CN207051606U - 电子设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种电子设备，根据本实施方式，所述电子设备包括：第一基板，具有第一基体、第一导电层、与所述第一导电层接触的第二导电层；第二基板，具有与所述第一导电层相对且与所述第一导电层分离的第二基体、以及第三导电层，所述第二基板具有贯穿所述第二基体的第一孔；连接部件，穿过所述第一孔，将所述第二导电层和所述第三导电层电连接，并且所述连接部件与所述第二导电层直接接触。

Description

电子设备
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2016年7月29日提交的日本专利申请第2016-149606的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本实用新型的实施方式涉及电子设备。
背景技术
近年来，研究各种用于对显示装置进行窄边框化的技术。在一个例子中公开了，利用基板间连接部，将在贯穿树脂制的第一基板的内表面与外表面的孔的内部具有孔内连接部的布线部、与设置于树脂制的第二基板的内表面的布线部电连接的技术。
实用新型内容
根据本实施方式，提供一种电子设备，所述电子设备包括：第一基板，具有第一基体、第一导电层、与所述第一导电层接触的第二导电层；第二基板，具有第二基体和第三导电层，所述第二基体与所述第一导电层相对且与所述第一导电层分离，所述第二基板具有贯穿所述第二基体的第一孔；以及连接部件，穿过所述第一孔，将所述第二导电层与所述第三导电层电连接，并且所述连接部件与所述第二导电层直接接触。
根据本实施方式，可以的是，所述第二导电层在与所述第二基板的所述第一孔的位置相对的位置具有第二孔，所述连接部件穿过所述第一孔及所述第二孔，将所述第一导电层和所述第三导电层电连接。
根据本实施方式，可以的是，所述连接部件与所述第二孔中的所述第二导电层的内表面接触。
根据本实施方式，可以的是，所述第一导电层具有与所述第二孔连接的第三孔。
根据本实施方式，可以的是，所述连接部件与所述第三孔中的所述第一导电层的内表面接触。
根据本实施方式，可以的是，所述第一基体具有与所述第三孔连接的凹部。
根据本实施方式，可以的是，所述连接部件与所述凹部接触。
根据本实施方式，可以的是，所述电子设备具有位于所述第一基体与所述第二基体之间的有机绝缘层，所述有机绝缘层具有与所述第一孔及所述第二孔连接的第四孔，并覆盖所述第二导电层。
根据本实施方式，可以的是，所述有机绝缘层具有设于所述第一基板的第一有机绝缘层，所述第四孔具有贯穿所述第一有机绝缘层的第一部分。
根据本实施方式，可以的是，所述第一有机绝缘层覆盖所述第一导电层及所述第二导电层。
根据本实施方式，可以的是，所述第一有机绝缘层是使所述第一基板与所述第二基板贴合的密封件。
根据本实施方式，可以的是，所述第一导电层位于所述第一基体之上，所述第二导电层位于所述第一导电层之上，并与所述第二基板的设有所述第三导电层的第一面相反侧的第二面相对。
根据本实施方式，可以的是，所述第一导电层具有直径比所述第二孔的直径小的所述第三孔，并且所述第一导电层的上表面在所述第二孔露出，所述连接部件与所述第一导电层的上表面接触。
根据本实施方式，可以的是，所述第二导电层具有直径比所述第一孔的直径大的所述第二孔。
根据本实施方式，可以的是，所述第二导电层的厚度比所述第一导电层的厚度厚。
根据本实施方式，可以的是，所述第二导电层包含银、或者含有银的合金。
根据本实施方式，能够提供一种可提高窄边框化及可靠性的电子设备。
附图说明
图1是表示本实施方式的显示装置的构成例的俯视图，
图2是表示图1所示的显示面板的基本构成及等效电路，
图3是表示图1所示的显示面板的局部构造的图，
图4是传感器SS的一个构成例的俯视图，
图5是表示沿图1所示的A－B线剖切的显示装置的局部构造的截面图，
图6是表示本实施方式的第一基板与第二基板的连接构造的构成例的放大截面图，
图7A是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7B是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7C是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7D是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7E是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7F是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7G是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图7H是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图8A是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图8B是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图8C是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图9A是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图9B是用于说明本实施方式的显示装置的制造方法的一个例子的图，
图10是表示本实施方式的显示装置的其它构成例的截面图，
图11是表示本实施方式的显示装置的其它构成例的放大截面图，
图12是表示本实施方式的显示装置的其它构成例的截面图，
图13是表示本实施方式的显示装置的其它构成例的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本实施方式进行说明。需要说明的是，公开只不过是一个例子而已，本领域技术人员能够容易想到的保证实用新型的主旨的适当的变更当然包含在本实用新型的范围内。另外，附图为了更明确地进行说明，与实际的方式相比，存在示意地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但是只不过是一个例子而已，不限定本实用新型的解释。另外，在本说明书和各图中，发挥与已说明的图有关的前述构成相同或类似功能的构成要素标注相同的附图标记，适当地省略重复的详细说明。
在本实施方式中，公开作为电子设备的一个例子的显示装置。该显示装置能够用于例如智能手机、平板终端、移动电话终端、笔记本型的个人计算机、游戏设备等各种装置。本实施方式公开的主要构成能够适用在液晶显示装置、有机电发光显示装置等自发光型的显示装置、具有电泳元件等的电子书型的显示装置、应用MEMS(Micro Electro MechanicalSystems：微机电系统)的显示装置、或者应用了电致变色的显示装置等。
图1是表示本实施方式的显示装置DSP的一个构成例的俯视图。在此，作为显示装置DSP的一个例子，对搭载有传感器SS的液晶显示装置进行说明。第一方向X、第二方向Y及第三方向Z彼此垂直，但也可以以90度以外的角度交叉。第一方向X及第二方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面平行的方向，第三方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。在此，表示由第一方向X及第二方向Y规定的X－Y平面上的显示装置DSP的俯视图。在以下的说明中，将从第三方向Z观察X－Y平面称为俯视观察。
显示装置DSP具有显示面板PNL、IC芯片I1、布线基板SUB3等。显示面板PNL是液晶显示面板，具有第一基板SUB1、第二基板SUB2、密封件SE、显示功能层(后述的液晶层LC)。第二基板SUB2与第一基板SUB1相对。密封件SE相当于图1中以朝右上的斜线表示的部分，将第一基板SUB1和第二基板SUB2粘接。在以下说明中，在垂直于X－Y平面的垂直方向、例如第三方向Z上，将从第一基板SUB1朝向第二基板SUB2的方向称为上方(或者，仅称为上)，将从第二基板SUB2朝向第一基板SUB1的方向称为下方(或者，仅称为下)。显示面板PNL可以是例如具有通过使来自第一基板SUB1的下方的光选择性地透射而显示图像的透射显示功能的透射型、通过使来自第二基板SUB2的上方的光选择性地反射而显示图像的反射显示功能的反射型、或者具有透射显示功能及反射显示功能的半透射型中的任一种。
显示面板PNL具有显示图像的显示区域DA、及包围显示区域DA的边框状的非显示区域NDA。显示区域DA例如相当于第一区域，位于由密封件SE包围的内侧。非显示区域NDA例如相当于与显示区域(第一区域)DA相邻的第二区域。密封件SE位于非显示区域NDA。
IC芯片I1封装于布线基板SUB3。需要说明的是，不限于图示的例子，IC芯片I1可以封装在比第二基板SUB2更向外侧延伸的第一基板SUB1，也可以封装在与布线基板SUB3连接的外部电路基板。IC芯片I1内置有例如输出显示图像所需的信号的显卡驱动DD。在此的显卡驱动DD包含后述的信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD及公共电极驱动电路CD的至少一部分。另外，在图示的例子中，IC芯片I1内置有作为触摸板控制器等起作用的检测电路RC。需要说明的是，检测电路RC可以内置于与IC芯片I1不同的其它IC芯片。
传感器SS进行用于检测被检测物与显示装置DSP接触或者接近的传感。传感器SS具有多个检测电极Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)。多个检测电极Rx分别设置于第二基板SUB2。这些检测电极Rx分别沿第一方向X延伸，并沿第二方向Y隔开间隔地排列。
多个检测电极Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)分别具有检测部RS(RS1、RS2、RS3、RS4…)、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)、以及连接部CN(CN1、CN2、CN3、CN4…)。
检测部RS分别位于显示区域DA，沿第一方向X延伸。在检测电极Rx，主要将检测部RS用于传感。在图示的例子中，检测部RS分别表示为带状，但更具体地说，由细微的金属细线的集合体形成。需要说明的是，在图示的例子中，检测电极Rx分别具有两个检测部RS，可以具有三个以上检测部RS，也可以具有一个检测部RS。以下，也有时将这些检测电极Rx称为第三导电层。
多个端子部RT分别与检测部RS连接。在图示的例子中，第奇数个检测电极Rx1、Rx3…各自的端子部RT1、RT3…位于非显示区域NDA的一端侧部(第一侧部)。另外，第偶数个检测电极Rx2、Rx4…各自的端子部RT2、RT4…都位于非显示区域NDA的另一端侧部(第二侧部)。在第一方向X上，将设置有第奇数个检测电极Rx1、Rx3…的端子部RT1、RT3…等的方向称为左(左侧)，将左的相反方向(设置有第偶数个检测电极Rx2、Rx2…的端子部RT2、RT4…等的方向)称为右(右侧)。在图1中，第一侧部相当于比显示区域DA更靠左侧的区域，第二侧部相当于比显示区域DA更靠右侧的区域。端子部RT的一部分在俯视观察下形成在与密封件SE重叠的位置。
另一方面，第一基板SUB1具有多个衬垫P(P1、P2、P3、P4…)及多个布线W(W1、W2、W3、W4…)。在图示的例子中，第奇数个衬垫P1、P3…及布线W1、W3…都位于非显示区域NDA的第一侧部。另外，第偶数个衬垫P2、P4…及布线W2、W4…都位于非显示区域NDA的第二侧部。衬垫P及布线W分别在俯视观察下与密封件SE重叠。衬垫P在俯视观察下分别形成在与对应的端子部RT重叠的位置。在图示的例子中，衬垫P在俯视观察的情况下分别形成为梯形。需要说明的是，衬垫P在俯视观察的情况下可以分别形成为梯形以外的形状，例如多边形、圆形及椭圆形等。布线W分别与衬垫P连接，沿第二方向延伸，经由布线基板SUB3与IC芯片I1的检测电路RC电连接。以下，也存在将这些衬垫P称为第一导电层的情况。
如图所示，在将衬垫P3配置在比衬垫P1更靠近布线基板SUB3的位置的布局中，布线W1绕过衬垫P3的内侧(也就是说，设置显示区域DA的方向)，在衬垫P3与布线基板SUB3之间，在布线W3的内侧与布线W3排列地配置。同样地，布线W2绕过衬垫P4的内侧，在衬垫P4与布线基板SUB3之间，在布线W4的内侧与布线W4排列地配置。
多个连接用孔V(V1、V2、V3、V4…)分别位于与端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)和衬垫P(P1、P2、P3、P4…)相对的位置。另外，多个连接用孔V以分别贯穿包含端子部RT的第二基板SUB2及密封件SE并且贯穿至衬垫P的方式形成。在图示的例子中，多个连接用孔V在俯视观察下分别为圆形，但其形状不限于图示的例子，可以是楕圆形等其它形状。在多个连接用孔V分别设置有连接部件C(C1、C2、C3、C4…)。连接部件C分别将端子部RT和衬垫P电连接。也就是说，设置于第二基板SUB2的多个检测电极Rx分别经由连接部件C，与连接于第一基板SUB1的衬垫P的布线基板SUB3的检测电路RC电连接。检测电路RC读取从多个检测电极Rx分别输出的传感器信号，检测有无被检测物的接触或接近、被检测物的位置坐标等。
根据以上说明的显示装置DSP的布局，能够使非显示区域NDA的第一侧部的宽度与第二侧部的宽度均匀化，适合窄边框化。
图2是表示图1所示的显示面板PNL的基本构成及等效电路的图。显示面板PNL在显示区域DA具有多个像素PX。在此，像素表示能够根据像素信号分别进行控制的最小单位，存在于例如包含配置在后述的扫描线与信号线交叉的位置的开关元件的区域。多个像素PX在第一方向X及第二方向Y上配置为矩阵状。另外，显示面板PNL在显示区域DA，具有多条扫描线G(G1～Gn)、多条信号线S(S1～Sm)、公共电极CE等。扫描线G分别沿第一方向X延伸，并且沿第二方向Y排列。信号线S分别沿第二方向Y延伸，并且沿第一方向X排列。需要说明的是，扫描线G及信号线S可以不必直线地延伸，也可以使它们的一部分弯曲。公共电极CE横跨多个像素PX地配置。扫描线G、信号线S及公共电极CE分别被引出到非显示区域NDA。在非显示区域NDA，扫描线G与扫描线驱动电路GD连接，信号线S与信号线驱动电路SD连接，公共电极CE与公共电极驱动电路CD连接。信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD及公共电极驱动电路CD可以形成在第一基板SUB1上，信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD及公共电极驱动电路CD的一部分或全部也可以内置在图1所示的IC芯片I1内。
各像素PX具有开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层LC等。开关元件SW由例如薄膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G及信号线S电连接。更具体地说，开关元件SW具有栅电极WG、源电极WS及漏电极WD。栅电极WG与扫描线G电连接。在图示的例子中，将与信号线S电连接的电极称为源电极WS，将与像素电极PE电连接的电极称为漏电极WD。
扫描线G与沿第一方向X排列的像素PX各自的开关元件SW连接。信号线S与沿第二方向Y排列的像素PX各自的开关元件SW连接。像素电极PE分别与公共电极CE相对，利用在像素电极PE与公共电极CE之间产生的电场来驱动液晶层LC。保持电容CS形成在例如公共电极CE与像素电极PE之间。
图3是表示图1所示的显示面板PNL的局部构造的截面图。在此，表示沿第一方向X剖切显示装置DSP而得的截面图。
图示的显示面板PNL主要具有与利用大致平行于基板主面的横电场的显示模式对应的构成。需要说明的是，显示面板PNL可以具有与垂直于基板主面的纵电场、相对于基板主面倾斜的方向的电场、或者将它们组合利用的显示模式对应的构成。在利用横电场的显示模式中，能够应用例如在第一基板SUB1及第二基板SUB2中的任一方具有像素电极PE及公共电极CE这两者的构成。在利用纵电场、倾斜电场的显示模式中，例如能够应用在第一基板SUB1具有像素电极PE及公共电极CE中的任一者，并在第二基板SUB2具有像素电极PE及公共电极CE中的另一者的构成。需要说明的是，在此的基板主面是指与X－Y平面平行的面。
第一基板SUB1具有第一基体10、信号线S、公共电极CE、金属层M、像素电极PE、第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第一取向膜AL1等。需要说明的是，在此，省略开关元件、扫描线、封装在开关元件和扫描线之间的各种绝缘层等的图示。
第一绝缘层11位于第一基体10上。未图示的扫描线、开关元件的半导体层位于第一基体10与第一绝缘层11之间。信号线S位于第一绝缘层11上。第二绝缘层12位于信号线S及第一绝缘层11上。公共电极CE位于第二绝缘层12上。金属层M在信号线S的正上方与公共电极CE接触。在图示的例子中，金属层M位于公共电极CE上，但也可以位于公共电极CE与第二绝缘层12之间。第三绝缘层13位于公共电极CE及金属层M上。像素电极PE位于第三绝缘层13上。像素电极PE经由第三绝缘层13与公共电极CE相对。另外，像素电极PE在与公共电极CE相对的位置具有狭缝SL。第一取向膜AL1覆盖像素电极PE及第三绝缘层13。
扫描线、信号线S及金属层M由钼、钨、钛、铝等金属材料形成，可以是单层构造，也可以是多层构造。公共电极CE及像素电极PE由ITO、IZO等透明的导电材料形成。第一绝缘层11及第三绝缘层13是无机绝缘层，第二绝缘层12是有机绝缘层。
需要说明的是，第一基板SUB1的构成不限于图示的例子，像素电极PE可以位于第二绝缘层12与第三绝缘层13之间，公共电极CE可以位于第三绝缘层13与第一取向膜AL1之间。在该情况下，像素电极PE形成为不具有狭缝的平板状，公共电极CE具有与像素电极PE相对的狭缝。另外，像素电极PE及公共电极CE两者可以形成为梳齿状，并以彼此啮合的方式配置。
第二基板SUB2具有第二基体20、遮光层BM、彩色滤光片CF、保护层OC、第二取向膜AL2等。
遮光层BM及彩色滤光片CF位于第二基体20的与第一基板SUB1相对的一侧。遮光层BM划分各像素，并位于信号线S的正上方。彩色滤光片CF与像素电极PE相对，其一部分与遮光层BM重叠。彩色滤光片CF包含红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片等。保护层OC覆盖彩色滤光片CF。第二取向膜AL2覆盖保护层OC。
需要说明的是，彩色滤光片CF可以配置于第一基板SUB1。彩色滤光片CF也可以包含四色以上的彩色滤光片。在显示白色的像素上可以配置白色的彩色滤光片，也可以配置无色的树脂材料，还可以不配置彩色滤光片而配置保护层OC。
检测电极Rx位于第二基体20的主面20B。检测电极Rx可以由包含金属的导电层、ITO、IZO等透明的导电材料形成，可以在包含金属的导电层上层积透明导电层，也可以由导电性的有机材料、细微的导电性物质的分散体等形成。
包含第一偏振片PL1的第一光学素子OD1位于第一基体10与照明装置BL之间。包含第二偏振片PL2的第二光学素子OD2位于检测电极Rx上。第一光学素子OD1及第二光学素子OD2可以根据需要而包含相位差板。
接着，对搭载于本实施方式的显示装置DSP的传感器SS的一个构成例进行说明。以下说明的传感器SS是例如互电容方式的电容型，基于经由介质相对的一对电极间的电容的变化，检测被检测物的接触或接近。
图4是表示传感器SS的一个构成例的俯视图。
在图示的构成例中，传感器SS具有传感器驱动电极Tx及检测电极Rx。在图示的例子中，传感器驱动电极Tx相当于以朝右下的斜线表示的部分，并且设置于第一基板SUB1。另外，检测电极Rx相当于以朝右上的斜线表示的部分，设置于第二基板SUB2。传感器驱动电极Tx及检测电极Rx在X－Y平面上，彼此交叉。检测电极Rx在第三方向Z上，与传感器驱动电极Tx相对。
传感器驱动电极Tx及检测电极Rx位于显示区域DA，它们的一部分延伸到非显示区域NDA。在图示的例子中，传感器驱动电极Tx具有分别延伸到第二方向Y的带状的形状，沿第一方向X隔开间隔地排列。检测电极Rx分别沿第一方向X延伸，沿第二方向Y隔开间隔地排列。如参照图1进行的说明那样，检测电极Rx与设置于第一基板SUB1的衬垫连接，经由布线与检测电路RC电连接。传感器驱动电极Tx分别经由布线WR与公共电极驱动电路CD电连接。需要说明的是，传感器驱动电极Tx及检测电极Rx的个数、尺寸、形状不特别限定，能够进行各种变更。
传感器驱动电极Tx包含上述公共电极CE，具有在其与像素电极PE之间产生电场的功能，并且具有通过在其与检测电极Rx之间产生电容而用于检测被检测物的位置的功能。
公共电极驱动电路CD在显示区域DA显示图像的显示驱动时，对包含公共电极CE的传感器驱动电极Tx供给通常驱动信号。另外，公共电极驱动电路CD在进行传感的传感驱动时，对传感器驱动电极Tx供给传感器驱动信号。检测电极Rx伴随着向传感器驱动电极Tx供给传感器驱动信号，输出传感所需的传感器信号(也就是说，基于传感器驱动电极Tx与检测电极Rx之间的电极间电容的变化的信号)。将从检测电极Rx输出的检测信号输入图1所示的检测电路RC。
需要说明的是，上述构成例中的传感器SS不限于基于一对电极间的电容(在上述例子中，传感器驱动电极Tx与检测电极Rx之间的电容)的变化来检测被检测物的互电容方式，可以是基于检测电极Rx的电容的变化来检测被检测物的自电容方式。
图5是表示沿图1所示的A－B线剖切的显示装置DSP的局部构造的截面图。在图5中，为了便于说明，表示对图3所示的构造进行简化的构成例。以下，为了便于说明，对形成于显示装置DSP的多个连接用孔V至连接用孔V1进行说明。
在图5中，显示装置DSP具有第一基板SUB1、第二基板SUB2、密封件SE、液晶层LC、连接部件C1、布线基板SUB3。第一基板SUB1及第二基板SUB2在第三方向Z上相对。
第一基板SUB1具有第一基体10、衬垫P1(以下，作为第一导电层L1进行说明)、与第一导电层L1接触的第二导电层L2、第二绝缘层12。第一基体10具有与第二基板SUB2相对的主面10A、与主面10A相反一侧的主面10B。在图示的例子中，第一导电层L1位于主面10A上。也就是说，第一导电层L1位于第一基体10的与第二基板SUB2相对的一侧。第二导电层L2位于第一导电层L1上。在图示的例子中，第二导电层L2的厚度T2比第一导电层L1的厚度T1厚。例如，第一导电层L1的厚度T1、及第二导电层L2的厚度T2是数微米的程度，厚度T2是厚度T1的3倍～4倍。在图示的例子中，第二绝缘层12与第一导电层L1相同地位于第一基体10的主面10A上，并且沿第一方向X与第一导电层L1分离，没有重叠于第一导电层L1上。需要说明的是，第二导电层L2位于第一导电层L1上，但可以整体位于第一导电层L1上，也可以局部位于第一导电层L1上。另外，虽然未图示，但可以在第一基体10与第一导电层L1之间配置各种绝缘层、各种导电层。在第一导电层L1与第二导电层L2之间也可以配置各种绝缘层、各种导电层。另外，在第二导电层L2上也可以配置各种绝缘层、各种导电层。而且，可以在第一基体10的主面10A与第二绝缘层12之间还配置有图3所示的第一绝缘层11、各种绝缘层、各种导电层。另外，第二绝缘层12与第一导电层L1分离，但第二绝缘层12可以在第一方向X上，沿第一导电层L1的方向延伸到第一基体10的主面10A的端部，局部位于主面10A及第一导电层L1上。例如，第二绝缘层12位于第一基体10上，局部覆盖第一导电层L1及第二导电层L2。
第二基板SUB2具有第二基体20、遮光层BM及保护层OC、检测电极Rx1(以下，作为第三导电层L3进行说明)、保护材料PF1、包含第二偏振片PL2的第二光学素子OD2。第二基体20具有与第一基板SUB1相对的主面20A、与主面20A相反侧的主面20B。遮光层BM位于第二基体20的主面20A下。保护层OC位于遮光层BM下。第二基体20的主面20A经由遮光层BM及保护层OC与第二导电层L2相对，并且与第二导电层L2分离。在图示的例子中，第三导电层L3位于主面20B上。保护材料PF1位于第三导电层L3上。例如，保护材料PF1由丙烯系树脂等有机绝缘材料形成。在图示的例子中，包含第二偏振片PL2的第二光学素子OD2位于保护材料PF1上。需要说明的是，虽然未图示，但是可以在第二基体20与第三导电层L3之间，配置各种绝缘层、各种导电层。另外，在第三导电层L3与保护材料PF1之间，也可以配置各种绝缘层、各种导电层。而且，在保护材料PF1与第二光学素子OD2之间，也可以配置各种绝缘层、各种导电层。另外，第二基体20的主面20A与第二导电层L2分离，但是主面20A可以与第二导电层L2接触。
第一基体10及第二基体20的材料是例如玻璃，更具体地说是无碱玻璃。第一导电层L1及第三导电层L3由例如钼、钨、钛、铝、银、铜、铬等金属材料、组合这些金属材料而得的合金、铟锡氧化物(ITO)、铟铅氧化物(IZO)等透明的导电材料等形成，可以是单层构造，也可以是多层构造。第二导电层L2由导电性的金属材料形成。作为一个例子，第二导电层L2由银、或含有银的合金的糊状的导电材料形成。需要说明的是，第二导电层L2可以是与后述的连接部件C1相同的材料。保护材料PF1由例如丙烯系树脂等有机绝缘材料形成。
密封件SE位于第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。在图示的例子中，密封件SE位于保护层OC与第一基体10的主面10A之间，局部覆盖第一导电层L1及第二导电层L2。液晶层LC位于第一基板SUB1与第二基板SUB2之间的间隙。需要说明的是，虽然未图示，但是可以在第二绝缘层12的上方设置图3所示的金属层M、第三绝缘层13及第一取向膜AL1。另外，可以在保护层OC与密封件SE之间设置图3所示的第二取向膜AL2。以下，将设置在第一基体10与第二基体20之间的遮光层BM、保护层OC及密封件SE称为有机绝缘层OI。在图示的例子中，有机绝缘层OI位于第一基体10与第二基体20之间，覆盖第一导电层L1及第二导电层L2。需要说明的是，有机绝缘层OI可以包含第二绝缘层12、彩色滤光片及取向膜等。
在第二基板SUB2，第二基体20具有贯穿主面20A与主面20B之间的孔(第一孔)VA。在图示的例子中，孔VA也贯穿第三导电层L3。另一方面，在第一基板SUB1，第一导电层L1在沿第三方向Z与第二基体20的孔VA的位置相对的位置具有孔(第二孔)VB。在图示的例子中，孔VB在第三方向Z上与孔VA在同一直线上排列。另外，第一基体10在沿第三方向Z与第一导电层L1的孔VB的位置相对的位置具有凹部CC。凹部CC从主面10A朝向主面10B形成，但在图示的例子中，没有贯穿至主面10B。在一个例子中，凹部CC的沿第三方向Z的深度是第一基体10的沿第三方向Z的厚度的约1/5～约1/2左右。需要说明的是，第一基体10代替凹部CC，可以具有贯穿主面10A与主面10B之间的孔。
有机绝缘层OI具有与孔VA连接的孔(第三孔)VC。在图示的例子中，孔VC在第三方向Z上与孔VA、VB及凹部CC在同一直线上排列。孔VC具有贯穿密封件SE的第一部VC1、贯穿遮光层BM和保护层OC的第二部VC2。第二导电层L2具有与孔VC及孔VB连接的孔(第四孔)VD。在图示的例子中，孔VD在第三方向Z上与孔VA、VB、VC及凹部CC在同一直线上排列。在图示的例子中，孔VC及VD分别与孔VA及VB相比，沿第一方向X扩张。需要说明的是，孔VC及VD不仅在第一方向X上，而且遍及X－Y平面内的整个方位，与孔VA及VB相比，分别扩张。即，孔VC及VD的直径分别比孔VA及VB的直径大。另外，孔VB的直径比孔VD的直径小。
孔VB、孔VC、孔VD及凹部CC都位于孔VA的正下方。孔VA、孔VB、孔VC、孔VD及凹部CC位于沿第三方向Z的同一直线上，形成连接用孔V1。需要说明的是，对孔VC及VD分别与孔VA及VB相比沿第一方向X扩张的构成进行了说明，但也可以是不沿第一方向X扩张的构成。
连接部件C1设置在连接用孔V1的内侧，电连接第一导电层L1、第二导电层L2及第三导电层L3。连接部件C1由银等金属材料形成，希望包含粒子直径为数纳米至数十纳米的程度的微粒子。在图示的例子中，在连接用孔V1中，在连接部件C1的内侧的中空部分，为了保护连接部件C1，填充有填充材料FI。填充材料FI的一部分从连接用孔V1的上侧溢出，位于第二基体20的主面20B、第三导电层L3及连接部件C1上。填充材料FI由例如有机绝缘材料形成。需要说明的是，填充材料FI也可以不溢出到连接用孔V1的上侧。在该情况下，保护材料PF1可以位于填充材料FI上。另外，在连接部件C1的内侧不形成中空部分的情况下，可以没有填充材料FI。
图6是表示本实施方式的第一基板SUB1和第二基板SUB2的连接构造的构成例的放大截面图。参照图6，对本实施方式的第一导电层L1、第二导电层L2及第三导电层L3的连接构造进行详细说明。
在图6中，将第三导电层L3的上侧的表面称为上表面LT3，将形成于第三导电层L3的孔的内周部的表面称为内表面LS3，将形成于第二基体20的孔的内周部的表面称为内表面20S。孔VA的内表面由第三导电层L3的孔的内表面LS3、第二基体20的孔的内表面20S构成。将形成于第一导电层L1的孔VB的内周部的表面称为内表面LS1。将形成于有机绝缘层OI的孔VC的内周部的表面称为内表面OS。将形成于第二导电层L2的孔VD的内周部的表面称为内表面LS2。在孔VD内，第二导电层的内表面LS2露出。在孔VD内，将在X－Y平面上扩张的范围露出的第一导电层L1的上侧的表面称为上表面LT1。在第一基板SUB1，将与第二导电层L2接触的第一导电层L1的上侧的表面称为上表面LT2。在图示的例子中，连接用孔V1的内表面包含孔VA的内表面LS3及内表面20S、孔VB的内表面LS1、孔VC的内表面OS、孔VD的内表面LS2及第一导电层的上表面LT1。
连接部件C1穿过孔VA将第一导电层L1及第二导电层L2与第三导电层L3电连接。作为一个例子，连接部件C1在连接用孔V1(孔VA、VB、VC、VD及凹部CC)的内表面不切断地设置，电连接第一导电层L1及第二导电层L2、第三导电层L3。在图示的例子中，连接部件C1在第二基板SUB2，分别与第三导电层L3的上表面LT3、孔VA中的第三导电层L3的内表面LS3、及孔VA中的第二基体20的内表面20S接触。连接部件C1与孔VC中的有机绝缘层OI的内表面OS接触。而且，连接部件C1在第一基板SUB1，也分别与孔VD中的第二导电层L2的内表面LS2、孔VD中的第一导电层的上表面LT1、孔VB中的第一导电层L1的内表面LS1、及凹部CC接触。需要说明的是，连接部件C1可以以填补连接用孔V1的内部的方式进行填充。另外，连接部件C1至少与第二导电层L2、第三导电层L3接触。
连接部件C1除了与孔VA中的第三导电层L3的上表面LT3及内表面LS3、孔VD中的第一导电层L1的上表面LT1、孔VB中的第一导电层L1的内表面LS1接触以外，还与孔VD中的第二导电层L2的内表面LS2接触。因此，连接部件C1除了形成电连接第一导电层L1和第三导电层L3的路径以外，还形成经由与第一导电层L1的上表面LT2接触的第二导电层L2电连接第一导电层L1和第三导电层L3的路径。也就是说，连接部件C1通过与第二导电层L2接触，实质上能够扩大其与第一导电层L1接触的接触面积，能够抑制第一导电层L1与第三导电层L3的连接不良。需要说明的是，连接部件C1与其和第二导电层L2的接触面积成比例地，进一步增大连接部件C1与第一导电层L1的实际接触面积。也就是说，连接部件C1与连接用孔V1的露出面积成比例地，增大连接部件C1与第一导电层L1的实际接触面积。在图示的例子中，连接部件C1与第三方向Z上的第二导电层L2的厚度成比例地，增大连接部件C1与第一导电层L1的实际接触面积。
由此，第三导电层L3经由连接部件C1将第一导电层L1及第二导电层L2与布线基板SUB3电连接。因此，用于对第三导电层L3写入信号或读取从第三导电层L3输出的信号的控制电路能够经由布线基板SUB3与第三导电层L3连接。因此，不需要为了连接第三导电层L3和控制电路而在第二基板SUB2封装布线基板。
以上，对形成于显示装置DSP的多个连接用孔V内的连接用孔V1进行说明，但是因为对于多个连接用孔V内的其它连接用孔(V2、V3、V4…)也能够适用相同的构成，所以省略其详细的说明。
根据具有上述传感器SS的显示装置DSP，设置于第二基板SUB2的检测电极Rx通过设置于连接用孔V的连接部件C，与设置于第一基板SUB1的衬垫P连接。因此，不需要将用于连接检测电极Rx和检测电路RC的布线基板封装于第二基板SUB2。也就是说，封装于第一基板SUB1的布线基板SUB3形成用于传送为了在显示面板PNL显示图像所需的信号的传送通路，并且形成用于在检测电极Rx与检测电路RC之间传送信号的传送通路。因此，与除布线基板SUB3以外还需要设置另外的布线基板的构成例相比，能够减少布线基板的个数，并且能够减少成本。另外，因为在第二基板SUB2不需要用于连接布线基板的空间，所以能够缩小显示面板PNL的非显示区域、特别是封装布线基板SUB3的端边的宽度。由此，能够实现窄边框化及低成本化。
根据本实施方式，显示装置DSP将连接部件C设置于连接用孔V内，所述连接部件C用于电连接设置于第一基板SUB1的上表面的衬垫P(例如，衬垫P1(第一导电层L1))和设置于第二基板SUB2的上表面的检测电极Rx(例如，检测电极Rx1(第三导电层L3))。在第一基板SUB1，为了扩大连接部件C与衬垫P的实际接触面积，第二导电层(例如，第二导电层L2)位于衬垫P上，并且与衬垫P接触。第二导电层在连接用孔V(例如，连接用孔V1)的内表面露出。因此，通过使连接部件C在连接用孔V的内表面不切断地设置，经由第二导电层L2电连接衬垫P和检测电极Rx。也就是说，连接部件C通过在连接用孔V与第二导电层接触，能够扩大连接部件C与第一导电层的实际接触面积。因此，能够抑制衬垫P与检测电极Rx的连接不良。其结果是，能够提供一种能够提高窄边框化及可靠性的显示装置DSP。
接着，参照图7A至图7H、图8A至图8C、图9A及图9B，对上述显示装置DSP的制造方法的一个例子进行说明。以下，为了便于说明，将形成有多个连接用孔V内的连接用孔V1的部分的显示面板PNL的截面图用作一个例子而对显示装置DSP的制造方法的一个例子进行说明。
首先，如图7A所示，准备在第一基体10的主面10A上形成第一导电层L1和第二绝缘层12等的第一基板SUB1。接着，如图7B所示，在图7A所示的第一基板SUB1，在第一基体10的第一方向X的端部，去除第二绝缘层12的一部分而使第一导电层L1露出。接着，如图7C所示，在图7B中露出的第一导电层L1上通过喷墨等形成第二导电层L2。接着，在图7C中，在第一导电层L1上形成第二导电层L2后，如图7D所示，以在第一基体10的主面10A上覆盖第一导电层L1及第二导电层L2并且一部分位于第二绝缘层12上的方式，通过喷墨等形成密封件SE。
接着，如图7E所示，准备在第二基体20的主面20A上形成遮光层BM及保护层OC等的第二基板SUB2。此时，在第二基板SUB2的主面20B没有形成第三导电层L3。在如图7D所示的第一基板SUB1的密封件SE的内侧滴下液晶材料。之后，贴合第一基板SUB1及第二基板SUB2，使密封件SE硬化，将第一基板SUB1及第二基板SUB2粘接。之后，通过氟化氢酸HF(HF)等蚀刻液分别对第一基体10及第二基体20进行蚀刻，将第一基体10及第二基体20薄板化。之后，在第二基体20的主面20B形成第二导电层L3。
需要说明的是，图7D及图7E所示的显示面板PNL的制造方法是一个例子，可以用其它制造方法来制造。例如，可以在第一基体10的主面10A上不形成密封件SE而在第二基体20的主面20A形成密封件SE。另外，在图7E中，可以在使密封件硬化而将第一基板SUB1及第二基板SUB2贴合前，预先在第二基板SUB2形成第三导电层L3。
接着，如图7F所示，在图7E所示的第二基板SUB2的第三导电层L3上形成保护材料PF1。在图示的例子中，保护材料PF1在第一方向X上，没有在第三导电层L3的端部位于第一导电层L1及第二导电层L2的上方。因此，露出第三导电层L3的端部。
接着，如图7G所示，向第二基板SUB2照射激光LB。在图示的例子中，从第三导电层L3的上方照射激光LB。作为激光源，能够适用例如二氧化碳激光装置等，只要是在玻璃材料及有机系材料能够进行钻孔加工即可，也能够适用准分子激光装置等。
通过照射这样的激光LB，如图7H所示，形成贯穿第二基体20及第三导电层L3的孔VA。另外，在图示的例子中，在照射激光LB时，形成贯穿位于孔VA的正下方的遮光层BM及保护层OC的孔VC的第二部VC2、贯穿位于第二部VC2的正下方的密封件SE的孔VC的第一部VC1、贯穿位于第一部VC1的正下方的第二导电层L2的孔VD、以及贯穿位于孔VD的正下方的第一导电层L1的孔VB。此时，也同时形成位于孔VB的正下方的第一基体10的凹部CC。由此，形成用于将第一导电层L1及第二导电层L2与第三导电层L3的连接用孔V1。
接着，如图8A所示，形成将第一导电层L1及第二导电层L2与第三导电层L3电连接的连接部件C1。
更具体地说，首先，如图8A所示，在将显示面板PNL设置于腔室CB内后，排出腔室CB内的空气，在真空中(比大气压低的气压的环境下)向孔VA注入连接部件C1。此时，存在连接部件C1没有流入到第二导电层L2或第一导电层L1而在连接部件C1与第二导电层L2或者第一导电层L1之间形成空间SP的情况。其中，空间SP是真空。
之后，如图8B所示，通过向腔室CB内导入空气、惰性气体等气体而使真空度降低，利用空间SP与显示面板PNL的周围的气压差，连接部件C1从孔VA流入孔VC、VD、VB及凹部CC，使连接部件C1与第一导电层L2及第一导电层L1接触。
之后，如图8C所示，通过去除包含于连接部件C1的溶剂，减小连接部件C1的体积，形成中空部分HL。这样形成的连接部件C1在孔VA内分别与第三导电层L3及第二基体20接触，在孔VC内分别与遮光层BM、保护层OC、密封件SE及第二绝缘层12，在孔VD内与第二导电层L2接触，在孔VB内与第一导电层L1接触，在凹部CC内与第一基体10接触。
需要说明的是，参照图8A至图8C说明的连接部件C1的形成方法只不过是一个例子而已，但不限定与此。例如，即使是在大气压下向孔VA注入连接部件C1后去除包含于连接部件C1的溶剂的手法，也能够形成与上述相同的连接部件C1。
接着，如图9A所示，将填充材料FI填充到中空部分HL。在图示的例子中，填充材料FI被填充到连接部件C的中空部分HL，并且位于第二基体20的主面20B、第三导电层L3及连接部件C1上。
接着，如图9B所示，将第二光学素子OD2与保护材料PF1及填充材料FI粘接。在图示的例子中，第二光学素子OD2还延伸到与连接用孔V1重叠的部分。通过使填充材料FI位于第三导电层L3及连接部件C1上，缓和因连接用孔V1导致的高低差，因此在粘接第二光学素子OD2时，能够抑制因第二光学素子OD2的基底的高低差导致的第二光学素子OD2的剥离。需要说明的是，在上述显示装置DSP的制造方法中，作为一个例子而利用形成有连接用孔V1的部分的显示面板PNL的截面图来进行说明，但是即使在形成有连接用孔V的其它连接用孔V2、V3…的其它部分也能够适用与形成有连接用孔V1的部分相同的制造方法。
如以上说明，根据本实施方式，能够提供一种可实现窄边框化及低成本化的显示装置及其制造方法。
接着，参照图10至图13对本实施方式的其它构成例分别进行说明。在以下说明的本实施方式的其它构成例中，对与上述实施方式相同的部分标注相同的附图标记并省略其详细的说明，以与第一实施方式不同的部分为中心进行详细说明。需要说明的是，在其它实施方式中，也能够获得与上述实施方式相同的效果。
图10所示的构成例与图5所示的构成例相比，不同点在于，层积第一导电层L1及第二导电层L2的厚度在第三方向Z上与第二绝缘层12的厚度大致相同。在图示的例子中，第二导电层L2位于第一导电层L1上。第二导电层L2的厚度T2比第一导电层L1的厚度T1厚。在这样的构成例中，也获得上述相同的效果。除此以外，由于与上述实施方式相比能够扩大连接部件C与第二导电层L2的接触面积，所以能够提高可靠性。
图11所示的构成例与图6所示的构成例相比，不同点在于，第一导电层L1的上表面LT1没有在连接用孔V1露出。第二导电层L2也位于图6所示的第一导电层L1的上表面LT1。连接部件C在连接用孔V1内与第二导电层L2的内表面LS3、第一导电层L1的内表面LS1接触。在这样的构成例中，也获得上述相同的效果。除此以外，即使第一导电层L1的上表面LT1没有在孔VD内露出，连接部件C也能够经由第二导电层L2将第一导电层L1与第三导电层L3电连接。
图12所示的构成例与图5所示的构成例相比，不同点在于，连接用孔V1在显示装置DSP中，没有贯穿第二导电层L2。例如，层积第一导电层L1及第二导电层L2的厚度在第三方向Z上与密封件SE的厚度大致相同。在图示的例子中，第二导电层L2位于第一导电层L1上。第二导电层L2的厚度T2比第一导电层L1的厚度T1厚。在这样的构成例中，也能够获得上述相同的效果。除此以外，由于与上述实施方式相比能够扩大连接部件C与第二导电层L2的接触面积，所以能够提高可靠性。
图13所示的构成例与图5所示的构成例相比，不同点在于，连接部件C设置在孔VA、VB、VC及凹部CC各自的内表面，在连接部件C的中空部分填充有导电性的填充材料FM。填充材料FM是使包含有例如银等导电性粒子的糊硬化而得的材料。在图示的例子中，第二基板SUB2还具有保护材料PF2。保护材料PF2在主面20B侧，一部分位于连接部件C1及填充材料FM上，一部分也位于第三导电层L3及主面20B上。例如，保护材料PF2与保护材料PF1相同，由丙烯系树脂等有机绝缘材料形成。需要说明的是，保护材料PF1及PF2可以形成为一体。在这样的构成例中，也获得上述相同的效果。除此以外，即使连接部件C被切断，也能够使填充材料FM与第一导电层L1及第二导电层L2电连接，能够提高可靠性。另外，能够缓和因在连接部件C形成中空部分而导致的第三方向Z上的高低差。
以下，备注从由本说明书公开的构成获得的显示装置的一个例子。
(1)一种电子设备，包括：
第一基板，具有第一基体、第一导电层、与所述第一导电层接触的第二导电层；
第二基板，具有第二基体和第三导电层，所述第二基体与所述第一导电层相对且与所述第一导电层分离，所述第二基板具有贯穿所述第二基体的第一孔；以及
连接部件，穿过所述第一孔，将所述第二导电层与所述第三导电层电连接，并且所述连接部件与所述第二导电层直接接触。
(2)根据(1)所述的电子设备，所述第二导电层在与所述第二基板的所述第一孔的位置相对的位置具有第二孔，
所述连接部件穿过所述第一孔及所述第二孔，将所述第一导电层和所述第三导电层电连接。
(3)根据(2)所述的电子设备，所述连接部件与所述第二孔中的所述第二导电层的内表面接触。
(4)根据(2)或(3)所述的电子设备，所述第一导电层具有与所述第二孔连接的第三孔。
(5)根据(4)所述的电子设备，所述连接部件与所述第三孔中的所述第一导电层的内表面接触。
(6)根据(4)或(5)所述的电子设备，所述第一基体具有与所述第三孔连接的凹部。
(7)根据(6)所述的电子设备，所述连接部件与所述凹部接触。
(8)根据(7)所述的电子设备，所述电子设备具有位于所述第一基体与所述第二基体之间的有机绝缘层，
所述有机绝缘层具有与所述第一孔及所述第二孔连接的第四孔，并覆盖所述第二导电层。
(9)根据(8)所述的电子设备，所述有机绝缘层具有设于所述第一基板的第一有机绝缘层，
所述第四孔具有贯穿所述第一有机绝缘层的第一部分。
(10)根据(9)所述的电子设备，所述第一有机绝缘层覆盖所述第一导电层及所述第二导电层。
(11)根据(10)所述的电子设备，所述第一有机绝缘层是使所述第一基板与所述第二基板贴合的密封件。
(12)根据(11)所述的电子设备，所述第一导电层位于所述第一基体之上，
所述第二导电层位于所述第一导电层之上，并与所述第二基板的设有所述第三导电层的第一面相反侧的第二面相对。
(13)根据(12)所述的电子设备，所述第一导电层具有直径比所述第二孔的直径小的所述第三孔，并且所述第一导电层的上表面在所述第二孔露出，
所述连接部件与所述第一导电层的上表面接触。
(14)根据(2)至(11)中任一项所述的电子设备，所述第二导电层具有直径比所述第一孔的直径大的所述第二孔。
(15)根据(1)至(14)中任一项所述的电子设备，所述第二导电层的厚度比所述第一导电层的厚度厚。
(16)根据(1)至(15)中任一项所述的电子设备，所述第二导电层包含银、或者含有银的合金。
尽管已描述了特定实施方式，但是该实施方式仅借助于示例来呈现且不意在限制本实用新型的范围。事实上，这里所述的新颖实施方式可以以各种其它形式实现。此外，在不脱离本实用新型的主旨的情况下可以做出所述的实施方式的形式的各种省略、替换和改变。所附权利要求及其等同物意在覆盖这种形式或变型，如将其落在本实用新型的范围和主旨内。

Claims (16)

1.一种电子设备，其特征在于，包括：
第一基板，具有第一基体、第一导电层、与所述第一导电层接触的第二导电层；
第二基板，具有第二基体和第三导电层，所述第二基体与所述第一导电层相对且与所述第一导电层分离，所述第二基板具有贯穿所述第二基体的第一孔；以及
连接部件，穿过所述第一孔，将所述第二导电层与所述第三导电层电连接，并且所述连接部件与所述第二导电层直接接触。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层在与所述第二基板的所述第一孔的位置相对的位置具有第二孔，
所述连接部件穿过所述第一孔及所述第二孔，将所述第一导电层和所述第三导电层电连接。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，
所述连接部件与所述第二孔中的所述第二导电层的内表面接触。
4.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，
所述第一导电层具有与所述第二孔连接的第三孔。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，
所述连接部件与所述第三孔中的所述第一导电层的内表面接触。
6.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，
所述第一基体具有与所述第三孔连接的凹部。
7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，
所述连接部件与所述凹部接触。
8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备具有位于所述第一基体与所述第二基体之间的有机绝缘层，
所述有机绝缘层具有与所述第一孔及所述第二孔连接的第四孔，并覆盖所述第二导电层。
9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，
所述有机绝缘层具有设于所述第一基板的第一有机绝缘层，
所述第四孔具有贯穿所述第一有机绝缘层的第一部分。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，
所述第一有机绝缘层覆盖所述第一导电层及所述第二导电层。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，
所述第一有机绝缘层是使所述第一基板与所述第二基板贴合的密封件。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，
所述第一导电层位于所述第一基体之上，
所述第二导电层位于所述第一导电层之上，并与所述第二基板的设有所述第三导电层的第一面相反侧的第二面相对。
13.根据权利要求12所述的电子设备，其特征在于，
所述第一导电层具有直径比所述第二孔的直径小的所述第三孔，并且所述第一导电层的上表面在所述第二孔露出，
所述连接部件与所述第一导电层的上表面接触。
14.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层具有直径比所述第一孔的直径大的所述第二孔。
15.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层的厚度比所述第一导电层的厚度厚。
16.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
所述第二导电层包含银、或者含有银的合金。
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