CN115942790A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

一种电子装置包括：基体层；电路层，所述电路层设置在所述基体层上并包括晶体管和绝缘层；发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，所述发光元件层包括发光元件、像素限定层和阻挡层，所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极，所述像素限定层包括第一部分和第二部分，所述阻挡层设置在所述第一部分上；以及封装层，所述封装层设置在所述发光元件层上。

Description

电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月17日提交的第10-2021-0108201号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请为了所有目的通过引用被包含于此，如同在本文中充分阐述。

技术领域

本发明的实施例总体涉及一种具有减小的厚度并且能够减小非显示区域的尺寸的电子装置。

背景技术

向用户提供图像的诸如电视、监视器、智能电话和平板计算机的电子装置包括显示图像的显示面板。正在开发各种显示面板，诸如液晶显示(LCD)面板、有机发光显示(OLED)面板、电润湿显示面板、电泳显示面板等。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此，以上信息可以包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的示例性实施方式构造的电子装置能够通过使用阻挡层来阻止在制造电子装置期间使用的研磨液渗入电子装置的不期望区域和由此导致对电子装置的意外损坏，从而提高电子装置的可靠性。

与本发明的一个或多个实施例一致的一个或多个发明构思提供了一种具有减小的厚度并且能够减小非显示区域的尺寸的电子装置。

与本发明的一个或多个实施例一致的一个或多个发明构思提供了一种制造电子装置的方法。

将在以下描述中阐述本发明构思的附加特征，并且从描述中所述附加特征将部分地显现，或者可以通过本发明构思的实践习得所述附加特征。

实施例提供了一种电子装置，包括：基体层；电路层，所述电路层设置在所述基体层上并包括晶体管和绝缘层；发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，所述发光元件层包括发光元件、像素限定层和阻挡层，所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极，所述像素限定层包括第一部分和第二部分，所述阻挡层设置在所述第一部分上；以及封装层，设置在发光元件层上。

所述阻挡层可以包括金属材料。

所述阻挡层可以包括无机材料。

所述阻挡层可以具有倒锥形。

当在平面中观察时，所述阻挡层可以不与所述第二电极重叠。

所述封装层可以包括无机材料。

所述封装层可以直接设置在所述阻挡层和所述第二电极上。

所述第二电极可以设置在所述第二部分上。

当在平面中观察时，所述发光层可以不与所述阻挡层重叠。

所述第二电极可以被提供有开口，所述开口通过所述第二电极限定以当在平面中观察时所述开口与所述第一部分重叠，并且所述阻挡层可以设置在所述开口中。

附图说明

将附图包括在内以提供对本发明的进一步理解，并且将附图并入且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施例，并与描述一起用于说明发明构思。

当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述使得下文描述的实施例的上述和其他优点将变得显而易见。

图1是示出根据本发明原理构成的实施例的电子装置的立体图。

图2是示出根据实施例的电子装置的截面图。

图3是示出根据实施例的电子装置的一部分的截面图。

图4是示出根据实施例的电子装置的制造方法的流程图。

图5是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图6是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图7是示出图6的一部分的放大截面图。

图8是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图9是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图10是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图11是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图12是示出根据本公开的实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

图13是示出根据实施例的封装层的形成工艺的截面图。

具体实施方式

在以下描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以提供本发明的各种实施例或实施方式的全面的理解。如文中所使用的，“实施例”和“实施方式”是采用文中公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制示例的可互换的单词。然而，明显的是，在不具有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下，可以实现各种实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以是不同的，但不必须是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，实施例的具体形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实施。

除非另有说明，否则示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或共同地称作“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。

通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用为使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性或性能等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施实施例时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行或者以与描述的顺序相反的顺序被执行。另外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称为“在”另一元件或另一层“上”、“连接至”或“耦接到”另一元件或另一层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或另一层上、直接连接至或直接耦接到所述另一元件或另一层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或另一层“上”、“直接连接至或“直接耦接到”另一元件或另一层时，不存在中间元件或中间层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3不限于诸如x轴、y轴和z轴的直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例的X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何组合和所有组合。

尽管文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。

为了描述的目的，在文中可以使用诸如“在……之下”，“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上/遍及”、“较高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等空间相对术语，并且从而描述如附图中所示的一个(一些)元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘出的方位之外，空间相对术语还旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，并且如此，相应地解释在文中使用的空间相对术语。

在文中使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而非旨在是限制性的。如文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一个”，“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。另外，当在本说明书中使用术语“包括(comprises，comprising)”和/或“包含(includes，including)”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还应注意的是，如文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员可认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

在文中参照作为理想化的实施例和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图描述了各种实施例。如此，将预期由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，文中公开的实施例不应当被必然解释为限于区域的具体示出的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，附图中示出的区域不必旨在是限制性的。

除非另外定义，否则文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在文中明确地如此定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，而不应当以理想化或者过于形式化的含义来解释术语。

在下文中，将参照附图详细地说明本发明的实施例。

图1是示出根据本发明原理构成的实施例的电子装置的立体图。

参照图1，电子装置1000可以是响应于电信号而激活的装置。例如，电子装置1000可以是移动电话、平板计算机、车载导航单元、游戏单元或可穿戴单元；然而，它不应限于此或受此限制。图1示出了移动电话作为电子装置1000的典型示例。

电子装置1000可以包括有源区域1000A和非显示区域(在本文中也称为“周边区域”)1000NA。

有源区域1000A可以是显示图像IM的区域。有源区域1000A可以包括由第一方向DR1和与第一方向DR1正交或基本正交的第二方向DR2限定的平面。有源区域1000A可以进一步包括分别从平面的至少两个侧部弯曲的曲面。但是，有源区域1000A的形状不应限于此或受此限制。例如，有源区域1000A可以仅包括平面或者可以进一步包括两个或更多个曲面，例如分别从平面的四个侧部弯曲的四个曲面。

周边区域1000NA可以被限定为与有源区域1000A相邻。周边区域1000NA可以围绕有源区域1000A。然而，这仅是一个示例，可以将有源区域1000A的形状和周边区域1000NA的形状彼此相对设计。根据实施例，可以省略周边区域1000NA。周边区域1000NA可以被称为非显示区域1000NA。

第三方向DR3可以指示电子装置1000的厚度方向。第三方向DR3可以与第一方向DR1和第二方向DR2交叉。电子装置1000的各个构件的前(或上)和后(或下)表面可以在第三方向DR3上彼此区别开。表述“当在平面中观察时”可以表示在第三方向DR3上观察的状态。

图2是示出根据实施例的电子装置的截面图。

参照图2，电子装置1000可以包括显示层100和传感器层200。

显示层100可以是发光显示层，然而它不应受到特别限制。例如，显示层100可以是有机发光显示层、量子点显示层、微发光二极管(LED)显示层或纳米LED显示层。有机发光显示层的发光层可以包括有机发光材料。量子点显示层的发光层可以包括量子点或量子棒。微LED显示层的发光层可以包括微LED。纳米LED显示层的发光层可以包括纳米LED。

显示层100可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

基体层110可以提供基体表面，电路层120设置在所述基体表面上。基体层110可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底，然而它不应限于此或受此限制。根据实施例，基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。

基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、设置在第一合成树脂层上的氧化硅(SiO_x)层、设置在氧化硅层上的非晶硅(a-Si)层和设置在非晶硅层上的第二合成树脂层。氧化硅层和非晶硅层可以被称为基体屏障层。

第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括聚酰亚胺基树脂。此外，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。在本文描述的实施例中，如本文所使用的术语“X基树脂”是指包括X官能团的树脂。

电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以通过涂覆或沉积工艺形成在基体层110上。然后，绝缘层、半导体层和导电层可以通过若干光刻工艺选择性地图案化。因此，可以形成包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线。

发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件。作为示例，发光元件层130可以包括有机发光材料、量子点、量子棒、微LED或纳米LED。

封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受湿气、氧气和诸如灰尘颗粒的异物的影响。

传感器层200可以通过连续工艺形成在显示层100上。在这种情况下，传感器层200可以直接设置在显示层100上。在本文描述的实施例中，表述“传感器层200直接设置在显示层100上”表示在传感器层200和显示层100之间不存在中间元件。也就是说，在传感器层200和显示层100之间可以不设置单独的粘合构件。根据实施例，传感器层200可以通过粘合构件耦接到显示层100。粘合构件可以包括通常的粘合剂。

图3是示出根据实施例的电子装置的一部分的截面图。

参照图3，显示层100可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

基体层110可以提供基体表面，电路层120设置在所述基体表面上。基体层110可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底，然而它不应限于此或受此限制。根据实施例，基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。

基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、设置在第一合成树脂层上的氧化硅(SiO_x)层、设置在氧化硅层上的非晶硅(a-Si)层和设置在非晶硅层上的第二合成树脂层。氧化硅层和非晶硅层可以被称为基体屏障层。

第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括聚酰亚胺基树脂。此外，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。在本文描述的实施例中，如本文所使用的术语“X基树脂”是指包括X官能团的树脂。

至少一个无机层可以形成在基体层110的上表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多层。无机层可以形成屏障层和/或缓冲层。在本文描述的实施例中，显示层100的电路层120可以包括缓冲层BFL。电路层120进一步包括晶体管100PC、连接信号线SCL、第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和第六绝缘层60。

缓冲层BFL可以增加基体层110和半导体图案之间的耦接力。缓冲层BFL可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。例如，缓冲层BFL可以具有氧化硅层和氮化硅层彼此交替堆叠的堆叠结构。

半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅，然而它不应限于此或受此限制。半导体图案可以包括非晶硅、低温多晶硅或氧化物半导体。

图3仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案可以进一步设置在其他区域中。半导体图案可以遍及像素以特定规则布置。半导体图案可以根据其是否掺杂或是否掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂具有不同的电学性质。半导体图案可以包括具有相对高导电率的第一区域和具有相对低导电率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或以低于第一区域的掺杂浓度的掺杂浓度掺杂的区域。

第一区域可以具有大于第二区域的导电率的导电率并且第一区域实质上可以用作电极或信号线。第二区域实质上可以相当于晶体管的有源区。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极区或漏极区，并且半导体图案的其他部分可以是连接电极或连接信号线。

多个像素中的每一个可以具有包括七个晶体管、一个电容器和一个发光元件的等效电路，并且像素的等效电路可以以各种方式变化。图3示出了包括在像素中的一个晶体管100PC和发光元件100PE。

晶体管100PC的源极区SC1、有源区A1和漏极区D1可以由半导体图案形成。源极区SC1和漏极区D1可以在截面中从有源区A1在彼此相反的方向上延伸。图3示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。连接信号线SCL可以在平面中连接至晶体管100PC的漏极区D1。

第一绝缘层10可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以与像素重叠并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在本文描述的实施例中，第一绝缘层10可以具有氧化硅层的单层结构。除了电路层120的第一绝缘层10外，电路层120的后述的其他绝缘层中的每一层也可以是无机层和/或有机层，并且也可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，然而它不应限于此或由此限制。

晶体管100PC的栅极G1可以设置在第一绝缘层10上。栅极G1可以是金属图案的一部分。栅极G1可以与有源区A1重叠。栅极G1可以在掺杂半导体图案的工艺中的用作掩模。

第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极G1。第二绝缘层20可以与像素重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在本文描述的实施例中，第二绝缘层20可以具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层或多层结构。作为示例，第三绝缘层30可以具有氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1可以经由通过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30限定的接触孔CNT-1连接至连接信号线SCL。

第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上并且覆盖第一连接电极CNE1。第四绝缘层40可以具有氧化硅层的单层结构。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。

第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以经由通过第四绝缘层40和第五绝缘层50限定的接触孔CNT-2连接至第一连接电极CNE1。

第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。

发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件100PE和像素限定膜70。发光元件层130可以包括有机发光材料、量子点、量子棒、微LED或纳米LED。在下文中，有机发光元件将被描述为发光元件100PE，然而它不应受到特别限制。

发光元件100PE可以包括第一电极AE、发光层EL和第二电极CE。

第一电极AE可以设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以经由通过第六绝缘层60限定的接触孔CNT-3连接至第二连接电极CNE2。

像素限定层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第一电极AE的一部分。像素限定层70可以设有由其限定的开口70-OP。第一电极AE的至少一部分可以通过像素限定层70的开口70-OP暴露。

有源区域1000A(参照图1)可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在本文描述的实施例中，发光区域PXA可以被限定为与通过开口70-OP暴露的第一电极AE的部分相对应。

发光层EL可以设置在第一电极AE上。发光层EL可以设置在对应于开口70-OP的区域内。也就是说，发光层EL可以在被划分成多个部分之后形成在多个像素中的每一个中。在发光层EL被分成多个部分之后形成在每个像素中的情况下，每个发光层EL可以发射具有蓝色、红色和绿色中的至少一种的光，然而它不应限于此或由此限制。根据实施例，发光层EL在不被划分成多个部分的条件下，可以被连接以被提供遍及像素。在这种情况下，发光层EL可以提供蓝光或白光。

第二电极CE可以设置在发光层EL上。第二电极CE可以具有整体形状并且可以设置遍及像素。

空穴控制层可以设置在第一电极AE和发光层EL之间。空穴控制层可以设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA内。空穴控制层可以包括空穴传输层并且可以进一步包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层EL和第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层并且可以进一步包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以使用开口掩模形成在多个像素中。

封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以仅包括无机层，然而，封装层140的层数不应限于此或由此限制。

无机层可以保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响，并且无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。

传感器层200可以包括基体层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204和覆盖绝缘层205。

基体层201可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。根据实施例，基体层201可以是包括环氧基树脂、丙烯酸基树脂或酰亚胺基树脂的有机层。基体层201可以具有单层结构或具有各层在第三方向DR3上堆叠的多层结构。

第一导电层202和第二导电层204中的每一个可以具有单层结构或具有各层在第三方向DR3上堆叠的多层结构。

具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌锡(IZTO)等透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等。

具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一层金属层和至少一层透明导电层。

感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括无机材料。无机材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括有机材料。有机材料可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。

图4是示出根据实施例的电子装置的制造方法的流程图。图5是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

参照图3、图4和图5，可以提供基体层110(S100)。可以在基体层110上形成电路层120(S200)。

可以在电路层120上形成发光元件层130(S300)。

第一电极AE可以形成在电路层120上。第一电极AE可以电连接至晶体管100PC。

像素限定层70可以形成在电路层120上。开口70-OP可以通过像素限定层70形成。像素限定层70可以包括由开口70-OP限定的第一部分70-1和第二部分70-2。

图6是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。图7是示出图6的一部分的放大截面图。

参照图4、图6和图7，阻挡层ST可以形成在第一部分70-1上。

第一部分70-1和第二部分70-2中的每一个可以具有第一厚度HTl。第一厚度HT1可以在从大约0.6μm到大约0.8μm的范围内。作为示例，第一厚度HT1可以是大约0.7μm。

阻挡层ST可以具有小于第一厚度HT1的第二厚度HT2。第二厚度HT2可以在从大约0.3μm到大约0.4μm的范围内。作为示例，第二厚度HT2可以是大约0.37μm。

阻挡层ST可以包括金属材料。阻挡层ST可以包括依次堆叠的第一层STa、第二层STb和第三层STc。第一层STa可以包括钛。第二层STb可以包括铝。第三层STc可以包括钛。也就是说，阻挡层ST可以具有钛/铝/钛的三层结构。

此外，第一层STa可以包括氧化铟锡。第二层STb可以包括银。第三层STc可以包括氧化铟锡。也就是说，阻挡层ST可以具有氧化铟锡/银/氧化铟锡的三层结构。

然而，这仅仅是一个示例，并且根据实施例，阻挡层ST可以包括无机材料。

图8是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

参照图8，阻挡层ST-1可以设置在第一部分70-1上。阻挡层ST-1可以包括无机材料。阻挡层ST-1可以具有倒锥形。

图9和图10是示出根据实施例的发光元件层的形成工艺的截面图。

参照图4、图9和图10，间隔件SP可以设置在阻挡层ST上。当在平面中观察时，间隔件SP可以与第一部分70-1重叠。

发光层EL可以形成在开口70-OP中。掩模可以设置在间隔件SP上以沉积发光层EL。间隔件SP可以支撑掩模。

与本文中描述的实施例不同，在制造电子装置而不设置阻挡层ST的情况下，电子装置可能会由于掩模而造成划痕。像素限定层的第一部分可能被损坏。当制造电子装置时，有机材料可能会渗入电子装置的受损部分，并可能导致缺陷。然而，根据实施例，阻挡层ST可以设置在第一部分70-1上，并且间隔件SP可以设置在阻挡层ST上。阻挡层ST可以保护第一部分70-1。也就是说，阻挡层ST可以防止电子装置1000(参照图1)在沉积过程中由于掩模而造成的划痕。因而，可以提高电子装置1000(参照图1)的可靠性。

第二电极CE可以形成在发光层EL、像素限定层70(参见图3)、间隔件SP和阻挡层ST上。第二电极CE可以具有整体形状。

图11和图12是示出根据实施例的发光元件的形成工艺的截面图。

参照图4、图11和图12，可以在第二电极CE上形成无机层IOL。

研磨机CMP可以设置在无机层IOL上。研磨机CMP可以研磨间隔件SP和无机层IOL。研磨机CMP可以执行化学机械研磨工艺。化学机械研磨工艺可以包括在研磨机CMP被按压的状态下向研磨机CMP供应研磨剂和研磨液。

研磨机CMP可以研磨间隔件SP和无机层IOL，直到暴露阻挡层ST的上表面ST-T。可以在研磨机CMP执行研磨工艺的同时去除间隔件SP。

无机层IOL的上表面IOL-T可以与第二电极CE的上表面CE-T和阻挡层ST的上表面ST-T被限定在同一平面处。平面可以是由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。

在研磨工艺完成之后，可以通过第二电极CE限定开口CE-OP以当在平面中观察时开口CE-OP与第一部分70-1重叠，并且，阻挡层ST可以设置在开口CE-OP内。当在平面中观察时，阻挡层ST可以不与第二电极CE和发光层EL重叠。

阻挡层ST可以设置在第一部分70-1上。第二电极CE可以设置在第二部分70-2上。也就是说，当在平面中观察时，第一部分70-1可以与阻挡层ST重叠，并且第二部分70-2可以与第二电极CE重叠。

根据实施例，阻挡层ST可以阻挡研磨机CMP执行的研磨工艺。此外，阻挡层ST可以保护第一部分70-1。也就是说，阻挡层ST可以防止研磨液在研磨工艺中渗入第一部分70-1。也就是说，可以防止第一部分70-1由于研磨液被损坏。因此，可以提高电子装置1000(参照图1)的可靠性。

此外，根据实施例，无机层IOL的上表面IOL-T、第二电极CE的上表面CE-T和阻挡层ST的上表面ST-T可以通过研磨工艺被限定在同一平面处。也就是说，无机层IOL的上表面IOL-T、第二电极CE的上表面CE-T和阻挡层ST的上表面ST-T可以被平坦化。

图13是示出根据实施例的封装层的形成工艺的截面图。

参照图4、图12和图13，可以在第二电极CE和阻挡层ST上形成封装层140(S400)。也就是说，封装层140可以设置在发光元件层130(参照图3)上。

封装层140可以直接设置在阻挡层ST和第二电极CE上。

封装层140可以与无机层IOL一体地提供。封装层140可以仅包括无机材料，然而，这仅仅是一个示例。根据实施例，用于封装层140的材料不应限于此或由此限制。

与上文描述的实施例不同，当不使用研磨工艺时，为了平坦化电子装置1000(参照图1)的上表面，封装层140可以包括含有有机材料的有机层。由于有机层，封装层140的厚度可以增大。此外，可以在非显示区1000NA(参照图1)中进一步设置坝，以控制有机层的有机材料的流动。在这种情况下，非显示区域1000NA(参照图1)的尺寸可以增大。然而，根据实施例，无机层IOL的上表面IOL-T、第二电极CE的上表面CE-T和阻挡层ST的上表面ST-T可以通过研磨工艺平坦化。包括无机材料的封装层140可以设置在平坦化的发光元件层130上。封装层140可以不包括有机材料。封装层140的厚度可以减小。此外，在非显示区域1000NA(参照图1)中可以不需要单独的配置来控制有机材料的流动。非显示区域1000NA(参照图1)的尺寸可以减小。因此，电子装置1000的厚度可以减小，并且电子装置1000的非显示区域1000NA(参照图1)的尺寸可以减小。

尽管在本文中已经描述了某些实施例和实施方式，但是从该描述中其他实施例和修改将是明显的。因此，如对于本领域普通技术人员而言明显的是，发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求、各种明显修改和等同布置的更宽范围。

Claims (10)

1.一种电子装置，其中，所述电子装置包括：

基体层；

电路层，所述电路层设置在所述基体层上并包括晶体管和绝缘层；

发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，所述发光元件层包括发光元件、像素限定层和阻挡层，所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极，所述像素限定层包括第一部分和第二部分，所述阻挡层设置在所述第一部分上；以及

封装层，所述封装层设置在所述发光元件层上。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述阻挡层包括金属材料。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述阻挡层包括无机材料。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述阻挡层具有倒锥形。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当在平面中观察时，所述阻挡层不与所述第二电极重叠。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述封装层包括无机材料。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述封装层直接设置在所述阻挡层和所述第二电极上。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二电极设置在所述第二部分上。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当在平面中观察时，所述发光层不与所述阻挡层重叠。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二电极被提供有开口，所述开口通过所述第二电极限定以当在平面中观察时所述开口与所述第一部分重叠，并且所述阻挡层设置在所述开口中。

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