CN111596476B - 阵列基板、显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，阵列基板具有显示区和围绕显示区的非显示区，阵列基板包括：衬底、平坦化层、多条信号线以及测试结构。平坦化层位于衬底的第一侧；多条信号线位于衬底上，并且延伸于显示区；测试结构位于衬底上且位于非显示区，测试结构包括引线单元和接触单元，引线单元位于平坦化层与衬底之间，引线单元与至少部分条信号线电连接；接触单元与引线单元电连接，接触单元位于平坦化层背离衬底的一侧且凸出于平坦化层。本发明提供的阵列基板，能够改善现有技术中测试结构与测试装置接触不良的情况，提高对显示面板测试的准确性，提高显示面板的生产效率。

Description

阵列基板、显示面板以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
在显示面板的生产过程中，需要对显示面板的性能进行测试，例如通过显示面板是否能够正常显示以检测显示面板中的布线结构是否存在短路或断路情况。为了便于测试和筛选质量合格的显示面板，一般会在显示面板上设置测试结构，通过对测试结构输入测试信号以对显示面板进行性能测试。
在对显示面板的测试过程中，通过外界的测试装置与测试结构压合使得测试装置的测试信号传输至测试结构中，在压合过程中可能存在压合不良的情况，导致测试结构和测试装置接触不良，降低测试的准确性，影响生产效率。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，旨在改善现有技术中测试结构与测试装置接触不良的情况，提高对显示面板测试的准确性，提高显示面板的生产效率。
一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，具有显示区和围绕显示区的非显示区，阵列基板包括：衬底、平坦化层、多条信号线以及测试结构。平坦化层位于衬底的第一侧；多条信号线位于衬底上，并且延伸于显示区；测试结构位于衬底上且位于非显示区，测试结构包括引线单元和接触单元，引线单元位于平坦化层与衬底之间，引线单元与至少部分条信号线电连接；接触单元与引线单元电连接，接触单元位于平坦化层背离衬底的一侧且凸出于平坦化层。
另一方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括如上述的阵列基板。
再一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上述的阵列基板。
根据本发明实施例的阵列基板、显示面板以及显示装置，阵列基板具有显示区和围绕显示区的非显示区，阵列基板包括衬底、平坦化层、多条信号线以及测试结构，多条信号线延伸于显示区，使得多条信号线能够与显示面板上的像素连接，以驱动各像素显示。测试结构位于非显示区，且测试结构与至少部分条信号线连接，便于通过测试结构将测试信号传输至信号线中，以驱动各像素显示，以检测阵列基板上的布线结构以及信号线是否存在短路或断路情况。
进一步地，测试结构包括引线单元和接触单元，引线单元与至少部分条信号线电连接，接触单元与引线单元电连接，能够使得外界的测试装置，例如测试电路板能够通过接触单元和引线单元将测试信号传输至对应的信号线中。通过设置接触单元位于平坦化层背离衬底的一侧且凸出于平坦化层，防止测试结构低于平坦化层且与平坦化层之间的段差较大时引起的测试电路板不能与测试结构稳定电连接的情况，提高测试结构与测试装置的连接良率，使得测试时测试结构与测试装置形成良好的电连接，提高测试准确性。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1是本发明一个实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；
图2是本发明一个实施例的阵列基板的截面示意图；
图3是图1中示出的一种阵列基板沿B-B的结构示意图；
图4是图1中示出的另一种阵列基板沿B-B的结构示意图；
图5是图1中示出的一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图6是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图7是图1中示出的再一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图8是图1中示出的又一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图9是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图10是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图11是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图12是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图13是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图14是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图15是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图；
图16是本发明一个实施例提供的显示面板的结构示意图；
图17是本发明一个实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
在显示面板的生产过程中，通常在绑定集成电路(integrated circuit，IC)芯片前会通过测试装置检测显示面板是否能够正常显示，以避免将IC芯片绑定在不符合质量标准的显示面板上，造成高成本的IC芯片的损坏或浪费。因此，通常会在阵列基板的非显示区设置测试结构，以对显示面板的显示性能进行检测。
现有的显示面板设计中，为便于测试和良品筛选，通常使用可视化测试方法(Visual Test，VT)对显示面板进行测试。具体地，在阵列基板的非显示区设置测试结构，测试结构可以为可视化测试垫(Visual Test pad，VT pad)，VT pad与位于显示区的至少部分信号线连接，通过对阵列基板上的VT pad对信号线输入测试信号以对显示面板进行测试。
通常阵列基板包括衬底、位于衬底上的平坦化层以及位于衬底上的VT pad，平坦化层包括贯穿自身厚度的开口，VT pad设置于平坦化层的开口内，通过开口暴露出VT pad。在VT测试时，通过对测试装置施加压力使得该测试装置通过开口与VT pad实现电连接。上述的压合方式为“假压”方式，即VT pad与测试装置没有直接连接，而是在压力作用下进行压合连接。但是，由于平坦化层的膜层厚度较大，使得VT pad凹入平坦化层内部，VT pad与平坦化层之间存在较高的段差，例如VT pad背离衬底的表面与平坦化层背离衬底的表面之间的高度差大于等于2.7微米，综合显示面板的窄边框需求，使得VT pad在衬底上的正投影的面积较小，使得外界的测试装置不能稳定的与VT pad电连接，也即在VT pad与测试装置在假压时容易造成两者的接触不良，或者由于平坦化层在形成开口过程中由于开口内壁存在遮挡，导致VT pad与测试装置接触不良，使得测试信号无法通过测试装置传输至测试结构中，影响测试的准确性，降低显示面板的生产良率。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种新型的阵列基板100、显示面板1000以及显示装置DU。下面结合附图对本发明实施例的阵列基板100、显示面板1000以及显示装置进行详细描述。
请一并参阅图1至图3，图1是本发明一个实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图，图2是本发明一个实施例的阵列基板100的截面示意图，图2中是在阵列基板的显示区内，沿垂直于阵列基板方向剖阵列基板得到的截面示意图，图3是图1中示出的一种阵列基板100沿B-B的结构示意图。本发明实施例提供一种阵列基板100，具有显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA，阵列基板100包括衬底11、平坦化层20、多条信号线30以及测试结构40。
其中，阵列基板100还可以包括像素驱动电路12以及缓冲层Buf，缓冲层Buf位于衬底11上，像素驱动电路12位于衬底11和平坦化层20之间且位于缓冲层Buf背离衬底11的一侧，用于驱动显示面板1000上的像素显示。像素驱动电路12包括沿背离衬底11方向设置的有源层121、栅极层122和源漏极层123，其中源漏极层123包括源极和漏极，栅极层122和源漏极层123之间设置有层间绝缘层ILD，以用于将栅极层122和源漏极层123绝缘。可以理解的是，附图中示例性的示出了其中一些阵列基板100的结构，其中阵列基板100可以不限于附图中示出的结构，还可以是其他的膜层设置方式，可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，对于顶栅结构，可以在对应有源层121的沟道区域设置遮光层，例如在缓冲层Buf和衬底11之间设置遮光层，防止有源层121的沟道区域产生光生载流子，影响像素驱动电路12的性能。另外，第一电极层51、第二电极层52、触控信号线33的位置也可以根据实际需要设置，本发明对此不做限定。
平坦化层20位于衬底11的第一侧，多条信号线30位于衬底11上，并且延伸于显示区AA，测试结构40位于衬底11上且位于非显示区NA，测试结构40包括引线单元41和接触单元42，引线单元41位于平坦化层20与衬底11之间，引线单元41与至少部分条信号线30电连接，接触单元42与引线单元41电连接，接触单元42位于平坦化层20背离衬底11的一侧且凸出于平坦化层20。其中，可以在平坦化层20设置过孔，接触单元42与引线单元41通过过孔连接。
根据本发明实施例的阵列基板100，可以通过测试结构40将测试信号传输至信号线30中，以驱动显示面板上的各像素显示，以检测阵列基板100上的布线结构以及信号线30是否存在短路或断路情况。进一步地，测试结构40包括引线单元41和接触单元42，通过设置接触单元42位于平坦化层20背离衬底11的一侧且凸出于平坦化层20，相较于将测试结构40设置于平坦化层20的开口内且测试结构40与平坦化层20之间的段差较大的情况，本发明实施例的测试结构40能够提高测试结构40与测试装置的连接良率，使得测试时测试结构40与测试装置形成良好的电连接，提高测试准确性。
请继续参阅图1至图3，在一些实施例中，多条信号线30包括扫描线31和数据线32，扫描线31和数据线32之间相互绝缘且二者交叉限定出像素，扫描线31和数据线32位于平坦化层20与衬底11之间，数据线32位于扫描线31背离衬底11的一侧，引线单元41可以与数据线32同层设置，通过引线单元41与数据线32同层设置，使得引线单元41与数据线32通过同层的导电引线直接进行连接，无需进行换线设置，例如可以通过位于扇出区的扇出线将引线单元41和数据线32进行连接。
为了实现显示面板的多功能，可选地，多条信号线30还可以包括触控信号线33，触控信号线33位于平坦化层20背离衬底11的一侧。
请参阅图4，图4是图1中示出的另一种阵列基板沿B-B的结构示意图，为了设置合理的引线单元41的结构，在一些实施例中，引线单元41包括与扫描线31同层设置的第一部分411和与数据线32同层设置的第二部分412，第一部分411与第二部分412相互电连接，此时引线单元41在与信号线30进行连接时，可以使信号线30与引线单元41的第一部分411电连接，以便于传输测试信号。例如，当引线单元41与数据线32连接时，可以通过与数据线32不同层的第一部分411进行换线连接，有效缓解在同一层上设置较多的连接结构时而引起非显示区的宽度较大的问题。
可以理解的是，阵列基板100上包括有多个测试结构40，在部分数量的测试结构40中，引线单元41可以与数据线32同层设置；在另一部分数量的测试结构40中，引线单元41可以包括与扫描线31同层设置的第一部分411和与数据线32同层设置的第二部分412，且引线单元41通过第一部分411与信号线30连接。各引线单元41的结构可以根据用户的需求进行设定，本发明不对此进行限定。
下面结合阵列基板100的制作过程对测试结构的制作工艺进行详细介绍。在阵列基板100的制作过程中，可以包括如下步骤：
步骤1、在衬底11上依次制作缓冲层Buf；
步骤2、在缓冲层Buf背离衬底11的一侧形成有源层121；
步骤3、在有源层121背离衬底11的一侧制作第一金属层M1；
步骤4、在第一金属层M1背离衬底11的一侧设置层间绝缘层ILD；
步骤5、在层间绝缘层ILD背离衬底11的一侧制作第二金属层M2；
步骤6、在第二金属层M2背离衬底11的一侧设置平坦化层20。
步骤7、在平坦化层20背离衬底11的一侧设置第三金属层M3。
其中，可以通过对第一金属层M1图案化处理形成扫描线31以及像素驱动电路的栅极层122，对第二金属层M2图案化处理形成数据线32以及像素驱动电路的源漏极层123，对第三金属层M3图案化处理形成触控信号线33。其中，第一金属层M1的材料可以但不限于为钼(Mo)。第二金属层M2的材料可以但不限于为钛(Ti)、铝(Al)的至少一种，可选地，第二金属层M2为Ti-Al-Ti的叠层结构。第三金属层M3的材料可以但不限于为钼(Mo)、铝(Al)的至少一种，可选地，第三金属层M3为Mo-Al-Mo的叠层结构。本发明实施例不对第一金属层M1以及第二金属层M2的材料以及厚度进行限定，只要能够实现稳定的电信号传输功能即可。
基于此，当引线单元41包括与扫描线31同层设置的第一部分411和与数据线32同层设置的第二部分412时，上述阵列基板100的制作过程中可以还通过对第一金属层M1图案化处理形成引线单元41的第一部分411，对第二金属层M2图案化处理形成引线单元41的第二部分412。或者当引线单元41与数据线32同层设置时，可以对第二金属层M2图案化处理形成引线单元41即可。通过上述设置，不需要额外增加新的制作工艺，简化制作工艺。
为了实现接触单元42能够与外界的测试装置电连接，可选地，测试装置可以为柔性线路板(Flexible Printed Circuit，FPC)，FPC便于在受到压合作用时发生形变与测试结构40形成良好的接触，请参阅图4，在一些实施例中，接触单元42包括金属部421，金属部421与引线单元41电连接，金属部421位于平坦化层20背离衬底11的表面。通过上述设置，使得金属部421能够凸出于平坦化层20，且金属部421能够实现与FPC之间的良好电连接。
可选地，当接触单元42包括金属部421时，为了简化制作工艺，不额外增加新的制作工艺，可以将金属部421与触控信号线33同层设置，即通过对第三金属层M3图案化处理形成触控信号线33以及金属部421。在具体实施时，可以对现有的第三金属层M3的掩膜版(Mask)进行改进即可。
请参阅图5，图5是图1中示出的一种阵列基板沿C-C方向的剖视图。为了防止金属部421暴露于空气中造成金属部421的氧化，在一些实施例中，接触单元42还包括透明导电部422，透明导电部422与金属部421电连接，透明导电部422位于金属部421背离衬底11的一侧。通过设置透明导电部422，一方面可以垫高测试结构40的高度，以实现测试装置与测试结构40的稳定接触连接，另一方面，透明导电部422还能够对金属部421进行保护，提高测试结构40的稳定性。
可选地，透明导电部422的材料可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)，具有较好的到导电性和透明性，能够起到对金属部421的稳定保护作用。
本发明实施例的阵列基板100可以应用于液晶显示面板1000中，为了实现液晶的偏转，在一些实施例中，阵列基板100还包括至少一层电极层50，至少一层电极层50与透明导电部422的至少部分同层设置。上述设置，使得电极层50和透明导电部422能够一体制作，简化制作工艺。可以理解的是，至少一层电极层50与透明导电部422的至少部分同层设置可以为至少一层电极层50与透明导电部422的沿自身厚度方向上的部分膜层同层设置，或者至少一层电极层50与透明导电部422的沿自身平面方向上部分结构同层设置，本发明对此不进行限定。
液晶显示面板1000包括相对设置的阵列基板100和彩膜基板以及夹设于阵列基板100和彩膜基板之间的液晶层，为了实现液晶的偏转，可选地，可以在阵列基板100上设置第一电极层51，第一电极层51位于平坦化层20背离衬底11的一侧，彩膜基板上设置第二电极层52，第一电极层51与第二电极层52的其中一者为显示电极，另一者为公共电极，第一电极层51和第二电极层52之间能够形成电场以驱动液晶偏转，从而实现液晶显示面板1000的显示。或者，请继续参阅图2，可以在阵列基板100上同时设置能够形成电场以驱动液晶偏转的第一电极层51和第二电极层52，第一电极层51与第二电极层52的其中一者为显示电极，另一者为公共电极，本文中以第一电极层51为公共电极，第二电极层52为显示电极为例进行说明。其中，第一电极层51和第二电极层52可以为透明电极，第一电极层51和第二电极层52可以通过ITO材料制作成型。
基于此，通过至少一层电极层50与透明导电部422的至少部分同层设置，使得透明导电部422在现有制作工艺基础上与电极层50一体制作，避免增加新的工艺步骤，简化工艺制程。
请一并参阅图2、图5至图9，图6是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图7是图1中示出的再一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图8是图1中示出的又一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图9是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图。
在一些实施例中，当至少一层电极层50包括第一电极层51和第二电极层52时，第一电极层51和第二电极层52位于平坦化层20背离衬底11的一侧，且第二电极层52位于第一电极层51背离衬底11的一侧，第一电极层51、第二电极层52中的至少一层与透明导电部422同层设置。通过上述设置，可以使透明导电部422灵活地与第一电极层51、第二电极层52中的至少一层同层制作，便于透明导电部422的制作。
示例性地，如图6所示，透明导电部422可以与第一电极层51同层制作，或者如图5所示，透明导电部422可以与第二电极层52同层制作，进一步地，如图9所示，为了垫高测试结构40，透明导电部422可以包括与第一电极层51同层制作的一部分以及与第二电极层52同层制作的另一部分。
为了便于理解透明导电部422与电极层50的制作关系，下面对透明导电部422与电极层50的制作工艺进行说明。
基于前述内容对阵列基板100的制作工艺进行的介绍，当阵列基板包括电极层时，步骤7、在平坦化层20背离衬底11的一侧设置第三金属层M3之后还包括：
步骤8、在第三金属层M3背离衬底11的一侧制作第一介质层60a；
步骤9、在第一介质层60a背离衬底11的一侧制作第一导电层T1；
步骤10、在第一导电层T1背离衬底11的一侧制作第二介质层60b；
步骤11、在第一介质层60b背离衬底11的一侧制作第二导电层T2。
在具体实施时，如图2、图6和图7所示，可以通过对第一导电层T1图案化处理形成第一电极层51以及透明导电部422。或者如图2、图8所示，也可以通过对第二导电层T2图案化处理形成第二电极层52以及透明导电部422。进一步地，当多条信号线30还包括触控信号线33时，第一电极层51可以复用为触控电极，第一电极层51与触控信号线33通过跨桥结构53电连接，此时可以通过对第二导电层T2图案化处理形成跨桥结构53。再或者如图2和图9所示，可以通过对第一导电层T1图案化处理形成第一电极层51以及透明导电部422的一部分，通过对第二导电层T2图案化处理形成第二电极层52以及透明导电部422的另一部分。通过上述设置，可以在不额外增加新的制作工艺的基础上，形成透明导电部422。
如图6至图9所示，当接触单元42包括透明导电部422和金属部421时，透明导电部422可以位于金属部421背离衬底11的表面。通过上述设置，可以使透明导电部422与金属部421直接接触电连接，使透明导电部422在保护金属部421的同时，快速地将测试信号传输至金属部421内，以对显示面板1000进行VT测试。
或者，请参阅图10，图10是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图10示出了透明导电部422形成于第一导电层T2中，可以理解的是透明导电部422形成于第二导电层T2中。当接触单元42包括透明导电部422和金属部421时，接触单元42还可以包括第一绝缘部423，第一绝缘部423位于透明导电部422与金属部421之间，透明导电部422通过第一绝缘部423上设置的第一过孔4231与金属部421电连接。通过上述设置，能够进一步增加第一绝缘部423的高度，从而有效垫高接触单元42的高度，进而使接触单元42与测试装置实现稳定的接触连接，减小“假压”方式造成的接触不良现象，保证测试的准确性。
请一并参阅图2、图10至图13，图11至图13，图11是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图12是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图13是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图。
在一些实施例中，阵列基板100还包括至少一层第一介质层60，至少一层第一介质层60位于平坦化层20背离衬底11的一侧，至少一层第一介质层60与第一绝缘部423同层设置，其中，至少一层第一介质层60包括第一开口61，第一开口61暴露平坦化层20的背离衬底11的部分表面，接触单元42在衬底11上的正投影位于第一开口61在衬底11上的正投影内，或者，彼此同层的第一介质层60与第一绝缘部423相互连接。通过上述设置，可以通过多种制作工艺使得测试结构40制作成型，提高了测试结构40的可行性。
在具体实施时，当阵列基板100上包括一层电极层50时，例如阵列基板100包括第一电极层51时，阵列基板100包括一层第一介质层60a，第一介质层60a位于第一电极层51与第三金属层M3之间，第一介质层60a可以延伸至非显示区NA，此时位于非显示区NA的第一介质层60a可以包括第一开口61(如图10)，通过将接触单元42在衬底11上的正投影设置于第一开口61在衬底11上的正投影内，能够使第一介质层60对接触单元42进行保护，防止外界结构损坏接触单元42。
当阵列基板100包括两层电极层50，即阵列基板100包括第一电极层51和第二电极层52，且第二电极层52位于第一电极层51背离衬底11的一侧时，阵列基板100可以包括两层第一介质层60，分别为第一介质层60a和第一介质层60b，其中第一介质层60a位于第一电极层51与第三金属层M3之间，第一介质层60b位于第一电极层51和第二电极层52之间，通过在第一介质层60a、第一介质层60b中设置连通的第一开口61，且接触单元42位于第一开口61内，使得第一介质层60a、第一介质层60b能够对测试结构40的接触单元42进行保护。可以理解的是，第一介质层60a和第一介质层60b可以不同时延伸至非显示区NA，可以为其中的任意一者延伸至非显示区NA，以对接触单元42进行保护，本发明不对此进行限制。
示例性地，如图11所示，第一开口61可以贯穿第一介质层60b，透明导电部422形成于第一导电层T1中，彼此同层的第一介质层60a与第一绝缘部423相互连接。或者如图10和图13所示，透明导电部422形成于第二导电层T2中，第一开口61同时贯穿第一介质层60a和第一介质层60b，接触单元42在衬底11上的正投影设置于第一开口61在衬底11上的正投影内，本发明对第一开口61的结构不进行限定。再或者，如图12所示，透明导电部422形成于第二导电层T2中，彼此同层的第一介质层60与第一绝缘部423相互连接。具体地，第一介质层60a和第一介质层60b同时延伸至非显示区NA，第一绝缘部423包括层叠的第一子层和第二子层，第一子层与第一介质层60a同层且相互连接，第二子层与第一介质层60b同层且相互连接。
如图12和图13所示，在一些实施例中，透明导电部422的背离衬底11的表面高于至少一层第一介质层60的背离衬底11的表面。通过上述设置，便于使透明导电部422被垫高，且使透明导电部422与测试装置进行稳定接触，避免测试装置与透明导电部422之间存在间距造成接触不良，影响测试准确性。其中，透明导电部422的背离衬底11的表面是指透明导电部422的最外侧的面，该表面可以用于与FPC等测试装置进行接触连接。
请参阅图14和图15，图14是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图，图15是图1中示出的另一种阵列基板沿C-C方向的剖视图。在一些实施例中，透明导电部422包括第一透明导电层4221和第二透明导电层4222，第一透明导电层4221位于金属部421背离衬底11的一侧，第一透明导电层4221与金属部421电连接，第二透明导电层4222位于第一透明导电层4221背离衬底11的一侧，第二透明导电层4222与第一透明导电层4221电连接。通过上述设置，可以有效垫高接触单元42的高度，提高测试装置与测试结构40电连接的稳定性。需要说明的是，第一透明导电层4221和第二透明导电层4222之间可以设置绝缘结构，也可以使二者接触连接，只要能够实现稳定的测试功能即可。
在具体实施时，第一透明导电层4221可以与第一电极层51同层制作，即通过对第一导电层T1图案化处理形成第一电极层51和第一透明导电层4221，第二透明导电层4222可以与第二电极层52同层制作，即通过对第二导电层T2图案化处理形成第二电极层52和第二透明导电层4222，以简化制作工艺。可以理解的是，第一透明导电层4221与第二透明导电层4222也可以独立于第一电极层51和第二电极层52的制作工艺，例如在金属部421上单独制作相互电连接的第一透明导电层4221和第二透明导电层4222。
为进一步提高测试结构40的高度，以使测试结构40与测试装置稳定连接，在一些实施例中，接触单元42还包括第二绝缘部424和第三绝缘部425，第二绝缘部424位于第一透明导电层4221与金属部421之间，第一透明导电层4221通过第二绝缘部424上设置的第二过孔4241与金属部421电连接，第三绝缘部425位于第一透明导电层4221与第二透明导电层4222之间，第二透明导电层4222通过第三绝缘部425上设置的第三过孔4251与第一透明导电层4221电连接。通过设置第二绝缘部424，能够对第一透明导电层4221和金属部421之间进行绝缘设置，通过设置第三绝缘部425，能够对第一透明导电层4221与第二透明导电层4222之间进行绝缘设置，且进一步提高接触单元42的高度。
在一些实施例中，如图15所示，第二过孔4241在衬底11上的正投影与第三过孔4251在衬底11上的正投影至少部分不交叠，能够实现第一透明导电层4221与第二透明导电层4222的稳定连接，防止第三过孔4251和第二过孔4241中的导电结构较长时造成ITO断裂，影响测试结构40的连接稳定性。具体地，由于第一透明导电层4221通过第二过孔4241与金属部421电连接。由于工艺原因，第一透明导电层4221在第二过孔4241处会形成朝向衬底11方向的下陷，当第二透明导电层4222通过第三过孔4251与第一透明导电层4221电连接时，如果设置第二过孔4241在衬底11上的正投影与第三过孔4251在衬底11上的正投影重叠，此时第二透明导电层4222在第三过孔4251中沉积的材料较厚，由于第三过孔4251截面面积较小且ITO材料的脆性较高，此时易造成位于过孔中的导电材料断裂，影响接触单元42的电性。
在一些实施例中，接触单元42的背离衬底11的表面为凹凸不平面。通过设置接触单元42的背离衬底11的表面为凹凸不平面，当测试装置在外力压合作用下与接触单元42连接时，能够增大接触单元42与测试装置的接触面积，以更好的传输测试信号。
示例性地，请进一步参阅图6，为了实现接触单元42的背离衬底11的表面为凹凸不平面，透明导电部422可以包括沿平行于阵列基板100的平面方向间隔设置的多个透明导电块4223，透明导电块4223分别与金属部421电连接。或者，也可以在透明导电部422上设置凹槽或凸起结构，以使接触单元42的背离衬底11的表面为凹凸不平面。
由于接触单元42位于平坦化层20背离衬底11的一侧且凸出于平坦化层20，为了实现接触单元42与引线单元41的电连接，在一些实施例中，平坦化层20包括与一个接触单元42对应的第四过孔21，接触单元42通过第四过孔21与引线单元41电连接。
综上，根据本发明实施例的阵列基板100，阵列基板100具有显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA，阵列基板100包括衬底11、平坦化层20、多条信号线30以及测试结构40，多条信号线30延伸于显示区AA，使得多条信号线30能够与显示面板上的像素连接，以驱动各像素显示。测试结构40位于非显示区NA，且测试结构40与至少部分条信号线30连接，便于通过测试结构40将测试信号传输至信号线30中，以驱动各像素显示，以检测阵列基板100上的布线结构以及信号线30是否存在短路或断路情况。
进一步地，测试结构40包括引线单元41和接触单元42，引线单元41与至少部分条信号线30电连接，接触单元42与引线单元41电连接，能够使得外界的测试装置，例如测试电路板能够通过接触单元42和引线单元41将测试信号传输至对应的信号线30中。通过设置接触单元42位于平坦化层20背离衬底11的一侧且凸出于平坦化层20，防止测试结构40低于平坦化层20且与平坦化层20之间的段差较大时引起的测试电路板不能与测试结构40稳定电连接的情况，提高测试结构40与测试装置的连接良率，使得测试时测试结构40与测试装置形成良好的电连接，提高测试准确性。
请参阅图16，图16是本发明一个实施例提供的显示面板的结构示意图。本发明实施例还提供一种液晶显示面板1000，包括如上述任一实施例提供的阵列基板100。在一些实施例中，液晶显示面板1000还可包括与阵列基板100相对设置的彩膜基板200以及夹设于阵列基板100与彩膜基板200之间的液晶层300。通过控制液晶层300中的液晶分子偏转以实现液晶显示面板100的显示。
根据本发明实施例的显示面板1000，可以通过测试结构40将测试信号传输至信号线30中，以驱动显示面板上的各像素显示，以检测阵列基板100上的布线结构以及信号线30是否存在短路或断路情况。进一步地，测试结构40包括引线单元41和接触单元42，通过设置接触单元42位于平坦化层20背离衬底11的一侧且凸出于平坦化层20，相较于将测试结构40设置于平坦化层20的开口内且测试结构40与平坦化层20之间的段差较大的情况，本发明实施例的测试结构40能够提高测试结构40与测试装置的连接良率，使得测试时测试结构40与测试装置形成良好的电连接，提高测试准确性。
请参阅图17，图17是本发明一个实施例提供的显示装置的结构示意图。本发明实施例还提供一种显示装置DU，包括如任一实施例提供的阵列基板100或者包括上述的液晶显示面板1000。在一些实施例中，显示装置DU还包括位于液晶显示面板1000的背光面侧的背光模组400，背光模组400提供背光源，以使光线透过液晶显示面板1000，实现显示装置DU的显示功能。
根据本发明实施例的显示装置DU，可以通过测试结构40将测试信号传输至信号线30中，以驱动显示面板上的各像素显示，以检测阵列基板100上的布线结构以及信号线30是否存在短路或断路情况。进一步地，测试结构40包括引线单元41和接触单元42，通过设置接触单元42位于平坦化层20背离衬底11的一侧且凸出于平坦化层20，相较于将测试结构40设置于平坦化层20的开口内且测试结构40与平坦化层20之间的段差较大的情况，本发明实施例的测试结构40能够提高测试结构40与测试装置的连接良率，使得测试时测试结构40与测试装置形成良好的电连接，提高测试准确性，便于推广应用。
依照本发明如上文的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述阵列基板包括：
衬底；
平坦化层，位于所述衬底的第一侧；
多条信号线，位于所述衬底上，并且延伸于所述显示区；
测试结构，位于所述衬底上且位于所述非显示区，所述测试结构包括：
引线单元，位于所述平坦化层与所述衬底之间，所述引线单元与至少部分条所述信号线电连接；
接触单元，与所述引线单元电连接，所述接触单元位于所述平坦化层背离所述衬底的一侧且凸出于所述平坦化层；所述接触单元包括：
金属部，与所述引线单元电连接，所述金属部位于所述平坦化层背离所述衬底的表面；
透明导电部，与所述金属部电连接，所述透明导电部位于所述金属部背离所述衬底的一侧；所述透明导电部包括：第一透明导电层，位于所述金属部背离所述衬底的一侧，所述第一透明导电层与所述金属部电连接；第二透明导电层，位于所述第一透明导电层背离所述衬底的一侧，所述第二透明导电层与所述第一透明导电层电连接；
第二绝缘部，位于所述第一透明导电层与所述金属部之间，所述第一透明导电层通过所述第二绝缘部上设置的第二过孔与所述金属部电连接；
第三绝缘部，位于所述第一透明导电层与所述第二透明导电层之间，所述第二透明导电层通过所述第三绝缘部上设置的第三过孔与所述第一透明导电层电连接；
所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第三过孔在所述衬底上的正投影至少部分不交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括至少一层电极层，至少一层所述电极层与所述透明导电部的至少部分同层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一层电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层位于所述平坦化层背离所述衬底的一侧，所述第二电极层位于所述第一电极层背离所述衬底的一侧，所述第一电极层、所述第二电极层中的至少一层与所述透明导电部同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电部位于所述金属部背离所述衬底的表面。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括扫描线和数据线，所述扫描线和所述数据线位于所述平坦化层与所述衬底之间，所述数据线位于所述扫描线背离所述衬底的一侧，
所述引线单元与所述数据线同层设置；
或者，所述引线单元包括与所述扫描线同层设置的第一部分和与所述数据线同层设置的第二部分，所述第一部分与所述第二部分相互电连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层包括与一个所述接触单元对应的第四过孔，所述接触单元通过所述第四过孔与所述引线单元电连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括：
触控信号线，位于所述平坦化层背离所述衬底的一侧，所述金属部所述触控信号线同层设置。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1至7任意一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至7任意一项所述的阵列基板。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11915985B2 (en) 2020-11-11 2024-02-27 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Detection structure and detection method
CN113451163B (zh) * 2020-11-11 2022-05-31 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种检测结构及检测方法
CN112904632A (zh) * 2021-04-02 2021-06-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示模组和显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538513A (zh) * 2015-01-20 2015-04-22 湘能华磊光电股份有限公司 一种 iii 族半导体发光器件的制作方法
CN106501983A (zh) * 2016-12-23 2017-03-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN206282853U (zh) * 2016-12-27 2017-06-27 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板与显示装置
CN107085333A (zh) * 2017-07-06 2017-08-22 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN207116434U (zh) * 2017-08-02 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及显示装置
CN110568683A (zh) * 2019-09-23 2019-12-13 上海中航光电子有限公司 阵列基板、显示装置及其测试方法
CN110827732A (zh) * 2019-12-17 2020-02-21 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111129040A (zh) * 2020-01-02 2020-05-08 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI659253B (zh) * 2018-02-13 2019-05-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538513A (zh) * 2015-01-20 2015-04-22 湘能华磊光电股份有限公司 一种 iii 族半导体发光器件的制作方法
CN106501983A (zh) * 2016-12-23 2017-03-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN206282853U (zh) * 2016-12-27 2017-06-27 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板与显示装置
CN107085333A (zh) * 2017-07-06 2017-08-22 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN207116434U (zh) * 2017-08-02 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及显示装置
CN110568683A (zh) * 2019-09-23 2019-12-13 上海中航光电子有限公司 阵列基板、显示装置及其测试方法
CN110827732A (zh) * 2019-12-17 2020-02-21 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111129040A (zh) * 2020-01-02 2020-05-08 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板

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