KR100647702B1 - 플렉시블 장치, 및 플렉시블 평판 표시장치 - Google Patents

플렉시블 장치, 및 플렉시블 평판 표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라스틱재 기판의 내투습성 및 내투산소성을 더욱 향상시켜 소자의 수명 및 특성을 향상시키고 공정을 단순화기 위한 것으로, 플렉시블한 기판을 포함하는 플렉시블 장치에 있어서, 상기 기판으로 수분이 침투하는 것을 방지하는 배리어막을 포함하며, 상기 배리어막은 적어도 한 층의 금속막 및 적어도 한 층의 금속산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 평판 표시 장치를 제공한다.

Description

플렉시블 장치, 및 플렉시블 평판 표시장치{Flexible device and flexible flat panel display device}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플렉시블 장치를 개략적으로 도시하는 단면도,
도 2는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 플렉시블 평판 표시장치를 개략적으로 도시하는 단면도,
도 3은 도 2의 일 화소를 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 30: 기판 11, 31: 베리어막
12,32: 금속막 13, 33: 금속산화막
20: 전자 소자 40: 유기 전계 발광 표시부
50: 밀봉부
본 발명은 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의 제조방법, 및 이에 따라 제조된 평 판 표시장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플라스틱재 기판을 가져, 플렉서블(flexible) 장치에 응용될 수 있는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의 제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치에 관한 것이다.
저온 다결정 실리콘(LTPS : low-temperature polycrystalline silicon) 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor)를 구비한 액정 디스플레이(LCD : liquid crystal display) 및 전계발광 디스플레이(ELD : electroluminescence display) 등은 현재 디지털 카메라나 비디오 카메라 또는 휴대정보단말기(PDA)나 휴대전화 등의 모바일 기기용 디스플레이로 그 시장을 확대하고 있다.
저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 첫 번째 특징은 저온 다결정 실리콘의 전자 이동도가 비정질 실리콘(amorphous silicon)의 100배 이상이나 되므로, 박막 트랜지스터의 전류 구동 능력이 높고, 각 화소에 형성되는 박막 트랜지스터의 크기를 줄일 수 있는 것이다. 따라서 화소 크기를 줄이는 것, 즉 고정세화가 가능하므로 패널을 소형화할 수 있어 모바일 기기용 디스플레이에 최적이다.
두 번째 특징은 N채널과 P채널의 각 트랜지스터의 ON 전류비가 팩터 2 정도로 균형을 이루고 있고, CMOS 회로를 구성할 수 있다는 것이다. 그러므로 패널 외주 부분에 박막 트랜지스터로 CMOS 회로를 집적할 수 있고, 패널 외부에서 입력된 화상 신호를 그곳에서 일단 받아 각 화소에 연결된 데이터 배선 및 게이트 배선의 구동 신호로 변환하므로, 각 배선마다 외부 IC에서 신호를 공급할 필요가 있는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 비교해 패널의 입력 핀 수를 격감할 수 있다. 이는 신뢰성이나 내충격성 향상에 유효하다.
한편 모바일용으로는 얇고, 가볍고 더 나아가 깨지지 않는 특성이 요구된다. 얇고 가볍게 제작하기 위해, 제조시 얇은 글라스재 기판을 사용하는 방법 외에, 기존의 글라스재 기판을 사용해 제작한 후 상기 글라스재 기판을 기계적 또는 화학적 방법으로 얇게 만드는 방법이 도입되었다. 그러나 이러한 공정은 복잡할 뿐만 아니라 잘 깨질 수 있어 실사용이 어렵다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 플라스틱재 기판 위에 형성하려는 시도가 있었다. 플라스틱은 0.2㎜ 정도의 두께로 형성하더라도 잘 깨지지 않고, 또한 비중이 글라스보다 작아 기존 글라스재 기판과 비교했을 때 중량을 1/5 이하로 경감시킬 수 있을 뿐 아니라, 플렉시블 디스플레이를 구현할 수 있다는 장점이 있다.
그런데, 이러한 플라스틱재 기판은 수분 및 산소의 침투에 취약한 단점을 갖고 있다.
특히, 이 플라스틱재 기판을 이용하여 유기 전계 발광 표시장치를 제조할 경우, 기판으로부터 수분 및 산소의 침투가 이루어져, 유기 전계 발광 소자의 수명을 단축시키는 결과를 초래하였다.
종래에는 이러한 플라스틱재 기판의 수분 및 산소의 침투를 방지하기 위하여, 플라스틱재 기판의 표면에 베리어층을 형성하였다. 이러한 베리어층은 무기물층과 유기물이 복합적으로 적층된 것으로, 무기물은 수분과 산소의 침투를 막고, 유기물은 무기물을 부호함으로써, 기판으로의 수분 및 산소 침투를 차단하는 것이 다.
그러나, 이러한 베리어층 형성에도 불구하고, 플라스틱재 기판을 이용한 전자장치에서는 수분 및 산소의 침투로 인한 소자 특성 저하가 여전히 문제가 된다. 그리고 무기물과 유기물 박막 공정용 장비가 각각 준비되어야 하므로, 공정시간이 길어지고 공정용 장비 구입 비용이 많이 드는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 플라스틱재 기판의 내투습성 및 내투산소성을 더욱 향상시켜 소자의 수명 및 특성을 향상시키고 공정을 단순화할 수 있는 플렉시블 장치 및 플렉시블 평판 표시장치를 제공하는 데 목적이 있다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 플렉시블한 기판을 포함하는 플렉시블 장치에 있어서, 상기 기판으로 수분이 침투하는 것을 방지하는 배리어막을 포함하며, 상기 배리어막은 적어도 한 층의 금속막 및 적어도 한 층의 금속산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 장치를 제공한다.
본 발명은 또한, 전술한 목적을 달성하기 위하여, 플렉시블한 기판과, 상기 기판의 일면에 구비된 발광 표시부와, 상기 기판으로 수분이 침투하는 것을 방지하는 배리어막을 포함하며, 상기 배리어막은 적어도 한 층의 금속막 및 적어도 한 층의 금속산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 평판 표시장치를 제공하는 데 있다..
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플렉시블 장치를 도시한 것이다.
이 플렉시블 장치는 기판(10)과, 기판(10)의 상면에 구비된 전자 소자(20)를 갖는다.
이 기판(10)은 플라스틱재로 아크릴, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리아세틸, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 재료가 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 얇은 글라스재를 이용하여 플렉시블화할 수도 있다.
이러한 기판(10)의 상면에 베리어막(11)이 형성된다. 베리어막(11)은 기판(10)을 통해 수분이 침투하는 것을 방지하고, 내열성을 확보할 수 있다. 플라스틱재 기판의 경우, 전술한 바와 같이, 투습도가 낮고, 열에 취약하므로 기판(10) 위에 베리어막(11)을 코팅하여 습기와 내열성을 어느 정도 확보할 수 있다.
이 베리어막(11)은 금속막(12)과 금속산화막(13) 즉, 무기막으로만 적층되어 있을 수 있다. 따라서, 배리어막(11) 공정 시에, 하나의 공정장비만을 필요로 하여 공정시간을 절약하고 장비의 비용을 낮출 수 있게 된다.
이러한 배리어막(11)은 반드시 단일의 층일 필요는 없으며, 복합층으로 형성될 수도 있다. 이를 위해 기판(10)의 상면에 베리어막(11)으로써, 금속막(12)과 금속산화막(13)을 다양한 박막증착 방법(PVD, CVD, ALD)을 이용하여 교대로 복수층으로 적층한다.
금속막(12)은 수분과 산소의 침투를 막고, 금속산화막(13)은 금속막(12)을 보호함으로써, 기판(10)으로 수분 및 산소 침투를 차단하는 것이
금속막(12)으로는 연성이 높은 금속물질인 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe) 등이 사용될 수 있으며, 상기 물질로 한정되는 것은 아니다.
금속산화막(13)으로는 치밀하고 공기중에서 안정한 물질인 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 실리콘 옥사이드(SiO2) 등이 사용될 수 있으며, 상기 물질로 한정되는 것은 아니다.
베리어막(11)의 상면에 별도로 산화 방지막(미도시)이 더 코팅되어, 배리어막(11)에서 잡지 못한 습기 등이 침투하는 것을 완전히 차단할 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 플렉시블 평판 표시장치를 도시한 단면도이고, 도 3은 도2의 발광 표시부의 일 화소를 도시한 단면도이다.
도 2에 도시된 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 플렉시블 평판 표시장치는 유기 전계 발광 표시장치이다.
이는 기판(30)과, 기판(30)상에 형성된 발광 표시부를 갖는다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 발광 표시부는 유기 전계 발광 표시부(40)와, 이 유기 전계 발광 표시부(40)를 밀봉하는 밀봉부(50)를 갖는다.
기판(30)은 전술한 바와 같이, 플렉시블한 기판이면 어떠한 것이든 사용 가 능하다. 예컨대, 플라스틱재로 아크릴, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리아세틸, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 재료가 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 얇은 글라스재를 이용하여 플렉시블화할 수도 있다.
이러한 기판(30)의 상면에 전술한 바와 같은 베리어막(31)이 형성된다. 베리어막(31)은 기판(30)을 통해 수분이 침투하는 것을 방지하고, 내열성을 확보할 수 있는 것으로, 무기물층과 폴리머층이 복합되어 있을 수 있다.
이 베리어막(31)은 금속막(32)과 금속산화막(33) 즉, 무기막으로만 적층되어 있을 수 있다. 이러한 배리어막(31)은 반드시 단일의 층일 필요는 없으며, 복합층으로 형성될 수도 있다. 이를 위해 기판(10)의 상면에 베리어막(11)으로써, 금속막(12)과 금속산화막(13)을 다양한 박막증착 방법(PVD, CVD, ALD)을 이용하여 교대로 복수층으로 적층한다.
금속막(32)은 수분과 산소의 침투를 막고, 금속산화막(33)은 금속막(32)을 보호함으로써, 기판(30)으로 수분 및 산소 침투를 차단하는 것이
금속막(32)으로는 연성이 높은 금속물질인 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe) 등이 사용될 수 있으며, 상기 물질로 한정되는 것은 아니다.
금속산화막(33)으로는 치밀하고 공기중에서 안정한 물질인 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 실리콘 옥사이드(SiO2) 등이 사용될 수 있으며, 상기 물질로 한정되는 것은 아니다.
베리어막(31)의 상면에 별도로 산화방지막(미도시)이 더 코팅되어, 배리어막(31)에서 잡지 못한 습기 등이 침투하는 것을 완전히 차단할 수 있다.
배리어막(31) 상에는 각 화소 당 적어도 하나 씩 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다.
박막 트랜지스터(TFT)로는 다양한 구조가 적용될 수 있는 데, 배리어막(31) 상에 형성된 게이트 전극(34), 게이트 전극(34)을 덮는 게이트 절연막(35), 게이트 절연막(35) 상의 소스/드레인 전극(36), 및 소스/드레인 전극(36)을 덮는 반도체층(37)을 포함할 수 있다.
게이트 전극(34), 및 소스/드레인 전극(36)은 각종 도전성 금속 및 도전성 폴리머 등이 사용될 수 있다.
그리고, 게이트 절연막(35)은 무기물 및/또는 유기물이 사용될 수 있다. 무기물로서, SiO2, SiNx, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 가능하며, 유기물로서, 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 가능하다. 또한, 무기-유기 적층막도 가능하다.
반도체층(37)은 유기 반도체 또는 무기 반도체가 사용될 수 있다.
상기 유기반도체는 반도체성 유기물질로 구비될 수 있는 데, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜 -헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
유기 반도체를 사용할 경우, 소스/드레인 전극(36)을 덮도록 유기 반도체층을 형성한 후, 레이저 식각법(LAT)의 방법에 의해 도 3과 같은 영역을 갖도록 구획한다. 물론, 이 외에도 유기 반도체에 사용되는 다양한 패터닝법이 그대로 사용될 수 있음은 물론이고, 반드시 도 3과 같은 영역으로 패터닝될 필요도 없다.
상기 무기반도체는 CdS, GaS, ZnS, CdSe, CaSe, ZnSe, CdTe, SiC, 및 Si를 포함하는 것일 수 있다.
이렇게 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 후에는 평탄화 절연막(38)으로 박막 트랜지스터(TFT)를 덮는다. 이 때, 평탄화 절연막(38)은 무기물 및/또는 유기물이 사용될 수 있는 데, 무기물로서, SiO2, SiNx, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 가능하며, 유기물로서, 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 가능하다. 무기-유기 적층막도 가능하다.
평탄화 절연막(38) 상에는 소정 패턴의 화소 전극(41)이 형성된다. 이 화소 전극(41)은 평탄화 절연막(38)에 형성된 콘택 홀을 통해 소스/드레인 전극(36) 중 어느 한 전극과 콘택된다.
상기 화소 전극(41)은, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다. 물론 이 외에도 도전성 폴리머 등이 사용될 수 있음은 물론이다.
이러한 화소 전극(41)은 화소 정의막(39)에 의해 덮여지고, 화소 정의막(39)의 화소 전극(41)의 소정 부분이 노출되도록 개구된다. 화소 정의막(39)은 무기물 및/또는 유기물이 단일 또는 복합층으로 형성될 수 있는 데, 무기물로서 SiO2, SiNx, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 가능하며, 유기물로서 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 가능하다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 절연물질이 사용될 수 있음은 물론이다.
화소 정의막(39)의 노출된 개구부에 발광층(미도시)을 포함하는 유기층(42)을 형성하고, 유기층(42)을 덮도록 대향 전극(43)을 형성해, 유기 전계 발광 소자(OLED)를 형성한다.
상기 유기층(42)은 저분자 또는 고분자 유기층이 사용될 수 있다.
저분자 유기층의 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층 (HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기층은 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기층의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
대향 전극(43)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, 및 이들의 화합물이 유기층(42)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성할 수 있다.
이렇게 유기 전계 발광부(40)를 형성한 후에는, 이 유기 전계 발광부(40)를 도 2에서 볼 수 있듯이, 밀봉부(50)에 의해 밀봉한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 밀봉부(50)는 밀봉기판이 될 수 있다. 이 밀봉기판은 플렉시블한 기판이 될 수 있으며, 전술한 기판(30)과 마찬가지로 플라스틱재 기판이나, 얇은 글라스재 기판이 사용될 수 있다.
그리고, 이 밀봉기판의 표면에도 전술한 기판(30)의 경우와 마찬가지로 베리어막이 형성될 수 있다.
이러한 밀봉기판으로 이루어진 밀봉부(50)는 실런트(51)에 의해 기판(30)과 접합된다.
한편, 상기 밀봉부(50)는 기판 외에도 메탈 캡으로 구비될 수 있으며, 필름으로 형성될 수도 있다. 필름의 경우, 베리어막(31)과 같이, 무기물층과 폴리머층이 다수 반복하여 적층된 구조가 사용될 수 있고, 이 외에도 수지재로 1차 밀봉한 후, 기판이나 메탈 캡으로 2차 밀봉할 수도 있다.
이상 설명한 것은 유기 전계 발광 표시장치에 대한 것이나, 본 발명의 평판 표시장치는 비단 유기 전계 발광 표시장치에 국한되는 것은 아니며, 액정 표시장치나 무기 전계 발광 표시장치 등 다양한 평판 표시장치에 적용될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 플렉시블한 기판을 사용할 경우, 기판을 통해 수분이나 산소가 침투하는 것을 차단할 수 있어, 장치의 수명을 향상시킬 수 있으며, 수분 및 산소로 인해 소자의 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 플렉시블 유기 전계 발광 표시장치에 사용할 경우, 그 수명 향상에 더욱 탁월한 특성을 나타낼 수 있다.
또한, 플라스틱재 기판 상에 형성된 다양한 플렉서블 장치, 특히 플렉서블 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. 그리고, 공정을 단순화할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 플렉시블한 기판을 포함하는 플렉시블 장치에 있어서,
    상기 기판으로 수분이 침투하는 것을 방지하는 배리어막을 포함하며,
    상기 배리어막은
    적어도 한 층의 금속막; 및
    상기 금속막을 보호하는 적어도 한 층의 금속산화막 및 실리콘 옥사이드 막 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속막은 알루미늄, 구리, 니켈 및 철 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속산화막은 알루미늄 옥사이드 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 플라스틱재 기판인 것을 특징으로 하는 플렉시블 장치.
  5. 플렉시블한 기판;
    상기 기판의 일면에 구비된 발광 표시부;
    상기 기판으로 수분이 침투하는 것을 방지하는 배리어막을 포함하며,
    상기 배리어막은
    적어도 한 층의 금속막; 및
    상기 금속막을 보호하는 적어도 한 층의 금속산화막 및 실리콘 옥사이드 막 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 평판 표시장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 금속막은 알루미늄, 구리, 니켈 및 철 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 평판 표시장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 금속산화막은 알루미늄 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 평판 표시장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 기판은 플라스틱재 기판인 것을 특징으로 하는 플렉시블 평판 표시장치.
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