CN113454527A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本实施方式的目的在于提供能够抑制显示质量的降低的显示装置。本实施方式的显示装置具备第一基板、第二基板、液晶层以及发光元件，所述第一基板具备第一像素及第二像素，所述液晶层位于所述第一基板与所述第二基板之间，且包含聚合物和液晶分子，所述第二像素与所述第一像素相邻，并且位于所述发光元件与所述第一像素之间，所述第一基板具备开关元件、像素电极以及第一遮光部，所述开关元件具备配置于所述第一像素的半导体层，所述像素电极与所述开关元件电连接，所述第一遮光部配置于所述第二像素并与所述半导体层相邻，所述第一遮光部在俯视观察下位于所述半导体层与所述发光元件之间，且位于比所述第二像素的中心靠近所述第一像素的一侧。

Description

显示装置

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置。

背景技术

近年来，提出了一种使用高分子分散液晶的显示装置，该高分子分散液晶可以切换散射入射光的散射状态和透射入射光的透射状态。在一例中，公开了一种由铝、银等形成的反射层覆盖像素开关电路部的显示装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-167214号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本实施方式的目的在于，提供可以抑制显示质量的降低的显示装置。

用于解决技术问题的方案

根据本实施方式，提供一种显示装置，具备第一基板、第二基板、液晶层以及发光元件，所述第一基板具备第一像素及第二像素，所述液晶层位于所述第一基板与所述第二基板之间，且包含聚合物和液晶分子，所述第二像素与所述第一像素相邻，并且位于所述发光元件与所述第一像素之间，所述第一基板具备开关元件、像素电极以及第一遮光部，所述开关元件具备配置于所述第一像素的半导体层，所述像素电极与所述开关元件电连接，所述第一遮光部配置于所述第二像素并与所述半导体层相邻，所述第一遮光部在俯视观察下位于所述半导体层与所述发光元件之间，且位于比所述第二像素的中心靠近所述第一像素的一侧。

根据本实施方式，提供一种显示装置，具备第一基板、第二基板、液晶层以及发光元件，所述液晶层位于所述第一基板与所述第二基板之间，且包含聚合物和液晶分子，所述第一基板具备开关元件、像素电极以及第一遮光部，所述开关元件具备半导体层，所述像素电极与所述开关元件电连接，所述第一遮光部与所述半导体层相邻，所述第一遮光部在俯视观察下位于所述半导体层与所述发光元件之间，所述第一基板具备依次层叠的透明基板、第一绝缘膜以及第二绝缘膜，所述半导体层在剖视观察下位于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间，所述第一遮光部设置于贯穿所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的贯通孔。

发明效果

根据本实施方式，能够提供可以抑制显示质量的降低的显示装置。

附图说明

图1是示出本实施方式的显示装置DSP的俯视图。

图2是示出图1所示的第一基板SUB1中的像素PX的主要部分的俯视图。

图3是将图2所示的半导体层SC的周边放大后的俯视图。

图4A是示出包含图3所示的第一至第四遮光部LS1至LS4的沿A-B线的显示面板PNL的剖视图。

图4B是将图4A所示的第一基板的主要部分放大后的剖视图。

图5是示出包含图3所示的扫描线G2及连接部DEA的沿C-D线的显示面板PNL的剖视图。

图6是示出包含图3所示的信号线S1的沿E-F线的显示面板PNL的剖视图。

图7是示出本实施方式的显示装置DSP的一个构成例的剖视图。

图8是示出模拟结果的图。

图9是示出本实施方式的第二构成例中的显示面板PNL的剖视图。

图10是示出本实施方式的第三构成例中的显示面板PNL的剖视图。

图11是示出本实施方式的第四构成例中的第一基板SUB1的剖视图。

图12是示出本实施方式的第五构成例中的第一基板SUB1的剖视图。

图13是示出本实施方式的第六构成例中的第一基板SUB1的俯视图。

图14是示出本实施方式的第七构成例中的第一基板SUB1的俯视图。

图15是示出第八构成例的显示装置DSP的俯视图。

图16是示出第二像素PX2上的开关元件SW2及其周边部的布局的一例的俯视图。

图17是示出第二像素PX2上的开关元件SW2及其周边部的布局的其它例子的俯视图。

图18是示出第三像素PX3上的开关元件SW3及其周边部的布局的一例的俯视图。

图19是示出沿图18所示的G-H线的第一基板SUB1的剖视图。

图20是示出第九构成例的显示装置DSP的俯视图。

具体实施方式

下面，参考附图对本实施方式进行说明。需要说明的是，公开仅为一例，本领域技术人员可以在不脱离发明的主旨下所想到的适当变更当然也包含在本发明的范围内。另外，为了进一步明确说明，与实际方案相比，附图有时示意性显示各部分的宽度、厚度、形状等，但仅为一例，并不用于限定本发明的解释。另外，在本说明书及各个图中，对于与关于上述的图所叙述的部件发挥相同或类似功能的构成要素标注相同的附图标记，有时也适当省略重复的详细说明。

[第一构成例]

图1是示出本实施方式的显示装置DSP的俯视图。在一例中，第一方向X、第二方向Y及第三方向Z彼此正交，但也可以按照90度以外的角度交叉。第一方向X及第二方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面平行的方向，第三方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。本说明书中，将从第一基板SUB1朝向第二基板SUB2的方向称为“上侧”(或者简称上)，将从第二基板SUB2朝向第一基板SUB1的方向称为“下侧”(或者简称下)。在称为“第一部件之上的第二部件”及“第一部件之下的第二部件”的情况下，第二部件可以与第一部件相接，也可以与第一部件分开。另外，假设表示第三方向Z的箭头的前端侧具有观察显示装置DSP的观察位置，则将从观察位置朝向由第一方向X及第二方向Y所规定的X-Y平面进行观看称为俯视观察。

在本实施方式中，作为显示装置DSP的一例，对应用高分子分散型液晶的液晶显示装置进行说明。显示装置DSP具备显示面板PNL、布线基板1、IC芯片2、及发光元件LD。

显示面板PNL具备第一基板SUB1、第二基板SUB2、液晶层LC、及密封件SL。第一基板SUB1及第二基板SUB2形成为与X-Y平面平行的平板形。第一基板SUB1及第二基板SUB2在俯视观察下重叠。第一基板SUB1及第二基板SUB2通过密封件SL粘接。液晶层LC被保持在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间，并被密封件SL封装。图1中，液晶层LC及密封件SL由不同的斜线表示。

如图1中放大并示意性所示，液晶层LC具备包含聚合物31和液晶分子32的高分子分散型液晶。在一例中，聚合物31为液晶性聚合物。聚合物31形成为沿一个方向延伸的条纹形。例如，聚合物31的延伸方向D1是指沿着第一方向X的方向。液晶分子32分散于聚合物31的间隙，以其长轴沿着第一方向X的方式取向。聚合物31及液晶分子32分别具有光学各向异性或者折射率各向异性。聚合物31对于电场的响应性低于液晶分子32对于电场的响应性。

在一例中，无论有无电场，聚合物31的取向方向均几乎不会变化。另一方面，液晶分子32的取向方向在向液晶层LC施加了阈值以上的高电压的状态下根据电场而产生变化。在未向液晶层LC印加电压的状态下，聚合物31及液晶分子32各自的光轴彼此平行，入射到液晶层LC的光透射，而几乎不会在液晶层LC内被散射(透明状态)。在向液晶层LC施加了电压的状态下，聚合物31及液晶分子32各自的光轴彼此交叉，入射到液晶层LC的光在液晶层LC内被散射(散射状态)。

显示面板PNL具备显示图像的显示部DA、和围绕显示部DA的边框形的非显示部NDA。密封件SL位于非显示部NDA。显示部DA具备沿第一方向X及第二方向Y排列为矩阵形的像素PX。

如图1中放大所示，各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、及液晶层LC等。开关元件SW由例如薄膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G及信号线S电连接。扫描线G与排列在第一方向X上的各像素PX的开关元件SW电连接。信号线S与排列在第二方向Y上的各像素PX的开关元件SW电连接。像素电极PE与开关元件SW电连接。像素电极PE分别在第三方向Z上与公共电极CE相对，通过在像素电极PE和公共电极CE之间产生的电场来驱动液晶层LC(特别是液晶分子32)。电容CS形成于例如公共电极CE和相同电位的电极、及像素电极PE与相同电位的电极之间。

布线基板1电连接于第一基板SUB1的延伸部Ex。布线基板1为可弯曲的柔性印刷电路板。IC芯片2电连接于布线基板1。IC芯片2内置有例如输出图像显示所必须的信号的显示器驱动器等。需要说明的是，IC芯片2也可以电连接于延伸部Ex。布线基板1及IC芯片2有时也读取来自显示面板PNL的信号，但主要用作向显示面板PNL提供信号的信号源。

发光元件LD重叠于延伸部Ex。多个发光元件LD沿第一方向X间隔排列。这些发光元件LD沿第二基板SUB2的端部E21配置，向端部E21射出光。

图2是示出图1所示的第一基板SUB1上的像素PX的主要部分的俯视图。第一基板SUB1具备第一像素PX1及第二像素PX2作为像素PX。第二像素PX2在第二方向Y上与第一像素PX1相邻，并位于发光元件LD与第一像素PX1之间。第一基板SUB1具备扫描线G1及G2、半导体层SC、信号线S1及S2、有机绝缘膜O、金属布线M、第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、以及像素电极PE1及PE2。有机绝缘膜O由单点划线表示，像素电极PE1及PE2由双点划线表示。像素电极PE1配置于第一像素PX1，像素电极PE2配置于第二像素PX2。

扫描线G1及G2沿第一方向X延伸，信号线S1及S2沿第二方向Y延伸。配置于像素PX的像素电极PE1被排列在第一方向X上的两根信号线S1及S2和排列在第二方向Y上的两根扫描线G1及G2所包围。

配置于第一像素PX1的开关元件SW的半导体层SC配置于扫描线G2及信号线S1的交叉部的附近。在图2所示的例子中，半导体层SC沿第一方向X延伸。半导体层SC具有靠近信号线S1的第一端部E1、和第一端部E1的相反侧的第二端部E2。半导体层SC具有宽度W1。宽度W1相当于第一方向X(或者与第一像素及第二像素的排列方向(第二方向Y)正交的方向)上从第一端部E1至第二端部E2的距离。半导体层虽然由例如非晶硅形成，但也可以由多晶硅或氧化物半导体形成。

有机绝缘膜O被图案化，在俯视观察下被形成为网格形。有机绝缘膜O与扫描线G1及G2、半导体层SC、信号线S1及S2分别重叠。即，有机绝缘膜O具备第一部OX和第二部OY。第一部OX重叠于扫描线G1及G2。第二部OY重叠于信号线S1及S2。第一部OX具有靠近发光元件LD的侧面E11、和侧面E11的相反侧的侧面E12。侧面E11及侧面E12沿聚合物31的延伸方向D1(或者第一方向X)延伸。

金属布线M配置于有机绝缘膜O，在俯视观察下形成为网格形。金属布线M与扫描线G1及G2、半导体层SC、信号线S1及S2分别重叠。即，金属布线M具备第一布线部MX和第二布线部MY。第一布线部MX重叠于扫描线G1及G2及第一部OX。第二布线部MY重叠于信号线S1及S2、以及第二部OY。

第一遮光部LS1沿第二方向Y位于半导体层SC和发光元件LD之间，并与半导体层SC相邻。第一遮光部LS1在俯视观察下与信号线S1及S2、金属布线M、及有机绝缘膜O分开，并形成为岛状。另外，第一遮光部LS1配置于第二像素PX2，在俯视观察下重叠于像素电极PE2。第一遮光部LS1在第二方向Y上位于比第二像素PX2的中心O(或者像素电极PE2的中心O)靠近第一像素PX1(或者像素电极PE1)的一侧。或者，第一遮光部LS1在第二像素PX2的中心O和第一像素PX1的半导体层SC之间位于靠近半导体层SC的一侧。

第一遮光部LS1沿第一方向X延伸。第一遮光部LS1具有靠近信号线S1的第三端部E3、和第三端部E3的相反侧的第四端部E4。第一遮光部LS1具有宽度W2。宽度W2相当于第一方向X(或者与第一像素及第二像素的排列方向(第二方向Y)正交的方向)上从第三端部E3至第四端部E4的距离。宽度W2大于半导体层SC的宽度W1。另外，在第一方向X上，第一端部E1比第三端部E3远离信号线S1，第二端部E2比第四端部E4靠近信号线S1。即，半导体层SC被设为其第一端部E1及第二端部E2在第一方向X上位于第三端部E3和第四端部E4之间。

第一遮光部LS1与金属布线M配置于相同层。需要说明的是，在本说明书中，配置于“相同层”的第一部件及第二部件是指通过相同的材料及相同的工序所形成的部件。

第二遮光部LS2沿第二方向Y位于半导体层SC和第一遮光部LS1之间，并重叠于第一部OX的侧面E11。在图2所示的例子中，第二遮光部LS2与金属布线M的第一布线部MX一体形成。换而言之，第一布线部MX的一部分向与半导体层SC分开的一侧延伸(或者朝向发光元件LD延伸)，从而形成重叠于侧面E11的第二遮光部LS2。

间隔件SP设置于与半导体层SC重叠的位置。间隔件SP在图1所示的第一基板SUB1和第二基板SUB2之间形成了规定的晶盒间隙(cell gap)。

像素电极PE1及PE2排列在第二方向Y上。在图2所示的例子中的扫描线G2附近，像素电极PE1重叠于半导体层SC，像素电极PE2重叠于第一遮光部LS1。

图3是将图2所示的半导体层SC的周边放大后的俯视图。第三遮光部LS3及开关元件SW的栅极电极GE与扫描线G2一体形成。半导体层SC重叠于栅极电极GE。第三遮光部LS3在栅极电极GE的相反侧向第一遮光部LS1延伸。第一遮光部LS1及第二遮光部LS2分别与第三遮光部LS3重叠。第三遮光部LS3连续形成，不会在第一遮光部LS1和第二遮光部LS2之间间断。第四遮光部LS4与第一至第三遮光部LS1至LS3重叠。关于以上第一至第四遮光部LS1至LS4的剖面结构，将在后文详细叙述。

遮光层GS1及GS2分别沿第二方向Y延伸。扫描线G2位于遮光层GS1及GS2之间，且与遮光层GS1及GS2分开。遮光层GS1及GS2分别形成为岛状。

信号线S1与扫描线G2交叉，并重叠于遮光层GS1及GS2。开关元件SW的源极电极SE及连接部SJ与信号线S1一体形成。连接部SJ将源极电极SE与信号线S1连接，并重叠于遮光层GS1。源极电极SE从与连接部SJ的连接位置分支为两个，分别沿第一方向X延伸，并分别与半导体层SC重叠。

开关元件SW的漏极电极DE位于两个源极电极SE之间，并重叠于半导体层SC。漏极电极DE具有与图2所示的像素电极PE1电连接的连接部DEA。连接部DEA重叠于遮光层GI。

金属布线M重叠于源极电极SE，并重叠于除连接部DEA之外的漏极电极DE。

图4A是示出包括图3所示的第一至第四遮光部LS1至LS4的沿A-B线的显示面板PNL的剖视图。第一基板SUB1进一步具备透明基板10、绝缘膜11至13、电容电极C、及取向膜AL1。在本实施方式中，绝缘膜11相当于位于透明基板10之上的第一绝缘膜，绝缘膜12相当于位于绝缘膜11之上的第二绝缘膜，有机绝缘膜O相当于位于绝缘膜12之上的第三绝缘膜。

与扫描线G2一体的栅极电极GE及第三遮光部LS3位于透明基板10与绝缘膜11之间。虽然在图4A所示的例子中，栅极电极GE及第三遮光部LS3与透明基板10相接，但栅极电极GE及第三遮光部LS3与透明基板10之间也可以夹设其它绝缘膜。

半导体层SC在栅极电极GE的正上方位于绝缘膜11与绝缘膜12之间。半导体层SC的下表面SCA与绝缘膜11相接。与信号线S1一体的两个源极电极SE与半导体层SC的上表面SCB相接，它们的一部分位于绝缘膜11之上。漏极电极DE与半导体层SC的上表面SCB相接。绝缘膜12覆盖源极电极SE及漏极电极DE，并与半导体层SC的上表面SCB相接。

第四遮光部LS4设置于贯穿绝缘膜11至第三遮光部LS3的贯通孔CH1，并与第三遮光部LS3相接。第四遮光部LS4与信号线S1、源极电极SE及漏极电极DE均分开。

第一遮光部LS1设置于贯穿绝缘膜12至第四遮光部LS4的贯通孔CH2，并与第四遮光部LS4相接。贯通孔CH2被设为与贯通孔CH1重叠。因此，第一遮光部LS1被设为与贯通孔CH1及CH2重叠。另外，在贯通孔CH1及CH2重叠的区域内，第三遮光部LS3、第四遮光部LS4及第一遮光部LS1依次沿第三方向Z重叠。即，第一遮光部LS1经由第四遮光部LS4和与扫描线G2一体的第三遮光部LS3电连接。因此，第一遮光部LS1的电位为与扫描线G2相同的电位。

第四遮光部LS4与信号线S1、源极电极SE及漏极电极DE配置于相同层。

有机绝缘膜O的第一部OX重叠在开关元件SW之上。第一部OX的侧面E11沿第二方向Y位于贯通孔CH1和半导体层SC之间。金属布线M的第一布线部MX重叠在第一部OX之上。第二遮光部LS2覆盖侧面E11，并与绝缘膜12相接。

电容电极C直接覆盖第一布线部MX，并与第一布线部MX电连接。另外，电容电极C直接覆盖第二遮光部LS2，并与第二遮光部LS2电连接。因此，第二遮光部LS2的电位为与电容电极相同的电位。另外，电容电极C覆盖第一部OX的侧面E12。另外，电容电极C在未重叠于有机绝缘膜O的区域内与绝缘膜12相接。第一遮光部LS1设置于电容电极C的开口部CB。因此，第一遮光部LS1与电容电极C电绝缘。另外，第一遮光部LS1及第二遮光部LS2彼此电绝缘。

绝缘膜13覆盖电容电极C及第一遮光部LS1。绝缘膜13在开口部CB中于电容电极C和第一遮光部LS1之间与绝缘膜12相接。像素电极PE1及PE2位于绝缘膜13之上。像素电极PE1及PE2在第三方向Z上分别隔着绝缘膜13与电容电极C相对，在像素PX上形成显示像素所需的存储电容。取向膜AL1覆盖绝缘膜13、像素电极PE1及PE2。取向膜AL1在像素电极PE1和像素电极PE2之间与绝缘膜13相接。

第二基板SUB2具备透明基板20、遮光层BM、公共电极CE、及取向膜AL2。遮光层BM分别位于扫描线G2、开关元件SW、第一遮光部LS1及第二遮光部LS2的正上方。公共电极CE位于遮光层BM和取向膜AL2之间。公共电极CE的电位为与电容电极C相同的电位。

液晶层LC位于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间，与取向膜AL1及AL2分别相接。

透明基板10及20是玻璃基板、塑料基板等绝缘基板。绝缘膜11至13由例如氮化硅、氧化硅等透明的无机绝缘材料形成。有机绝缘膜O由例如丙烯酸树脂等透明的有机绝缘材料形成。

扫描线G、信号线S及金属布线M由钼、铝、钨、钛、银等不透明的金属材料形成。第一遮光部LS1及第二遮光部LS2由与金属布线M相同的材料形成。第三遮光部LS3由与扫描线G相同的材料形成。第四遮光部LS4由与信号线S相同的材料形成。

电容电极C、像素电极PE及公共电极CE是由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料形成的透明电极。遮光层BM可以为绝缘层，也可以为电阻比公共电极CE低的导电层。在遮光层BM为导电层的情况下，通过使公共电极CE与遮光层BM电连接，降低公共电极CE的电阻。

取向膜AL1及AL2是具有与X-Y平面大致平行的取向限制力的水平取向膜。在一例中，取向膜AL1及AL2沿第一方向X而取向处理。需要说明的是，取向处理可以为揉搓处理，也可以为光取向处理。

在此，参考图7对示出本实施方式的显示装置DSP的一个构成例的剖视图进行说明。需要说明的是，关于显示面板PNL，图中仅示出了主要部分。

发光元件LD在第二方向Y上与透明基板20的侧面20C相对。侧面20C相当于图1所示的第二基板SUB2的端部E21。发光元件LD电连接于布线基板F。发光元件LD为例如发光二极管，具备红色发光部、绿色发光部及蓝色发光部，这将不予赘述。需要说明的是，也可以在发光元件LD和侧面20C之间配置有透明的导光体。

接着，参考图7对从发光元件LD射出的光L1进行说明。

发光元件LD向侧面20C射出光L1。从发光元件LD射出的光L1沿表示第二方向Y的箭头的朝向前进，从侧面20C入射透明基板20。入射到透明基板20的光L1一边被反复反射，一边在显示面板PNL的内部前进。

入射未被施加电压的液晶层LC的光L1透射液晶层LC，几乎不会被散射。另外，入射被施加了电压的液晶层LC的光L1被液晶层LC散射。显示装置DSP可以从第一基板SUB1侧观察，并且也可以从第二基板SUB2侧观察。另外，显示装置DSP无论是在从第一基板SUB1侧观察的情况下，还是在从第二基板SUB2侧观察的情况下，均可以经由显示装置DSP来观察显示装置DSP的背景。

在此，对从发光元件LD射出的光中朝着开关元件SW的光L2进行探讨。在显示面板PNL的内部前进的光中朝着开关元件SW的光L2若入射到半导体层SC，则在半导体层SC中因光激发产生载流子，开关元件SW的漏电流增加。若漏电流增加，则保持在像素PX中的电位大幅度变化，从而可能导致显示质量的降低。

根据本实施方式，如图4B所示，朝着开关元件SW的光中在透明基板10内传播的光L21被第三遮光部LS3、扫描线G2及栅极电极GE遮挡。在绝缘膜11内传播的光L22被第三遮光部LS3及第四遮光部LS4遮挡。在绝缘膜12内传播的光L23被第一遮光部LS1及第四遮光部LS4遮挡。朝着有机绝缘膜O的第一部OX的光L24被第二遮光部LS2遮挡。因此，光L2难以到达半导体层SC的下表面SCA及上表面SCB。

另外，如图2所示，由于半导体层SC被设为位于第一遮光部LS1的第三端部E3和第四端部E4之间，因此，不仅是沿第二方向Y直行的光L25，沿在俯视观察下相对于第二方向Y倾斜的方向前进的光L26及L27也被遮挡。

由此，能够抑制半导体层SC上产生漏电流，进而能够抑制因像素PX的电位的变化导致的亮度降低等显示质量的降低。

另外，与由黑色树脂形成的遮光层相比，第一至第四遮光部LS1至LS4可以由具有高反射率的材料形成。根据这种由高反射率的材料形成的第一至第四遮光部LS1至LS4，能够抑制在显示面板内前进的光的吸收，从而能够抑制来自发光元件LD的光的利用效率降低。

另外，即使第一至第四遮光部LS1至LS4上产生了不期望的散射，散射光也会被第二基板SUB2的遮光层BM遮挡。因此，能够抑制显示质量的劣化。

图5是包括图3所示的扫描线G2及连接部DEA的沿C-D线的显示面板PNL的剖视图。

在第一基板SUB1上，遮光层GI与扫描线G2配置于相同层，并位于透明基板10之上，由与扫描线G2相同的向材料形成。扫描线G2及遮光层GI被绝缘膜11覆盖。连接部DEA在遮光层GI的正上方位于绝缘膜11之上，并被绝缘膜12覆盖。有机绝缘膜O的第一部OX在扫描线G2的正上方位于绝缘膜12之上。金属布线M的第一布线部MX在扫描线G2的正上方位于第一部OX之上。电容电极C覆盖第一部OX的侧面E11及E12。像素电极PE1设置于贯穿绝缘膜12及13的贯通孔CH3及电容电极C的开口部CA，并与连接部DEA相接。

在第二基板SUB2上，遮光层BM位于第一部OX及连接部DEA各自的正上方。

图6是示出包括图3所示的信号线S1的沿E-F线的显示面板PNL的剖视图。

在第一基板SUB1上，遮光层GS1位于透明基板10之上，被绝缘膜11覆盖。信号线S1在遮光层GS1的正上方位于绝缘膜11之上，被绝缘膜12覆盖。有机绝缘膜O的第二部OY在信号线S1的正上方位于绝缘膜12之上。金属布线M的第二布线部MY在信号线S1的正上方位于第二部OY之上。电容电极C与第二布线部MY相接，并覆盖第二部OY的侧面E13及E14。

在第二基板SUB2上，遮光层BM位于第二部OY的正上方。

在此，对用于验证本实施方式的效果的模拟进行说明。在该模拟中，向像素电极PE施加与公共电极CE的电位Vcom不同的电压，计算形成为散射状态的像素PX处的亮度。对于所计算出的亮度，将刚上升之后的亮度设为La，将即将下降之前的亮度设为Lb时，将亮度降低率定义为{1-(La/Lb)}。

图8是示出模拟结果的图。图8的(A)示出比较例的构成中的模拟结果，图8的(B)示出了本实施方式的构成中的模拟结果。比较例的显示面板不具备图4A所示的第一至第四遮光部。本实施方式的显示面板具备图4A所示的第一至第四遮光部。

在电位Vcom相对于基准电位Vr为正的期间T1，比较例中亮度降低率为1.34％，而本实施方式中，亮度降低率为0.69％。在电位Vcom相对于基准电位Vr为负的期间T2，比较例中亮度降低率为10.7％，而在本实施方式中，亮度降低率为3.8％。如此一来，根据本实施方式，确认有能够抑制亮度的降低。

接着，对其它构成例进行说明。

[第二构成例]

图9是示出本实施方式的第二构成例中的显示面板PNL的剖视图。图9所示的第二构成例与图4A所示的第一构成例相比，在第一遮光部LS1及第二遮光部LS2一体形成且第三遮光部LS3与扫描线G2分开这一点上不同。另外，第一遮光部LS1及第二遮光部LS2与金属布线M一体形成。在这样的第二构成例中，第一至第四遮光部LS1至LS4与金属布线M及电容电极C电连接。因此，第一至第四遮光部LS1至LS4的电位分别相等，是与金属布线M及电容电极C相同的电位。

即使在这样的第二构成例中，也会得到与上述的第一构成例相同的效果。另外，在第一遮光部LS1及第二遮光部LS2之间，能够遮挡从液晶层LC朝向绝缘膜12的光L28。

[第三构成例]

图10是示出本实施方式的第三构成例中的显示面板PNL的剖视图。图10所示的第三构成例与图4A所示的第一构成例相比，在第一遮光部LS1及第二遮光部LS2一体形成且第二遮光部LS2与金属布线M分开这一点上不同。电容电极C与第二遮光部LS2及金属布线M接触。在这样的第三构成例中，第一至第四遮光部LS1至LS4与扫描线G2电连接。因此，第一至第四遮光部LS1至LS4的电位分别相等，是与扫描线G2相同的电位。

即使在这样的第三构成例中，也会得到与上述的第二构成例相同的效果。

[第四构成例]

图11是示出本实施方式的第四构成例中的第一基板SUB1的剖视图。图11所示的第四构成例与图4A所示的第一构成例相比，在省略了第四遮光部LS4这一点上不同。第一遮光部LS1设置于贯穿绝缘膜11及12至第三遮光部LS3的贯通孔CH12，并与第三遮光部LS3相接。

即使在这样的第四构成例中，在透明基板10内传播的光L21、在绝缘膜11内传播的光L22、及在绝缘膜12内传播的光L23也会被第一遮光部LS1及第三遮光部LS3遮挡。因此，会得到与上述的第一构成例相同的效果。

需要说明的是，即使在图9所示的第二构成例、及图10所示的第三构成例中，也分别可以应用省略了第四遮光部LS4的第四构成例。

[第五构成例]

图12是示出本实施方式的第五构成例中的第一基板SUB1的剖视图。图12所示的第五构成例与图4A所示的第一构成例相比，在省略了第三遮光部LS3及第四遮光部LS4这一点上不同。第一遮光部LS1设置于贯穿绝缘膜11及12至透明基板10的贯通孔CH12。

即使在这样的第五构成例中，在透明基板10内传播的光L21、在绝缘膜11内传播的光L22、及在绝缘膜12内传播的光L23也被第一遮光部LS1遮挡。因此，会得到与上述的第一构成例相同的效果。

需要说明的是，即使在图9所示的第二构成例及图10所示的第三构成例中，也分别可以应用省略第三遮光部LS3及第四遮光部LS4的第五构成例。

[第六构成例]

图13是示出本实施方式的第六构成例中的第一基板SUB1的俯视图。图13所示的第六构成例与图3所示的第一构成例相比，在半导体层SC沿第二方向Y延伸这一点上不同。图13中示出了扫描线G2、信号线S2、开关元件SW及第一遮光部LS1，而省略了其它构成的图示。第一遮光部LS1与信号线S1、源极电极SE以及漏极电极DE分开。第一遮光部LS1的宽度W2大于半导体层SC的宽度W1。另外，半导体层SC被设为其第一端部E1及第二端部E2在第一方向X上位于第三端部E3和第四端部E4之间。信号线S1以与第一遮光部LS1的第三端部E3分开的方式弯曲。需要说明的是，关于重叠于第一遮光部LS1的部分，如上述的构成例所示，也可以配置第三遮光部LS3及第四遮光部LS4中的至少一个。另外，还可以在第一遮光部LS1和半导体层SC之间配置第二遮光部LS2。

即使在这样的第六构成例中，也能够与上述的各构成例相同地遮挡光L21至L27。

[第七构成例]

图14是示出本实施方式的第七构成例中的第一基板SUB1的俯视图。图14所示的第七构成例与图2所示的第一构成例相比，在电容电极C具备电极部EL及开口部OP这一点上不同。即，如斜线所示，电极部EL重叠于像素电极PE1的周缘部。另外，开口部OP重叠于像素电极PE1的中央部。即，电容电极C在俯视观察下形成为网格形。另外，在与像素电极PE1重叠的区域内，第一遮光部LS1位于开口部OP。电容电极C重叠于金属布线M，并与金属布线M电连接。

即使在这样的第七构成例中，也会得到与上述的第一构成例相同的效果。此外，电容电极C的设置面积(或者体积)小于电容电极C未具有开口部OP时的情况。因此，能够抑制在第一基板SUB1内传播的光在电容电极C上的光吸收。

另外，通过调节电极部EL的面积(或者开口部OP的面积)，能够在像素电极PE1和电容电极C之间形成最佳电容。例如，针对缩小开关元件SW的规模的要求，能够通过缩小重叠于像素电极PE1的电极部EL的面积来形成最佳电容。

[第八构成例]

图15是示出第八构成例的显示装置DSP的俯视图。

显示装置DSP具备显示面板PNL、第一光源部LU1、及第二光源部LU2。显示部DA设置于第一光源部LU1和第二光源部LU2之间。在图15所示的例子中，显示部DA形成为沿第一方向X延伸的长方形形状。显示部DA具备第一区域DA1、第二区域DA2、及第三区域DA3。第一区域DA1是位于第二基板SUB2的端部E21的附近的区域，其包括第一像素PX1。第二区域DA2是位于第二基板SUB2的端部E22的附近的区域，其包括第二像素PX2。第三区域DA3是位于第一区域DA1和第二区域DA2之间的区域，其包括第三像素PX3。

第一光源部LU1具备排列在第一方向X上的多个发光元件LD1。这些发光元件LD1沿端部E21配置，向端部E21射出光。第二光源部LU2具备排列在第一方向X上的多个发光元件LD2。这些发光元件LD2沿端部E22配置，向端部E22射出光。即，发光元件LD1及LD2分别沿显示部DA的长边设置。

第一像素PX1上的开关元件SW具备图3所示的半导体层SC。图3所示的第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及、第四遮光部LS4设置于发光元件LD1和第一像素PX1的半导体层SC之间。

下面，对第二像素PX2及第三像素PX3各自的开关元件进行说明。

图16是示出第二像素PX2的开关元件SW2及其周边部的布局的一例的俯视图。图16中在将表示第二方向Y的箭头的前端作为上，将其相反端作为下的情况下，图16所示的布局相当于将图3所示的布局上下翻转后的布局。

图17示出了第二像素PX2的开关元件SW2及其周边部的布局的其它例子的俯视图。图17中在将表示第二方向Y的箭头的前端作为上，将其相反端作为下，将表示第一方向X的箭头的前端作为右，将其相反端作为左的情况下，图17所示的布局相当于将图3所示的布局上下翻转并左右翻转后的布局。

图16及图17中分别所示的沿A-B线的显示面板PNL的剖面如图4所示，沿C-D线的显示面板PNL的剖面如图5所示，沿E-F线的显示面板PNL的剖面如图6所示。

第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及第四遮光部LS4设置于发光元件LD2和开关元件SW2的半导体层SC之间。

由此，从发光元件LD2朝向开关元件SW2的光被第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及第四遮光部LS4遮挡。因此，即使在开关元件SW2，也能够抑制半导体层SC上产生漏电流，从而能够抑制因第二像素PX2的电位的变化而导致的亮度降低等显示质量的降低。

图18是示出第三像素PX3的开关元件SW3及其周边部的布局的一例的俯视图。图18所示的开关元件SW3与图3所示的第一像素PX1的开关元件SW相比，在未设置有第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及第四遮光部LS4这一点上不同。图18所示的沿C-D线的显示面板PNL的剖面如图5所示，沿E-F线的显示面板PNL的剖面如图6所示。

图19是示出图18所示的沿G-H线的第一基板SUB1的剖视图。图19所示的第一基板SUB1与图4B所示的第一基板SUB1相比，在均未设置有贯穿绝缘膜11的贯通孔CH1及贯穿绝缘膜12的贯通孔CH2这一点上不同。

如图18及图19所示，在第三像素PX3上，未设置有第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及第四遮光部LS4，因此，与第一像素PX1及第二像素PX2相比，能够放大每一像素的开口面积(有助于显示的面积)。

[第九构成例]

图20是示出了第九构成例的显示装置DSP的俯视图。

图20所示的第九构成例的显示装置DSP与图15所示的第八构成例的显示装置DSP相比，在显示部DA不具备第三显示部这一点上不同。即，显示部DA具备位于端部E21的附近的第一区域DA1、和位于端部E22的附近的第二区域DA2，第一区域DA1和第二区域DA2在第二方向Y上邻接。

第一区域DA1的第一像素PX1的开关元件SW如图3所示。图3所示的第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及第四遮光部LS4设置于发光元件LD1和第一像素PX1的半导体层SC之间。

第二区域DA2的第二像素PX2的开关元件SW2如图16或图17所示。第一遮光部LS1、第二遮光部LS2、第三遮光部LS3及第四遮光部LS4设置于发光元件LD2和开关元件SW2的半导体层SC之间。

即使在这样的第九构成例中，也与第八构成例相同，在第一像素PX1的开关元件SW及第二像素PX2的开关元件SW2，能够抑制半导体层SC上产生漏电流。

综上所述，根据本实施方式，能够提供可以抑制显示质量的降低的显示装置。

需要说明的是，虽然对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式仅作为例子示出，并非旨在限制发明的范围。这些新的实施方式也可以通过其它的各种方式来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包括在发明的范围、主旨中，并且也包括在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

附图标记说明

DSP…显示装置；PNL…显示面板；LD…发光元件；SUB1…第一基板；SUB2…第二基板；LC…液晶层；LS1…第一遮光部；LS2…第二遮光部；LS3…第三遮光部；LS4…第四遮光部；G…扫描线；S…信号线；SW…开关元件；SC…半导体层；PE…像素电极。

Claims (21)

1.一种显示装置，具备第一基板、第二基板、液晶层以及发光元件，

所述第一基板具备第一像素及第二像素，

所述液晶层位于所述第一基板与所述第二基板之间，且包含聚合物和液晶分子，

所述第二像素与所述第一像素相邻，并且位于所述发光元件与所述第一像素之间，

所述第一基板具备开关元件、像素电极以及第一遮光部，所述开关元件具备配置于所述第一像素的半导体层，所述像素电极与所述开关元件电连接，所述第一遮光部配置于所述第二像素并与所述半导体层相邻，

所述第一遮光部在俯视观察下位于所述半导体层与所述发光元件之间，且位于比所述第二像素的中心靠近所述第一像素的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

关于与所述第一像素及所述第二像素的排列方向正交的宽度，所述第一遮光部的宽度大于所述半导体层的宽度。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备信号线，

所述半导体层具有靠近所述信号线的第一端部和所述第一端部的相反侧的第二端部，

所述第一遮光部具有靠近所述信号线的第三端部和所述第三端部的相反侧的第四端部，

所述第一端部比所述第三端部远离所述信号线，

所述第二端部比所述第四端部靠近所述信号线。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备透明基板、第一绝缘膜以及第二绝缘膜，

所述半导体层在剖视观察下位于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间，

所述第一遮光部设置于贯穿所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的贯通孔。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备重叠于所述开关元件的第三绝缘膜和第二遮光部，

所述第三绝缘膜在所述半导体层与所述贯通孔之间具备侧面，

所述第二遮光部覆盖所述侧面。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备位于所述透明基板与所述第一绝缘膜之间的第三遮光部，

所述第一遮光部在所述贯通孔处重叠于所述第三遮光部。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备位于所述透明基板与所述第一绝缘膜之间的扫描线，

所述第三遮光部与所述扫描线一体形成。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备第四遮光部，

所述第四遮光部在所述贯通孔处位于所述第一遮光部与所述第三遮光部之间。

9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

所述第一遮光部及所述第二遮光部一体形成。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备重叠于所述第三绝缘膜的金属布线，

所述第一遮光部及所述第二遮光部与所述金属布线一体形成。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备与所述金属布线电连接的电容电极，

所述电容电极具备重叠于所述像素电极的周缘部的电极部和重叠于所述像素电极的中央部的开口部，

所述第一遮光部位于所述开口部。

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备重叠于所述第三绝缘膜的金属布线和与所述金属布线电连接的电容电极，

所述第一遮光部及所述第二遮光部与所述金属布线分开，

所述电容电极与所述第二遮光部及所述金属布线接触。

13.一种显示装置，具备第一基板、第二基板、液晶层以及发光元件，

所述液晶层位于所述第一基板与所述第二基板之间，且包含聚合物和液晶分子，

所述第一基板具备开关元件、像素电极以及第一遮光部，所述开关元件具备半导体层，所述像素电极与所述开关元件电连接，所述第一遮光部与所述半导体层相邻，

所述第一遮光部在俯视观察下位于所述半导体层与所述发光元件之间，

所述第一基板具备依次层叠的透明基板、第一绝缘膜以及第二绝缘膜，

所述半导体层在剖视观察下位于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间，

所述第一遮光部设置于贯穿所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的贯通孔。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备重叠于所述开关元件的第三绝缘膜和第二遮光部，

所述第三绝缘膜为有机绝缘膜，在所述半导体层与所述贯通孔之间具备侧面，

所述第二遮光部覆盖所述侧面。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备位于所述透明基板与所述第一绝缘膜之间的扫描线及第三遮光部，

所述扫描线具有栅极电极，

所述半导体层重叠于栅极电极，

所述第一遮光部在所述贯通孔处重叠于所述第三遮光部。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，

所述第三遮光部与所述扫描线一体形成。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备第四遮光部，

所述第四遮光部在所述贯通孔处位于所述第一遮光部与所述第三遮光部之间，并与所述第一遮光部及所述第三遮光部接触。

18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，

所述第三遮光部与所述扫描线分开。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备第四遮光部，

所述第四遮光部在所述贯通孔处位于所述第一遮光部与所述第三遮光部之间，并与所述第一遮光部及所述第三遮光部接触，

所述第一遮光部及所述第二遮光部一体形成。

20.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备重叠于所述第三绝缘膜的金属布线，

所述第二遮光部与所述金属布线一体形成。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，

所述第一基板具备与所述金属布线电连接的电容电极，

所述电容电极具备重叠于所述像素电极的周缘部的电极部和重叠于所述像素电极的中央部的开口部，

所述第一遮光部位于所述开口部。

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