JP2000164710A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はコンタクトホールを有する半導体装
置にかかるものである。 【解決手段】 本発明は絶縁膜１２から半導体基板１１
の内部までほぼ同一角度で開けたコンタクトホール３
５、３６と、このコンタクトホール３５、３６の内部に
被覆したバリアメタル２０と、このバリアメタル２０の
内部に埋め込む金属電極１４とを備えたものである。
置にかかるものである。 【解決手段】 本発明は絶縁膜１２から半導体基板１１
の内部までほぼ同一角度で開けたコンタクトホール３
５、３６と、このコンタクトホール３５、３６の内部に
被覆したバリアメタル２０と、このバリアメタル２０の
内部に埋め込む金属電極１４とを備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に、コンタクトホールを有する半導体装置に関する。
特に、コンタクトホールを有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】一般
に半導体装置１０では図５に示すように半導体基板１１
の上面の絶縁膜１２にコンタクトホール１３を開け、こ
れに埋め込んだ金属電極１４からゲート電極１５間の電
子素子である拡散層１６、１７、１８の電気信号を取り
出すようにしている。
に半導体装置１０では図５に示すように半導体基板１１
の上面の絶縁膜１２にコンタクトホール１３を開け、こ
れに埋め込んだ金属電極１４からゲート電極１５間の電
子素子である拡散層１６、１７、１８の電気信号を取り
出すようにしている。
【０００３】しかし、最近のように半導体装置１０が微
細化されてくると各拡散層１６、１７、１８の相互間隔
が密接し、これらにコンタトするようにコンタクトホー
ル１３を開けるときその位置合わせが大変に困難なもの
となる。すなわち、半導体装置１０では図６に示すよう
に拡散層１７と金属電極１４との接触面積がS1、拡散層
１６と金属電極１４との接触面積がS2、拡散層１８と金
属電極１４との接触面積がS3となり、コンタクトホール
１３のコンタクト面１３Sがこれらに対して正しく位置
するように開けなければならない。
細化されてくると各拡散層１６、１７、１８の相互間隔
が密接し、これらにコンタトするようにコンタクトホー
ル１３を開けるときその位置合わせが大変に困難なもの
となる。すなわち、半導体装置１０では図６に示すよう
に拡散層１７と金属電極１４との接触面積がS1、拡散層
１６と金属電極１４との接触面積がS2、拡散層１８と金
属電極１４との接触面積がS3となり、コンタクトホール
１３のコンタクト面１３Sがこれらに対して正しく位置
するように開けなければならない。
【０００４】ところが、拡散層１６、１７、１８、コン
タクトホール１３が微細化されてくるとこれらの位置合
わせが正確に行われず拡散層１６等に対しコンタクトホ
ール１３が左や右に位置ずれしてしまうことがある。
タクトホール１３が微細化されてくるとこれらの位置合
わせが正確に行われず拡散層１６等に対しコンタクトホ
ール１３が左や右に位置ずれしてしまうことがある。
【０００５】そのため、コンタクトホール１３が左に位
置ずれしたとすると拡散層１７と金属電極１４との接触
面積S1が大きくなる反面拡散層１８と金属電極１４との
接触面積S3が小さくなり、最悪の場合には半導体装置１
０としての機能をなさないことがある。
置ずれしたとすると拡散層１７と金属電極１４との接触
面積S1が大きくなる反面拡散層１８と金属電極１４との
接触面積S3が小さくなり、最悪の場合には半導体装置１
０としての機能をなさないことがある。
【０００６】これを改良するためにコンタクトホール１
３が多少位置ずれしても各拡散層１６等と金属電極１４
との充分な接触面積を確保するようにコンタクトホール
１３を図７、図８等に示すように半導体基板１１の内部
まで延ばし、左右の拡散層１７、１８と金属電極１４と
はコンタクトホール１３の側面をもってコンタクトさせ
下部の拡散層１６と金属電極１４とは底面をもってコン
タクトする方法がとられるようになってきた。
３が多少位置ずれしても各拡散層１６等と金属電極１４
との充分な接触面積を確保するようにコンタクトホール
１３を図７、図８等に示すように半導体基板１１の内部
まで延ばし、左右の拡散層１７、１８と金属電極１４と
はコンタクトホール１３の側面をもってコンタクトさせ
下部の拡散層１６と金属電極１４とは底面をもってコン
タクトする方法がとられるようになってきた。
【０００７】この方法により各拡散層１６等と金属電極
１４との確実なコンタクト面積の確保できるようになっ
たがコンタクトホール１３を異方性エッチングにより絶
縁膜１２に開ける場合と半導体基板１１に開ける場合と
ではエッチング選択比等の影響で絶縁膜１２では傾斜角
度が大きな開口、例えば、開口角度が８０°となるのに
対し半導体基板１１では傾斜角度が小さい開口、例え
ば、開口角度が９０°となる。
１４との確実なコンタクト面積の確保できるようになっ
たがコンタクトホール１３を異方性エッチングにより絶
縁膜１２に開ける場合と半導体基板１１に開ける場合と
ではエッチング選択比等の影響で絶縁膜１２では傾斜角
度が大きな開口、例えば、開口角度が８０°となるのに
対し半導体基板１１では傾斜角度が小さい開口、例え
ば、開口角度が９０°となる。
【０００８】それゆえ、絶縁膜１２と半導体基板１１と
の境界面に突出角部１９が形成される。この突出角部１
９を有するコンタクトホール１３の内面に相互拡散防止
用のバリアメタル２０を被覆するとこれが突出角部１９
の近辺では他の部分に比べて薄くなるばかりかときには
ピンホールや亀裂２０aが生じることがある。
の境界面に突出角部１９が形成される。この突出角部１
９を有するコンタクトホール１３の内面に相互拡散防止
用のバリアメタル２０を被覆するとこれが突出角部１９
の近辺では他の部分に比べて薄くなるばかりかときには
ピンホールや亀裂２０aが生じることがある。
【０００９】このピンホール等２０aがあるとコンタク
トホール１３に埋め込む金属電極１４の一部が図８に矢
印で示すようにバリアメタル２０を介し拡散層１６、１
７、１８等に突入しスパイク状となって金属電極１４が
拡散層１６、１７、１８等と相互拡散を起こす。この相
互拡散により半導体装置１０に欠陥を伴うと言う問題が
あった。
トホール１３に埋め込む金属電極１４の一部が図８に矢
印で示すようにバリアメタル２０を介し拡散層１６、１
７、１８等に突入しスパイク状となって金属電極１４が
拡散層１６、１７、１８等と相互拡散を起こす。この相
互拡散により半導体装置１０に欠陥を伴うと言う問題が
あった。
【００１０】また、半導体装置１０では絶縁膜１２と金
属電極１４との付き回り（カバレージ）をよくするため
図９に示すように絶縁膜１２には等方性エッチングによ
り傾斜角度が大きな開口１２aを開け、他方、半導体基
板１１には異方性エッチングにより通常の傾斜角度のコ
ンタクトホール１３を開けることがある。
属電極１４との付き回り（カバレージ）をよくするため
図９に示すように絶縁膜１２には等方性エッチングによ
り傾斜角度が大きな開口１２aを開け、他方、半導体基
板１１には異方性エッチングにより通常の傾斜角度のコ
ンタクトホール１３を開けることがある。
【００１１】このような形状にすると絶縁膜１２と半導
体基板１１との接触部付近に凸状の角部２５が形成さ
れ、これに相互拡散防止用のバリアメタル２０を被覆し
たときにこの凸状の角部２５の部分のバリアメタル２０
が非常に薄くなるばかりかこの部分にピンホールや亀裂
２５a等が生ずることがある。これらの薄い部分等によ
り金属電極１４が拡散層１６、１７等に突入し半導体装
置１０に欠陥を伴うと言う問題があった。
体基板１１との接触部付近に凸状の角部２５が形成さ
れ、これに相互拡散防止用のバリアメタル２０を被覆し
たときにこの凸状の角部２５の部分のバリアメタル２０
が非常に薄くなるばかりかこの部分にピンホールや亀裂
２５a等が生ずることがある。これらの薄い部分等によ
り金属電極１４が拡散層１６、１７等に突入し半導体装
置１０に欠陥を伴うと言う問題があった。
【００１２】そこで本発明は上記問題を生じないように
した半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
した半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は拡散層
を形成する半導体基板の上面に絶縁膜を成膜した半導体
装置において、絶縁膜から半導体基板の内部までほぼ同
一角度で開けたコンタクトホールと、このコンタクトホ
ールの内部に被覆したバリアメタルと、このバリアメタ
ルの内部に埋め込む金属電極とを備えたことを特徴とす
る半導体装置を提供するものである。
を形成する半導体基板の上面に絶縁膜を成膜した半導体
装置において、絶縁膜から半導体基板の内部までほぼ同
一角度で開けたコンタクトホールと、このコンタクトホ
ールの内部に被覆したバリアメタルと、このバリアメタ
ルの内部に埋め込む金属電極とを備えたことを特徴とす
る半導体装置を提供するものである。
【００１４】また、請求項２の発明は上部の絶縁膜に大
きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の内部ま
でほぼ同一角度に開けたコンタクトホールとを備えたこ
とを特徴とする半導体装置を提供するものである。
きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の内部ま
でほぼ同一角度に開けたコンタクトホールとを備えたこ
とを特徴とする半導体装置を提供するものである。
【００１５】さらに、請求項３の発明は下部の絶縁膜の
厚さは少なくとも０．１μｍ以上にしたことを特徴とす
る半導体装置を提供するものである。
厚さは少なくとも０．１μｍ以上にしたことを特徴とす
る半導体装置を提供するものである。
【００１６】さらに、請求項４の発明は上部の絶縁膜に
大きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の上面
までの間は滑らかに形成した曲面と、この曲面の下部か
ら半導体基板の内部までほぼ同一角度に開けたコンタク
トホールとを備えたことを特徴とする半導体装置を提供
するものである。
大きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の上面
までの間は滑らかに形成した曲面と、この曲面の下部か
ら半導体基板の内部までほぼ同一角度に開けたコンタク
トホールとを備えたことを特徴とする半導体装置を提供
するものである。
【００１７】さらに、請求項５の発明は曲面は滑らかな
凹面あるいは凸面であることを特徴とする半導体装置を
提供するものである。
凹面あるいは凸面であることを特徴とする半導体装置を
提供するものである。
【００１８】さらに、請求項６の発明はコンタクトホー
ルの側面および底面に拡散層をコンタクトすることを特
徴とする半導体装置を提供するものである。
ルの側面および底面に拡散層をコンタクトすることを特
徴とする半導体装置を提供するものである。
【００１９】さらに、請求項７の発明はほぼ同一角度に
開けるコンタクトホールは７５°から９０°であること
を特徴とする半導体装置を提供するものである。
開けるコンタクトホールは７５°から９０°であること
を特徴とする半導体装置を提供するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下本発明半導体装置の第１の実
施の形態を図１ないし図３について説明する。
施の形態を図１ないし図３について説明する。
【００２１】本発明半導体装置３０の第１の実施の形態
は基本的には図５等で説明した従来の半導体装置１０と
ほぼ同様であるので同一部分は同一符号を付し詳細な説
明を省略して説明する。
は基本的には図５等で説明した従来の半導体装置１０と
ほぼ同様であるので同一部分は同一符号を付し詳細な説
明を省略して説明する。
【００２２】半導体装置３０にはSiの半導体基板１１が
備えられ、Ｂ＋、Ａｓ−をイオンインプラテーションに
より注入し、拡散層１６、１７、１８を形成する。この
上面に図示しないSiO2の絶縁膜を成膜し、この絶縁膜を
レジストマスクに加工し、さらに、この成形したSiO2絶
縁膜をマスクに半導体基板１１に適宜間隔をもって深溝
３１を開孔する。マスクにしたSiO2絶縁膜は除去する。
備えられ、Ｂ＋、Ａｓ−をイオンインプラテーションに
より注入し、拡散層１６、１７、１８を形成する。この
上面に図示しないSiO2の絶縁膜を成膜し、この絶縁膜を
レジストマスクに加工し、さらに、この成形したSiO2絶
縁膜をマスクに半導体基板１１に適宜間隔をもって深溝
３１を開孔する。マスクにしたSiO2絶縁膜は除去する。
【００２３】この深溝３１にはゲート酸化膜３２を被覆
した後ポリシリコン３３で溝内を埋めゲート電極を形成
している。
した後ポリシリコン３３で溝内を埋めゲート電極を形成
している。
【００２４】この後SiO2絶縁膜１２を形成し、図示しな
いレジストの開口をマスクにCHF3/COガスを用いてn型拡
散層１７とn型拡散層１８との側壁にコンタクトする方
向に絶縁膜１２が異方性エッチングされ、図２、図３に
示すようにテーパ角８０°の第１のコンタクトホール３
５を開口する。
いレジストの開口をマスクにCHF3/COガスを用いてn型拡
散層１７とn型拡散層１８との側壁にコンタクトする方
向に絶縁膜１２が異方性エッチングされ、図２、図３に
示すようにテーパ角８０°の第１のコンタクトホール３
５を開口する。
【００２５】つぎに、レジストを除去した後、絶縁膜１
２の第１のコンタクトホール３５の開口をマスクとして
HBr/NF3/O2ガスを用いて半導体基板１１の中間のp型拡
散層１５に延びるような異方性エッチングされ、第１の
コンタクトホール３５とほぼ同一のテーパ角８０°の第
２のコンタクトホール３６を開口する。
２の第１のコンタクトホール３５の開口をマスクとして
HBr/NF3/O2ガスを用いて半導体基板１１の中間のp型拡
散層１５に延びるような異方性エッチングされ、第１の
コンタクトホール３５とほぼ同一のテーパ角８０°の第
２のコンタクトホール３６を開口する。
【００２６】この異方性エッチングをするとき第１のコ
ンタクトホール３５と第２のコンタクトホール３６との
接触部には凹凸部を形成しないようにする。この凹凸部
のないコンタクトホール３５、３６の内面には相互拡散
防止用のTiW等のバリアメタル２０を被覆して後この内
部にはAl等の金属電極１４が埋め込まれ、半導体素子か
ら電気信号を取り出すようになっている。
ンタクトホール３５と第２のコンタクトホール３６との
接触部には凹凸部を形成しないようにする。この凹凸部
のないコンタクトホール３５、３６の内面には相互拡散
防止用のTiW等のバリアメタル２０を被覆して後この内
部にはAl等の金属電極１４が埋め込まれ、半導体素子か
ら電気信号を取り出すようになっている。
【００２７】このように形成した半導体装置３０の第１
のコンタクトホール３５、第２のコンタクトホール３６
にバリアメタル２０を被着するときにこれが均一になり
ピンホールや亀裂等を生じることがない。
のコンタクトホール３５、第２のコンタクトホール３６
にバリアメタル２０を被着するときにこれが均一になり
ピンホールや亀裂等を生じることがない。
【００２８】それゆえ、これらコンタクトホール３５、
３６に金属電極１４を形成し、加熱処理したとき金属電
極１４がバリアメタル２０を介してp型拡散層１６、n型
拡散層１７、１８に突入しスパイクが発生することがな
い。
３６に金属電極１４を形成し、加熱処理したとき金属電
極１４がバリアメタル２０を介してp型拡散層１６、n型
拡散層１７、１８に突入しスパイクが発生することがな
い。
【００２９】このような構成の金属電極１４とp型拡散
層１６、n型拡散層１７、１８とが側面、底面により充
分なコンタクトを保つとともに金属電極１４の相互拡散
を防止し各拡散層１６等から的確に電気信号を取り出す
ことができる。
層１６、n型拡散層１７、１８とが側面、底面により充
分なコンタクトを保つとともに金属電極１４の相互拡散
を防止し各拡散層１６等から的確に電気信号を取り出す
ことができる。
【００３０】なお、上記実施の形態ではコンタクトホー
ル３５、３６の傾斜角度を８０°としたが半導体装置３
０の微細化を妨げない範囲、例えば、７５°から９０°
までの範囲であれば充分に適用可能である。
ル３５、３６の傾斜角度を８０°としたが半導体装置３
０の微細化を妨げない範囲、例えば、７５°から９０°
までの範囲であれば充分に適用可能である。
【００３１】図４は本発明半導体装置３０の第２の実施
の形態を示すものである。
の形態を示すものである。
【００３２】絶縁膜１２の上部には等方性エッチングに
より傾斜角度が小さい大きな開口４１が開けられ、金属
電極１４の付き回りをよくする。
より傾斜角度が小さい大きな開口４１が開けられ、金属
電極１４の付き回りをよくする。
【００３３】この開口４１は下部から半導体基板１１の
コンタクトホール３５、３６に至る中間部には凹部４２
または凸部４３の滑らかな曲面を形成し、バリアメタル
２０を連続的に被着するようにする。
コンタクトホール３５、３６に至る中間部には凹部４２
または凸部４３の滑らかな曲面を形成し、バリアメタル
２０を連続的に被着するようにする。
【００３４】このような開口４１、第１のコンタクトホ
ール３５、第２のコンタクトホール３６にすれば金属電
極１４がこれら開口４１、第１のコンタクトホール３
５、第２のコンタクトホール３６の内面上に厚く形成さ
れ、熱処理を施しても各拡散層１６等に突入させること
がない。
ール３５、第２のコンタクトホール３６にすれば金属電
極１４がこれら開口４１、第１のコンタクトホール３
５、第２のコンタクトホール３６の内面上に厚く形成さ
れ、熱処理を施しても各拡散層１６等に突入させること
がない。
【００３５】そのため、このような構成によりバリアメ
タル２０にピンホール等がない半導体装置４０を製造こ
とができる。
タル２０にピンホール等がない半導体装置４０を製造こ
とができる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１の発明は拡散層を形成する半導
体基板の上面に絶縁膜を成膜した半導体装置において、
絶縁膜から半導体基板の内部までほぼ同一角度で開けた
コンタクトホールと、このコンタクトホールの内部に被
覆したバリアメタルと、このバリアメタルの内部に埋め
込む金属電極とを備えからバリアメタルの亀裂等がなく
なり半導体装置を欠陥品とすることがない。
体基板の上面に絶縁膜を成膜した半導体装置において、
絶縁膜から半導体基板の内部までほぼ同一角度で開けた
コンタクトホールと、このコンタクトホールの内部に被
覆したバリアメタルと、このバリアメタルの内部に埋め
込む金属電極とを備えからバリアメタルの亀裂等がなく
なり半導体装置を欠陥品とすることがない。
【００３７】また、請求項２、３の発明は上部の絶縁膜
に大きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の内
部までほぼ同一角度に開けたコンタクトホールとを備え
たからバリアメタルを開口、コンタクトホールに均一に
被着することができる。
に大きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の内
部までほぼ同一角度に開けたコンタクトホールとを備え
たからバリアメタルを開口、コンタクトホールに均一に
被着することができる。
【００３８】さらに、請求項４、５の発明は上部の絶縁
膜に大きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の
上面までの間は滑らかに形成した曲面と、この曲面の下
部から半導体基板の内部までほぼ同一角度に開けたコン
タクトホールとを備えたから孔、コンタクトホール等に
バリアメタルを均一に被着することができる。
膜に大きく開けた孔と、下部の絶縁膜から半導体基板の
上面までの間は滑らかに形成した曲面と、この曲面の下
部から半導体基板の内部までほぼ同一角度に開けたコン
タクトホールとを備えたから孔、コンタクトホール等に
バリアメタルを均一に被着することができる。
【００３９】さらに、請求項６の発明はコンタクトホー
ルの側面および底面に拡散層をコンタクトするから金属
電極をコンタクトホールと拡散層とに的確にコンタクト
させることができる。
ルの側面および底面に拡散層をコンタクトするから金属
電極をコンタクトホールと拡散層とに的確にコンタクト
させることができる。
【００４０】さらに、請求項７の発明はほぼ同一角度に
開けるコンタクトホールは７５°から９０°にしたから
半導体装置の微細化と各素子に対する電極部材のコンタ
クトを確実に行うことができる。
開けるコンタクトホールは７５°から９０°にしたから
半導体装置の微細化と各素子に対する電極部材のコンタ
クトを確実に行うことができる。
【図１】本発明半導体装置の第１の製造工程を示す説明
図。
図。
【図２】図１の一部を拡大して示す説明図。
【図３】本発明半導体装置の第２の製造工程を示す説明
図。
図。
【図４】本発明半導体装置の他の実施例の一部を示す説
明図。
明図。
【図５】従来の半導体装置を示す説明図。
【図６】図５の一部を拡大して示す説明図。
【図７】従来の他の半導体装置の一部を示す説明図。
【図８】図７の作用を示す説明図。
【図９】従来のさらに他の半導体装置を示す説明図。
１０、３０ 半導体装置 １１ 半導体基板 １２ 絶縁膜 １３ コンタクトホール １４ 金属電極 １６、１７、１８ 拡散層 １９ 突出角部 ２０、３２ バリアメタル ２５ 角部 ３１ 深溝 ３３ ポリシリコン ３５ 第１のコンタクトホール ３６ 第２のコンタクトホール ４１ 開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB01 BB14 BB18 CC01 DD08 DD12 FF07 FF17 FF22 FF27 GG09 HH04 HH14 HH15 5F033 JJ08 JJ18 JJ19 NN03 NN07 NN31 QQ37
Claims (7)
- 【請求項１】拡散層を形成する半導体基板の上面に絶縁
膜を成膜した半導体装置において、 絶縁膜から半導体基板の内部までほぼ同一角度で開けた
コンタクトホールと、 このコンタクトホールの内部に被覆したバリアメタル
と、 このバリアメタルの内部に埋め込む金属電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】上部の絶縁膜に大きく開けた孔と、 下部の絶縁膜から半導体基板の内部までほぼ同一角度に
開けたコンタクトホールと、 を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】下部の絶縁膜の厚さは少なくとも０．１μ
ｍ以上にしたことを特徴とする請求項２記載の半導体装
置。 - 【請求項４】上部の絶縁膜に大きく開けた孔と、 下部の絶縁膜から半導体基板の上面までの間は滑らかに
形成した曲面と、 この曲面の下部から半導体基板の内部までほぼ同一角度
に開けたコンタクトホールと、 を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】曲面は滑らかな凹面あるいは凸面であるこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】コンタクトホールの側面および底面に拡散
層をコンタクトすることを特徴とする請求項１、２、
３、４または５記載の半導体装置。 - 【請求項７】ほぼ同一角度に開けるコンタクトホールは
７５°から９０°であることを特徴とする請求項１、
２、３、４、５または６記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10337867A JP2000164710A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10337867A JP2000164710A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164710A true JP2000164710A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18312742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10337867A Pending JP2000164710A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164710A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024636A (zh) * | 2016-07-12 | 2016-10-12 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 槽栅功率器件及制作方法 |
| CN108074956A (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP10337867A patent/JP2000164710A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024636A (zh) * | 2016-07-12 | 2016-10-12 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 槽栅功率器件及制作方法 |
| CN106024636B (zh) * | 2016-07-12 | 2023-08-04 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 槽栅功率器件及制作方法 |
| CN108074956A (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041210 |