀镍锡、去除注塑溢料、将引线框架切除及折弯，再对塑封式IPM模块的静态特性、动态特性以及绝缘特性进行测试，最后进行包装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810311883.6A CN108321134A (zh) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构及加工工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810311883.6A CN108321134A (zh) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构及加工工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108321134A true CN108321134A (zh) | 2018-07-24 |
Family
ID=62896978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810311883.6A Withdrawn CN108321134A (zh) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构及加工工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108321134A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109411440A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-03-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种功率模块和功率模块加工方法 |
| CN109524382A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-03-26 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 芯片的封装结构以及封装方法 |
| CN109920904A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-21 | 黄山学院 | 大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺 |
| CN110120354A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-08-13 | 珠海格力电器股份有限公司 | 智能功率模块的封装方法及智能功率模块 |
| CN110164775A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-23 | 无锡中微高科电子有限公司 | 高功率mos芯片与控制芯片组合封装结构与封装方法 |
| CN110880496A (zh) * | 2018-09-05 | 2020-03-13 | 万国半导体(开曼)股份有限公司 | 电机用模制智能电源模块 |
| CN112164679A (zh) * | 2020-08-24 | 2021-01-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种散热良好的半导体器件封装结构及封装方法 |
| CN113130455A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-16 | 黄山学院 | 一种高热可靠性的多单元功率集成模块及其加工工艺 |
| WO2022021094A1 (zh) * | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 华为技术有限公司 | 一种功率模块及制备模具、设备 |
| CN114141887A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-04 | 纽威仕微电子（无锡）有限公司 | 一种光电转换电路封装工艺 |
| CN114300369A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-08 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 半导体封装结构的制作方法 |
| CN115206958A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-10-18 | 四川奥库科技有限公司 | 一种基于dbc/dpc基板和引线框架的ipm封装系统及方法 |
| CN110120354B (zh) * | 2019-05-06 | 2024-05-28 | 珠海零边界集成电路有限公司 | 智能功率模块的封装方法及智能功率模块 |
Citations (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030011054A1 (en) * | 2001-06-11 | 2003-01-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power module package having improved heat dissipating capability |
| JP2009094135A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半田ペースト塗布用のメタルマスク |
| CN101641786A (zh) * | 2007-03-30 | 2010-02-03 | 伊莱楚维克股份公司 | 散热装置和具有散热装置的组合或模块单元 |
| CN102339818A (zh) * | 2010-07-15 | 2012-02-01 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率模块 |
| US20130020672A1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | U.S. Govermment as represented by the Secretary of the Army | System and Method for Packaging of High-Voltage Semiconductor Devices |
| CN103725002A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 氧化铝复合材料及其制备方法、覆铜基板 |
| US20140138075A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Industrial Technology Research Institute | Heat exchanger and semiconductor module |
| CN103975432A (zh) * | 2011-12-21 | 2014-08-06 | 武汉飞恩微电子有限公司 | 微通道直接敷铜基板及其功率器件的封装结构和工艺 |
| CN104701268A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 智能功率模块 |
| US20150207254A1 (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-23 | Apple Inc. | Molded Plastic Structures With Graphene Signal Paths |
| CN104882427A (zh) * | 2014-02-27 | 2015-09-02 | 西安永电电气有限责任公司 | 一种塑封式ipm模块电气连接结构 |
| CN105006453A (zh) * | 2014-04-17 | 2015-10-28 | 台达电子国际（新加坡）私人有限公司 | 封装结构 |
| CN205428902U (zh) * | 2016-03-09 | 2016-08-03 | 上海道之科技有限公司 | 均热板散热基板功率模块结构 |
| US20160225693A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Direct bonded copper semiconductor packages and related methods |
| CN205452281U (zh) * | 2016-03-09 | 2016-08-10 | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 | 一种带弹片双层灌胶的功率模块 |
| CN106025033A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-12 | 大连德豪光电科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制备方法 |
| US20170018488A1 (en) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Mosway Technologies Limited | Integrated power module and manufacturing method thereof |
| CN106653712A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-05-10 | 黄山学院 | 单管igbt的散热结构及加工工艺 |
| CN106910691A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-06-30 | 黄山学院 | 功率变流器中igbt模块的散热结构及封装工艺 |
| CN107017213A (zh) * | 2015-10-27 | 2017-08-04 | 长春石油化学股份有限公司 | 散热铜箔及石墨烯复合材料 |
| CN107039362A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-08-11 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
| CN107369660A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 功率模块及其制造方法 |
| CN208077964U (zh) * | 2018-04-09 | 2018-11-09 | 黄山宝霓二维新材科技有限公司 | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构 |
-
2018
- 2018-04-09 CN CN201810311883.6A patent/CN108321134A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030011054A1 (en) * | 2001-06-11 | 2003-01-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power module package having improved heat dissipating capability |
| CN101641786A (zh) * | 2007-03-30 | 2010-02-03 | 伊莱楚维克股份公司 | 散热装置和具有散热装置的组合或模块单元 |
| JP2009094135A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半田ペースト塗布用のメタルマスク |
| CN102339818A (zh) * | 2010-07-15 | 2012-02-01 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率模块 |
| US20130020672A1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | U.S. Govermment as represented by the Secretary of the Army | System and Method for Packaging of High-Voltage Semiconductor Devices |
| CN103975432A (zh) * | 2011-12-21 | 2014-08-06 | 武汉飞恩微电子有限公司 | 微通道直接敷铜基板及其功率器件的封装结构和工艺 |
| US20140138075A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Industrial Technology Research Institute | Heat exchanger and semiconductor module |
| CN104701268A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 智能功率模块 |
| CN103725002A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-16 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 氧化铝复合材料及其制备方法、覆铜基板 |
| US20150207254A1 (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-23 | Apple Inc. | Molded Plastic Structures With Graphene Signal Paths |
| CN104882427A (zh) * | 2014-02-27 | 2015-09-02 | 西安永电电气有限责任公司 | 一种塑封式ipm模块电气连接结构 |
| CN105006453A (zh) * | 2014-04-17 | 2015-10-28 | 台达电子国际（新加坡）私人有限公司 | 封装结构 |
| US20160225693A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Direct bonded copper semiconductor packages and related methods |
| US20170018488A1 (en) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Mosway Technologies Limited | Integrated power module and manufacturing method thereof |
| CN107017213A (zh) * | 2015-10-27 | 2017-08-04 | 长春石油化学股份有限公司 | 散热铜箔及石墨烯复合材料 |
| CN107039362A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-08-11 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
| CN205428902U (zh) * | 2016-03-09 | 2016-08-03 | 上海道之科技有限公司 | 均热板散热基板功率模块结构 |
| CN205452281U (zh) * | 2016-03-09 | 2016-08-10 | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 | 一种带弹片双层灌胶的功率模块 |
| CN107369660A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 功率模块及其制造方法 |
| CN106025033A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-12 | 大连德豪光电科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制备方法 |
| CN106653712A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-05-10 | 黄山学院 | 单管igbt的散热结构及加工工艺 |
| CN106910691A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-06-30 | 黄山学院 | 功率变流器中igbt模块的散热结构及封装工艺 |
| CN208077964U (zh) * | 2018-04-09 | 2018-11-09 | 黄山宝霓二维新材科技有限公司 | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110880496B (zh) * | 2018-09-05 | 2023-10-31 | 万国半导体(开曼)股份有限公司 | 电机用模制智能电源模块 |
| CN110880496A (zh) * | 2018-09-05 | 2020-03-13 | 万国半导体(开曼)股份有限公司 | 电机用模制智能电源模块 |
| TWI700785B (zh) * | 2018-09-05 | 2020-08-01 | 大陸商萬民半導體（澳門）有限公司 | 馬達用模製智能電源模組 |
| CN109524382A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-03-26 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 芯片的封装结构以及封装方法 |
| CN109411440A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-03-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种功率模块和功率模块加工方法 |
| CN109920904A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-21 | 黄山学院 | 大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺 |
| CN109920904B (zh) * | 2019-04-10 | 2023-11-10 | 黄山学院 | 大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺 |
| CN110120354A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-08-13 | 珠海格力电器股份有限公司 | 智能功率模块的封装方法及智能功率模块 |
| CN110120354B (zh) * | 2019-05-06 | 2024-05-28 | 珠海零边界集成电路有限公司 | 智能功率模块的封装方法及智能功率模块 |
| CN110164775B (zh) * | 2019-06-04 | 2024-04-09 | 无锡中微高科电子有限公司 | 高功率mos芯片与控制芯片组合封装结构与封装方法 |
| CN110164775A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-23 | 无锡中微高科电子有限公司 | 高功率mos芯片与控制芯片组合封装结构与封装方法 |
| WO2022021094A1 (zh) * | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 华为技术有限公司 | 一种功率模块及制备模具、设备 |
| CN112164679A (zh) * | 2020-08-24 | 2021-01-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种散热良好的半导体器件封装结构及封装方法 |
| CN113130455A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-16 | 黄山学院 | 一种高热可靠性的多单元功率集成模块及其加工工艺 |
| CN113130455B (zh) * | 2021-04-20 | 2023-09-12 | 黄山学院 | 一种高热可靠性的多单元功率集成模块及其加工工艺 |
| CN114141887A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-04 | 纽威仕微电子（无锡）有限公司 | 一种光电转换电路封装工艺 |
| CN114300369A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-08 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 半导体封装结构的制作方法 |
| CN115206958A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-10-18 | 四川奥库科技有限公司 | 一种基于dbc/dpc基板和引线框架的ipm封装系统及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108321134A (zh) | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构及加工工艺 | |
| CN101752329B (zh) | 带有堆积式互联承载板顶端散热的半导体封装及其方法 | |
| CN106298695B (zh) | 封装模组、封装模组堆叠结构及其制作方法 | |
| CN208077964U (zh) | 高功率密度塑封式ipm模块的封装结构 | |
| US8399997B2 (en) | Power package including multiple semiconductor devices | |
| TW200411871A (en) | Thermal-enhance package and manufacturing method thereof | |
| CN108461484B (zh) | 一种igbt模块的封装结构及加工工艺 | |
| CN218730911U (zh) | 一种内绝缘的双面散热封装结构 | |
| WO2023246214A1 (zh) | 一种功率模组及其制造方法 | |
| CN206774518U (zh) | 一种高散热能力的小型贴片固态继电器 | |
| CN207165544U (zh) | 一种设有双面散热装置的功率模块 | |
| JP2012182250A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5755622B2 (ja) | 電力モジュールパッケージ及びその製造方法 | |
| US20230395464A1 (en) | Power semiconductor module and manufacturing method thereof | |
| Peng et al. | Investigation on the reliability of die-attach structures for double-sided cooling power module | |
| CN219435850U (zh) | Mosfet芯片封装结构 | |
| CN111834346A (zh) | 晶体管功率模块封装结构及其封装方法 | |
| CN112201632A (zh) | 一种半导体器件封装结构及半导体器件封装方法 | |
| CN201435388Y (zh) | 一种用于mosfet封装的引线框架 | |
| CN207977311U (zh) | 高可靠性igbt模块的封装结构 | |
| CN109786345B (zh) | 石墨烯基ipm模块的先进封装结构及加工工艺 | |
| CN208460754U (zh) | 一种多芯片pqfn封装结构 | |
| CN1391273A (zh) | 具散热片的半导体封装件 | |
| CN209104141U (zh) | 一种芯片外露型封装结构 | |
| CN107154389A (zh) | 一种高散热能力的小型贴片固态继电器及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20180724 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |