JP2018031977A

JP2018031977A - 表示装置

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Publication number: JP2018031977A
Application number: JP2016165947A
Authority: JP
Inventors: 仁廣澤; Hitoshi Hirozawa
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2016-08-26
Filing date: 2016-08-26
Publication date: 2018-03-01
Anticipated expiration: 2036-08-26
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Abstract

【課題】表示品位の劣化を抑制する。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置するカラーフィルタ層と、前記絶縁基板と前記カラーフィルタ層との間に位置する信号線と、前記カラーフィルタ層の上方に位置する金属配線と、前記金属配線の上に積層された第１遮光層と、前記第１遮光層の上方に位置する共通電極と、前記共通電極と対向する画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えた表示装置。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示装置のインターフェース等として、指などの被検出物の接触あるいは接近を検出するセンサが実用化されている。例えば、静電容量式のセンサを備えた表示装置として、信号線の上にカラーフィルタ及び検知電極が設けられたアレイ基板を備える液晶表示装置が提案されている。

特開２０１４−７４７３４号公報

本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置するカラーフィルタ層と、前記絶縁基板と前記カラーフィルタ層との間に位置する信号線と、前記カラーフィルタ層の上方に位置する金属配線と、前記金属配線の上に積層された第１遮光層と、前記第１遮光層の上方に位置する共通電極と、前記共通電極と対向する画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えた表示装置が提供される。

一実施形態によれば、
表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、前記非表示領域に位置する中継電極と、前記中継電極の上方に位置する第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の上方において前記表示領域及び前記非表示領域に亘って延出した金属配線と、前記第１層間絶縁膜及び前記金属配線の上方に位置する第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜の上方において前記表示領域及び前記非表示領域に亘って延出した共通電極と、を備え、前記第１層間絶縁膜は、前記中継電極まで貫通したコンタクトホールを有し、前記金属配線及び前記共通電極は、前記コンタクトホールにおいて前記中継電極に接触している、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
絶縁基板と、信号線と、前記信号線の上方に位置する第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜の上方に位置する金属配線と、前記金属配線の上に積層された絶縁物と、前記絶縁物を覆う第２有機絶縁膜と、前記第２有機絶縁膜の上方に位置する共通電極と、前記共通電極と対向する画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えた表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成を示す図である。図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。図３は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１を第２基板側から見たときの画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図５は、図３のＣ−Ｄ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図６は、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとの接続例を示す図である。図７は、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとの他の接続例を示す図である。図８は、図６及び図７に示した接続部Ｃの構造例を示す断面図である。図９は、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの他の断面形状を示す図である。図１０は、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの他の断面形状を示す図である。図１１は、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの他の断面形状を示す図である。図１２は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成を示す図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動するＩＣチップ１などを備えている。表示パネルＰＮＬは、例えば、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。

シールＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

ＩＣチップ１は、非表示領域ＮＤＡに位置している。図示した例では、ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。ＩＣチップ１は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。ここでのディスプレイドライバは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップ１は、別途表示パネルＰＮＬに接続されるフレキシブル基板上に実装されていても良い。また、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路を内蔵していても良い。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。

図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。

表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。

走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。また、これらの駆動回路のレイアウトは、図示した例に限られるものではなく、例えば、走査線駆動回路ＧＤは、表示領域ＤＡを挟んだ両側に配置されても良い。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図３は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１を第２基板側から見たときの画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。

第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇ１及びＧ２、信号線Ｓ１及びＳ２、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、金属配線Ｍ、第１遮光層ＢＭＳなどを備えている。なお、一例では、第１基板ＳＵＢ１は共通電極を備えているが、ここでは共通電極の図示を省略する。

走査線Ｇ１及びＧ２は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。信号線Ｓ１及びＳ２は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。図示した例では、画素ＰＸは、走査線Ｇ１及びＧ２と信号線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当し、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。なお、画素ＰＸの形状は、長方形状に限らず、適宜に変更することが可能である。

スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有する薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ及び中継電極ＲＥを備えている。半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓ１と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ１及びＳ２の間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、信号線Ｓ１と重なる領域において走査線Ｇ２と交差するチャネル領域ＳＣＣ１、及び、信号線Ｓ１及びＳ２の間において走査線Ｇ２と交差するチャネル領域ＳＣＣ２を有している。走査線Ｇ２において、チャネル領域ＳＣＣ１及びＳＣＣ２とそれぞれ重畳する領域がゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいて信号線Ｓ１と電気的に接続され、その他端部ＳＣＢにおいて中継電極ＲＥと電気的に接続されている。中継電極ＲＥは、島状に形成され、走査線Ｇ１及びＧ２の間であって且つ信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。なお、スイッチング素子ＳＷは、シングルゲート構造を有する薄膜トランジスタによって構成されても良い。また、スイッチング素子ＳＷは、一例では半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥを備えたトップゲート構造であるが、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥを備えたボトムゲート構造であっても良い。

画素電極ＰＥは、走査線Ｇ１及びＧ２の間であって、信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、主電極部ＰＡ及び副電極部ＰＢを備えている。主電極部ＰＡ及び副電極部ＰＢは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。図示した画素電極ＰＥは、副電極部ＰＢから走査線Ｇ１に向かって延出した２本の主電極部ＰＡを備えている。主電極部ＰＡは、それぞれ第２方向Ｙに沿って（あるいは、信号線Ｓ１及びＳ２とほぼ平行に）直線的に延出している。２本の主電極部ＰＡは、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。副電極部ＰＢは、中継電極ＲＥと重畳する位置に配置され、中継電極ＲＥと電気的に接続されている。これにより、画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続される。なお、画素電極ＰＥの形状は、図示した例に限定されるものではなく、画素ＰＸの形状などに合わせて適宜変更することができる。

金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳは、信号線Ｓ１及びＳ２と略平行に延出している。図示した例では、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳは、第２方向Ｙに延出している。
金属配線Ｍは、信号線Ｓ１及びＳ２の上に位置し、平面視で、信号線Ｓ１及びＳ２と重なっている。金属配線Ｍの各々の第１方向Ｘに沿った幅は、信号線Ｓ１及びＳ２のそれぞれの第１方向Ｘに沿った幅と同等以上であることが望ましい。
第１遮光層ＢＭＳは、金属配線Ｍの上に積層されている。第１遮光層ＢＭＳは、金属配線Ｍよりも低反射率の材料によって形成されている。第１遮光層ＢＭＳは、平面視で、金属配線Ｍと重なっている。第１遮光層ＢＭＳの第１方向Ｘに沿った幅は、金属配線Ｍの第１方向Ｘに沿った幅と同等以上であることが望ましい。このような、第１遮光層ＢＭＳは、第２基板ＳＵＢ２側から信号線Ｓ１及びＳ２に向かう光、あるいは、信号線Ｓ１及びＳ２で反射した光を遮光する。また、第１遮光層ＢＭＳは、第２基板ＳＵＢ２側から金属配線Ｍに向かう光を遮光することができ、金属配線Ｍにおける不所望な反射を抑制することができる。

また、図中に一点鎖線で示すように、第２遮光層ＢＭＧは、走査線Ｇ１及びＧ２と略平行に延出している。図示した例では、第２遮光層ＢＭＧは、第１方向Ｘに延出している。このような第２遮光層ＢＭＧは、後述するように、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。第２遮光層ＢＭＧは、平面視で、走査線Ｇ１及びＧ２と重なっている。第２遮光層ＢＭＧの第２方向Ｙに沿った幅は、走査線Ｇ１及びＧ２のそれぞれの第２方向Ｙに沿った幅と同等以上であることが望ましい。なお、図示した例では、第２遮光層ＢＭＧは、平面視で、画素電極ＰＥとスイッチング素子ＳＷとが接続されるコンタクト部ＣＴとも重なっている。このような、第２遮光層ＢＭＧは、第２基板ＳＵＢ２側から走査線Ｇ１及びＧ２に向かう光、あるいは、走査線Ｇ１及びＧ２で反射した光を遮光する。

図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、第６絶縁膜１６、カラーフィルタ層ＣＦ、下側遮光層ＵＳ、半導体層ＳＣ、走査線Ｇ２、信号線Ｓ１、中継電極ＲＥ、金属配線Ｍ、第１遮光層ＢＭＳ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。下側遮光層ＵＳは、第１絶縁基板１０の上に位置し、第１絶縁膜１１によって覆われている。下側遮光層ＵＳは、バックライトユニットＢＬから半導体層ＳＣに向かう光を遮光する。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に位置し、第２絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていても良い。

走査線Ｇ２の一部であるゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、第２絶縁膜１２の上に位置し、第３絶縁膜１３によって覆われている。なお、図示しない走査線Ｇ１も、走査線Ｇ２と同一層に配置される。走査線Ｇ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。なお、下側遮光層ＵＳは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２と対向する位置の半導体層ＳＣの直下に位置していることが望ましい。

信号線Ｓ１及び中継電極ＲＥは、第３絶縁膜１３の上に位置し、第４絶縁膜１４によって覆われている。なお、図示しない信号線Ｓ２も、信号線Ｓ１と同一層に配置される。信号線Ｓ１及び中継電極ＲＥは、同一材料によって形成され、上記の金属材料が適用可能である。信号線Ｓ１は、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。中継電極ＲＥは、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。

カラーフィルタ層ＣＦは、信号線Ｓ１、スイッチング素子ＳＷ、中継電極ＲＥ、及び、第３絶縁膜１３の上に位置している。このようなカラーフィルタ層ＣＦは、着色樹脂によって形成されている。
第４絶縁膜１４は、カラーフィルタ層ＣＦの上に位置している。第４絶縁膜１４は、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。第４絶縁膜１４は、カラーフィルタ層ＣＦと金属配線Ｍとの間に位置する第１有機絶縁膜に相当する。また、別の観点では、カラーフィルタ層ＣＦ及び第４絶縁膜１４は、第１層間絶縁膜に相当する。
金属配線Ｍは、第４絶縁膜１４の上に位置している。金属配線Ｍは、上記の金属材料や、それらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
第１遮光層ＢＭＳは、金属配線Ｍの上に積層されている。第１遮光層ＢＭＳは、黒色樹脂などの有機絶縁材料によって形成されても良いし、金属配線Ｍよりも低反射率の金属材料によって形成されても良い。また、第１遮光層ＢＭＳは、反射防止層を含んだものであっても良い。また、第１遮光層ＢＭＳは、遮光性及び低反射性を有する物体であれば良く、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）に代表されるような透明導電材料よりも導電性の低い絶縁物であっても良い。
第５絶縁膜１５は、第４絶縁膜１４、金属配線Ｍ、第１遮光層ＢＭＳの上に位置している。第５絶縁膜１５は、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。第５絶縁膜１５は、第１有機絶縁膜（第４絶縁膜１４）の上に積層され、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳを覆う第２有機絶縁膜に相当する。また、別の観点では、第５絶縁膜１５は、第２層間絶縁膜に相当する。

共通電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に位置し、第６絶縁膜１６によって覆われている。共通電極ＣＥは、走査線Ｇ２、信号線Ｓ１、及び、スイッチング素子ＳＷの直上に位置している。また、共通電極ＣＥは、図示しない他の走査線Ｇ１や他の信号線Ｓ２の直上にも位置しており、コンタクト部ＣＴと対応する位置に開口部ＡＰを有している。画素電極ＰＥは、第６絶縁膜１６の上に位置し、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥの一部は、第６絶縁膜１６を介して共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な酸化物導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥの開口部ＡＰと重畳するコンタクト部ＣＴにおいて、カラーフィルタ層ＣＦ、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、及び、第６絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールを介して中継電極ＲＥにコンタクトしている。

第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び、第６絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁膜であり、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。なお、第３絶縁膜１３とカラーフィルタ層ＣＦとの間、カラーフィルタ層ＣＦと第４絶縁膜１４との間、第４絶縁膜１４と第５絶縁膜１５との間には、他の絶縁膜が介在していても良い。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、第２遮光層ＢＭＧ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
第２絶縁基板２０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。第２遮光層ＢＭＧは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。第２遮光層ＢＭＧは、上記の通りストライプ状に形成され、走査線Ｇ及びスイッチング素子ＳＷの直上に位置している。オーバーコート層ＯＣは、第２遮光層ＢＭＧを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。図示しないが、スペーサは、樹脂材料によって形成され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置されている。スペーサは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のうちの一方に形成され、他方の基板に接触している。これにより、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に所定のセルギャップが形成される。但し、スペーサとして、セルギャップを形成するものの他に、表示パネルに対して外部応力が加わっていない定常状態で他方の基板に接触していないサブスペーサが含まれていても良い。セルギャップは、例えば２〜５μｍである。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシールによって貼り合わせられている。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子を含んでいる。このような液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

上記のような構成の表示パネルＰＮＬに対して、第１基板ＳＵＢ１の下方には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２基板ＳＵＢ２の上方には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。一例では、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、それぞれの吸収軸がＸ−Ｙ平面において互いに直交するように配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて、１／４波長板や１／２波長板などの位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていても良い。

このような構成例においては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、バックライトユニットＢＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子は、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、バックライトユニットＢＬからの光の一部は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

図５は、図３のＣ−Ｄ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。

第１基板ＳＵＢ１において、主要部分について説明する。カラーフィルタ層ＣＦは、第１カラーフィルタＣＦ１と、第２カラーフィルタＣＦ２と、第３カラーフィルタＣＦ３と、を備えている。第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、第１方向Ｘに並んでいる。一例では、第１カラーフィルタＣＦ１は赤色カラーフィルタであり、第２カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタであり、第３カラーフィルタＣＦ３は青色カラーフィルタである。なお、第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の色の選択は上記の例に限らない。例えば、カラーフィルタ層ＣＦは、第１乃至第３カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のいずれとも異なる色の第４カラーフィルタを備えていても良い。第４カラーフィルタとしては、例えば白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずに透明ない第４絶縁膜１４が配置されても良い。

信号線Ｓ１及びＳ２は、第１絶縁基板１０とカラーフィルタ層ＣＦとの間に位置している。第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２のそれぞれの端部は、信号線Ｓ１に重なっている。また、第２カラーフィルタＣＦ２及び第３カラーフィルタＣＦ３のそれぞれの端部は、信号線Ｓ２に重なっている。なお、信号線Ｓ１及びＳ２と、カラーフィルタ層ＣＦとの間には、両者の接触による腐食を抑制するための保護膜が介在していても良い。
金属配線Ｍは、信号線Ｓ１及びＳ２のそれぞれの直上に位置している。図示した例では、金属配線Ｍと信号線Ｓ１及びＳ２との間に、カラーフィルタ層ＣＦ及び第４絶縁膜１４が介在している。第４絶縁膜１４は、カラーフィルタ層ＣＦを覆っており、カラーフィルタ層ＣＦからの不純物の漏出を抑制するとともに、異なる色のカラーフィルタ間での段差を緩和することができる。
第１遮光層ＢＭＳは、金属配線Ｍの上に直接積層されている。これらの第１金属層ＢＭＳ及び金属配線Ｍは、一括して形成することができる。これらの製造方法について簡単に述べると、まず、第４絶縁膜１４の上の略全面に、金属配線Ｍを形成するための金属材料を成膜する。その後、金属材料の上の全面に、第１遮光層ＢＭＳを形成するための遮光材料を成膜する。遮光材料としては、例えば、露光されることによって現像液に対して可溶性を呈するポジ型レジストが適用される。その後、遮光材料をパターニングして所望の形状（例えば、信号線のそれぞれの直上に位置するストライプ状)の第１遮光層ＢＭＳを形成する。その後、第１遮光層ＢＭＳをマスクとして、第１遮光層ＢＭＳから露出した金属材料をエッチングによって除去し、所望の形状の金属配線Ｍを形成する。なお、このようにして形成された金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの積層体の断面形状については、図示したように、それぞれの端面Ｅ１及びＥ２が揃う形状になるとは限らない。この点については後述する。このような金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの積層体が第１方向Ｘに隣接するカラーフィルタ間の境界に位置していることにより、例えば正面方向（図中の第３方向Ｚ）から表示装置を観察した場合のみならず、正面方向から傾斜した斜め方向から表示装置を観察した場合であっても、隣接する他の色のカラーフィルタの透過光を遮光することができ、混色による表示品位の劣化を抑制することができる。

第５絶縁膜１５は、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳを覆っており、第１遮光層ＢＭＳからの不純物の漏出を抑制するとともに、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳに起因した段差を緩和することができる。

共通電極ＣＥは、第１遮光層ＢＭＳよりも上方に位置し、また、画素電極ＰＥは、第６絶縁膜１６を介して共通電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向するスリットＳＴを有している。

第２基板ＳＵＢ２においては、信号線Ｓ１及びＳ２の直上、あるいは、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの積層体の直上において、図４に示した第２遮光層は配置されず、第２絶縁基板２０とオーバーコート層ＯＣとが接触している。

次に、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとを電気的に接続するための接続構造について説明する。

図６は、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとの接続例を示す図である。
金属配線Ｍは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。また、金属配線Ｍは、表示領域ＤＡに配置されるとともに、非表示領域ＮＤＡに延出している。図示した例では、金属配線Ｍの両端部は、非表示領域ＮＤＡに位置している。
共通電極ＣＥは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。また、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡに配置されるとともに、非表示領域ＮＤＡに延出している。図示した例では、共通電極ＣＥの両端部は、非表示領域ＮＤＡに位置している。１つの共通電極ＣＥは、平面視で、複数本の金属配線Ｍと重なっている。
これらの金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、非表示領域ＮＤＡに位置する接続部Ｃにおいて互いに電気的に接続されている。図示した例では、接続部Ｃは、表示領域ＤＡを挟んだ両側の非表示領域ＮＤＡに位置しており、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、それぞれの両端部において互いに電気的に接続されている。なお、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、それぞれの一端部のみにおいて互いに電気的に接続されていても良い。

図７は、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとの他の接続例を示す図である。
図示した接続例は、図６に示した接続例と比較して、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥがそれぞれ第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んでいる点で相違している。図示した例では、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとを接続する接続部Ｃは、表示領域ＤＡを挟んだ両側の非表示領域ＮＤＡに位置しているが、非表示領域の一方の側のみに位置していても良い。

図８は、図６及び図７に示した接続部Ｃの構造例を示す断面図である。
上記の通り、接続部Ｃは、非表示領域ＮＤＡに位置している。第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び、第４絶縁膜１４は、非表示領域ＮＤＡに延出している。接続部Ｃは、中継電極ＲＥＭを備えている。中継電極ＲＥＭは、第３絶縁膜１３の上に位置している。このような中継電極ＲＥＭは、図４及び図５を参照して説明した通り、信号線Ｓ１及びＳ２や、中継電極ＲＥなどと同一層に位置しており、中継電極ＲＥなどと同一材料によって形成されている。中継電極ＲＥＭは、表示領域ＤＡの中継電極ＲＥとは異なり、カラーフィルタ層ＣＦを介することなく、第４絶縁膜１４によって直接覆われている。第４絶縁膜１４は、中継電極ＲＥＭまで貫通したコンタクトホールＣＨを有している。
金属配線Ｍは、非表示領域ＮＤＡにおいても第４絶縁膜１４の上に位置している。図示した例では、金属配線Ｍと一括して形成された第１遮光層ＢＭＳも、非表示領域ＮＤＡに延出しており、金属配線Ｍに積層されている。共通電極ＣＥは、非表示領域ＮＤＡにおける図８の左側の領域においては、第５絶縁膜１５を介することなく、第４絶縁膜１４の上に位置している。金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、接続部ＣのコンタクトホールＣＨにおいて、中継電極ＲＥＭにそれぞれ接触している。これにより、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、互いに電気的に接続される。図示した例では、共通電極ＣＥは、第１遮光層ＢＭＳに接触する第１部分ＣＥＡと、中継電極ＲＥＭに接触する第２部分ＣＥＢと、を有している。第１部分ＣＥＡは、第１遮光層ＢＭＳの上にも重なっている。第２部分ＣＥＢは、コンタクトホールＣＨにおいて中継電極ＲＥＭの上に重なっている。なお、共通電極ＣＥは、少なくとも中継電極ＲＥＭと接触していれば良い。但し、非表示領域ＮＤＡにおいて、ＩＴＯなどの酸化物導電材料によって形成された共通電極ＣＥが第１遮光層ＢＭＳ及び金属配線Ｍを覆うことにより、金属配線Ｍの腐食を抑制することができる。金属配線Ｍは、第１部分ＣＥＡと重畳する領域において、第４絶縁膜１４の上面１４Ｔ及びコンタクトホールＣＨに面した側面１４Ｓにそれぞれ接触するとともに、中継電極ＲＥＭに接触している。
共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内においては、図４及び図５に示したように、第５絶縁膜１５上に位置している。一方で、非表示領域ＮＤＡにおける図８の右側に示したように、表示領域ＤＡに位置する第５絶縁膜１５が非表示領域ＮＤＡのコンタクトホールＣＨよりも手前まで延在している場合がある。このような場合において、共通電極ＣＥの一部が第５絶縁膜１５の上に位置する場合には、共通電極ＣＥは、第５絶縁膜１５上、第１遮光層ＢＭＳ上、中継電極ＲＥＭ上にそれぞれ位置し、階段状に形成される構造を適用することが望ましい。例えば、第５絶縁膜１５がコンタクトホールＣＨと重畳する領域まで延在している場合、コンタクトホールＣＨは第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５を貫通しなければならず、コンタクトホールＣＨの径が大きくなってしまう。また、コンタクトホールＣＨが第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５を貫通している場合、コンタクトホールＣＨの深さが増大するとともに、その傾斜が急峻となってしまう。このため、第５絶縁膜１５上に位置する共通電極ＣＥがコンタクトホールＣＨを通って中継電極ＲＥＭと接触する場合に、中継電極ＲＥＭと共通電極ＣＥとの接触箇所において共通電極ＣＥの傾斜が大きくなり過ぎ、結果として共通電極ＣＥの一部が途切れてしまうおそれがある。したがって、図示したように、共通電極ＣＥは、階段状の断面を有するように形成されることが望ましい。

本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１に備えられる金属配線Ｍの上には第１遮光層ＢＭＳが積層されている。このため、第２基板ＳＵＢ２側から金属配線Ｍに向かう光を遮光することができ、金属配線Ｍにおける不所望な反射を抑制し、コントラスト比の低下を抑制することができる。

また、金属配線Ｍと共通電極ＣＥとの間に第１遮光層ＢＭＳ及び第５絶縁膜１５が介在する構成において、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて互いに電気的に接続されている。すなわち、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥは、いずれも非表示領域ＮＤＡに延出し、非表示領域ＮＤＡにおいて金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥの下層に配置された中継電極ＲＥＭに接触している。このため、表示領域ＤＡにおいて、金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥを接続するためのコンタクトホールが不要となり、このようなコンタクトホールに起因した第１基板ＳＵＢ１の表面での段差形成を防止することができる。したがって、第１基板ＳＵＢ１の段差に起因した液晶分子の配向乱れを抑制することができ、表示品位の劣化を抑制することができる。

また、第１基板ＳＵＢ１において、カラーフィルタ層ＣＦと金属配線Ｍとの間には第４絶縁膜１４が位置しているため、カラーフィルタ層ＣＦからの不純物の漏出を抑制できるとともに、隣接するカラーフィルタの端部が重なることに起因した段差を緩和することができる。

金属配線及び第１遮光層ＢＭＳが第５絶縁膜１５によって覆われているため、第１遮光層ＢＭＳからの不純物の漏出を抑制できるとともに、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳが配置されることに起因した段差を緩和することができる。

金属配線Ｍ及び共通電極ＣＥがそれぞれの両端部で互いに電気的に接続されているため、たとえ一端部において接続不良が発生したとしても他端部において電気的に接続することができ、信頼性を向上することが可能となる。

次に、金属配線Ｍ及び第１遮光層ＢＭＳの他の断面形状について図９乃至図１１を参照しながら説明する。なお、図９乃至図１１に示したいずれの構成例においても、第１遮光層ＢＭＳは、金属配線Ｍの上面Ｔ１の全面を覆い、第１遮光層ＢＭＳの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２は、金属配線Ｍの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１より大きい。つまり、第１遮光層ＢＭＳの端面Ｅ２は、金属配線Ｍの端面Ｅ１の直上の位置よりも外側に位置している。なお、金属配線Ｍの幅Ｗ１、及び、第１遮光層ＢＭＳの幅Ｗ２は、それぞれの最外周端における第１方向Ｘに沿った長さに相当する。これにより、第１遮光層ＢＭＳは、金属配線Ｍの上面Ｔ１での反射を抑制するとともに、端面Ｅ１での反射も抑制することができる。

図９乃至図１１に示した各構成例では、金属配線Ｍは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１が減少する順テーパ状の断面を有しているが、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１が増加する逆テーパ状の断面を有していても良いし、他の断面形状を有していても良い。

図９に示した構成例では、第１遮光層ＢＭＳは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２が減少する順テーパ状の断面を有している。第１遮光層ＢＭＳの最外周端ＥＯは、第１遮光層ＢＭＳの下面Ｂ２の外周端に略一致している。

図１０に示した構成例では、第１遮光層ＢＭＳは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２が増加する逆テーパ状の断面を有している。第１遮光層ＢＭＳの最外周端ＥＯは、第１遮光層ＢＭＳの上面Ｔ２の外周端に略一致している。

図１１に示した構成例では、第１遮光層ＢＭＳは、その下面Ｂ２に近接する側において逆テーパ状の断面を有するとともに、その上面Ｔ２に近接する側においては順テーパ状の断面を有している。第１遮光層ＢＭＳの最外周端ＥＯは、第１遮光層ＢＭＳの下面Ｂ２と上面Ｔ２との間に位置している。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載可能なセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。

図１２は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥ及び金属配線Ｍを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。一例では、検出電極Ｒｘは、図４に示した第２絶縁基板２０と第２光学素子ＯＤ２との間に配置される。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、図示したＸ−Ｙ平面において、互いに交差している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。検出電極Ｒｘの各々は、配線ＷＲを介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＴを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、検出回路ＲＣに入力される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力された検出信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。

なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置ＰＮＬ…表示パネル
ＤＡ…表示領域ＮＤＡ…非表示領域
ＳＵＢ１…第１基板ＳＵＢ２…第２基板ＬＣ…液晶層
ＣＦ…カラーフィルタ層Ｓ…信号線Ｍ…金属配線ＢＭＳ…第１遮光層
ＰＥ…画素電極ＣＥ…共通電極ＲＥＭ…中継電極ＢＭＧ…第２遮光層

Claims

絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置するカラーフィルタ層と、前記絶縁基板と前記カラーフィルタ層との間に位置する信号線と、前記カラーフィルタ層の上方に位置する金属配線と、前記金属配線の上に積層された第１遮光層と、前記第１遮光層の上方に位置する共通電極と、前記共通電極と対向する画素電極と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
を備えた表示装置。
前記金属配線、前記画素電極、及び、前記共通電極が配置される表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、前記非表示領域において前記絶縁基板の上方に位置する中継電極と、を備え、
前記金属配線及び前記共通電極は、前記非表示領域に延出し、前記中継電極に接触し、互いに電気的に接続されている、請求項１に記載の表示装置。
前記カラーフィルタ層と前記金属配線との間に位置する第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜、前記金属配線、及び、前記第１遮光層を覆う第２有機絶縁膜と、を備えた、請求項２に記載の表示装置。
前記第１有機絶縁膜は、前記非表示領域において、前記カラーフィルタ層を介することなく前記中継電極を直接覆うとともに、前記中継電極まで貫通したコンタクトホールを有し、
前記金属配線及び前記共通電極は、前記コンタクトホールにおいて前記中継電極に接触している、請求項３に記載の表示装置。
前記金属配線は、前記非表示領域に位置する両端部を有し、前記両端部がそれぞれ前記共通電極と電気的に接続されている、請求項２乃至４のいずれか１稿に記載の表示装置。
前記第１遮光層は前記金属配線の上面を覆い、前記第１遮光層の幅は前記金属配線の幅より大きい、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
前記カラーフィルタ層は、第１色の第１カラーフィルタと、第１色とは異なる第２色の第２カラーフィルタと、を備え、
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタのそれぞれの端部は、前記信号線に重なり、
前記金属配線は、前記信号線の直上に位置している、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１基板は、前記信号線と交差する走査線を備え、
前記第２基板は、前記走査線と重なる第２遮光層を備えた、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
表示領域と、
前記表示領域を囲む非表示領域と、
前記非表示領域に位置する中継電極と、
前記中継電極の上方に位置する第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜の上方において前記表示領域及び前記非表示領域に亘って延出した金属配線と、
前記第１層間絶縁膜及び前記金属配線の上方に位置する第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜の上方において前記表示領域及び前記非表示領域に亘って延出した共通電極と、を備え、
前記第１層間絶縁膜は、前記中継電極まで貫通したコンタクトホールを有し、
前記金属配線及び前記共通電極は、前記コンタクトホールにおいて前記中継電極に接触している、表示装置。
さらに、前記表示領域に位置し、前記第１層間絶縁膜によって覆われた信号線を備えた、請求項９に記載の表示装置。
前記第１層間絶縁膜は、前記表示領域に位置するカラーフィルタ層と、前記表示領域において前記カラーフィルタ層の上方に位置するとともに前記非表示領域に延出した第１有機絶縁膜と、を備え、
前記コンタクトホールは、前記第１有機絶縁膜に形成された、請求項９または１０に記載の表示装置。
さらに、前記金属配線の上に積層され、前記第２層間絶縁膜によって覆われた遮光層を備えた、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
絶縁基板と、信号線と、前記信号線の上方に位置する第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜の上方に位置する金属配線と、前記金属配線の上に積層された絶縁物と、前記絶縁物を覆う第２有機絶縁膜と、前記第２有機絶縁膜の上方に位置する共通電極と、前記共通電極と対向する画素電極と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
を備えた表示装置。
表示領域において、前記共通電極は、前記第２有機絶縁膜の上に位置し、
前記表示領域を囲む非表示領域において、前記共通電極は、前記絶縁物に接触する第１部分と、前記信号線と同一層に位置する中継電極に接触する第２部分と、を有する請求項１３に記載の表示装置。
前記第１部分と重畳する領域において、前記金属配線は、前記第１有機絶縁膜の上面及び側面に接触するとともに前記中継電極に接触し、
前記金属配線は、前記中継電極を介して前記共通電極と互いに電気的に接続されている、請求項１４に記載の表示装置。