CN207133547U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本实施方式的课题在于提供一种能够抑制显示品质的劣化的显示装置。根据一实施方式，提供一种显示装置，具备：第1基板，具备绝缘基板、位于上述绝缘基板的上方的滤色器层、位于上述绝缘基板与上述滤色器层之间的信号线、位于上述滤色器层的上方的金属布线、层叠在上述金属布线之上的第1遮光层、位于上述第1遮光层的上方的共通电极、以及与上述共通电极对置的像素电极；第2基板，与上述第1基板对置；液晶层，被保持在上述第1基板与上述第2基板之间。

Description

显示装置

本申请基于2016年8月26日提出的日本专利申请第2016-16594号主张优先权，这里引用其全部内容。

技术领域

本实用新型涉及显示装置。

背景技术

近年来，作为显示装置的接口(interface)等，检测手指等被检测物的接触或接近的传感器已实用化。例如，作为具备静电电容式的传感器的显示装置，提出了具备在信号线之上设有滤色器及检测电极的阵列基板的液晶显示装置。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种能够抑制显示品质的劣化的显示装置。

根据一个技术方案，提供一种显示装置，具备：第1基板，具备绝缘基板、位于上述绝缘基板的上方的滤色器层、位于上述绝缘基板与上述滤色器层之间的信号线、位于上述滤色器层的上方的金属布线、层叠在上述金属布线之上的第1遮光层、位于上述第1遮光层的上方的共通电极、以及与上述共通电极对置的像素电极；第2基板，与上述第1基板对置；液晶层，被保持在上述第1基板与上述第2基板之间。

上述显示装置中，也可以是，具备配置上述金属布线、上述像素电极及上述共通电极的显示区域、将上述显示区域包围的非显示区域、以及在上述非显示区域中位于上述绝缘基板的上方的中继电极；上述金属布线及上述共通电极延伸到上述非显示区域，与上述中继电极接触，被相互电连接。

上述显示装置中，也可以是，具备位于上述滤色器层与上述金属布线之间的第1有机绝缘膜、和将上述第1有机绝缘膜、上述金属布线及上述第1遮光层覆盖的第2有机绝缘膜。

上述显示装置中，也可以是，上述第1有机绝缘膜，在上述非显示区域中不隔着上述滤色器层地将上述中继电极直接覆盖，并且具有贯通到上述中继电极的接触孔；上述金属布线及上述共通电极，在上述接触孔中与上述中继电极接触。

上述显示装置中，也可以是，上述金属布线，具有位于上述非显示区域的两端部，上述两端部分别与上述共通电极电连接。

上述显示装置中，也可以是，上述第1遮光层将上述金属布线的上表面覆盖；上述第1遮光层的宽度比上述金属布线的宽度大。

上述显示装置中，也可以是，上述滤色器层具备第1色的第1滤色器和与第1色不同的第2色的第2滤色器；上述第1滤色器及上述第2滤色器的各自的端部与上述信号线重叠；上述金属布线位于上述信号线的正上方。

上述显示装置中，也可以是，上述第1基板具备与上述信号线交叉的扫描线；上述第2基板具备与上述扫描线重叠的第2遮光层。

根据一个技术方案，提供一种显示装置，具备：显示区域；非显示区域，将上述显示区域包围；中继电极，位于上述非显示区域；第1层间绝缘膜，位于上述中继电极的上方；金属布线，在上述第1层间绝缘膜的上方在上述显示区域及上述非显示区域中延伸；第2层间绝缘膜，位于上述第1层间绝缘膜及上述金属布线的上方；共通电极，在上述第2层间绝缘膜的上方在上述显示区域及上述非显示区域中延伸；上述第1层间绝缘膜具有贯通到上述中继电极的接触孔；上述金属布线及上述共通电极在上述接触孔中与上述中继电极接触。

上述显示装置中，也可以是，还具备位于上述显示区域、被上述第1层间绝缘膜覆盖的信号线。

上述显示装置中，也可以是，上述第1层间绝缘膜具备位于上述显示区域的滤色器层、以及在上述显示区域中位于上述滤色器层的上方并延伸到上述非显示区域的第1有机绝缘膜；上述接触孔形成于上述第1有机绝缘膜。

上述显示装置中，也可以是，上述第1有机绝缘膜不隔着上述滤色器层地与上述中继电极接触。

上述显示装置中，也可以是，还具备层叠在上述金属布线之上、被上述第2层间绝缘膜覆盖的遮光层。

上述显示装置中，也可以是，上述遮光层将上述金属布线的上表面覆盖，上述遮光层的宽度比上述金属布线的宽度大。

上述显示装置中，也可以是，上述共通电极具有与上述遮光层接触的第1部分、和在上述接触孔中与上述中继电极接触的第2部分。

根据一个技术方案，提供一种显示装置，具备：第1基板，具备绝缘基板、信号线、位于上述信号线的上方的第1有机绝缘膜、位于上述第1有机绝缘膜的上方的金属布线、层叠在上述金属布线之上的绝缘物、将上述绝缘物覆盖的第2有机绝缘膜、位于上述第2有机绝缘膜的上方的共通电极、以及与上述共通电极对置的像素电极；第2基板，与上述第1基板对置；液晶层，被保持在上述第1基板与上述第2基板之间。

上述显示装置中，也可以是，上述金属布线与上述第1有机绝缘膜接触；上述绝缘物不与上述第1有机绝缘膜接触；上述第2有机绝缘膜与上述金属布线、上述绝缘物及上述第1有机绝缘膜分别接触。

上述显示装置中，也可以是，还具备显示区域、将上述显示区域包围的非显示区域、和在上述非显示区域中位于与上述信号线同一层中的中继电极；上述共通电极，在上述显示区域中位于上述第2有机绝缘膜之上，在上述非显示区域中具有与上述绝缘物接触的第1部分和与上述中继电极接触的第2部分。

上述显示装置中，也可以是，在与上述第1部分重叠的区域，上述金属布线与上述第1有机绝缘膜的上表面及侧面接触并与上述中继电极接触；上述金属布线经由上述中继电极而与上述共通电极相互电连接。

上述显示装置中，也可以是，还具备在上述显示区域中位于上述信号线与上述第1有机绝缘膜之间的滤色器层；上述第1有机绝缘膜不隔着上述滤色器层地与上述中继电极接触。

根据本实用新型，能够提供一种能够抑制显示品质的劣化的显示装置。

附图说明

图1是表示本实施方式的显示装置DSP的结构的图。

图2是表示图1所示的显示面板PNL的基本结构及等价电路的图。

图3是表示将图1所示的第1基板SUB1从第2基板侧观察时的像素PX的结构例的平面图。

图4是表示用图3的A－B线切断的显示面板PNL的一部分的构造的剖视图。

图5是表示用图3的C－D线切断的显示面板PNL的一部分的构造的剖视图。

图6是表示金属布线M与共通电极CE的连接例的图。

图7是表示金属布线M与共通电极CE的另一连接例的图。

图8是表示图6及图7所示的连接部C的构造例的剖视图。

图9是表示金属布线M及第1遮光层BMS的另一截面形状的图。

图10是表示金属布线M及第1遮光层BMS的另一截面形状的图。

图11是表示金属布线M及第1遮光层BMS的另一截面形状的图。

图12是表示传感器SS的一结构例的平面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本实施方式进行说明。另外，公开内容不过是一例，关于由本领域技术人员就保持着实用新型的主旨的适当变更能够容易地想到的形态，当然也包含在本实用新型的范围中。此外，附图为了使说明变得更明确而有与实际的形态相比关于各部的宽度、厚度、形状等示意地表示的情况，但不过是一例，并不限定本实用新型的解释。此外，在本说明书和各图中，有对发挥与针对已记载的附图而说明过的要素相同或类似的功能的构成要素赋予相同的标号而将重复的详细的说明适当省略的情况。

图1是表示本实施方式的显示装置DSP的结构的图。第1方向X、第2方向Y及第3方向Z相互正交，但也可以以90度以外的角度交叉。第1方向X及第2方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面平行的方向，第3方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。这里，表示了由第1方向X及第2方向Y规定的X－Y平面上的显示装置DSP的平面图。在本实施方式中，作为显示装置的一例而对液晶显示装置进行说明。另外，在本实施方式中公开的主要的结构也能够应用于具有有机电致发光显示元件等的自发光型的显示装置、具有电泳元件等的电子纸型的显示装置、应用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)的显示装置、或应用了电致变色的显示装置等。

显示装置DSP具备显示面板PNL、驱动显示面板PNL的IC芯片1等。显示面板PNL例如是液晶显示面板，具备第1基板SUB1、第2基板SUB2、密封部SE和液晶层(后述的液晶层LC)。第1基板SUB1及第2基板SUB2在第3方向Z上对置。在以下的说明中，将从第1基板SUB1朝向第2基板SUB2的方向称作上方(或简称作上)，将从第2基板SUB2朝向第1基板SUB1的方向称作下方(或简称作下)。此外，将从第2基板SUB2朝向第1基板SUB1观察的情况称作俯视。

密封部SE将第1基板SUB1与第2基板SUB2粘接。显示面板PNL具备显示图像的显示区域DA、以及将显示区域DA包围的非显示区域NDA。显示区域DA位于被密封部SE包围的内侧。密封部SE位于非显示区域NDA。

IC芯片1位于非显示区域NDA。在图示的例子中，IC芯片1安装在比第2基板SUB2向外侧伸出的第1基板SUB1的安装部MT。IC芯片1例如内置有将图像显示所需要的信号输出的显示驱动器。这里的显示驱动器包括后述的信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD及共通电极驱动电路CD的至少一部分。另外，并不限于图示的例子，IC芯片1也可以另行安装在与显示面板PNL连接的柔性基板上。此外，IC芯片1也可以内置有作为触摸面板控制器等发挥功能的检测电路。

本实施方式的显示面板PNL可以是通过有选择地使来自第1基板SUB1的背面侧的光透射来显示图像的具备透射显示功能的透射型、通过有选择地使来自第2基板SUB2的前面侧的光反射来显示图像的具备反射显示功能的反射型、或者具备透射显示功能及反射显示功能的半透射型中的某一种。

图2是表示图1所示的显示面板PNL的基本结构及等价电路的图。

显示面板PNL在显示区域DA中具备多个像素PX。这里，所谓像素，表示能够根据像素信号单独地控制的最小单位，例如存在于包含后述的配置在扫描线与信号线交叉的位置上的开关元件的区域。多个像素PX在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状配置。此外，显示面板PNL在显示区域DA中具备多条扫描线G(G1～Gn)、多条信号线S(S1～Sm)、共通电极CE等。扫描线G分别在第1方向X上延伸，在第2方向Y上排列。信号线S分别在第2方向Y上延伸，在第1方向X上排列。另外，扫描线G及信号线S也可以并不一定直线地延伸，也可以是它们的一部分弯曲。对多个像素PX配置有共通电极CE。

扫描线G、信号线S及共通电极CE分别被引出到非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，扫描线G连接于扫描线驱动电路GD，信号线S连接于信号线驱动电路SD，共通电极CE连接于共通电极驱动电路CD。信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD及共通电极驱动电路CD既可以形成在第1基板SUB1上，也可以是它们的一部分或全部内置在图1所示的IC芯片1中。此外，这些驱动电路的布局并不限于图示的例子，例如扫描线驱动电路GD也可以配置在夹着显示区域DA的两侧。

各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、共通电极CE、液晶层LC等。开关元件SW例如由薄膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G及信号线S电连接。扫描线G与在第1方向X上排列的像素PX的各自的开关元件SW连接。信号线S与在第2方向Y上排列的像素PX的各自的开关元件SW连接。像素电极PE与开关元件SW电连接。像素电极PE分别与共通电极CE对置，通过在像素电极PE与共通电极CE之间产生的电场将液晶层LC驱动。保持电容CS例如形成在共通电极CE与像素电极PE之间。

图3是表示将图1所示的第1基板SUB1从第2基板侧观察时的像素PX的结构例的平面图。图示的例子相当于应用了利用横电场的显示模式之一的FFS(Fringe FieldSwitching)模式的例子。

第1基板SUB1具备扫描线G1及G2、信号线S1及S2、开关元件SW、像素电极PE、金属布线M、第1遮光层BMS等。另外，在一例中，第1基板SUB1具备共通电极，但这里省略共通电极的图示。

扫描线G1及G2沿着第2方向Y隔开间隔配置，分别沿着第1方向X延伸。信号线S1及S2沿着第1方向X隔开间隔配置，分别沿着第2方向Y延伸。在图示的例子中，像素PX对应于扫描线G1及G2与信号线S1及S2所成的格子区域，是沿着第1方向X的长度比沿着第2方向Y的长度短的长方形。另外，像素PX的形状并不限于长方形，能够适当地变更。

开关元件SW与扫描线G2及信号线S1电连接。图示的例子的开关元件SW由具有双栅构造的薄膜晶体管构成。开关元件SW具备半导体层SC及中继电极RE。半导体层SC的一部分配置为与信号线S1重叠，其他部分延伸到信号线S1及S2之间，半导体层SC形成为大致U字状。半导体层SC具有在与信号线S1重叠的区域中与扫描线G2交叉的沟道区域SCC1、以及在信号线S1及S2之间与扫描线G2交叉的沟道区域SCC2。在扫描线G2中，与沟道区域SCC1及SCC2分别重叠的区域作为栅极电极GE1及GE2发挥功能。半导体层SC在其一端部SCA处与信号线S1电连接，在其另一端部SCB处与中继电极RE电连接。中继电极RE形成为岛状(日语：島状)，配置在扫描线G1及G2之间且信号线S1及S2之间。另外，开关元件SW也可以由具有单栅构造的薄膜晶体管构成。此外，开关元件SW在一例中是在半导体层SC之上具备栅极电极GE的顶栅构造，但也可以是在半导体层SC之下具备栅极电极GE的底栅构造。

像素电极PE配置在扫描线G1及G2之间并且信号线S1及S2之间。像素电极PE具备主电极部PA及副电极部PB。主电极部PA及副电极部PB一体地或连续地形成，相互电连接。图示的像素电极PE具备从副电极部PB朝向扫描线G1延伸的2条主电极部PA。主电极部PA分别沿着第2方向Y(或者，与信号线S1及S2大致平行地)以直线状延伸。2条主电极部PA隔开间隔在第1方向X上排列，分别形成为沿着第1方向X具有大致相同的宽度的带状。副电极部PB配置在与中继电极RE重叠的位置，与中继电极RE电连接。由此，像素电极PE与开关元件SW电连接。另外，像素电极PE的形状并不限定于图示的例子，能够根据像素PX的形状等而适当变更。

金属布线M及第1遮光层BMS与信号线S1及S2大致平行地延伸。在图示的例子中，金属布线M及第1遮光层BMS在第2方向Y上延伸。

金属布线M位于信号线S1及S2之上，在俯视中与信号线S1及S2重叠。优选的是，金属布线M的各自的沿着第1方向X的宽度与信号线S1及S2的各自的沿着第1方向X的宽度同等或在其以上。

第1遮光层BMS层叠在金属布线M之上。第1遮光层BMS由比金属布线M低反射率的材料形成。第1遮光层BMS在俯视中与金属布线M重叠。优选的是，第1遮光层BMS的沿着第1方向X的宽度与金属布线M的沿着第1方向X的宽度同等或在其以上。这样的第1遮光层BMS将从第2基板SUB2侧朝向信号线S1及S2的光、或由信号线S1及S2反射了的光遮光。此外，第1遮光层BMS能够将从第2基板SUB2侧朝向金属布线M的光遮光，能够抑制金属布线M处的不希望的反射。

此外，如在图中用单点划线表示的那样，第2遮光层BMG与扫描线G1及G2大致平行地延伸。在图示的例子中，第2遮光层BMG在第1方向X上延伸。这样的第2遮光层BMG如后述那样设于第2基板SUB2。第2遮光层BMG在俯视中与扫描线G1及G2重叠。优选的是，第2遮光层BMG的沿着第2方向Y的宽度与扫描线G1及G2的各自的沿着第2方向Y的宽度同等或在其以上。另外，在图示的例子中，第2遮光层BMG在俯视中还与将像素电极PE和开关元件SW连接的接触部CT重叠。这样的第2遮光层BMG将从第2基板SUB2侧朝向扫描线G1及G2的光、或由扫描线G1及G2反射了的光遮光。

图4是表示用图3的A－B线切断的显示面板PNL的一部分的构造的剖视图。

第1基板SUB1具备第1绝缘基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、第5绝缘膜15、第6绝缘膜16、滤色器层CF、下侧遮光层US、半导体层SC、扫描线G2、信号线S1、中继电极RE、金属布线M、第1遮光层BMS、共通电极CE、像素电极PE、第1取向膜AL1等。

第1绝缘基板10是玻璃基板或树脂基板等具有光透射性的基板。下侧遮光层US位于第1绝缘基板10之上，被第1绝缘膜11覆盖。下侧遮光层US将从背光单元BL朝向半导体层SC的光遮光。半导体层SC位于第1绝缘膜11之上，被第2绝缘膜12覆盖。半导体层SC例如由多晶硅形成，但也可以由非晶硅或氧化物半导体形成。

作为扫描线G2的一部分的栅极电极GE1及GE2位于第2绝缘膜12之上，被第3绝缘膜13覆盖。另外，未图示的扫描线G1也与扫描线G2配置在同一层。扫描线G2由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料、或将这些金属材料组合的合金等形成，既可以是单层构造，也可以是多层构造。另外，下侧遮光层US优选位于与栅极电极GE1及GE2对置的位置的半导体层SC的正下方。

信号线S1及中继电极RE位于第3绝缘膜13之上，被第4绝缘膜14覆盖。另外，未图示的信号线S2也与信号线S1配置在同一层。信号线S1及中继电极RE由相同的材料形成，能够采用上述的金属材料。信号线S1经由将第2绝缘膜12及第3绝缘膜13贯通的接触孔而与半导体层SC接触。中继电极RE经由将第2绝缘膜12及第3绝缘膜13贯通的接触孔而与半导体层SC接触。

滤色器层CF位于信号线S1、开关元件SW、中继电极RE、以及第3绝缘膜13之上。这样的滤色器层CF由着色树脂形成。

第4绝缘膜14位于滤色器层CF之上。第4绝缘膜14由丙烯酸树脂等透明的有机绝缘材料形成。第4绝缘膜14相当于位于滤色器层CF与金属布线M之间的第1有机绝缘膜。此外，在其他观点中，滤色器层CF及第4绝缘膜14相当于第1层间绝缘膜。

金属布线M位于第4绝缘膜14之上。金属布线M由上述的金属材料或将这些金属材料组合的合金等形成，既可以是单层构造，也可以是多层构造。

第1遮光层BMS层叠在金属布线M之上。第1遮光层BMS既可以由黑色树脂等有机绝缘材料形成，也可以由比金属布线M低反射率的金属材料形成。此外，第1遮光层BMS也可以包括防反射层。此外，第1遮光层BMS只要是具有遮光性及低反射性的物体就可以，例如可以是与以氧化铟锡(ITO)为代表那样的透明导电材料相比导电性低的绝缘物。

第5绝缘膜15位于第4绝缘膜14、金属布线M、第1遮光层BMS之上。第5绝缘膜15由丙烯酸树脂等透明的有机绝缘材料形成。第5绝缘膜15层叠在第1有机绝缘膜(第4绝缘膜14)之上，相当于将金属布线M及第1遮光层BMS覆盖的第2有机绝缘膜。此外，在其他观点中，第5绝缘膜15相当于第2层间绝缘膜。

共通电极CE位于第5绝缘膜15之上，被第6绝缘膜16覆盖。共通电极CE位于扫描线G2、信号线S1、以及开关元件SW的正上方。此外，共通电极CE还位于未图示的其他扫描线G1、其他信号线S2的正上方，在与接触部CT对应的位置具有开口部AP。像素电极PE位于第6绝缘膜16之上，被第1取向膜AL1覆盖。像素电极PE的一部分隔着第6绝缘膜16而与共通电极CE对置。共通电极CE及像素电极PE由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明的氧化物导电材料形成。在与共通电极CE的开口部AP重叠的接触部CT处，像素电极PE经由将滤色器层CF、第4绝缘膜14、第5绝缘膜15及第6绝缘膜16贯通的接触孔而与中继电极RE接触。

第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13及第6绝缘膜16是硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的无机绝缘膜，既可以是单层构造，也可以是多层构造。另外，在第3绝缘膜13与滤色器层CF之间、滤色器层CF与第4绝缘膜14之间、第4绝缘膜14与第5绝缘膜15之间，也可以存在其他绝缘膜。

第2基板SUB2具备第2绝缘基板20、第2遮光层BMG、覆层(overcoat layer)OC、第2取向膜AL2等。

第2绝缘基板20是玻璃基板或树脂基板等具有光透射性的基板。第2遮光层BMG位于第2绝缘基板20的与第1基板SUB1对置的一侧。第2遮光层BMG如上述那样形成为条状，位于扫描线G及开关元件SW的正上方。覆层OC将第2遮光层BMG覆盖。第2取向膜AL2将覆层OC覆盖。

上述的第1基板SUB1及第2基板SUB2以第1取向膜AL1及第2取向膜AL2对置的方式配置。虽然没有图示，但由树脂材料形成间隔件，间隔件配置在第1基板SUB1及第2基板SUB2之间。间隔件形成于第1基板SUB1及第2基板SUB2中的一方，与另一方的基板接触。由此，在第1取向膜AL1与第2取向膜AL2之间形成规定的盒间隙(cell gap)。但是，作为间隔件，除了形成盒间隙的间隔件以外，也可以还包含在没有对显示面板施加外部应力的稳定状态下不与另一方的基板接触的副间隔件。盒间隙例如是2～5μm。第1基板SUB1及第2基板SUB2以形成有规定的盒间隙的状态通过密封部而贴合。

液晶层LC位于第1基板SUB1及第2基板SUB2之间，被保持在第1取向膜AL1与第2取向膜AL2之间。液晶层LC包含液晶分子。这样的液晶层LC由正型(介电各向异性(dielectircconstant anisotropy)为正)的液晶材料或负型(介电各向异性为负)的液晶材料构成。

对于上述那样的结构的显示面板PNL，在第1基板SUB1的下方，配置有包括第1偏光板PL1的第1光学元件OD1。此外，在第2基板SUB2的上方，配置有包括第2偏光板PL2的第2光学元件OD2。在一例中，第1偏光板PL1及第2偏光板PL2配置为，使各自的吸收轴在X－Y平面中相互正交。另外，第1光学元件OD1及第2光学元件OD2根据需要可以具备1/4波长板或1/2波长板等相位差板、散射层、防反射层等。

在这样的结构例中，在像素电极PE与共通电极CE之间没有形成电场的断开(off)状态下，包含在液晶层LC中的液晶分子在第1取向膜AL1及第2取向膜AL2之间在规定的方向上初始取向。在这样的断开状态下，从背光单元BL朝向显示面板PNL照射的光被第1光学元件OD1及第2光学元件OD2吸收而成为暗显示。另一方面，在像素电极PE与共通电极CE之间形成有电场的接通(on)状态下，液晶分子在电场的作用下在与初始取向方向不同的方向上取向，该取向方向受电场控制。在这样的接通状态下，来自背光单元BL的光的一部分透射过第1光学元件OD1及第2光学元件OD2，成为明显示。

图5是表示在图3的C－D线切断的显示面板PNL的一部分的构造的剖视图。

在第1基板SUB1中，对主要部分进行说明。滤色器层CF具备第1滤色器CF1、第2滤色器CF2和第3滤色器CF3。第1至第3滤色器CF1至CF3在第1方向X上排列。在一例中，第1滤色器CF1是红色滤色器，第2滤色器CF2是绿色滤色器，第3滤色器CF3是蓝色滤色器。另外，第1至第3滤色器CF1至CF3的颜色的选择并不限于上述例子。例如，滤色器层CF也可以具备与第1至第3滤色器CF1至CF3都不同的颜色的第4滤色器。作为第4滤色器，例如可以配置白色的滤色器，也可以配置无着色的树脂材料，也可以不配置滤色器而配置透明的第4绝缘膜14。

信号线S1及S2位于第1绝缘基板10与滤色器层CF之间。第1滤色器CF1及第2滤色器CF2的各自的端部与信号线S1重叠。此外，第2滤色器CF2及第3滤色器CF3的各自的端部与信号线S2重叠。另外，在信号线S1及S2与滤色器层CF之间，也可以存在用于抑制因两者的接触带来的腐蚀的保护膜。

金属布线M位于信号线S1及S2的各自的正上方。在图示的例子中，在金属布线M与信号线S1及S2之间，存在滤色器层CF及第4绝缘膜14。第4绝缘膜14将滤色器层CF覆盖，能够抑制来自滤色器层CF的杂质的漏出，并且缓和不同颜色的滤色器间的阶差。

第1遮光层BMS直接层叠在金属布线M之上。这些第1金属层BMS及金属布线M能够一并形成。对它们的制造方法简单地叙述。首先，在第4绝缘膜14之上的大致整面，成膜用来形成金属布线M的金属材料。然后，在金属材料之上的整面，成膜用来形成第1遮光层BMS的遮光材料。作为遮光材料，例如采用通过被曝光而对显影液呈可溶性的正型抗蚀剂。然后，将遮光材料布图而形成希望的形状(例如，位于信号线的各自的正上方的条状)的第1遮光层BMS。然后，将第1遮光层BMS作为掩模，将从第1遮光层BMS露出的金属材料通过蚀刻而除去，形成希望的形状的金属布线M。另外，关于这样形成的金属布线M及第1遮光层BMS的层叠体的截面形状，并不限于如图示那样各自的端面E1及E2为对齐的形状。关于这一点在后面叙述。由于这样的金属布线M及第1遮光层BMS的层叠体位于在第1方向X上邻接的滤色器间的边界，不仅是例如从正面方向(图中的第3方向Z)观察显示装置的情况，在从相对于正面方向倾斜的斜向观察显示装置的情况下，也能够将邻接的其他颜色的滤色器的透射光遮光，能够抑制因混色造成的显示品质的劣化。

第5绝缘膜15将金属布线M及第1遮光层BMS覆盖，能够抑制从第1遮光层BMS的杂质的漏出，并且缓和起因于金属布线M及第1遮光层BMS的阶差。

共通电极CE位于比第1遮光层BMS靠上方的位置，此外，像素电极PE隔着第6绝缘膜16而与共通电极CE对置。像素电极PE具有与共通电极CE对置的狭缝ST。

在第2基板SUB2，在信号线S1及S2的正上方、或者金属布线M及第1遮光层BMS的层叠体的正上方，没有配置图4所示的第2遮光层，第2绝缘基板20与覆层OC接触。

接着，说明用来将金属布线M与共通电极CE电连接的连接构造。

图6是表示金属布线M与共通电极CE的连接例的图。

金属布线M分别在第2方向Y上延伸，在第1方向X上排列。此外，金属布线M配置在显示区域DA，并且延伸到非显示区域NDA。在图示的例子中，金属布线M的两端部E11及E12位于非显示区域NDA。

共通电极CE分别在第2方向Y上延伸，在第1方向X上排列。此外，共通电极CE配置在显示区域DA，并且延伸到非显示区域NDA。在图示的例子中，共通电极CE的两端部E21及E22位于非显示区域NDA。1个共通电极CE在俯视中与多条金属布线M重叠。

这些金属布线M及共通电极CE在位于非显示区域NDA的连接部C相互电连接。在图示的例子中，连接部C位于将显示区域DA夹着的两侧的非显示区域NDA。端部E11及端部E21相互电连接，端部E12及端部E22相互电连接。另外，金属布线M及共通电极CE也可以仅在各自的一端部相互电连接。

图7是表示金属布线M与共通电极CE的另一连接例的图。

图示的连接例与图6所示的连接例相比，在金属布线M及共通电极CE分别在第1方向X上延伸并在第2方向Y上排列这一点上不同。在图示的例子中，将金属布线M与共通电极CE连接的连接部C位于将显示区域DA夹着的两侧的非显示区域NDA，但也可以仅位于非显示区域的一侧。

图8是表示图6及图7所示的连接部C的构造例的剖视图。

如上述那样，连接部C位于非显示区域NDA。第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13及第4绝缘膜14延伸到非显示区域NDA。连接部C具备中继电极REM。中继电极REM位于第3绝缘膜13之上。这样的中继电极REM如参照图4及图5说明的那样，与信号线S1及S2、中继电极RE等位于同一层，由与中继电极RE等相同的材料形成。中继电极REM与显示区域DA的中继电极RE不同，不隔着滤色器层CF地被第4绝缘膜14直接覆盖。第4绝缘膜14具有贯通到中继电极REM的接触孔CH。中继电极REM的一部分的上表面RT位于接触孔CH。

金属布线M在非显示区域NDA中也位于第4绝缘膜14之上。在图示的例子中，与金属布线M一并形成的第1遮光层BMS也延伸到非显示区域NDA，层叠于金属布线M。在非显示区域NDA中的图8的左侧的区域，共通电极CE不隔着第5绝缘膜15地位于第4绝缘膜14之上。金属布线M及共通电极CE在连接部C的接触孔CH中与中继电极REM的上表面RT分别接触。由此，金属布线M及共通电极CE相互被电连接。在图示的例子中，共通电极CE具有与第1遮光层BMS接触的第1部分CEA、和与中继电极REM接触的第2部分CEB。第1部分CEA重叠在第1遮光层BMS之上。第2部分CEB在接触孔CH中重叠在中继电极REM的上表面RT。另外，共通电极CE只要至少与中继电极REM接触就可以。但是，在非显示区域NDA中，通过使由ITO等的氧化物导电材料形成的共通电极CE将第1遮光层BMS及金属布线M覆盖，能够抑制金属布线M的腐蚀。在与第1部分CEA重叠的区域，金属布线M与第4绝缘膜14的上表面14T及面向接触孔CH的侧面14S分别接触，并且与中继电极REM接触。

在显示区域DA内，共通电极CE如图4及图5所示那样位于第5绝缘膜15上。另一方面，如非显示区域NDA中的图8的右侧所示，有位于显示区域DA的第5绝缘膜15在非显示区域NDA的接触孔CH与显示区域DA之间具有侧面15S的情况。在这样的情况下，在共通电极CE的一部分位于第5绝缘膜15之上的情况下，共通电极CE优选采用以下构造，即：分别位于第5绝缘膜15上、第1遮光层BMS上、中继电极REM上，形成为台阶状。例如，在第5绝缘膜15延伸到与接触孔CH重叠的区域的情况下，接触孔CH必须将第4绝缘膜14及第5绝缘膜15贯通，接触孔CH的径会变大。此外，在接触孔CH将第4绝缘膜14及第5绝缘膜15贯通的情况下，接触孔CH的深度增大，并且其倾斜变得陡峭。因此，在位于第5绝缘膜15上的共通电极CE经由接触孔CH而与中继电极REM接触的情况下，在中继电极REM与共通电极CE的接触部位，共通电极CE的倾斜变得过大，结果，共通电极CE的一部分有可能中途断开。因而，如图示那样，共通电极CE优选以具有台阶状的截面的方式形成。

根据本实施方式，在第1基板SUB1所具备的金属布线M之上层叠有第1遮光层BMS。因此，能够将从第2基板SUB2侧朝向金属布线M的光遮光，能够抑制金属布线M上的不希望的反射，抑制对比度的下降。

此外，在第1遮光层BMS及第5绝缘膜15夹在金属布线M与共通电极CE之间的结构中，金属布线M及共通电极CE在非显示区域NDA中相互电连接。即，金属布线M及共通电极CE都延伸到非显示区域NDA，在非显示区域NDA中与配置在金属布线M及共通电极CE的下层的中继电极REM接触。因此，在显示区域DA，不再需要用来将金属布线M及共通电极CE连接的接触孔，能够防止起因于这样的接触孔的、第1基板SUB1的表面的阶差形成。因而，能够抑制起因于第1基板SUB1的阶差的、液晶分子的取向紊乱，能够抑制显示品质的劣化。

此外，在第1基板SUB1，由于第4绝缘膜14位于滤色器层CF与金属布线M之间，所以能够抑制来自滤色器层CF的杂质的漏出，并且能够缓和由于邻接的滤色器的端部重叠而引起的阶差。

由于金属布线M及第1遮光层BMS被第5绝缘膜15覆盖，所以能够抑制来自第1遮光层BMS的杂质的漏出，并且能够缓和由于配置金属布线M及第1遮光层BMS而引起的阶差。

由于金属布线M及共通电极CE在各自的两端部相互电连接，所以即使在一端部发生了连接不良也能够在另一端部电连接，能够提高可靠性。

接着，参照图9至图11说明金属布线M及第1遮光层BMS的其他截面形状。另外，在图9至图11所示的任一种结构例中，第1遮光层BMS都将金属布线M的上表面T1的整面覆盖，第1遮光层BMS的沿着第1方向X的宽度W2大于金属布线M的沿着第1方向X的宽度W1。即，第1遮光层BMS的端面E2位于比金属布线M的端面E1的正上方的位置靠外侧的位置。另外，金属布线M的宽度W1及第1遮光层BMS的宽度W2相当于各自的最外周端的沿着第1方向X的长度。由此，第1遮光层BMS能够抑制金属布线M的上表面T1处的反射，并且还能够抑制端面E1处的反射。

在图9至图11所示的各结构例中，金属布线M具有随着沿第3方向Z朝向上方而沿着第1方向X的宽度W1减小的正锥状的截面，但也可以具有随着沿第3方向Z朝向上方而沿着第1方向X的宽度W1增加的倒锥状的截面，也可以具有其他的截面形状。

在图9所示的结构例中，第1遮光层BMS具有随着沿第3方向Z朝向上方而沿着第1方向X的宽度W2减小的正锥状的截面。第1遮光层BMS的最外周端EO与第1遮光层BMS的下表面B2的外周端大致一致。

在图10所示的结构例中，第1遮光层BMS具有随着沿第3方向Z朝向上方而沿着第1方向X的宽度W2增加的倒锥状的截面。第1遮光层BMS的最外周端EO与第1遮光层BMS的上表面T2的外周端大致一致。

在图11所示的结构例中，第1遮光层BMS在与其下表面B2接近的一侧具有倒锥状的截面，并且在与其上表面T2接近的一侧具有正锥状的截面。第1遮光层BMS的最外周端EO位于第1遮光层BMS的下表面B2与上表面T2之间。

接着，说明在本实施方式的显示装置DSP中能够搭载的传感器SS的一个结构例。以下说明的传感器SS例如是互容式的静电电容型，基于隔着电介质而对置的一对电极间的静电电容的变化来检测被检测物的接触或接近。

图12是表示传感器SS的一个构成例的平面图。

在图示的结构例中，传感器SS具备传感器驱动电极Tx及检测电极Rx。传感器驱动电极Tx包括上述的共通电极CE及金属布线M，具有在与像素电极PE之间产生电场的功能，并且具有通过在与检测电极Rx之间产生电容而用来检测被检测物的位置的功能。在图示的例子中，传感器驱动电极Tx对应于由向右下降的斜线表示的部分，设于第1基板SUB1。此外，检测电极Rx对应于由向右上升的斜线表示的部分，设于第2基板SUB2。在一例中，检测电极Rx配置在图4所示的第2绝缘基板20与第2光学元件OD2之间。

传感器驱动电极Tx及检测电极Rx在图示的X－Y平面中相互交叉。在图示的例子中，传感器驱动电极Tx分别具有在第2方向Y上延伸的带状的形状，在第1方向X上隔开间隔排列。检测电极Rx分别在第1方向X上延伸，在第2方向Y上隔开间隔排列。检测电极Rx在第3方向Z上与传感器驱动电极Tx对置。另外，传感器驱动电极Tx及检测电极Rx的个数、尺寸、形状没有特别限定，能够进行各种变更。

传感器驱动电极Tx及检测电极Rx位于显示区域DA，它们的一部分延伸到非显示区域NDA。检测电极Rx分别经由布线WR而与检测电路RC电连接。传感器驱动电极Tx分别经由布线WT而与共通电极驱动电路CD电连接。

当在显示区域DA中显示图像的显示驱动时，共通电极驱动电路CD对包括共通电极CE的传感器驱动电极Tx供给公共驱动信号。此外，共通电极驱动电路CD在进行传感的传感驱动时对传感器驱动电极Tx供给传感器驱动信号。随着向传感器驱动电极Tx的传感器驱动信号的供给，检测电极Rx输出传感所需要的传感器信号(即，基于传感器驱动电极Tx与检测电极Rx之间的电极间电容的变化的信号)。从检测电极Rx输出的检测信号被输入到检测电路RC。检测电路RC读取从检测电极Rx输出的检测信号，检测被检测物的接触或接近的有无、被检测物的位置坐标等。

另外，上述各结构例中的传感器SS并不限于基于一对电极间的静电电容(在上述例子中是传感器驱动电极Tx与检测电极Rx之间的静电电容)的变化来检测被检测物的互容式，也可以是基于检测电极Rx的静电电容的变化来检测被检测物的自容式。

如以上说明，根据本实施方式，能够提供一种能够抑制显示品质的劣化的显示装置。

另外，说明了本实用新型的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，不是要限定实用新型的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的形态实施，在不脱离实用新型的主旨的范围中能够进行各种各样的省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在实用新型的范围及主旨中，并且包含在权利要求书所记载的实用新型和其等价的范围中。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，

具备：

第1基板，具备绝缘基板、位于上述绝缘基板的上方的滤色器层、位于上述绝缘基板与上述滤色器层之间的信号线、位于上述滤色器层的上方的金属布线、层叠在上述金属布线之上的第1遮光层、位于上述第1遮光层的上方的共通电极、以及与上述共通电极对置的像素电极；

第2基板，与上述第1基板对置；以及

液晶层，被保持在上述第1基板与上述第2基板之间。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

具备配置上述金属布线、上述像素电极及上述共通电极的显示区域、将上述显示区域包围的非显示区域、以及在上述非显示区域中位于上述绝缘基板的上方的中继电极；

上述金属布线及上述共通电极延伸到上述非显示区域，与上述中继电极接触，被相互电连接。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

具备位于上述滤色器层与上述金属布线之间的第1有机绝缘膜、和将上述第1有机绝缘膜、上述金属布线及上述第1遮光层覆盖的第2有机绝缘膜。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

上述第1有机绝缘膜，在上述非显示区域中不隔着上述滤色器层地将上述中继电极直接覆盖，并且具有贯通到上述中继电极的接触孔；

上述金属布线及上述共通电极，在上述接触孔中与上述中继电极接触。

5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

上述金属布线，具有位于上述非显示区域的两端部，上述两端部分别与上述共通电极电连接。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

上述第1遮光层将上述金属布线的上表面覆盖；

上述第1遮光层的宽度比上述金属布线的宽度大。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

上述滤色器层具备第1色的第1滤色器和与第1色不同的第2色的第2滤色器；

上述第1滤色器及上述第2滤色器的各自的端部与上述信号线重叠；

上述金属布线位于上述信号线的正上方。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

上述第1基板具备与上述信号线交叉的扫描线；

上述第2基板具备与上述扫描线重叠的第2遮光层。

9.一种显示装置，其特征在于，

具备：

显示区域；

非显示区域，将上述显示区域包围；

中继电极，位于上述非显示区域；

第1层间绝缘膜，位于上述中继电极的上方；

金属布线，在上述第1层间绝缘膜的上方在上述显示区域及上述非显示区域中延伸；

第2层间绝缘膜，位于上述第1层间绝缘膜及上述金属布线的上方；以及

共通电极，在上述第2层间绝缘膜的上方在上述显示区域及上述非显示区域中延伸；

上述第1层间绝缘膜具有贯通到上述中继电极的接触孔；

上述金属布线及上述共通电极在上述接触孔中与上述中继电极接触。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

还具备位于上述显示区域、被上述第1层间绝缘膜覆盖的信号线。

11.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

上述第1层间绝缘膜具备位于上述显示区域的滤色器层、以及在上述显示区域中位于上述滤色器层的上方并延伸到上述非显示区域的第1有机绝缘膜；

上述接触孔形成于上述第1有机绝缘膜。

12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，

上述第1有机绝缘膜不隔着上述滤色器层地与上述中继电极接触。

13.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

还具备层叠在上述金属布线之上、被上述第2层间绝缘膜覆盖的遮光层。

14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，

上述遮光层将上述金属布线的上表面覆盖，上述遮光层的宽度比上述金属布线的宽度大。

15.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，

上述共通电极具有与上述遮光层接触的第1部分、和在上述接触孔中与上述中继电极接触的第2部分。

16.一种显示装置，其特征在于，

具备：

第1基板，具备绝缘基板、信号线、位于上述信号线的上方的第1有机绝缘膜、位于上述第1有机绝缘膜的上方的金属布线、层叠在上述金属布线之上的绝缘物、将上述绝缘物覆盖的第2有机绝缘膜、位于上述第2有机绝缘膜的上方的共通电极、以及与上述共通电极对置的像素电极；

第2基板，与上述第1基板对置；以及

液晶层，被保持在上述第1基板与上述第2基板之间。

17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，

上述金属布线与上述第1有机绝缘膜接触；

上述绝缘物不与上述第1有机绝缘膜接触；

上述第2有机绝缘膜与上述金属布线、上述绝缘物及上述第1有机绝缘膜分别接触。

18.如权利要求17所述的显示装置，其特征在于，

还具备显示区域、将上述显示区域包围的非显示区域、和在上述非显示区域中位于与上述信号线同一层中的中继电极；

上述共通电极，在上述显示区域中位于上述第2有机绝缘膜之上，在上述非显示区域中具有与上述绝缘物接触的第1部分和与上述中继电极接触的第2部分。

19.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，

在与上述第1部分重叠的区域，上述金属布线与上述第1有机绝缘膜的上表面及侧面接触并与上述中继电极接触；

上述金属布线经由上述中继电极而与上述共通电极相互电连接。

20.如权利要求19所述的显示装置，其特征在于，

还具备在上述显示区域中位于上述信号线与上述第1有机绝缘膜之间的滤色器层；

上述第1有机绝缘膜不隔着上述滤色器层地与上述中继电极接触。