CN107664884A - 电子设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

根据本实施方式，提供电子设备及其制造方法，该电子设备具备：第一基板(SUB1)，具备第一基体(10)以及第一导电层(L1)；第二基板(SUB2)，具备与第一导电层(L1)分开设置的第二基体(20)以及第二导电层(L2)，第二基体(20)具有与第一导电层(L1)相对的第一主面(20A)以及第一主面(20A)相反侧的第二主面(20B)，第二导电层(L2)设在第二主面(20B)，第二基板(SUB2)具有贯通第二基体(20)的第一孔(VA)；以及连接材料(C)，通过第一孔(VA)将第一导电层(L1)以及第二导电层(L2)电连接，第一孔(VA)是漏斗形状。

Description

电子设备及其制造方法

本申请要求于2016年7月29日提交的日本专利申请No.2016-149609的优先权权益，并将其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及电子设备以及电子设备的制造方法。

背景技术

近年来，正在研究各种用于实现显示装置的窄边框的技术。在一个例子中公开了在贯通树脂制成的第一基板的内面和外面的孔的内部具有孔内连接部的配线部和设在树脂制成的第二基板的内面的配线部通过基板间连接部电连接的技术。

发明内容

根据一实施方式，提供了电子设备，具备：第一基板，具备第一基体以及第一导电层；第二基板，具备从所述第一导电层分开设置的第二基体以及第二导电层，所述第二基体具有与所述第一导电层相对的第一主面以及所述第一主面相反侧的第二主面，所述第二导电层设在所述第二主面，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层以及所述第二导电层电连接，所述第一孔是漏斗形状。

根据一实施方式，提供了电子设备，具备：第一基板，具备第一基体以及第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层分开设置的第二基体以及第二导电层，所述第二基体具有与所述第一导电层相对的第一主面以及所述第一主面相反侧的第二主面，所述第二导电层设在所述第二主面，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层以及所述第二导电层电连接，所述第一孔是碗状，沿所述第二主面的所述第一孔的宽度大于沿所述第一主面的所述第一孔的宽度。

根据一实施方式，提供了电子设备的制造方法，准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备与所述第一导电层分开的第二基体，在所述第二基体的与所述第一基板相对的第一主面的相反侧的第二主面形成凹部，通过蚀刻使所述第一基体以及所述第二基体的厚度变薄，并扩大所述凹部，在所述第二基体的所述第二主面上以及所述凹部内，形成第二导电层，向设有所述凹部的区域照射激光，从而形成至少贯通设在所述凹部的所述第二导电层以及所述第二基体的孔，形成通过所述孔电连接所述第一导电层和所述第二导电层的连接材料。

根据本实施方式，提供可以实现窄边框以及低成本的电子设备及其制造方法。

附图说明

图1是简要示出根据第一实施方式的显示装置的俯视图。

图2是图1示出的显示装置的等价电路。

图3是简要示出图1示出的显示装置的显示区域的截面图。

图4是简要示出图1示出的显示装置中装载的传感器的俯视图。

图5A是图1示出的显示装置的检测电极的放大示意图。

图5B是图1示出的显示装置的检测电极的其它例子的放大示意图。

图6A是简要示出图1示出的显示装置的非显示区域的截面图。

图6B是简要示出图1示出的显示装置的非显示区域的其它例子的截面图。

图7A是图6示出的基体的放大示意图。

图7B是图6示出的基体的其它例子的放大示意图。

图8A是简要示出根据第一实施方式的显示装置的制造工序的截面图。

图8B是简要示出图8A之后的制造工序的截面图。

图8C是简要示出图8B之后的制造工序的截面图。

图9A是简要示出图8C之后的制造工序的截面图。

图9B是简要示出图9A之后的制造工序的截面图。

图9C是简要示出图9B之后的制造工序的截面图。

图10A是简要示出图9C之后的制造工序的截面图。

图10B是简要示出图10A之后的制造工序的截面图。

图10C是简要示出图10B之后的制造工序的截面图。

图11是简要示出根据第二实施方式的显示装置的非显示区域的截面图。

图12是图11示出的基体的放大示意图。

图13A是简要示出根据第二实施方式的显示装置的制造工序的截面图。

图13B是简要示出图13A之后的制造工序的截面图。

图13C是简要示出图13B之后的制造工序的截面图。

具体实施方式

下面，参照附图对实施方式进行说明。需要说明的是，本公开只是一个示例，并且在本发明的精神范围内本领域技术人员容易想到的适当变化也包括在本发明的范围内。另外，在某些情况下，为了更清楚地描述各个部件的宽度，厚度，形状等，在附图中示意性地示出了相应部件。然而，示意图仅仅是一个示例，并不限定本发明。此外，在说明书和附图中，对于具有与结合前面附图所描述的构成元件的功能相同或相似的功能的构成元件，标注相同的附图标记，并且省略详细描述，除非另有必要。

[第一实施方式]

在本实施方式中，作为电子设备的一例公开显示装置。该显示装置可以应用于例如智能手机、平板终端、手机终端、笔记本式个人计算机、游戏机等各种装置。在本实施方式中公开的主要的构成可以适用于液晶显示装置、有机电致发光显示装置等自发光式显示装置、具有电泳元件等的电子纸式显示装置、应用MEMS(Micro Electro MechanicalSystems：微机电系统)的显示装置或者应用电致变色的显示装置等。

图1是示出第一实施方式的显示装置DSP的一构成例的俯视图。在这里，作为显示装置DSP的一例，说明装载了传感器SS的液晶显示装置。第一方向X、第二方向Y以及第三方向Z是彼此正交，但是，第一方向X和第二方向Y还可以以除了90度之外的角度交叉。第一方向X以及第二方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面(surface)平行的方向，第三方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。在这里，示出了通过第一方向X以及第二方向Y限定的X-Y平面中的显示装置DSP的局部平面。在下面的说明中，将第三方向Z称为上方(或者简称为上)，将与第三方向Z相反方向称为下方(或者简称为下)。并且，向第三方向Z的相反方向观察时为俯视时。

显示装置DSP具备显示面板PNL、IC芯片I1、配线基板SUB3等。

显示面板PNL是液晶显示面板，其具备第一基板SUB1、第二基板SUB2、密封圈SE以及显示功能层(后述的液晶层LC)。第一基板SUB1和第二基板SUB2沿第三方向Z相对。在附图示出的例子，第二基板SUB2设在第一基板SUB1的上方。密封圈SE设在图1中朝向右上方的斜线表示的部分，粘结第一基板SUB1和第二基板SUB2。显示功能层保持在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。

显示面板PNL具有显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是显示图像的区域，位于通过密封圈SE围住的内侧。非显示区域NDA围住了显示区域DA。密封圈SE位于非显示区域NDA。

配线基板SUB3安装在第一基板SUB1。这样的配线基板SUB3是例如具有可挠性的柔性基板。需要说明的是，在本实施方式中可以应用的柔性基板是在其至少一部分上具备由可弯曲的材料形成的柔性部即可。例如，本实施方式的配线基板SUB3可以是其整体由柔性部构成的柔性基板，还可以是具备环氧玻璃等硬质材料形成的坚硬部以及聚酰亚胺等可弯曲的材料形成的柔性部的坚硬柔性基板。

IC芯片I1安装于配线基板SUB3。需要说明的是，并不限定于图中示出的例子，IC芯片I1可以安装于比第二基板SUB2更向外侧延伸的第一基板SUB1上，还可以安装于与配线基板SUB3连接的外部电路基板。IC芯片I1内置有例如输出用于显示图像所需的信号的显示驱动器DD。这里的显示驱动器DD包括后述的信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD以及公共电极驱动电路CD中的至少一部分。并且，在附图中示出的例子，IC芯片I1内置有起到触摸面板控制器等的功能的检测电路RC。需要说明的是，检测电路RC还可以设于与IC芯片I1不同的其它IC芯片内。

显示面板PNL可以是例如具备通过使来自第一基板SUB1下方(显示面的相反侧)的光选择性地透过从而显示图像的透过显示功能的穿透式、具备选择性地反射来自第二基板SUB2上方(显示面从)的光从而显示图像的反射显示功能的反射式、或者具备透过显示功能以及反射显示功能的半穿透式中的任意一种。

装载于显示装置DSP的传感器SS进行用于检测对于显示装置DSP的被检测体的接触或者接近的感应。传感器SS具备多个检测电极Rx(Rx1、Rx2…)。检测电极Rx设在第二基板SUB2。这些检测电极Rx分别在第一方向X延伸，并且在第二方向Y上隔开间隔的排列。在图1中，作为检测电极Rx，示出了检测电极Rx1至Rx4，但是，在这里，关注检测电极Rx1，说明其结构示例。

即，检测电极Rx1具备检测部(detector)RS、端子部(terminal)RT1以及连接部CN。

检测部RS位于显示区域DA，并向第一方向X延伸。在检测电极Rx1中，主要是检测部RS被用于感应。在附图中示出的例子中，检测部RS形成为带状，但是，更加详细地，如后述的参照图5说明，由细微的金属丝线的集合体形成。并且，一个检测电极Rx1具备两条检测部RS，但是，可以具备三条以上的检测部RS，还可以具备一条检测部RS。

端子部RT1在非显示区域NDA的沿第一方向X的一端侧，连接于检测部RS。连接部CN位于非显示区域NDA的沿第一方向X的另一端侧，将多个检测部RS彼此连接。在图1中，一端侧相当于显示区域DA的左侧，另一端侧相当于显示区域DA的右侧。端子部RT1的一部分形成在俯视时与密封圈SE重叠的位置。

另一方面，第一基板SUB1具备衬垫P1以及配线W1。衬垫P1以及配线W1位于非显示区域NDA的一端侧，俯视时与密封圈SE重叠。衬垫P1形成在俯视时与端子部RT1重叠的位置。配线W1连接于衬垫P1，沿第二方向Y延伸，并且经由配线基板SUB3与IC芯片I1的检测电路RC电连接。

在本实施方式中，将衬垫P1以及配线W1称为第一导电层L1，将检测电极Rx称为第二导电层L2。显示面板PNL在非显示区域NDA具有用于连接第一导电层L1和第二导电层L2的连接用孔(contact hole)V1。

连接用孔V1形成在端子部RT1与衬垫P1相对的位置。并且，连接用孔V1有时贯通包括端子部RT1在内的第二基板SUB2以及密封圈SE，同时贯通衬垫P1。在附图中示出的例子中，连接用孔V1在俯视时呈圆形，但是，其形状并不限定于附图示出的例子，还可以是椭圆形等其它形状。连接用孔V1内设有用于将端子部RT1和衬垫P1电连接的连接材料。由此，设在第二基板SUB2的检测电极Rx1经由连接于第一基板SUB1的配线基板SUB3与检测电路RC电连接。检测电路RC读取从检测电极Rx输出的传感器信号，检测被检测体的接触或者接近的有无或者被检测体的位置坐标等。

在附图中示出的例子中，第奇数个检测电极Rx1、Rx3…每个的端子部RT1、RT3…、衬垫P1、P3…、配线W1、W3…、连接用孔V1、V3…均位于非显示区域NDA的一端侧。并且，第偶数个检测电极Rx2、Rx4…每个的端子部RT2、RT4…、衬垫P2、P4…、配线W2、W4…、连接用孔V2、V4…均位于非显示区域NDA的另一端侧。根据这样的布局，可以实现非显示区域NDA中的一端侧的宽度和另一端侧的宽度的均匀化，适合窄边框。

如图中示出，在衬垫P3比衬垫P1更加接近配线基板SUB3的布局中，配线W1在衬垫P3的内侧(换言之，接近显示区域DA侧)绕行后在衬垫P3与配线基板SUB3之间并排配置在配线W3的内侧。相同地，配线W2在衬垫P4的内侧绕行后在衬垫P4与配线基板SUB3之间并排配置在配线W4的内侧。

图2是图1示出的显示面板PNL的基本构成以及等价电路的示意图。

显示面板PNL在显示区域DA具备多个像素PX。在这里，像素是指根据像素信号可以单独控制的最小单位，位于例如包括配置在后述的扫描线和信号线交叉的位置上的开关元件的区域。多个像素PX在第一方向X以及第二方向Y上矩阵状配置。并且，显示面板PNL在显示区域DA具备多条扫描线G(G1～Gn)、多条信号线S(S1～Sm)以及公共电极CE等。扫描线G分别在第一方向X延伸，并且在第二方向Y排列。信号线S分别在第二方向Y延伸，并且在第一方向X排列。需要说明的是，扫描线G以及信号线S没有必要一定是直线状延伸，其中的一部分可以弯曲。公共电极CE横跨多个像素PX配置。扫描线G、信号线S以及公共电极CE分别引出至非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，扫描线G连接于扫描线驱动电路GD，信号线S连结于信号线驱动电路SD，公共电极CE连接于公共电极驱动电路CD。信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD以及公共电极驱动电路CD可以形成在第一基板SUB1上，其中的一部分或者全部内置在图1示出的IC芯片I1内。

各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层LC等。开关元件SW由例如薄膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G以及信号线S电连接。更加详细地，开关元件SW具备栅电极WG、源电极WS以及漏电极WD。栅电极WG连接于扫描线G。在附图中示出的例子中，将与信号线S电连接的电极称为源电极WS，与像素电极PE电连接的电极称为漏电极WD。

扫描线G与在第一方向X排列的像素PX中的每一个像素的开关元件SW连接。信号线S与在第二方向Y排列的像素PX中的每一个像素的开关元件SW连接。每个像素电极PE与公共电极CE相对，通过在像素电极PE与公共电极CE之间产生的电场来驱动液晶层LC。保持电容CS形成在例如公共电极CE与像素电极PE之间。

图3是示出图1示出的显示面板PNL的显示区域DA结构的截面图。在这里，示出了沿通过第一方向X以及第三方向Z限定的X-Z平面切割的截面图。在下面的说明中，将从第一基板SUB1朝向第二基板SUB2的方向称为上方(或者，简称为上)，从第二基板SUB2朝向第一基板SUB1的方向称为西方(或者，简称为下)。

图示的显示面板PNL具有与主要利用与基板主面大致平行的横电场的显示模式对应的构成。需要说明的是，显示面板PNL还可以具有与利用垂直于基板主面的纵电场或相对于基板主面倾斜方向的电场或者利用它们的组合的显示模式对应的构成。在利用横电场的显示模式中，可以应用例如在第一基板SUB1以及第二基板SUB2中的一个基板上具备像素电极PE以及公共电极CE双方的构成。在利用纵电场或斜电场的显示模式中，可以应用例如在第一基板SUB1具备像素电极PE以及公共电极CE中的任一，第二基板SUB2具备像素电极PE以及公共电极CE中的另外一个的构成。需要说明的是，这里的基板主面是与X-Y平面平行的面。

第一基板SUB1利用第一基体(basement)10构成。第一基体10在一个例子中的玻璃基板。需要说明的是，第一基体10还可以由树脂等其它绝缘材料形成。第一基体10具有与第二基板SUB2相对的主面10A以及与主面10A相反侧的主面10B。第一基板SUB1在第一基体10的主面10A侧具备信号线S、公共电极CE、金属层M、像素电极PE、第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第一取向膜AL1等。需要说明的是，在这里，省略了开关元件和扫描线、位于它们之间的各种绝缘层等的图示。

第一绝缘层11位于第一基体10的上方。未图示的扫描线、开关元件的半導体层位于第一基体10与第一绝缘层11之间。信号线S位于第一绝缘层11的上方。第二绝缘层12位于信号线S以及第一绝缘层11的上方。公共电极CE位于第二绝缘层12的上方。金属层M在信号线S的正上方与公共电极CE接触。在附图中示出的例子中，金属层M位于公共电极CE的上方，但是，还可以位于公共电极CE与第二绝缘层12之间。第三绝缘层13位于公共电极CE以及金属层M的上方。像素电极PE位于第三绝缘层13的上方。像素电极PE隔着第三绝缘层13与公共电极CE相对。并且，像素电极PE在与公共电极CE相对的位置上具有缝隙SL。第一取向膜AL1覆盖像素电极PE以及第三绝缘层13。

扫描线、信号线S以及金属层M由钼、钨、钛、铝等金属材料形成，可以是单层结构，还可以是多层机构。公共电极CE以及像素电极PE由ITO或IZO等透明导电材料形成。第一绝缘层11以及第三绝缘层13是无机绝缘层，第二绝缘层12是有机绝缘层。

需要说明的是，第一基板SUB1的构成并不限定于附图中示出的例子，还可以是像素电极PE位于第二绝缘层12与第三绝缘层13之间，公共电极CE位于第三绝缘层13与第一取向膜AL1之间。这种情况下，像素电极PE形成为不具有缝隙的平板状，公共电极CE具有与像素电极PE相对的缝隙。并且，还可以是像素电极PE以及公共电极CE的双方形成为梳状，配置为彼此啮合。

第二基板SUB2利用第二基体20构成。与第一基体相同地，第二基体20由玻璃或者树脂形成。第二基体20具有与第一基板SUB1相对的主面20A以及与主面20A相反侧的主面20B。第二基板SUB2在第二基体20的主面20A侧具备遮光层BM、滤色片CF、外涂层OC、第二取向膜AL2等。

遮光层BM以及滤色片CF位于与第二基体20的第一基板SUB1相对的一侧。遮光层BM划分各像素，位于信号线S的正上方。滤色片CF与像素电极PE相对，其一部分与遮光层BM重叠。滤色片CF包括红色滤色片、绿色滤色片、蓝色滤色片等。外涂层OC覆盖滤色片CF。第二取向膜AL2覆盖外涂层OC。

需要说明的是，滤色片CF还可以配置在第一基板SUB1。滤色片CF还可以包括4种颜色以上的滤色片。显示白色的像素上可以配置白色滤色片，还可以配置无着色的树脂材料，还可以在不配置滤色片的情况下配置外涂层OC。

检测电极Rx位于第二基体20的主面20B。如上所述，检测电极Rx相当于第二导电层L2，可以由包含金属的导电层、ITO或IZO等透明的导电材料形成，还可以在包含金属的导电层上层叠透明导电层，还可以由导电性的有机材料或微细的导电性物质的分散体等形成。

包括第一偏光板PL1的第一光学元件OD1位于第一基体10与照明装置BL之间。包括第二偏光板PL2的第二光学元件OD2位于检测电极Rx的上方。第一光学元件OD1以及第二光学元件OD2根据需要可以包括相位差板。

其次，说明装载于本实施方式的显示装置DSP的传感器SS的一构成例。下面说明的传感器SS是例如互电容方式的静电电容型，基于隔着电介质相对一对电极之间的静电电容的变化，检测被检测体的接触或者接近。

图4是示出传感器SS的一构成例的俯视图。

在附图中示出的构成例中，传感器SS具备传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx。在附图中示出的例子中，传感器驱动电极Tx相当于朝向右下方的斜线表示的部分，设在第一基板SUB1。并且，检测电极Rx相当于朝向右上方的斜线表示的部分，设在第二基板SUB2。传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx在X-Y平面彼此交叉。检测电极Rx在第三方向Z上与传感器驱动电极Tx相对。

传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx位于显示区域DA，它们的一部分向非显示区域NDA延伸。在附图中示出的例子中，传感器驱动电极Tx分别具有向第二方向Y延伸的带状形状，在第一方向X上隔着间隔排列。检测电极Rx分别向第一方向X延伸，在第二方向Y隔着间隔排列。如参照图1说明，检测电极Rx连接于设在第一基板SUB1的衬垫，经由配线与检测电路RC电连接。每个传感器驱动电极Tx经由配线WR与公共电极驱动电路CD电连接。需要说明的是，并不特别限定传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx的数量以及尺寸、形状，可以有各种变更。

传感器驱动电极Tx包括上述的公共电极CE，具有在与像素电极PE之间产生电场的功能，并且，具有通过在与检测电极Rx之间产生电容，从而检测被检测体的位置的功能。

公共电极驱动电路CD在显示区域DA显示图像的显示驱动时，向包括公共电极CE的传感器驱动电极Tx供给通用驱动信号。并且，公共电极驱动电路CD在进行感应的感应驱动时，向传感器驱动电极Tx供给传感器驱动信号。检测电极Rx在向传感器驱动电极Tx供给传感器驱动信号的同时，输出感应所需的传感器信号(换言之，基于传感器驱动电极Tx与检测电极Rx之间的电极间电容变化的信号)。从检测电极Rx输出的检测信号输入到图1示出的检测电路RC。

需要说明的是，上述各构成例中的传感器SS并不限定于基于一对电极间的静电电容(在上述例子中是传感器驱动电极Tx与检测电极Rx之间的静电电容)的变化来检测被检测体的互电容方式，还可以是基于检测电极Rx的静电电容的变化来检测被检测体的自电容方式。

图5A以及图5B是图1是处的检测电极Rx1的检测部RS的构成例示意图。

在图5A示出的例子，检测部RS由网眼状的金属丝线MS形成。金属丝线MS连接于端子部RT1。在图5B示出的例子，检测部RS由波状金属丝线MW形成。在附图中示出的例子中，金属丝线MW为锯齿状，但是，还可以是正弦波状等其它形状。金属丝线MW连接于端子部RT1。

端子部RT1由例如与检测部RS相同的材料形成。端子部RT1形成有圆形的连接用孔V1。需要说明的是，连接用孔V1的局部还可以与端子部RT1重叠，如虚线圆表示。

图6A是包括图1示出的连接用孔V1的、沿A-B线切割的显示面板PNL的截面图。在这里，仅示出了说明需要的主要部分。

第一基板SUB1具备第一基体10、相当于第一导电层L1的衬垫P1、相当于有机绝缘层的第二绝缘层12等。衬垫P1由与例如图3示出的信号线S相同的材料形成。第一基体10与衬垫P1之间以及第一基体10与第二绝缘层12之间可以配置有图3示出的第一绝缘层11或者其它绝缘层或其它导电层。

第二基板SUB2具备第二基体20、相当于第二导电层L2的检测电极Rx1、相当于有机绝缘层的遮光层BM以及外涂层OC等。

密封圈SE相当于有机绝缘层，位于第二绝缘层12与外涂层OC之间。液晶层LC位于第一基板SUB1与第二基板SUB2的间隙。需要说明的是，虽然未图示，但是图3示出的金属层M、第三绝缘层13、第一取向膜AL1可以介于第二绝缘层12与密封圈SE之间。并且，图3示出的第二取向膜AL2可以介于外涂层OC与密封圈SE之间。

连接用孔V1包括贯通第二基体20的孔VA、贯通衬垫P1的孔VB、贯通各种有机绝缘层的孔VC以及形成在第一基体10的凹部CC。在附图中示出的例子中，连接用孔V1还贯通检测电极Rx的端子部RT。凹部CC、孔VB、孔VC以及孔VA以这一顺序在第三方向Z排列，而且，位于沿第三方向Z的同一直线上。

孔VA具有例如漏斗形状，具有设在第二基体20的主面20B侧的凹部VAb以及设在主面20A侧的孔VAa。孔VA具有侧面为曲面形状的凹部以及从该凹部的底面向下方延伸的筒状孔，在后面详细说明。

孔VC具有贯通第二绝缘层12的第一部分VC1、贯通密封圈SE的第二部分VC2以及贯通遮光层BM和外涂层OC的第三部分VC3。当第一取向膜AL1介于密封圈SE与第二绝缘层12之间时，第一部分VC1还贯通第一取向膜AL1。当第二取向膜AL2介于密封圈SE与外涂层OC之间时，第三部分VC3还贯通第二取向膜AL2。第一部分VC1、第二部分VC2以及第三部分VC3以这一顺序在第三方向Z排列。第二部分VC2与第一部分VC1以及第三部分VC3连接。

孔VB的宽度WVB以及凹部CC的宽度WCC小于凹部VAb的宽度Wb1。其中，宽度WVB是例如在衬垫P1的上面L1A中的沿第一方向X的宽度。宽度WCC是例如在主面10A中的沿第一方向X的宽度。并且，宽度Wb1是例如在主面20B中的沿第一方向X的宽度。需要说明的是，在附图中示出的例子中，宽度WVB和宽度WCC相等，但是，可以不同。

检测电极Rx的端子部RT设在第二基体20的主面20B，并且还设在凹部VAb内。在凹部VAb中，检测电极Rx与连接材料C接触。

连接材料C设在连接用孔V1，与检测电极Rx和相当于第一导电层L1的衬垫P1电连接。在附图中示出的例子中，连接材料C具有中空部分，中空部分填充有绝缘性的填充材料FM。但是，中空部分中还可以填充有导电性的填充材料。或者，连接材料C填充于连接用孔V1。

连接材料C的上端部(第二主面侧的端部)CT位于第二基体20的主面20B的下方(第一基板SUB1侧)。

连接材料C在凹部VAb中重叠在端子部RT的上方，在孔VAa中与第二基体20接触。换句话说，第二基体20在孔VA中与端子部RT和连接材料C接触。并且，连接材料C在孔VC的第三部分VC3中，分别与遮光层BM以及外涂层OC接触，在孔VC的第二部分VC2中，与密封圈SE接触，而且，在孔VC的第一部分VC1中，与第二绝缘层12接触。在附图中示出的例子中，连接材料C在第一部分VC1中，还与衬垫P1的上面L1A接触。并且，连接材料C在孔VB中与衬垫P1接触，在凹部CC中与第一基体10接触。

图6B是包括图1示出的连接用孔V1的、沿A-B线切割的显示面板PNL的截面的其它构成例示意图。

图6B示出的例子与图6A示出的例子的区别在于，填充材料FM没有完全填充凹部VAb。即、填充材料FM与第二光学元件OD2分离。在一例中，空气等介于填充材料FM与第二光学元件OD2之间。需要说明的是，填充材料FM的一部分还可以与第二光学元件OD2接触。

图7A以及图7B是贯通第二基体20的孔VA放大示意图。在这里，示出了通过第一方向X以及第三方向Z限定的X-Z平面的截面。

凹部VAb是例如碗状。即，凹部VAb的侧面是曲面。例如，凹部VAb的截面可以具有曲线，该曲线在第三方向Z上在孔VAa的上方具有曲率圆的中心。凹部VAb的截面还可以具有多个曲线。下面，将凹部VAb的侧面的切线与第二基体20的主面20B(即、与X-Y平面平行的面)构成的角度定义为θb。角度θb在主面20B附近是例如90度，越接近主面20A越大，接近180度。

如图7A示出，孔VAa是沿第一方向X的宽度或者直径大致一定的筒状。即、孔VAa的侧面(内面)大致沿第三方向Z。或者，如图7B示出，孔VAa可以形成为主面20A上的宽度或者直径比主面20B附近的宽度或者直径更大的截顶圆锥形状。下面，将孔VAa的侧面与平行于X-Y平面的面构成的角度定义为θa。在图7A示出的例子，角度θa是大致90度。在图7B示出的例子，角度θa大于90度。在图7A以及图7B的任意情况下，角度θa相对于第三方向Z大致一定。

与孔VAa相比，凹部VAb相对于第三方向Z的直径变化较大。并且，与孔VAa的侧面相比，凹部VAb的侧面中的接近主面20A的侧面相对于第三方向Z倾斜度更大。换句话说，在凹部VAb的侧面中的至少主面20A附近的侧面中，角度θb比角度θa更大。更加详细地，在图7A示出的例子，θa是大致90，所以在凹部VAb中满足θb≥θa，这一条件并不限定于接近主面20A的侧面。另一方面，在图7B示出的例子，θa大于90度，但是，在接近凹部VAb的主面20A的侧面中，满足θb≥θa。

主面20B中的凹部VAb的沿第一方向X的宽度Wb1比主面20A中的孔VAa的沿第一方向X的宽度Wa1更大。凹部VAb的第三方向(厚度方向)Z的深度Hb比孔VAa的第三方向Z的长度Ha更大。凹部VAb的第三方向Z的深度Hb比例如第二基体20的厚度HG的例如1/2更大。

根据具备上述的传感器SS的显示装置DSP，设在第二基板SUB2的检测电极Rx通过设在连接用孔V的连接材料C，连接于设在第一基板SUB1的衬垫P。因此，无需将用于连接检测电极Rx和检测电路RC的配线基板安装于第二基板SUB2。换言之，安装于第一基板SUB1的配线基板SUB3形成用于传输在显示面板PNL显示图像所需的信号的传输通道，并且形成用于在检测电极Rx与检测电路RC之间传输信号的传输通道。因此，与需要设置除了配线基板SUB3之外的其他配线基板的构成例相比，能够减少配线基板的数量，能够降低成本。并且，第二基板SUB2上无需形成用于连接配线基板的空间，所以能够缩小显示面板PNL的非显示区域、尤其是安装配线基板SUB3的端边的宽度。由此，能够实现窄边框以及低成本。

而且，根据本实施方式，在设在第二基体20的主面20B的凹部VAb中，检测电极Rx与连接材料C接触，连接材料C的上端部CT位于第二基体20的主面20B的下方。并且，包括凹部VAb的连接用孔V1内填充有填充材料FM。即，连接用孔V1导致的台阶通过填充材料FM得到缓和。因此，在粘接第二光学元件OD2时，能够抑制第二光学元件OD2因第二光学元件OD2的基底台阶而剥离。

其次，参照图8A至图10C说明上述的显示装置DSP的制造方法的一例。

首先，如图8A示出，准备显示面板PNL。显示面板PNL具备至少具有第一基体10以及第一导电层L1的第一基板SUB1、以及至少具有第二基体20的第二基板SUB2。第二基体20与第一导电层L1相对，而且以第二基体20从第一导电层L1分离的状态，第一基板SUB1和第二基板SUB2通过密封圈SE粘接。在附图中示出的例子中，第一基板SUB1与第二基板SUB2之间保持有液晶层LC。需要说明的是，这里的第一导电层L1相当于例如图1示出的衬垫P1等，第二导电层L2相当于例如图1示出的检测电极Rx1等。

说明这样的显示面板PNL的制造方法的一例。即，准备在第一基体10的主面10A上形成了第一导电层L1和第二绝缘层12等的第一基板SUB1。另一方面，准备在第二基体20的主面20A上形成了遮光层BM、外涂层OC等的第二基板SUB2。在这些的第一基板SUB1以及第二基板SUB2中的任意一个上形成环状的密封圈SE，在密封圈SE的内侧滴下液晶材料。之后，以主面10A与主面20A相对的方式粘合第一基板SUB1以及第二基板SUB2，固化密封圈SE，从而粘接第一基板SUB1以及第二基板SUB2。由此，制造出图8A示出的显示面板PNL。

接着，在第二基体20的主面20B上形成凹部PT。凹部PT形成在设有衬垫P1的区域。在附图中示出的例子中，凹部PT还与密封圈SE重叠。

接着，如图8B示出，通过例如氢氟酸(HF)等蚀刻液，分别对第一基体10以及第二基体20进行蚀刻，将第一基体10以及第二基体20薄板化。这时，形成在主面20B的凹部PT被扩大，形成凹部VAb。需要说明的是，当蚀刻是各向同性进行时，凹部VAb变成与凹部PT大致相同的形状。需要说明的是，在图8B示出的例子，说明了利用液体状的腐蚀剂的湿法刻蚀的例子，但是，还可以利用气体腐蚀剂，进行干法蚀刻。

接着，如图8C示出，利用例如溅射法，在第二基体20的主面20B形成第二导电层L2。凹部VAb内也形成第二导电层L2。之后，向凹部VAb照射激光L。在附图中示出的例子中，激光L从第二导电层L2的上方照射。作为激光光源，可以应用例如二氧化碳气体激光装置等，但是，只要是能够在玻璃材料以及有机类材料中加工孔的装置即可，还可以应用准分子激光装置等。在附图中示出的例子中，事先形成凹部VAb后照射激光L，所以与未形成凹部VAb时相比，激光L的使用量更少。可以减少因向第二基体20照射激光带来的玻璃等的残渣。

通过照射这样的激光L，如图9A示出，形成了贯通第二基体20的孔VAa。由此，形成了具有凹部VAb以及连接于凹部VAb的孔VAa的孔VA。并且，在附图中示出的例子中，在照射激光L时，同时形成贯通位于孔VA的正下方的遮光层BM以及外涂层OC的孔的第三部分VC3、贯通位于第三部分VC3的正下方的密封圈SE的孔的第二部分VC2、贯通位于第二部分VC2的正下方的第二绝缘层12的第一部分VC1、贯通位于第一部分VC1的正下方的第一导电层L1的孔VB、位于孔VB的正下方的第一基体10的凹部CC。由此，形成了用于连接第一导电层L1和第二导电层L2的连接用孔V1。在附图中示出的例子中，连接用孔V1还贯通第二导电层L2。

接着，如图9B示出，在小箱(chamber)CB内设置显示面板PNL后，排出小箱CB内的空气，在真空中(低于大气压的气压环境下)向孔VA内注入连接材料C。这时，连接材料C不会流入到第一导电层L1，有时在连接材料C与第一导电层L1之间形成空间SP。但是，空间SP是真空。

接着，如图9C示出，通过向小箱CB内导入空气、惰性气体等气体，从而降低真空度，通过空间SP与显示面板PNL周围的气压差异，连接材料C从孔VA流入孔VC、VB以及凹部CC，使连接材料C与第一导电层L1接触。

接着，如图10A示出，通过去除包含在连接材料C的溶剂，减少连接材料C的体积，形成中空部分HL。这样形成的连接材料C在孔VA中分别与第二导电层L2以及第二基体20接触，在孔VC中分别与遮光层BM、外涂层OC、密封圈SE以及第二绝缘层12接触，在孔VB中与第一导电层L1接触，在凹部CC中与第一基体10接触。在孔VA中，连接材料C的上端部CT位于第二基体20的主面20B的下方。

需要说明的是，参照图9B、图9C以及图10A说明的连接材料C的形成方法只是一个例子，并不限定于这些。例如，即使是在大气压下向孔VA注入连接材料C之后去除包含在连接材料C中的溶剂的方法，也可以形成与上述相同的连接材料C。

接着，如图10B示出，将填充材料FM填充到连接材料C的中空部分HL以及凹部VAb。由此，因连接材料C中形成中空部分HL而形成的第三方向Z的台阶以及凹部VAb导致的第三方向Z的台阶能够得到缓和。

接着，如图10C示出，将第二光学元件OD2粘接于第二基体20的主面20B侧。在附图中示出的例子中，第二光学元件OD2还延伸到与连接用孔V1重叠的部分，但是，如上所述，第二光学元件OD2的基底的台阶得到了缓和，所以能够抑制第二光学元件OD2的剥离。

如以上说明，根据本实施方式，能够提供可以实现窄边框以及低成本的显示装置及其制造方法。

[第二实施方式]

图11是根据第二实施方式的显示装置的包括连接用孔的截面图。第二实施方式与第一实施方式的区别在于，连接用孔V1的孔VA是碗状。

连接用孔V1包括贯通第二基体20的孔VA以及贯通各种有机绝缘层的孔VC。在附图中示出的例子中，连接用孔V1还贯通检测电极Rx的端子部RT。在孔VA中，检测电极Rx介于第二基体20与连接材料C之间。在附图中示出的例子中，在孔VA中，第二基体20只是与检测电极Rx接触，与连接材料C分离。并且，连接用孔V1并没有贯通第一导电层L1。即，形成在连接用孔V1的连接材料C的下端部(第一基板SUB1侧的端部)CBT与第一导电层L1的与第二基板SUB2相对的一侧的上面L1A接触。需要说明的是，虽然附图中未示出，但是，连接用孔V1还可以具有贯通第一导电层L1的孔，还可以设在第一基体10且包含与孔VC相对的凹部。

图12是孔VA放大示意图。

孔VA是碗状。即，孔VA的侧面(内面)是曲面。例如，孔VA的截面可以具有曲线，该曲线在孔VA内或者孔VA的上方具有曲率圆的中心。孔VA的截面还可以具有多个曲线。孔VA的侧面的切线与平行于X-Y平面的面构成的角度在第二基体20的主面20B附近是例如90度，越接近主面20A越大，接近180度。

孔VA的主面20B中的沿第一方向X的宽度Wb2比主面20A中的沿第一方向X的宽度Wa2更大。并且，宽度Wb2比第二基体20的厚度HG更大。宽度Wb2在第二基体20的厚度HG的例如两倍以上。

其次，参照图13A至13C说明上述的显示装置的制造方法的一例。

本实施方式的开始的制造工序与第一实施方式的图8A为止的制造工序相同，所以省略说明。

在本实施方式中，如图13A示出，在通过蚀刻实现第一基体10以及第二基体20的薄板化时，将凹部扩大到贯通第二基体20为止，从而形成孔VA。

接着，如图13B示出，利用例如溅射法，在第二基体20的主面20B形成第二导电层L2。孔VA内也形成第二导电层L2。之后，向设有孔VA的区域照射激光L。在附图中示出的例子中，激光L从第二导电层L2的上方照射。这时，激光L的光束直径可以比第一实施方式中的光束直径更大。并且，通过调整激光的输出，与第一实施方式相比，减弱激光L的强度。

通过照射这样的激光L，如图13C示出，形成不贯通第一导电层L1的连接用孔V1。即，在照射激光L时，同时形成贯通位于孔VA正下方的遮光层BM以及外涂层OC的孔的第三部分VC3、贯通位于第三部分VC3正下方的密封圈SE的孔的第二部分VC2、贯通位于第二部分VC2正下方的第二绝缘层12的第一部分VC1。在附图中示出的例子中，连接用孔V1还贯通第二导电层L2。

之后的制造工序与第一实施方式相同，所以省略说明。

在本实施方式中，也可以得到与第一实施方式相同的效果。而且，连接材料C的下端部CBT与第一导电层L1的上面L1A接触，所以与第一实施方式相比，能够扩大连接材料C与第一导电层L1的接触面积。因此，能够得到良好的电气特性。

需要说明的是，说明了第一实施方式中的凹部VAb以及第二实施方式中的孔VA在俯视时为圆形的例子，但是，这些的形状还可以是其它形状。

在上述的各实施例中，第一基体10相当于第一基体。第一导电层L1(衬垫P1)相当于第一导电层。第二基体20相当于第二基体，主面20A相当于第一主面，主面20B相当于第二主面。第二导电层L2(检测电极Rx)相当于第二导电层。连接材料C相当于连接材料，连接材料C的上端部CT相当于端部。孔VA相当于第一孔。凹部VAb相当于第一凹部，孔VAa相当于第二孔。孔VB相当于第三孔。凹部CC相当于第二凹部。

虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅以示例的方式呈现，并不用于限定本发明的范围。实际上，这里描述的新的实施例可以以各种其他形式来体现。此外，在不脱离本发明的精神的情况下，可以对本文所述实施例的形式进行各种省略，替换或改变。权利要求书及其等同物均包含在本发明的范围和精神内。

下面附注可以从本说明书中公开的构成中得到的电子设备的一例。

(1)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一基体以及第一导电层；第二基板，具备从所述第一导电层分开设置的第二基体以及第二导电层，所述第二基体具有与所述第一导电层相对的第一主面以及所述第一主面相反侧的第二主面，所述第二导电层设在所述第二主面，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层以及所述第二导电层电连接，所述第一孔是漏斗形状。

(2)在(1)记载的电子设备中，所述第一孔具有：碗状的第一凹部，位于所述第二主面侧；以及筒状的第二孔，位于所述第一主面侧，且与所述第一凹部连接。

(3)在(2)记载的电子设备中，沿所述第二基体的厚度方向，所述第一凹部的深度大于所述第二孔的长度更大。

(4)在(1)记载的电子设备中，所述第二导电层设在所述第一孔内，在所述第一孔，所述连接材料与所述第二导电层接触。

(5)在(1)记载的电子设备中，所述第一孔中的所述连接材料的端部位于所述第二主面的所述第一主面侧。

(6)在(1)记载的电子设备中，所述第二基体在所述第一孔与所述第二导电层和所述连接材料接触。

(7)在(1)记载的电子设备中，所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第三孔。

(8)在(7)记载的电子设备中，所述第三孔的宽度小于所述第一凹部的沿所述第二主面的宽度。

(9)在(1)记载的电子设备中，所述第一基体具有与所述第一孔相对的第二凹部。

(10)在(9)记载的电子设备中，所述第二凹部的宽度小于所述第一凹部的沿所述第二主面的宽度。

(11)一种电子设备，具备：第一基板，具备第一基体以及第一导电层；第二基板，具备与所述第一导电层分开设置的第二基体以及第二导电层，所述第二基体具有与所述第一导电层相对的第一主面以及所述第一主面相反侧的第二主面，所述第二导电层设在所述第二主面，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层以及所述第二导电层电连接，所述第一孔是碗状，沿所述第二主面的所述第一孔的宽度大于沿所述第一主面的所述第一孔的宽度。

(12)在(11)记载的电子设备中，沿所述第二主面的所述第一孔的宽度大于所述第二基体的厚度。

(13)在(11)记载的电子设备中，所述第二导电层设在所述第一孔内，

在所述第一孔中，所述连接材料与所述第二导电层接触。

(14)在(11)记载的电子设备中，所述第一孔中的所述连接材料的端部位于所述第二主面的所述第一主面侧。

(15)在(11)记载的电子设备中，在所述第一孔，所述第二导电层介于所述第二基体与所述连接材料之间。

(16)在(11)记载的电子设备中，所述连接材料与所述第一导电层的上面接触。

(17)一种电子设备的制造方法，准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备与所述第一导电层分开的第二基体，在所述第二基体的与所述第一基板相对的第一主面的相反侧的第二主面形成凹部，通过蚀刻使所述第一基体以及所述第二基体的厚度变薄，并扩大所述凹部，在所述第二基体的所述第二主面上以及所述凹部内，形成第二导电层，向设有所述凹部的区域照射激光，从而形成至少贯通设在所述凹部的所述第二导电层以及所述第二基体的孔，形成通过所述孔电连接所述第一导电层和所述第二导电层的连接材料。

(18)在(17)记载的电子设备的制造方法中，在照射所述激光时，在所述第一基体形成与所述孔相对的第二凹部。

(19)在(17)记载的电子设备的制造方法中，通过所述蚀刻，将所述凹部扩大到贯通所述第二基体。

(20)在(17)记载的电子设备的制造方法中，所述连接材料的所述第二基板侧的端部位于所述第二基体的所述第二主面的所述第一基板侧。

Claims (20)

1.一种电子设备，其特征在于，具备：

第一基板，具备第一基体以及第一导电层；

第二基板，具备从所述第一导电层分开设置的第二基体以及第二导电层，所述第二基体具有与所述第一导电层相对的第一主面以及所述第一主面相反侧的第二主面，所述第二导电层设在所述第二主面，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及

连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层以及所述第二导电层电连接，

所述第一孔是漏斗形状。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述第一孔具有：碗状的第一凹部，位于所述第二主面侧；以及筒状的第二孔，位于所述第一主面侧，且与所述第一凹部连接。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，

沿所述第二基体的厚度方向，所述第一凹部的深度大于所述第二孔的长度。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述第二导电层设在所述第一孔内，

在所述第一孔，所述连接材料与所述第二导电层接触。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述第一孔中的所述连接材料的端部位于所述第二主面的所述第一主面侧。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述第二基体在所述第一孔与所述第二导电层和所述连接材料接触。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述第一导电层具有与所述第一孔相对的第三孔。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，

所述第三孔的宽度小于所述第一凹部的沿所述第二主面的宽度。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述第一基体具有与所述第一孔相对的第二凹部。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，

所述第二凹部的宽度小于所述第一凹部的沿所述第二主面的宽度。

11.一种电子设备，其特征在于，具备：

第一基板，具备第一基体以及第一导电层；

第二基板，具备与所述第一导电层分开设置的第二基体以及第二导电层，所述第二基体具有与所述第一导电层相对的第一主面以及所述第一主面相反侧的第二主面，所述第二导电层设在所述第二主面，所述第二基板具有贯通所述第二基体的第一孔；以及

连接材料，通过所述第一孔将所述第一导电层以及所述第二导电层电连接，

所述第一孔是碗状，沿所述第二主面的所述第一孔的宽度大于沿所述第一主面的所述第一孔的宽度。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

沿所述第二主面的所述第一孔的宽度大于所述第二基体的厚度。

13.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

所述第二导电层设在所述第一孔内，

在所述第一孔，所述连接材料与所述第二导电层接触。

14.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

所述第一孔中的所述连接材料的端部位于所述第二主面的所述第一主面侧。

15.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

在所述第一孔，所述第二导电层介于所述第二基体与所述连接材料之间。

16.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，

所述连接材料与所述第一导电层的上面接触。

17.一种电子设备的制造方法，其特征在于，

准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备与所述第一导电层分开的第二基体，

在所述第二基体的与所述第一基板相对的第一主面的相反侧的第二主面形成凹部，

通过蚀刻使所述第一基体以及所述第二基体的厚度变薄，并扩大所述凹部，

在所述第二基体的所述第二主面上以及所述凹部内，形成第二导电层，

向设有所述凹部的区域照射激光，从而形成至少贯通设在所述凹部的所述第二导电层以及所述第二基体的孔，

形成通过所述孔电连接所述第一导电层和所述第二导电层的连接材料。

18.根据权利要求17所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

在照射所述激光时，在所述第一基体形成与所述孔相对的第二凹部。

19.根据权利要求17所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

通过所述蚀刻，将所述凹部扩大到贯通所述第二基体。

20.根据权利要求17所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述连接材料的所述第二基板侧的端部位于所述第二基体的所述第二主面的所述第一基板侧。