CN108074956B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区和非显示区；至少一个像素，设置在基底上；第一绝缘层，设置在基底上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第一开口；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第二开口；以及包封层，覆盖非显示区的一部分、第一开口和第二开口。像素包括设置在第一绝缘层上的第一电极和设置在第二绝缘层上的第二电极。第一电极和第二电极中的至少一个包括金属层。第一开口的侧面中的至少一个包括具有不同倾角的多个斜面。

Description

显示装置
技术领域
本发明总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够挠曲、折叠和/或卷曲的显示装置。
背景技术
近来，正在开发具有平板显示器的柔性显示装置。平板显示器的代表性示例可以包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器(EPD)等。
可弯曲的且柔性的显示装置可以被折叠并且被卷曲。因此，柔性显示装置在保持便携的同时能够包括较大的屏幕。这样的柔性显示装置可以应用于不仅包括诸如移动电话、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)、电子书和电子报纸的移动装置而且包括TV、监视器等的各种领域中。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅为了增强对发明构思的背景技术的理解，因此，它可以包含不构成对本领域的普通技术人员而言在本国中已知的现有技术的信息。
发明内容
根据发明的原理构造的显示装置减少或者防止堆叠在显示装置的绝缘层上的包封层中的缺陷或对包封层的损坏。例如，在制造显示装置时蚀刻金属层的工艺会产生涡流，在去除蚀刻剂之后，涡流导致蚀刻金属中的一些沉积在显示装置的具有相对低的弹性的包封层的位置中。当随后例如在制造显示装置的工艺中的后续步骤期间按压显示装置时，力被施加到包封层。由于紧挨着包封层的沉积的蚀刻金属的存在，所以该力会损坏堆叠在绝缘层上的包封层。
附加的方面将在下面的详细描述中进行阐述，且部分地将通过公开而明显，或者可以通过发明构思的实践而被了解。
根据本发明的一方面，显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区和设置在显示区的至少一侧上的非显示区；至少一个像素，设置在基底上；第一绝缘层，设置在基底上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第一开口；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第二开口；以及包封层，覆盖非显示区的一部分、第一开口和第二开口，其中，所述至少一个像素包括设置在第一绝缘层上的第一电极和设置在第二绝缘层上的第二电极，第一电极和第二电极中的至少一个包括金属层，其中，第一开口的侧面中的至少一个包括具有不同倾角的多个斜面。
第一开口的侧面可以包括具有第一倾角的第一斜面、具有与第一倾角不同的第二倾角的第二斜面以及具有与第二倾角不同的第三倾角的第三斜面。
第二倾角可以大于第一倾角或第三倾角。
第二绝缘层可以覆盖第一斜面、第二斜面和第三斜面。
非显示区可以包括位于非显示区的一侧处的具有柔性的弯曲区，其中，第一绝缘层和第二绝缘层可以设置在弯曲区中。
第二开口的宽度小于第一开口的宽度，在第一开口中的第一绝缘层的边缘与第二绝缘层的与第一绝缘层的边缘相对的边缘之间的第一距离小于第一开口的宽度。
根据发明的另一方面，显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区和设置在显示区的至少一侧上的非显示区；至少一个像素，设置在基底上；第一绝缘层，设置在基底上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第一开口；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第二开口；以及包封层，覆盖非显示区的一部分、第一开口和第二开口，其中，所述至少一个像素包括设置在第一绝缘层上的第一电极和设置在第二绝缘层上的第二电极，第一电极和第二电极中的至少一个包括金属层，其中，第二绝缘层覆盖第一开口的至少一个侧面。
第一开口的侧面中的至少一个可以包括具有不同倾角的多个斜面。
第二绝缘层可以覆盖第一开口的与显示区相邻的侧面。
第一绝缘层可以具有两个部分，并且所述两个部分之间存在一定距离，第一绝缘层的边缘与第二绝缘层的与第一绝缘层的边缘相对的边缘之间的距离可以小于第一绝缘层的所述两个部分之间的距离。
第一绝缘层的所述两个部分之间的距离以及第一绝缘层与第二绝缘层之间的距离可以在使沉积在第一开口的侧面中的至少一个上的金属粒子不损坏包封层的范围内。
第一绝缘层的所述两个部分之间的距离以及第一绝缘层与第二绝缘层之间的距离在使沉积在第一开口的侧面上的金属粒子不损坏包封层的范围内。
上面的总体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，并且意图提供对所要求保护的主题的进一步的解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例，并与说明一起用于解释发明构思的原理，其中，附图被包括以提供对发明构思的进一步的理解，并且附图并入该说明书中且构成该说明书的一部分。
图1是根据发明的原理构造的显示装置的透视图。
图2是图1的显示装置的平面图。
图3是沿图2的线I-I'截取的示出显示区与非显示区之间的包括位于具有倾斜的侧面的绝缘层中的第一开口的边界部分的剖视图。
图4是更详细地示出第一开口的第一实施例的图3的一部分的放大的剖视图。
图5是示出第一开口的第二实施例的图3的一部分的放大的剖视图。
图6是示出第一开口的第三实施例的图3的一部分的放大的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种示例性实施例的全面理解。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者具有一个或者更多个等同布置的情况下来实践。在其它情况下，为了避免不必要地模糊各种示例性实施例，以框图形式示出了公知的结构和装置。
在附图中，出于清楚和描述性的目的，会夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种、者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种、者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
虽然在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。
出于描述性的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，从而描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。空间相对术语意图包含装置在使用、操作和/或制造中除了在图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是用于描述具体实施例的目的而不意图进行限制。如在这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。此外，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是并不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此，预计出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里所公开的示例性实施例不应该被解释为局限于区域的具体示出的形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，以矩形示出的注入区将通常具有圆形的或弯曲的特征，和/或位于其边缘处的注入浓度的梯度，而非从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区可以导致在掩埋区和发生注入所经由的表面之间的区域中的某些注入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域中的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确这样定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，而将不会以理想的或过于形式化的含义来进行解释。
参照图1和图2，显示装置包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素PXL以及与像素PXL结合的线部分LP。
基底SUB包括显示区DA和设置在显示区DA的至少一侧上的非显示区NDA。
基底SUB可以具有近似四边形形状，具体地，矩形形状。基底SUB可以包括平行于第一方向DR1的一对短边和平行于第二方向DR2的一对长边。在示出的实施例中，基底SUB的四个边可以依次被称为第一边至第四边，并且第一边和第三边为短边，第二边和第四边为长边。
然而，基底SUB的形状不限于这样的矩形形状，而是可以具有各种形状。例如，基底SUB可以设置为诸如包括线性边的封闭多边形、包括由曲线形成的边的圆形或椭圆形等以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半椭圆形或某种其它形状等的形状。当基底SUB具有由直线形成的边时，每种形状的角部中的至少一些可以由曲线形成。例如，当基底SUB具有矩形形状时，相邻的线性边之间的接合点中的每个接合点被具有预定曲率的曲线代替。即，矩形基底SUB的顶点中的每个可以由具有预定曲率的曲边形成，并且所述曲边的相对端分别结合到两条相邻的直线。所述曲率可以根据位置而变化。例如，曲率可以根据曲线的起点、曲线的长度等而变化。
显示区DA是设置有多个像素PXL并且在其上显示图像的区域。显示区DA可以设置有对应于基底SUB的形状的形状。例如，以与基底SUB的形状相同的方式，显示区DA可以设置为诸如包括线性边的封闭多边形、包括由曲线形成的边的圆形或椭圆形等以及包括由直线和曲线等形成的边的半圆形或半椭圆形等的各种形状。当显示区DA具有由直线形成的边时，每种形状的角部中的至少一些可以由曲线形成。
像素PXL设置在基底SUB的显示区DA上。每个像素PXL表示显示图像的最小单元，可以设置有多个像素。像素PXL可以发射白光和/或彩色光。每个像素PXL可以发射红色、绿色和蓝色中的任何一种颜色的光，但是它不限于该结构，像素PXL可以发射诸如青色、品红色或黄色的颜色的光。
像素PXL中的每个可以是包括有机发射层的发光元件，但是它不限于该结构，像素PXL可以以诸如液晶元件、电泳元件和电润湿元件的各种形式实现。
非显示区NDA还可以包括从非显示区NDA的一部分突出的附加区ADA。附加区ADA可以从限定非显示区NDA的侧面突出。如示出的，附加区ADA从与基底SUB的短边中的一个短边对应的侧面突出。然而，附加区ADA可以从长边中的一个突出，或者设置为它从两个或更多个侧面中的每个侧面突出的形式。数据驱动单元可以设置在附加区ADA上或者结合到附加区ADA，但是它不限于该结构，可以将各种组件设置在附加区ADA上。
显示装置的至少一部分可以具有柔性，显示装置可以在其任何柔性部分处折叠。即，显示装置可以包括弯曲区BA和平坦区FA，弯曲区BA具有柔性并且在一个方向上折叠，平坦区FA延伸到弯曲区BA的至少一个侧面之外并且是平坦的而不折叠。平坦区FA可以具有柔性或者可以不具有柔性。
如示出的，弯曲区BA设置在附加区ADA中。可以设置有彼此分隔开的第一平坦区FA1和第二平坦区FA2，并且弯曲区BA置于第一平坦区FA1与第二平坦区FA2之间。平坦区FA可以包括第一平坦区FA1和第二平坦区FA2。第一平坦区FA1可以包括显示区DA。弯曲区BA可以与显示区DA分隔开。
关于弯曲区BA，显示装置关于其折叠的线表示折叠线，折叠线设置在弯曲区BA中。在这方面，术语“折叠”意为显示装置可以从其原始形状改变为另一形状而没有固定的形状，并且具有包括沿折叠线“折叠”或“弯曲”或者以卷起方式“卷曲”或以其它方式挠曲的各种含义。因此，设置两个平坦区FA1和FA2使得一个平坦区的一个侧面可以与另一个平坦区的一个侧面平行，折叠显示装置使得平坦区FA1和FA2彼此面对。然而，其间插入有弯曲区BA的两个平坦区FA1和FA2可以以其间具有预定角度(例如，锐角、直角或钝角)或者以某种其它方位折叠在彼此上。
附加区ADA可以稍后沿折叠线弯曲。在这种情况下，因为附加区ADA弯曲，所以可以减小边框的宽度。
参照图3，将首先描述显示区DA，然后将描述非显示区NDA。
多个像素PXL设置在显示区DA中。每个像素PXL包括与线部分LP的相应线结合的晶体管、结合到晶体管的发光元件以及电容器Cst。晶体管可以包括用于控制发光元件的驱动晶体管，以及用于切换驱动晶体管的开关晶体管，或者由驱动晶体管和开关晶体管组成。
像素PXL设置在基底SUB上。
基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成，以便是可弯曲的或可折叠的。因此，不仅设置在基底SUB的非显示区NDA上的弯曲区BA而且基底SUB的其它区域也可以是可弯曲的或可折叠的。例如，其上设置有像素PXL的显示区DA可以被挠曲、弯曲或者折叠。此外，基底SUB可以具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可以包括以下材料中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，可以以各种方式对构成基底SUB的材料进行改变，基底SUB也可以由纤维增强塑料(FRP)等制成。
缓冲层BF形成在基底SUB上。缓冲层BF用于防止杂质扩散到开关晶体管或驱动晶体管中。缓冲层BF可以设置为单层结构或具有至少两层或更多层的多层结构。
缓冲层BF可以是由无机材料形成的无机绝缘层。例如，缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等形成。在缓冲层BF具有多层结构的情况下，各层可以由相同的材料或不同的材料形成。可以根据基底SUB的材料或处理条件而省略缓冲层BF。
有源图案ACT设置在缓冲层BF上。每个有源图案ACT由半导体材料形成。每个有源图案ACT可以包括源区、漏区以及设置在源区与漏区之间的沟道区。有源图案ACT可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或某种其它材料形成的半导体图案。沟道区可以是不掺杂杂质的半导体图案和本征半导体。源区和漏区中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。诸如n型杂质、p型杂质或其它金属的杂质可以用作掺杂杂质。
第一钝化层PSV1设置在有源图案ACT上。第一钝化层PSV1可以是由无机材料形成的无机绝缘层或由有机材料形成的有机绝缘层。诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料可以用作无机绝缘材料。有机绝缘材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、以特氟龙为例的碳氟化合物或苯并环丁烯化合物的材料。
栅电极GE和下电容器电极LE设置在第一钝化层PSV1上。栅电极GE形成为覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。
栅电极GE和下电容器电极LE可以由金属制成。例如，栅电极GE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)的金属中的至少一种或这些金属的合金制成。栅电极GE可以具有单层结构，但是它不限于该结构，并且可以具有通过堆叠金属和合金中的两种或更多种材料形成的多层结构。
包括栅极线的其它线可以与栅电极GE和下电容器电极LE设置在同一层中，并且由与这些电极的材料相同的材料形成。诸如栅极线的其它线可以直接地或间接地结合到每个像素PXL中的晶体管的一部分(例如，栅电极GE)。
第二钝化层PSV2设置在栅电极GE和下电容器电极LE上。第二钝化层PSV2可以是由无机材料形成的无机绝缘层。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等可以用作无机材料。
上电容器电极UE设置在第二钝化层PSV2上。上电容器电极UE可以由金属形成。例如，上电容器电极UE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)的金属中的至少一种或这些金属的合金制成。上电容器电极UE可以具有单层结构，但是它不限于该结构，它可以具有通过堆叠金属和合金中的两种或更多种材料形成的多层结构。
下电容器电极LE与上电容器电极UE设置为其间有第二钝化层PSV2，从而形成电容器Cst。电容器Cst可以由下电容器电极LE和上电容器电极UE形成，但是电容器Cst不限于该取向。电容器Cst可以以各种其它方式实现。
第三钝化层PSV3设置在上电容器电极UE上。第三钝化层PSV3可以是由无机材料形成的无机绝缘层。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可以用作无机材料。
源电极SE和漏电极DE设置在第三钝化层PSV3上。源电极SE和漏极DE分别通过形成在第三钝化层PSV3、第二钝化层PSV2和第一钝化层PSV1中的接触孔，来与有源图案ACT的源区和漏区接触。
源电极SE和漏电极DE可以由金属制成。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)的金属中的至少一种或这些金属的合金制成。源电极SE和漏电极DE中的每个可以具有单层结构，但是它们不限于该结构，它们可以具有通过堆叠金属和合金中的两种或更多种材料形成的多层结构。
数据线DL或第一电力线可以与源电极SE和漏电极DE设置在同一层中，并且由与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料形成。数据线DL或第一电力线可以直接地或间接地结合到每个像素PXL中的晶体管的一部分(例如，源电极SE和/或漏电极DE)。
第四钝化层PSV4可以设置在源电极SE和漏电极DE上。第四钝化层PSV4可以是由无机材料形成的无机绝缘层。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等可以用作无机材料。可以省略第四钝化层PSV4。
第一绝缘层INS1可以设置在第四钝化层PSV4上。在省略第四钝化层PSV4的情况下，第一绝缘层INS1可以设置在第三钝化层PSV3上。
至少一个像素PXL设置在基底SUB上。每个像素可以具有设置在第一绝缘层INS1与第二绝缘层INS2之间的第一电极EL1和设置在第二绝缘层INS2上的第二电极EL2。金属层可以设置在第一电极EL1和第二电极EL2中的至少一个中。第一电极EL1和第二电极EL2可以分别是阳极和阴极。
第一电极EL1可以通过由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些金属的合金制成的金属层和/或ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、ITZO(氧化铟锡锌)等形成。
第一电极EL1可以由一种金属形成，但是它不限于该结构，它可以由两种或更多种金属(以如Ag和Mg的合金为例)形成。
在期望沿朝向基底SUB的下部的方向提供图像时第一电极EL1可以由透明导电层形成，或者在期望在朝向基底SUB的上部的方向提供图像时第一电极EL1可以由金属反射层和透明导电层形成。
用于限定与每个像素PXL对应的像素(PXL)区的第二绝缘层INS2设置在其上形成有第一电极EL1等的基底SUB上。第二绝缘层INS2可以是由有机材料制成的有机绝缘层。诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、以特氟龙为例的碳氟化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用作有机材料。
第二绝缘层INS2暴露第一电极EL1的上表面并沿着像素PXL的外围从基底SUB突出。
第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2依次堆叠在基底SUB上。第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2中的每个可以是由有机材料制成的有机绝缘层。在图3中，显示装置仅具有两个绝缘层。然而，显示装置还可以具有设置在第一绝缘层INS1与第二绝缘层INS2之间的绝缘层、位于第一绝缘层INS1下方的绝缘层和/或位于第二绝缘层INS2上的绝缘层。
仍然参照图3，第一绝缘层INS1具有第一开口OPN1，第二绝缘层INS2具有第二开口OPN2。第一开口OPN1和第二开口OPN2可以设置在与显示区DA相邻的区域处。在其处可设置有第一开口OPN1和第二开口OPN2的上述区域可以是显示区DA与非显示区NDA之间的边界。因此，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可以不设置在显示区DA与非显示区NDA之间的边界处。由于第一开口OPN1和第二开口OPN2的存在，所以在显示区DA与非显示区NDA之间的边界处不会存在有机绝缘层。有机绝缘层可以是外部的氧或水渗透显示装置所沿的路径。在图3的示出的实施例中，在第一开口OPN1和第二开口OPN2中不存在有机绝缘层。包封层SL堆叠在第一开口OPN1和第二开口OPN2上。因此，可以防止外部的氧或水通过有机绝缘层渗透显示装置。第一开口OPN1和第二开口OPN2中的每个可以具有足够大的宽度，从而在形成第一绝缘层INS1或第二绝缘层INS2的工艺过程中没有剩余材料残留在开口中。
第一开口OPN1的一个侧面可以包括具有不同倾角的多个斜面SLP。斜面SLP可以形成在第一开口OPN1的与显示区DA相邻的侧面上、位于显示区DA处的侧面上或位于显示区DA中的侧面上。参照图3，斜面SLP包括第一斜面SLP1、第二斜面SLP2和第三斜面SLP3。
显示装置可以包括位于第一开口OPN1的侧面中的至少一个侧面上的斜面SLP，以防止金属粒子沉积在第一开口OPN1的一个侧面上。
在形成第一电极EL1或第二电极EL2的工艺期间，通过蚀刻剂对包括在第一电极EL1或第二电极EL2中的金属层进行蚀刻。被蚀刻的金属以金属离子的形式存在于蚀刻剂中。当蚀刻剂中的金属离子与另一种金属接触时，金属离子可以接收电子并从蚀刻剂中被提取。金属的提取取决于金属的电离倾向。例如，包括在第一电极EL1或第二电极EL2中的第一金属(M1)可以通过蚀刻以第一金属离子(M1+)的形式存在。如以下化学式中所示，当蚀刻剂中的第一金属离子(M1+)与第二金属(M2)接触时，第一金属离子(M1+)可以以第一金属(M1)的形式提取，第二金属(M2)可以以第二金属离子(M2+)的形式电离。
[化学式1]
a M1c++b M2→a M1(↓)+b M2d+
(a、b、c、d是任意自然数)
在上述的情况下，第二金属(M2)的电离倾向大于第一金属(M1)的电离倾向。在提取之后，当漂浮在蚀刻剂中的第一金属(M1)沉积在显示装置的特定区域上时，第一金属(M1)会引起问题。例如，在第一金属(M1)的粒子沉积在第一开口OPN1的一个侧面上的情况下，第一金属(M1)的沉积粒子会损坏形成在第一绝缘层INS1上的包封层SL。详细地，当在制造显示装置的工艺过程中按压显示装置时，沉积在第一开口OPN1的一个侧面上的第一金属(M1)的粒子会损坏均具有相对低的弹性的包封层SL1和SL3。
会引起这样的问题的第一金属(M1)的粒子会沉积在第一开口OPN1的一个侧面上，具体地，沉积在第一开口OPN1的与弯曲区BA相邻的侧面上。在第一绝缘层INS1具有位于第一开口OPN1的侧面上的陡峭的斜面的阶梯部的情况下，会在第一绝缘层INS1的末端或第一开口OPN1的一个侧面上产生蚀刻剂的涡流。漂浮在蚀刻剂中的第一金属(M1)的粒子会积聚在产生涡流的区域中。在已经去除蚀刻剂之后，第一金属(M1)的粒子会沉积在产生涡流的区域上。
根据发明的原理，可以防止第一金属(M1)的粒子沉积在第一开口OPN1的侧面上。详细地，因为斜面SLP被包括在第一开口OPN1的侧面中的至少一个中，所以防止蚀刻剂的涡流形成在第一开口OPN1的侧面上。因此，漂浮在蚀刻剂中的第一金属(M1)的粒子不沉积在第一开口OPN1的侧面上，此外，例如在向包封层SL传递力的按压的后续步骤期间，不会发生对形成在第一开口OPN1上的包封层SL的后续损坏。
第一金属可以是例如银(Ag)。因此，可以防止银(Ag)粒子沉积在第一开口OPN1的一个侧面上。银(Ag)可以包括在显示装置中。因为银(Ag)是具有高导电性的材料，所以银(Ag)可以用作显示装置中的电极或电力线的材料。在蚀刻工艺过程期间，包括在电极或电力线中的银(Ag)可以以银离子(Ag+)的形式熔化到蚀刻剂中。这样的银离子(Ag+)可以在制造显示装置的工艺过程中接收电子并且被提取以再次形成银(Ag)。例如，当包括银离子(Ag+)的蚀刻剂与铝(Al)接触时，电子可以从铝(Al)移动到银离子(Ag+)，从而可以提取银(Ag)。在制造显示装置的工艺过程中，难以避免包括银离子(Ag+)的蚀刻剂与另一种金属接触。因此，在许多情况下，银离子(Ag+)和所得到的提取的银(Ag)存在于蚀刻剂中。
第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可以依次堆叠并形成坝状件。第一开口OPN1和第二开口OPN2可以形成在弯曲区BA与坝状件之间。因此，斜面SLP可以设置在第一绝缘层INS1的堆叠在弯曲区BA上的侧面上，或者设置在第一绝缘层INS1的形成坝状件的侧面上。然而，第一绝缘层INS1、第一开口OPN1和斜面SLP的位置不限于这些构造。例如，第一开口OPN1可以设置在设置有坝状件的区域与设置有第一电极EL1的区域之间。可选择地，在显示装置中不设置坝状件的情况下，第一开口OPN1可以设置在弯曲区BA与设置有第一电极EL1的区域之间。根据设置有第一开口OPN1的位置，也可以改变设置斜面SLP的位置。
有机发光层OL可以设置在由第二绝缘层INS2包围的像素(PXL)区上。
有机发光层OL可以包括低分子材料或高分子材料。低分子材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。这样的材料可以通过真空蒸发法形成。高分子材料可以包括PEDOT、PPV(聚苯撑乙烯撑)类材料、聚芴类材料或某种其它材料。
有机发光层OL可以具有单层结构或包括各种功能层的多层结构。当有机发光层OL具有多层结构时，它可以具有以单材料或多材料结构堆叠有空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层等的结构。有机发光层OL可以通过蒸发法、丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(LITI)法等形成。
有机发光层OL的结构不限于前述的结构，它可以具有各种其它结构。有机发光层OL的至少一部分可以一体地形成在多个第一电极EL1之上。可选择地，有机发光层OL可以对应于多个第一电极EL1中的每个而单独地设置。
第二电极EL2设置在有机发光层OL上。可以为每个像素PXL设置第二电极EL2。可选择地，第二电极EL2可以设置为覆盖显示区DA的大部分并且被多个像素PXL共用。
第二电极EL2可以用作阳极或阴极。当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以用作阴极。当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以用作阳极。
第二电极EL2可以通过由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr等制成的金属层和/或由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)或ITZO(氧化铟锡锌)等制成的透明导电层形成。第二电极EL2可以由具有包括薄金属层的两层或更多层的多层结构形成。例如，第二电极EL2可以由包括ITO/Ag/ITO的三层结构形成。
当期望在朝向基底SUB的下部的方向上提供图像时，第二电极EL2可以由金属反射层和透明导电层形成，或者当期望在朝向基底SUB的上部的方向上提供图像时，第二电极EL2可以由透明导电层形成。
包封层SL设置在第二电极EL2上。包封层SL可以由单层或多层形成。包封层SL可以包括第一包封层SL1至第三包封层SL3。第一包封层SL1至第三包封层SL3可以由有机材料和/或无机材料制成。在设置在最外位置处的情况下，第三包封层SL3可以由无机材料制成。
在下文中，将描述非显示区NDA。在以下对非显示区NDA的描述中，将省略或者简化与上述元件相同的元件的解释，以避免冗余的解释。
线部分LP设置在非显示区NDA中。非显示区NDA中具有弯曲区BA，基底SUB在弯曲区BA处弯曲。
线部分LP包括数据线DL并且使驱动单元和像素PXL结合。
数据线DL可以使像素PXL和驱动单元结合。为了实现该目的，数据线DL可以从像素PXL大体在第二方向DR2上延伸。数据线DL可以延伸到附加区ADA的关于第二方向DR2的端部。接触电极CTE可以设置在数据线DL的端部上。像素PXL可以通过接触电极CTE结合到以膜上芯片(COF)形式等实现的驱动单元。
数据线DL可以包括彼此结合的多条子线。为了清楚，图3被简化为仅示出了数据线DL的扇出线DLb、链接线DLc和结合线DLd。
缓冲层BF设置在基底SUB的非显示区NDA上。
第一钝化层PSV1至第四钝化层PSV4依次设置在缓冲层BF上。
第三开口OPN3形成在设置在弯曲区BA中的绝缘层中。弯曲区BA是基底SUB弯曲的区域。换言之，可以通过去除缓冲层BF、第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV2和第三钝化层PSV3的对应于弯曲区BA的部分，来在缓冲层BF、第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV2和第三钝化层PSV3中形成第三开口OPN3。在缓冲层BF、第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV2和第三钝化层PSV3中的一些中，可以不去除其对应于弯曲区BA的部分。例如，在缓冲层BF中，可以不去除缓冲层BF的对应于弯曲区BA的部分，可以形成其它绝缘层(即，第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV2和第三钝化层PSV3)，使得其对应于弯曲区BA的部分被去除，以形成第三开口OPN3。
短语“第三开口OPN3对应于弯曲区BA”可以表示第三开口OPN3与弯曲区BA叠置。第三开口OPN3的面积可以大于弯曲区BA的面积。第三开口OPN3的宽度被示出为大于弯曲区BA的宽度。然而，第三开口OPN3的宽度可以与弯曲区BA的宽度相同或者否则与示出的宽度不同。
作为参考，虽然在图3中，缓冲层BF、第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV2和第三钝化层PSV3的内侧表面已经被示出为彼此对齐并且设置在直线上，但是它们可以具有其它构造。例如，第三钝化层PSV3的第三开口OPN3可以具有比缓冲层BF的第三开口OPN3的面积大的面积。缓冲层BF的第三开口OPN3可以被限定为具有第一钝化层PSV1的第三开口OPN3、第二钝化层PSV2的第三开口OPN3和第三钝化层PSV3的第三开口OPN3之中的最小的面积。
弯曲部绝缘层INS_B设置在第三开口OPN3中。第三开口OPN3的至少一部分被弯曲部绝缘层INS_B填充。在图3中示出了第三开口OPN3被弯曲部绝缘层INS_B完全填充的示例。弯曲部绝缘层INS_B可以填充第三开口OPN3，同时覆盖第三钝化层PSV3的上表面的对应于与第三开口OPN3相邻的区域(例如，第一平坦区FA1和/或第二平坦区FA2)的部分。
弯曲部绝缘层INS_B可以是由有机材料制成的有机绝缘层。诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、以特氟龙为例的碳氟化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用作有机材料。
虽然图3描述了处于非弯曲状态的显示装置，但是显示装置可以在弯曲区BA中弯曲。显示装置可以以平坦的形状制造并随后稍后弯曲。
弯曲区BA已经被示出为设置在已经从其去除无机绝缘层的部分内。然而，弯曲区BA可以与已经从其去除无机绝缘层的部分匹配。例如，虽然弯曲区BA通常对应于已经从其去除无机绝缘层的部分，但是弯曲区BA可以等于已经从其去除无机绝缘层的部分、或比已经从其去除无机绝缘层的部分宽或者比已经从其去除无机绝缘层的部分窄。此外，弯曲区BA已经被示出为仅设置在非显示区NDA上，但是可以具有其它构造。例如，弯曲区BA可以设置在非显示区NDA和显示区DA两者之上，或者可以设置在显示区DA中。第四钝化层PSV4可以设置在基底SUB上。第四钝化层PSV4可以是无机绝缘层。在这方面，第四钝化层PSV4没有以与上述的无机绝缘层(缓冲层BF、第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV1和/或第三钝化层PSV3)的方式相同的方式，形成在对应于弯曲区BA的区域中。此外，第四钝化层PSV4暴露下接触电极CTEa的上表面的一部分。
下接触电极CTEa可以设置在第三钝化层PSV3上。上接触电极CTEb可以设置在下接触电极CTEa上。上接触电极CTEb可以与显示区DA的第一电极EL1通过同一工艺使用与显示区DA的第一电极EL1的材料相同的材料来形成。下接触电极CTEa和上接触电极CTEb构成接触电极CTE。线可以通过接触电极CTE结合到以膜上芯片或柔性印刷电路板形式等实现的驱动单元。
为了更清楚地示出第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2以及形成在第一绝缘层INS1与第二绝缘层INS2中的开口的形状，图4中未示出一些元件。显示装置不限于图4中示出的结构。因此，除了图4中示出的元件之外，显示装置还可以包括其它元件。
参照图4，第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和包封层SL依次堆叠在基底SUB上。
关于用于防止蚀刻剂的涡流的斜面SLP，第一斜面SLP1可以具有第一倾角，第二斜面SLP2可以具有与第一倾角不同的第二倾角。此外，第三斜面SLP3可以具有与第二倾角不同的第三倾角。第一倾角和第三倾角可以彼此相同或者彼此不同。第二倾角可以具有比第一倾角或第三倾角的角度大的角度。当第一倾角和第三倾角满足前述关系中的任意一种时，可以减少或者防止银(Ag)粒子沉积在第一开口OPN1的一个侧面上。
不同斜面SLP的数量和每个斜面SLP的倾角不限于上述的示例。因此，斜面SLP可以包括两个、四个或更多个斜面以及上述示例中的三个斜面。斜面SLP的倾角可以全部不同，或者它们中一些可以相同。此外，斜面SLP可以设置在第一开口OPN1的相对的侧面中的一个侧面上，或者可以设置第一开口OPN1的两侧上。因此，斜面SLP可以设置在第一开口OPN1的与非显示区NDA相邻的侧面上，或者可以设置在第一开口OPN1的两侧上。本领域技术人员可以理解的是，只要可以实现防止蚀刻剂的涡流和防止银(Ag)粒子沉积的效果，就能够对斜面SLP的数量、倾角和位置进行各种改变。
可以通过控制蚀刻速率来形成斜面SLP。例如，可以利用第一绝缘层INS1的相应部分之间的蚀刻速率的差来形成图4中示出的各个斜面SLP1、SLP2和SLP3。为了改变蚀刻速率，可以使用半色调掩模或者可以使用多个掩模。改变蚀刻速率以实现可变的斜面SLP的方法不限于上面的描述，而是也可以包括本领域已知的用于产生可变的倾斜表面的任何其它方法。
第二绝缘层INS2设置在第一绝缘层INS1上。参照图4，第二绝缘层INS2仅覆盖第三斜面SLP3的一部分。然而，如下面将描述的，第二绝缘层INS2可以覆盖所有的斜面SLP。
包封层SL设置在第二绝缘层INS2上。包封层SL可以包括第一包封层SL1、第二包封层SL2和第三包封层SL3。第一包封层SL1和第三包封层SL3可以分别为第一无机绝缘层和第二无机绝缘层。第二包封层SL2可以是有机绝缘层。因此，包封层SL可以具有依次堆叠有第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层的结构。然而，包封层SL的结构也可以是其它结构。因此，本领域技术人员可以理解的是，包封层SL的数量或材料可以根据本领域技术人员的期望而变化或者被调整。
第一包封层SL1可以由无机材料制成，第二包封层SL2可以由有机材料或无机材料制成，第三包封层SL3可以由无机材料制成。对于无机材料，抗水或氧的渗透性比有机材料的抗水或氧的渗透性高，但是因为无机材料的柔性比有机材料的柔性低，所以无机材料容易破裂。因为第一包封层SL1和第三包封层SL3由无机材料制成，而第二包封层SL2由有机材料制成，所以可以减少或者防止裂缝的扩展。在第二包封层SL2由有机材料制成的情况下，第二包封层SL2可以被第三包封层SL3完全覆盖，从而防止第二包封层SL2的边缘暴露到外部。
诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、以特氟龙为例的碳氟化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以被用作有机材料。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等可以用作无机材料。在第二包封层SL2由无机材料代替有机材料制成的情况下，可以使用例如六甲基二硅氧烷(HMDSO)、八甲基环四硅氧烷(OMCTSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)和四乙基原硅酸酯(TEOS)等的各种硅类绝缘材料。包封层SL可以覆盖并且保护容易被水或氧损坏的有机发光层。包封层SL可以覆盖显示区DA并延伸到显示区DA之外。
然而，在绝缘层由有机材料制成的情况下，与由无机材料制成的绝缘层相比，在柔性、弹性等方面有优点，但是它们易于水或氧的渗透。为了防止水或氧渗透到由有机材料制成的绝缘层中，由有机材料制成的绝缘层可以被由无机材料制成的绝缘层覆盖，使得由有机材料制成的绝缘层的边缘不暴露到外面。例如，由有机材料制成的第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可以仅延伸到位于显示区DA与非显示区NDA之间的边界，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的边缘可以被由无机材料制成的第一包封层SL1和/或第三包封层SL3覆盖。
参照图5的实施例，斜面SLP包括第一斜面SLP1和第二斜面SLP2，并且设置在第一开口OPN1的显示区DA的侧面上。第二绝缘层INS2设置在第一绝缘层INS1上，并且覆盖斜面SLP。因为第二绝缘层INS2覆盖第一绝缘层INS1的斜面SLP，所以沉积在第一开口OPN1的侧面上的金属粒子不与包封层SL直接接触。因此，在这种情况下，虽然金属粒子通过蚀刻剂的涡流沉积在第一开口OPN1的侧面上，但是金属粒子不损坏包封层SL。上面的金属粒子可以是银粒子。
如图5中所示，在第二绝缘层INS2覆盖斜面SLP的情况下，第二开口OPN2的宽度可以小于第一开口OPN1的宽度。在与基底SUB接触的区域中，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2之间的距离W2小于第一绝缘层INS1的两个部分之间的距离W1。第一绝缘层INS1的两个部分之间的距离W1与第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2之间的距离W2之间的差(W1-W2)可以在使沉积在第一开口OPN1的侧面上的金属粒子不损坏包封层SL的范围内。
在斜面SLP设置在第一开口OPN1的非显示区NDA侧上的情况下，存在于非显示区NDA中的第二绝缘层INS2可以覆盖斜面SLP。此外，在斜面SLP设置在第一开口OPN1的相对的侧面中的两侧上的情况下，设置在第二开口OPN2的相对的侧面上的第二绝缘层INS2可以分别覆盖设置在显示区DA中的斜面SLP和设置在非显示区NDA中的斜面SLP。这里，覆盖斜面SLP的第二绝缘层INS2可以通过第二绝缘层INS2的残留层彼此分隔开水或氧不渗透像素PXL的距离。
参考图6，斜面SLP包括第一斜面SLP1、第二斜面SLP2、第三斜面SLP3、第四斜面SLP4和第五斜面SLP5。各个斜面SLP1、SLP2、SLP3、SLP4和SLP5的倾角可以全部不同，或者它们中的一些可以相同。
这里描述的显示装置可以用于各种电子装置中。例如，显示装置可以应用于电视机、笔记本电脑、蜂窝式电话、智能电话、智能平板、PMP(便携式多媒体播放器)、PDA(个人数字助理)、导航装置、诸如智能手表的各种可穿戴设备等。
如上所述，根据发明的原理构造的显示装置被构造为防止包封层被损坏，这导致改善的可靠性。
虽然已经在这里描述了特定示例性实施例和实施方式，但是其它的实施例和修改将通过该描述而明显。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于提出的权利要求的更宽范围以及各种明显修改和等同布置。

Claims (9)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示图像的显示区和设置在所述显示区的至少一侧上的非显示区；
至少一个像素，设置在所述基底上；
第一绝缘层，设置在所述基底上，并且包括位于与所述显示区相邻的区域处的第一开口；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，并且包括位于与所述显示区相邻的所述区域处的第二开口；以及
包封层，覆盖所述非显示区的一部分、所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述至少一个像素包括设置在所述第一绝缘层上的第一电极和设置在所述第二绝缘层上的第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括金属层，并且
其中，所述第一开口的侧面中的至少一个包括具有不同倾角的多个斜面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一开口的所述侧面包括具有第一倾角的第一斜面、具有与所述第一倾角不同的第二倾角的第二斜面以及具有与所述第二倾角不同的第三倾角的第三斜面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二倾角大于所述第一倾角或所述第三倾角。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一斜面、所述第二斜面和所述第三斜面。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述非显示区包括位于所述非显示区的一侧处的具有柔性的弯曲区，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置在所述弯曲区中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度，在所述第一开口中的所述第一绝缘层的边缘与所述第二绝缘层的与所述第一绝缘层的所述边缘相对的边缘之间的第一距离小于所述第一开口的宽度。
7.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示图像的显示区和设置在所述显示区的至少一侧上的非显示区；
至少一个像素，设置在所述基底上；
第一绝缘层，设置在所述基底上，并且包括位于与所述显示区相邻的区域处的第一开口；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，并且包括位于与所述显示区相邻的所述区域处的第二开口；以及
包封层，覆盖所述非显示区的一部分、所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述至少一个像素包括设置在所述第一绝缘层上的第一电极和设置在所述第二绝缘层上的第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括金属层，
其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一开口的至少一个侧面，并且
其中，所述第一开口的所述至少一个侧面包括具有不同倾角的多个斜面。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一开口的与所述显示区相邻的侧面。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度，在所述第一开口中的所述第一绝缘层的边缘与所述第二绝缘层的与所述第一绝缘层的所述边缘相对的边缘之间的第一距离小于所述第一开口的宽度。
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