CN107249760B - 涂敷方法 - Google Patents

涂敷方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107249760B
CN107249760B CN201680012166.2A CN201680012166A CN107249760B CN 107249760 B CN107249760 B CN 107249760B CN 201680012166 A CN201680012166 A CN 201680012166A CN 107249760 B CN107249760 B CN 107249760B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
gas
coating liquid
peripheral edge
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680012166.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107249760A (zh
Inventor
春本将彦
田中裕二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN107249760A publication Critical patent/CN107249760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107249760B publication Critical patent/CN107249760B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005Spin coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/40Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

利用保持旋转部2使基板W旋转而在基板W上形成涂敷液膜RS,并且利用随着基板W的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液RS的至少一部分推向基板W的周缘部E,使剩余的涂敷液RS沿基板W的周缘部E隆起。之后,利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS,将在周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS向基板W外排出。通过利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS,能够破坏涂敷液RS因表面张力不向基板W外排出而积存隆起的均衡状态。因此,利用旋转,既能够形成厚的涂敷液膜RS,又能够使涂敷液膜RS的厚度变得均匀。

Description

涂敷方法
技术领域
本发明涉及对半导体基板、液晶显示用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板、光盘用玻璃基板等基板涂敷涂敷液的涂敷方法。
背景技术
涂敷装置具有:保持旋转部,其保持并旋转基板;涂敷喷嘴,其向被保持旋转部保持的基板上喷出光致抗蚀剂(下面,称为“抗蚀剂”)等涂敷液。涂敷装置利用涂敷喷嘴向基板上涂敷涂敷液,并利用旋转保持部使基板旋转。利用基板的旋转,使得基板上的涂敷液扩散,从而在基板上形成涂敷液的液膜(涂敷液膜)(例如,参照专利文献1、2)。
在这样的涂敷装置的涂敷动作中,进行气体(gas)的吹送。例如,在专利文献1中记载有如下边缘冲洗的方法:向基板的周缘部的抗蚀剂膜喷出溶剂而使抗蚀剂膜溶解,并利用送风机构使溶解的抗蚀剂膜向基板外飞散。在专利文献2中记载有,在对形成有薄膜的晶片的周缘部进行边缘冲洗后,向晶片的周缘部吹送N2气体,使利用边缘冲洗的薄膜的周缘部的隆起部分平坦化。
另外,在专利文献3中记载有如下边缘冲洗的方法:向形成有未干燥的涂膜的基板的端缘部分吹送气体来促进干燥。需要说明的是,该方法是在形成涂膜后进行的气体吹送方法,即使在吹送气体后,基板的端缘部分以外也是未干燥的状态。在专利文献4中记载有如下方法:向基板上供给溶剂,利用喷墨方式向溶剂的覆膜上喷出涂敷液,最后,向涂敷液的凹凸表面喷射气体而使涂敷液的表面平坦化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-187497号公报
专利文献2:日本特开平09-106980号公报
专利文献3:日本特开2003-181361号公报
专利文献4:日本特开2013-078748号公报
发明内容
发明要解决的问题
近年,随着的半导体设备的三维化,要求高的耐蚀刻性能,从而需要涂敷抗蚀剂等厚的涂敷液膜(厚膜)。
以往,为了获得厚膜而使涂敷液的粘度增大来应对的,而对于微调整,是通过变更基板的转速(转速:rpm)来应对的。在提高粘度的情况下,存在泵的输出高、供给配管直径变大、排出配管直径变大、杯子需要清洗、膜中混入微小气泡等诸多问题。因此,需要不是提高涂敷液的粘度来获得厚膜而是在保持低粘度的状态下,通过调整转速来获得厚膜的技术。
就涂敷液膜而言,转速越低,膜厚形成得越厚。调整涂敷液膜厚的工序是从抗蚀剂液的喷出结束后到干燥结束为止的所谓主旋转的工序。在300mm晶片(基板)的情况下,主旋转转速的可使用范围例如为800~2000rpm。在比该范围小的情况下,晶片的面内的涂敷液膜厚的均匀性大大降低成为问题。即,若主旋转转速在可使用范围内,则形成均匀厚度的涂敷液膜,但无法获得充分厚度的液膜。因此,为了使液膜进一步变厚,若将主旋转设定在可使用范围外的低转速,则作用于基板上的涂敷液的离心力显著地降低,因此,涂敷液难以从基板周缘飞散。其结果,由于基板在基板的周缘部积存有涂敷液的状态下旋转,因此,涂敷液在积存于基板的周缘的状态下干燥。因此,在基板的周缘部,涂敷液膜如山形那样变厚,从而涂敷液膜的厚度的均匀性变差。
本发明鉴于上述问题而提出,其目的在于,提供一种涂敷方法,其利用旋转既能够形成厚的涂敷膜的液膜,又能够使该液膜的厚度变得均匀。
解决问题的技术方案
本发明为了达到这样的目的,具有如下的技术方案。
即,本发明的涂敷方法的特征在于,包括:
利用涂敷喷嘴向基板上喷出涂敷液的工序,
利用保持旋转部使所述基板旋转而在所述基板上形成所述涂敷液的液膜,并且利用随着所述基板的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液的至少一部分推向所述基板的周缘部,使剩余的涂敷液沿所述基板的周缘部隆起的工序,
在利用所述基板的旋转结束所述基板上的所述涂敷液的干燥前,利用气体喷嘴向所述基板的周缘部吹送气体,将在所述周缘部隆起的剩余的涂敷液向所述基板外排出的气体吹送工序。
根据本发明的涂敷方法,利用保持旋转部,使基板旋转而在基板上形成涂敷液的液膜,并且利用随着基板的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液的至少一部分推向基板的周缘部,使剩余的涂敷液沿基板的周缘部隆起。而且,利用气体喷嘴向基板的周缘部吹送气体,将在周缘部隆起的剩余的涂敷液向基板外排出。通过利用气体喷嘴向基板的周缘部吹送气体,能够破坏涂敷液因表面张力不向基板外排出而积存隆起的均衡状态。因此,利用旋转既能够形成厚的涂敷液的液膜,又能够使该液膜的厚度变得均匀。
另外,上述的涂敷方法的优选的一个例子是,在使所述涂敷液隆起的工序中,使所述剩余的涂敷液隆起的所述基板的转速在500rpm以下。利用500rpm以下的旋转,既能够形成厚的涂敷液的液膜,又能够使该液膜的厚度变得均匀。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,利用所述基板的旋转结束所述基板上的所述涂敷液的干燥前且所述涂敷液的喷出结束后,利用所述气体喷嘴向所述基板的周缘部吹送气体。若向基板上喷出涂敷液的过程中吹送气体,则必须控制涂敷液喷出和气体吹送。然而,由于在涂敷液喷出结束后吹送气体,因此控制涂敷液喷出和气体吹送中的一方即可,因此,能够使控制变得简单。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,利用所述基板的旋转结束所述基板上的所述涂敷液的干燥前且以使所述剩余的涂敷液隆起的转速使基板旋转后,利用所述气体喷嘴向所述基板的周缘部吹送气体。由于在将基板旋转达到使剩余的涂敷液隆起的转速后的恒定的稳定状态下吹送气体,因此,能够简单地进行气体吹送的控制。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,利用所述气体喷嘴以预定的时间吹送气体。能够与吹送气体的时间相对应地将在基板的周缘部隆起的剩余的涂敷液向基板外排出。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,利用所述气体喷嘴以预定的压力吹送气体。能够与吹送气体的压力相对应地将在基板的周缘部隆起的剩余的涂敷液向基板外排出。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,利用所述气体喷嘴以预定的多个次数吹送气体。例如,通过在预定的时间控制气体吹送的次数,能够控制向基板外排出的剩余的涂敷液的量。另外,通过间歇地吹送气体,能够使气体的吹送有变化。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,所述气体喷嘴的吹送口为圆形。由于能够以点的方式吹送气体,因此,容易从基板排出剩余的涂敷液。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序,利用所述气体喷嘴,从所述基板的内侧向外侧对所述基板的周缘部吹送所述气体。由此,能够向基板外有效地排出积存于基板的周缘部的涂敷液。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,所述涂敷方法还包括:在利用旋转结束所述基板上的所述涂敷液的膜的干燥后,对所述基板的周缘部的所述涂敷液的膜进行边缘冲洗的工序。通过利用边缘冲洗来除去较容易积厚的基板周缘部的涂敷液膜,能够形成更加平坦的涂敷液膜。另外,如上所述,通过吹送气体来排出在基板的周缘部隆起的剩余的涂敷液,能够形成均匀的厚膜。由此,能够抑制执行边缘冲洗的宽度,因此,能够将图案形成至基板的周缘部附近。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,所述气体喷嘴的位置被固定。由此,能够使气体喷嘴的控制变得简单。
另外,上述的涂敷方法的一个例子是,在所述气体吹送工序中,所述气体喷嘴能够沿所述基板的半径方向在所述基板的周缘部的预定的宽度范围内移动。由此,能够使向基板的周缘部吹送气体的位置变化,从而能够促进在基板的周缘部积存的涂敷液的排出。
发明效果
根据本发明的涂敷方法,利用保持旋转部使基板旋转而在基板上形成涂敷液的液膜,并且利用随着基板的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液的至少一部分推向基板的周缘部,使剩余的涂敷液沿基板的周缘部隆起。而且,利用气体喷嘴向基板的周缘部吹送气体,将在周缘部隆起的剩余的涂敷液向基板外排出。通过利用气体喷嘴向基板的周缘部吹送气体,能够破坏涂敷液因表面张力不向基板外排出而积存隆起的均衡状态。因此,利用旋转既能够形成厚的涂敷液的液膜,又能够使该液膜的厚度变得均匀。
附图说明
图1是实施例的涂敷装置的框图。
图2是例示涂敷动作时机的图。
图3(a)、图3(b)是用于说明预湿工序的侧视图。
图4(a)、图4(b)是用于说明涂敷液喷出工序侧视图。
图5(a)是用于说明气体吹送的侧视图,图5(b)是图5(a)的局部放大图,图5(c)是图5(a)的俯视图,图5(d)是表示从图5(b)的V-V方向观察的气体喷嘴的吹送口的图,图5(e)是表示利用气体吹送使积存于基板的周缘部的涂敷液膜变平坦的情况的图。
图6是表示涂敷液膜厚度及其均匀性与转速之间的关系的图。
图7(a)是表示无气体吹送的情况的基板内的涂敷液膜厚度的图,图7(b)是表示图7(a)的基板内的测定位置的图。
图8是表示有气体吹送的情况的基板内的涂敷液膜厚度的图。
图9(a)、图9(b)是用于说明边缘冲洗工序的图。
图10是用于说明变形例的气体吹送的立体图。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的实施例。图1是实施例的涂敷装置的框图。
<涂敷装置的结构>
参照图1。涂敷装置1具有:保持旋转部2,其将基板W保持为呈大致水平姿势并使该基板W旋转;涂敷喷嘴3,其向基板W喷出抗蚀剂等涂敷液RS;气体喷嘴4,其向基板W吹送气体GS。另外,涂敷装置1具有:预湿喷嘴5,其向基板W喷出溶剂等预湿液PW;边缘冲洗喷嘴6,其向基板W的周缘部E喷出溶剂等边缘冲洗液。
需要说明的是,在图1中,保持旋转部2、涂敷喷嘴3、气体喷嘴4、预湿喷嘴5、边缘冲洗喷嘴6等在侧视图中示出。
保持旋转部2具有:旋转夹具9,其利用例如真空吸附来保持基板W的背面;旋转驱动部10,其由马达等构成,使旋转夹具9绕大致垂直方向的旋转轴AX旋转。在保持旋转部2的周围,设置有能够上下移动的包围基板W的侧方的杯11。
涂敷喷嘴3、气体喷嘴4、预湿喷嘴5及边缘冲洗喷嘴6分别构成为,都能够利用喷嘴移动机构13移动至水平方向和上下方向的规定位置。喷嘴移动机构13例如有选择性地把持多个涂敷喷嘴3中的任一个涂敷喷嘴3,并使该把持的涂敷喷嘴3在基板W的外侧的待机位置与基板W上方的规定位置之间移动。喷嘴移动机构13由马达等构成。
涂敷液RS从涂敷液供给源15流经涂敷液配管17向涂敷喷嘴3供给。在涂敷液配管17上设置有回吸阀SV、开闭阀V1、泵P1。开闭阀V1进行涂敷液RS的供给和停止供给,回吸阀SV与开闭阀V1的动作结合,吸引涂敷喷嘴3内的涂敷液RS等,并将吸引的涂敷液RS等挤出。泵P1将涂敷液RS向涂敷喷嘴3输送。需要说明的是,在涂敷喷嘴3为多个的情况下,各个涂敷喷嘴3均具有涂敷液供给源15、涂敷液配管17、回吸阀SV、开闭阀V1、泵P1等供给系统。
气体GS从气体供给源19流经气体配管21向气体喷嘴4供给。在气体配管21上设置有开闭阀V2。开闭阀V2进行气体GS的供给和停止供给。从气体喷嘴4吹送的气体GS使用氮气等非活性气体、空气及其他气体中的任一种。另外,气体GS也可以是例如包括涂敷液RS的溶剂的蒸汽(气化的溶剂)的气体。气体也可以利用未图示的温度调节机构调整其温度。
如后述的图5(d)所示,气体喷嘴4的吹送口4a不是如狭缝那样的细长的开口部,而是呈大致圆形。大致圆形包括椭圆形、正多边形等多边形。由于能够以点的方式吹送气体GS,因此,能够从基板W容易排出剩余的涂敷液RS。另外,优选地,气体喷嘴4的配管内径即气体GS的吹送口4a的内径在5mm以下。由此,通过精准(pinpoint)地向基板W的周缘部E吹送气体GS,能够从基板W容易排出剩余的涂敷液RS。
预湿液PW从预湿液供给源23流经预湿液配管25向预湿喷嘴5供给。在预湿液配管25上设置有开闭阀V3和泵P3。开闭阀V3进行预湿液PW的供给和停止供给,泵P3将预湿液PW向预湿喷嘴5输送。
边缘冲洗液从边缘冲洗液供给源27流经边缘冲洗液配管29向边缘冲洗喷嘴6供给。在边缘冲洗液配管29上设置有开闭阀V4和泵P4。开闭阀V4进行边缘冲洗液的供给和停止供给,泵P4将边缘冲洗液向边缘冲洗喷嘴6输送。
涂敷装置1具有由中央运算处理装置(CPU)等构成的控制部31和用于操作涂敷装置1的操作部33。控制部31对涂敷装置1的各个结构进行控制。操作部33具有:液晶显示器等显示部,只读存储器(ROM:Read-only Memory)、随机存取存储器(RAM:Random-AccessMemory)、硬盘等存储部,键盘、鼠标、各种按钮等输入部。存储部存储有涂敷处理的各种条件等。
<涂敷装置的涂敷动作>
接着,参照图2等说明涂敷装置1的涂敷动作。图2是例示涂敷动作时机的图。需要说明的是,虽对直径300mm的基板W进行说明,但也可以是其他尺寸的基板。
说明本实施例的特征部分的概要。如上所述,在未提高粘度而低粘度的情况下,期望通过调整转速而得到涂敷液RS的厚膜。然而,在用于调整涂敷液膜RS的厚度的主旋转中,使基板W低速旋转时,涂敷液RS积存于基板W的周缘部E,涂敷液膜RS在该积存的部分比例如基板W的中心部厚。因此,在主旋转中,基板W上的涂敷液RS不再因旋转而流动的干燥结束之前,利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS。由此,能够破坏涂敷液RS因表面张力不向基板W外排出而积存隆起的均衡状态。因此,在以低速旋转形成厚膜时,能够使基板W的从中心部到周缘部E的厚膜变得均匀。
涂敷动作在图2中的时刻t0~时刻t14进行,其包括预湿工序、涂敷液喷出工序、涂敷液膜RS的厚度调整工序(主旋转)、气体吹送工序、边缘冲洗工序。首先,未图示的搬运机构用于向保持旋转部2搬运基板W。如图1所示,保持旋转部2保持基板W的背面。喷嘴移动机构13使预湿喷嘴5向基板W上方的规定位置移动。
[预湿工序]
在图2中的时刻t1至时刻t2之间,如图3(a)所示,涂敷装置1从预湿喷嘴5喷出预湿液PW。需要说明的是,预湿液PW的喷出也可以一边使基板W旋转一边进行。
在图2中的时刻t2,保持旋转部2以预定的转速R1(rpm)使保持的基板W旋转。如图3(b)所示,利用该旋转,使喷出至基板W上的预湿液PW放射状地扩展,从而形成预湿液膜PW。在喷出预湿液PW后,喷嘴移动机构13在基板W上方的规定位置配置涂敷喷嘴3来代替预湿喷嘴5。
[涂敷液喷出工序]
在图2中的时刻t3,如图4(a)所示,涂敷装置1利用涂敷喷嘴3向基板W上喷出涂敷液RS(喷出开始)。在图2的时刻t4,保持旋转部2提高转速而以预定的转速R2使基板W旋转。如图4(b)所示,利用转速R1、R2的旋转,使喷出至基板W上的涂敷液RS放射状地扩展。此外需要说明的是,涂敷液RS的一部分向基板W外飞散。另外,如上所述,由于在基板W上形成有预湿液膜PW,因此,涂敷液RS快速地扩展。在图2中的时刻t5,保持旋转部2降低转速而以预定的转速R3使基板W旋转。在时刻t6,结束(停止)利用涂敷喷嘴3喷出涂敷液RS。
[涂敷液膜的厚度调整工序和气体吹送工序]
在涂敷液RS的涂敷结束后,在时刻t7,如图5(a)所示,涂敷装置1利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS。在说明该气体GS的吹送前,先说明用于调整涂敷液膜RS的厚度的基板W的旋转。
在时刻t8,保持旋转部2提高转速以预定的转速R4使基板W旋转,从而调整喷出至基板W上的涂敷液膜RS的厚度。如上所述,从涂敷液RS的喷出结束后到涂敷液RS的干燥结束为止的工序就是所谓的主旋转工序。即,主旋转大致是以转速R4使基板W旋转的期间。利用转速R4的大小,能够获得与该转速R4相对应的涂敷液膜RS厚度。
以往,通过使基板W旋转,使剩余的涂敷液RS沿旋转的基板W的周缘部E不隆起,在基板W上形成涂敷液膜RS。关于这一点,在本实施例中,期望通过调整基板W的转速形成厚的涂敷液膜RS。因此,首先,本实施例利用保持旋转部2使基板W旋转而在基板W上形成涂敷液膜RS,并且利用随着基板W的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液RS的至少一部分推向基板W的周缘部E,从而使剩余的涂敷液RS沿基板W的周缘部E隆起。此时的基板W的旋转以转速R4进行。需要说明的是,上述的使剩余的涂敷液RS隆起的动作是不考虑气体GS的吹送情况时的动作。
若涂敷液RS在剩余的涂敷液RS在基板W的周缘部E隆起的状态下干燥,则能够获得厚度的均匀性差的涂敷液膜RS。因此,如图5(a)所示,涂敷装置1利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS。
图5(b)是放大图5(a)中的气体吹送部分的图。在本实施例中,如图5(c)所示,利用设置于基板W的上方的气体喷嘴4从基板W的内侧向外侧对基板W的周缘部E吹送气体GS。气体GS需要在利用转速R4的旋转结束基板W上的涂敷液膜RS的干燥前即涂敷液RS流动期间进行吹送。如图5(d)所示,气体GS进行以点的方式吹送。需要说明的是,在吹送气体GS之前,喷嘴移动机构13使气体喷嘴4移动至规定的吹送位置。
涂敷液RS不向基板W外排出而在基板W的周缘部E积存而隆起的主要原因是表面张力。通过吹送气体GS,能够破坏涂敷液RS因表面张力不向基板外排出而积存隆起的均衡状态。因此,如图5(e)所示,由于使在周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS向基板W外排出,因此,利用旋转既能够形成厚的涂敷液膜RS,又能够使该涂敷液膜RS的厚度均匀。
优选地,使剩余的涂敷液RS隆起的基板W的转速R4例如大于0rpm且在500rpm以下(或小于)。在以500rpm以下的转速R4使基板W旋转时,涂敷液膜RS从距基板W的中心部有120mm之处向外侧急剧地变厚。关于这一点进行详细地说明。
旋转涂敷是利用基板W旋转的离心力,将未干燥的具有流动性的涂敷液RS从基板W的中心部推向周缘部E来进行的。若以大于500rpm(优选为800rpm)的高速旋转,则剩余的涂敷液RS从基板W的周缘部E排出。然而,在500rpm以下的低速旋转中,因涂敷液与基板W的表面张力,剩余的涂敷液RS在基板W的周缘部E积存。因此,以在基板W的周缘部E积存涂敷液RS的状态下开始进行干燥。由此,在积存于周缘部E的涂敷液RS已干燥的部分,涂敷液膜RS如山形那样变厚。需要说明的是,在图5(c)中,用斜线阴影表示涂敷液膜RS隆起的部分。
需要说明的是,图6是表示300mm晶片中涂敷液膜RS的厚度(平均值)和涂敷液膜RS的均匀性(3σ)与转速R4之间的关系的图,示出了转速R4在500rpm以下时涂敷液膜RS的厚度及其均匀性(3σ)变大的情况。
因此,为了避免涂敷液膜RS在周缘部E变厚而涂敷液膜RS的厚度变得不均匀,在利用旋转结束基板W上的涂敷液RS的干燥之前,涂敷装置1利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS,从而辅助性地将积存于周缘部E的涂敷液RS的一部分而非全部向基板W外排出。即,为了在涂敷液膜RS未干燥而具有流动性期间,使积存于周缘部E的剩余的涂敷液RS向基板W外排出,吹送气体GS。由此,具备“表面张力<离心力+气体的压力”的关系,从而能够将积存于周缘部E的剩余的涂敷液RS向基板W外排出。由于能够抑制因积存于基板W的周缘部E的涂敷液RS隆起而变得不均匀,因此,在以低速旋转获得厚膜时,能够获得从基板W的中心部到周缘部E均匀的厚膜。
在此,参照图7(a)、图7(b)、图8说明气体吹送的效果。图7(a)是表示无气体吹送时基板内的涂敷液膜RS的厚度的图。另一方面,图8是表示有气体吹送时的基板内的涂敷液膜RS的厚度的图。在图7(a)、图8中,用于调整涂敷液膜RS的厚度的转速R4为100rpm。在图7(a)中,在远离基板W的中心部(相当于X方向位置的“0”)的位置,涂敷液膜RS的厚度急剧地变大。另一方面,在图8中,该厚度急剧地变大的情况得到抑制。因此可知,在以低速旋转形成厚膜时,能够使该厚度变得均匀。需要说明的是,图8的基板W内的测定位置与图7(a)相同,如图7(b)所示。
在图2中的时刻t9,以转速R4进行旋转而基板W上的涂敷液RS不再流动。由此,涂敷液RS的干燥结束。在时刻t10,保持旋转部2降低转速以预定的转速R5使基板W旋转。需要说明的是,在时刻t10,结束(终止)气体GS的吹送。关于这一点,气体GS的吹送可以在干燥结束时(时刻t9)结束,另外,也可以直到后述的喷出边缘冲洗液的时刻t11结束。
[边缘冲洗处理]
喷嘴移动机构13使边缘冲洗喷嘴6移动至喷出位置。在利用转速R4的旋转结束基板W上的涂敷液膜RS的干燥后,涂敷装置1对基板W的周缘部E的涂敷液膜RS进行边缘冲洗。即,在从图2的时刻t11至时刻t12的期间,如图9(a)所示,涂敷装置1利用边缘冲洗喷嘴6喷出边缘冲洗液,如图9(b)所示,除去基板W的周缘部E的规定宽度的涂敷液膜RS。然后,在图2中的时刻t12,保持旋转部2提高转速以预定的转速R6使基板W旋转。由此,使由边缘冲洗喷嘴6喷出至基板W上的边缘冲洗液旋转干燥。在时刻t13,保持旋转部2使基板W的旋转停止。在时刻t14,基板W停止旋转。
由此,涂敷动作结束。然后,保持旋转部2解除对基板W的保持。保持旋转部2上的基板W被未图示的基板搬运机构向下一个处理单元搬运。
根据本实施例,利用保持旋转部2以例如500rpm以下的转速使基板W旋转而在基板W上形成涂敷液RS的液膜,并且利用随着基板W的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液RS的至少一部分推向基板W的周缘部E,从而使剩余的涂敷液RS沿基板W的周缘部E隆起。而且,利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS,将在周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS向基板W外排出。通过利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS,能够破坏涂敷液RS因表面张力不向基板W外排出而积存隆起的均衡状态。因此,利用旋转既能够形成厚的涂敷液RS的液膜,又能够使该液膜的厚度变得均匀。
另外,在吹送气体GS时,利用基板W的旋转结束基板W上的涂敷液RS的干燥之前且涂敷液RS的喷出结束后,利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS。若在向基板W上喷出涂敷液RS的过程中吹送气体GS,则必须控制涂敷液RS的喷出和气体吹送。然而,由于在涂敷液RS的喷出结束后吹送气体GS,因此,控制涂敷液RS的喷出和气体吹送中的一方即可,因此,能够使控制变得简单。
另外,在气体吹送工序中,涂敷装置1利用气体喷嘴4从基板W的内侧向外侧对基板W的周缘部E吹送气体GS。由此,能够有效地向基板W外排出积存于基板W的周缘部E的涂敷液RS。
另外,在利用旋转使基板W上的涂敷液膜RS干燥后,涂敷装置1对基板W的周缘部E的涂敷液膜RS进行边缘冲洗。通过利用边缘冲洗除去较容易积厚的基板W的周缘部E的涂敷液膜RS,能够形成更加平坦的涂敷液膜RS。另外,如上所述,通过吹送气体GS来排出在基板W的周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS,能够形成均匀的厚膜。由此,能够抑制执行边缘冲洗的宽度,能够在基板W的周缘部E附近形成图案。
本发明并不限定于上述实施方式,能够以下面的变形方式进行实施。
(1)在上述的实施例中,在气体吹送时,气体喷嘴4的位置被固定。由此,能够使气体喷嘴4的控制变得简单。然而,在气体吹送时,如图10所示,气体喷嘴4也可以沿基板W的半径方向RD以基板W的周缘部E的预定的宽度WD移动。即,一边吹送气体,一边使气体喷嘴4扫描(往复移动或单程移动)。
由此,能够使向基板W的周缘部E吹送气体GS的位置变化,从而能够促进积存于基板W的周缘部E的涂敷液RS的排出。如图10所示,宽度WD例如也可以是积存于周缘部E的涂敷液RS的环状的隆起部分(用斜线阴影表示)的内侧与外侧之间的长度。另外,也可以是比其狭窄的范围。另外,不仅可以移动一次,还可以移动多次。
(2)在上述的实施例和变形例(1)中,在气体吹送时,也可以利用气体喷嘴4以预定的时间吹送气体GS。由此,能够与吹送气体GS的时刻相对应地将在基板W的周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS向基板W外排出。作为预定的时间,例如可列举从图2的时刻t7至时刻t10的时间。
(3)在上述的实施例和各个变形例中,在气体吹送时,也可以利用气体喷嘴4以预定的压力吹送气体GS。能够与吹送的气体GS的压力相对应地将在基板W的周缘部E隆起的剩余的涂敷液RS向基板W外排出。例如,压力并不是将吹送部分的基板W上的涂敷液RS大致全部吹飞程度的压力,是能够破坏涂敷液RS因表面张力在周缘部E积存而隆起的均衡状态的程度的压力即可。
(4)在上述的实施例和各个变形例中,如图2所示,利用气体喷嘴4向周缘部E吹送一次气体GS。关于这一点,在气体吹送时,也可以利用气体喷嘴4以预定的多个次数吹送气体GS。例如,通过在预定的单位时间内控制气体吹送的次数,能够控制向基板W外排出的剩余的涂敷液RS的量。另外,通过间歇地吹送气体GS,能够使气体GS的吹送变化。
(5)在上述的实施例和各个变形例中,如图5(b)所示,利用气体喷嘴4向周缘部E吹送气体GS。关于这一点,也可以向周缘部E附近吹送气体GS。例如,如图5(b)的箭头AR所示,也可以向积存于周缘部E的涂敷液RS的内侧部分(山脚)吹送气体Gs。
(6)在上述的实施例和各个变形例中,利用设置于基板W的上方的气体喷嘴4吹送气体GS。关于这一点,只要能够破坏积存于周缘部E的涂敷液RS的表面张力的均衡,就也可以从设置于上方以外的例如基板W的下方的气体喷嘴4吹送气体。
(7)在上述的实施例和各个变形例中,利用气体喷嘴4从基板W的内侧向外侧吹送气体GS。关于这一点,只要能够破坏积存于周缘部E的涂敷液RS的表面张力的均衡状态,就可以从从基板W的内侧向外侧的方向以外的例如铅直方向的下侧吹送气体GS。
(8)在上述的实施例和各个变形例中,在图2的时刻t7开始吹送气体。由此,能够将被推至周缘部E的涂敷液RS依次向基板W外排出。与此相对,例如,如图2中的时刻t8a所示,气体吹送也可以在旋转到使剩余的涂敷液RS隆起的转速R4后恒定的稳定状态下进行。即,在气体吹送时,在利用基板W的旋转结束基板W上的涂敷液RS的干燥前且将基板W旋转到使剩余的涂敷液RS隆起的转速R4后,利用气体喷嘴4向基板W的周缘部E吹送气体GS。由于在将基板W旋转到使剩余的涂敷液RS隆起的转速R4后的恒定的稳定状态下吹送气体GS,因此,能够简单地控制气体吹送。
(9)在上述的实施例和各个变形例中,在图2中的时刻t7开始吹送气体GS。关于这一点,例如,也可以在开始喷出涂敷液RS时(时刻t3)开始吹送气体GS,也可以在涂敷液RS的喷出结束时(时刻t6)开始吹送气体GS。另外,也可以在从转速R3上升至转速R4的时刻t8开始吹送气体GS。另外,也可以在时刻t3之后利用旋转使涂敷液RS到达周缘部E的局部或全部的时刻开始吹送气体GS。即,在结束涂敷液RS的干燥前的涂敷液RS流动的期间开始吹送。
(10)在上述的实施例和各个变形例中,图2示出了涂敷动作的一个例子。然而,并不限定于图2的涂敷动作。例如,转速R2~R4可以相互替换大小关系,也可以是相同的大小。
附图标记的说明
1 涂敷装置
2 保持旋转部
3 涂敷喷嘴
4 气体喷嘴
4a 吹送口
6 边缘冲洗喷嘴
E 周缘部
PW 预湿液(预湿液膜)
RS 涂敷液(涂敷液膜)

Claims (12)

1.一种涂敷方法,其特征在于,包括:
利用涂敷喷嘴向基板上喷出涂敷液的工序,
利用保持旋转部使所述基板旋转而在所述基板上形成所述涂敷液的液膜,并且利用随着所述基板的旋转产生的离心力,将剩余的涂敷液的至少一部分推向所述基板的周缘部,使剩余的涂敷液沿所述基板的周缘部隆起的工序,
在利用所述基板的旋转结束所述基板上的所述涂敷液的干燥前,利用气体喷嘴向所述基板的周缘部吹送气体,一边在所述周缘部残留液膜,一边将在所述周缘部隆起的剩余的涂敷液向所述基板外排出的气体吹送工序,
在利用旋转结束所述基板上的所述涂敷液的膜的干燥后,对所述基板的周缘部的所述涂敷液的膜进行边缘冲洗的工序。
2.如权利要求1所述的涂敷方法,其特征在于,
在使所述涂敷液隆起的工序中,使所述剩余的涂敷液隆起的所述基板的转速在500rpm以下。
3.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,利用所述基板的旋转结束所述基板上的所述涂敷液的干燥前且所述涂敷液的喷出结束后,利用所述气体喷嘴向所述基板的周缘部吹送气体。
4.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,利用所述基板的旋转结束所述基板上的所述涂敷液的干燥前且使基板旋转达到所述剩余的涂敷液隆起的转速后,利用所述气体喷嘴向所述基板的周缘部吹送气体。
5.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,利用所述气体喷嘴以预定的时间吹送气体。
6.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,利用所述气体喷嘴以预定的压力吹送气体。
7.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,利用所述气体喷嘴以预定的多个次数吹送气体。
8.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
所述气体喷嘴的吹送口为圆形。
9.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序,利用所述气体喷嘴,从所述基板的内侧向外侧对所述基板的周缘部吹送所述气体。
10.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
还包括:
在进行所述边缘冲洗后,以比所述气体吹送工序时的转速更快的转速使所述基板旋转的旋转干燥工序。
11.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,所述气体喷嘴的位置被固定。
12.如权利要求1或2所述的涂敷方法,其特征在于,
在所述气体吹送工序中,所述气体喷嘴能够沿所述基板的半径方向在所述基板的周缘部的预定的宽度范围内移动。
CN201680012166.2A 2015-03-25 2016-02-12 涂敷方法 Active CN107249760B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015062718A JP6498006B2 (ja) 2015-03-25 2015-03-25 塗布方法
JP2015-062718 2015-03-25
PCT/JP2016/054173 WO2016152308A1 (ja) 2015-03-25 2016-02-12 塗布方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107249760A CN107249760A (zh) 2017-10-13
CN107249760B true CN107249760B (zh) 2020-10-30

Family

ID=56977147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680012166.2A Active CN107249760B (zh) 2015-03-25 2016-02-12 涂敷方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10569297B2 (zh)
JP (1) JP6498006B2 (zh)
KR (1) KR102016824B1 (zh)
CN (1) CN107249760B (zh)
TW (1) TWI614066B (zh)
WO (1) WO2016152308A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
JP6336022B1 (ja) * 2016-12-19 2018-06-06 株式会社荏原製作所 めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102175075B1 (ko) * 2017-07-25 2020-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR20200100787A (ko) * 2018-01-15 2020-08-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유체 분배 및 적용 범위 제어를 위한 시스템 및 방법
JP7112917B2 (ja) * 2018-09-12 2022-08-04 タツモ株式会社 塗布装置及び塗布方法
US11020766B2 (en) * 2018-09-28 2021-06-01 Service Support Specialties, Inc. Spin coating apparatus, system, and method
CN111359791A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 中冶京诚工程技术有限公司 厚边消减吹扫装置及粉末静电喷涂装置
KR102075306B1 (ko) * 2019-08-02 2020-02-07 정연학 과량 도포된 코팅액 제거 장치
CN110673445B (zh) * 2019-09-24 2022-05-17 浙江集迈科微电子有限公司 一种超厚胶膜的平坦化处理方法
KR20230078795A (ko) * 2020-10-01 2023-06-02 램 리써치 코포레이션 도금 전 (preplating) 에지 건조

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011036847A (ja) * 2009-07-13 2011-02-24 Mitsubishi Rayon Co Ltd 塗膜形成法およびスピンコータ
JP2013187497A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Seiko Instruments Inc エッジリンス装置およびエッジリンス方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6213029A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布方法
JPS6447474A (en) * 1987-08-19 1989-02-21 Fujitsu Ltd Method for applying high-viscosity resin
JP2939040B2 (ja) 1992-03-19 1999-08-25 シャープ株式会社 樹脂層の形成方法
JPH06283417A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Olympus Optical Co Ltd 塗膜装置
JPH09106980A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Kawasaki Steel Corp 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
US6114254A (en) * 1996-10-15 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法
US6117486A (en) * 1997-03-31 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Photoresist coating method and apparatus
JP2001110712A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
JP3963732B2 (ja) * 2001-04-19 2007-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP2003037053A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Toshiba Corp 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP2003181361A (ja) 2001-12-18 2003-07-02 Hirata Corp 処理装置及び処理方法
US8192555B2 (en) * 2002-12-31 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Non-chemical, non-optical edge bead removal process
JP4557229B2 (ja) * 2006-05-30 2010-10-06 日東電工株式会社 クリーニング機能付搬送部材の製造方法
JP2008091752A (ja) 2006-10-04 2008-04-17 Sokudo:Kk 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置
JP2010099589A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Mitsubishi Rayon Co Ltd 塗膜形成方法及びスピンコータ
JP2010164871A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Casio Computer Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JPWO2011114883A1 (ja) * 2010-03-18 2013-06-27 コニカミノルタ株式会社 レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法
JP2012256780A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Fuji Electric Co Ltd スピンコート法によるレジスト塗布方法
JP5838067B2 (ja) 2011-10-05 2015-12-24 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 塗布方法および塗布装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011036847A (ja) * 2009-07-13 2011-02-24 Mitsubishi Rayon Co Ltd 塗膜形成法およびスピンコータ
JP2013187497A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Seiko Instruments Inc エッジリンス装置およびエッジリンス方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI614066B (zh) 2018-02-11
CN107249760A (zh) 2017-10-13
KR102016824B1 (ko) 2019-08-30
TW201641168A (zh) 2016-12-01
KR20170109024A (ko) 2017-09-27
WO2016152308A1 (ja) 2016-09-29
US10569297B2 (en) 2020-02-25
JP6498006B2 (ja) 2019-04-10
US20180036767A1 (en) 2018-02-08
JP2016182531A (ja) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107249760B (zh) 涂敷方法
CN107051831B (zh) 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置
KR102296706B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI754012B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US10684548B2 (en) Developing method
JP6224515B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI727461B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
KR102326461B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2020170851A (ja) 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
JP6983571B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6880664B2 (ja) 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体
CN111834253A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
JP2020145289A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN115365085B (zh) 涂布处理方法及涂布处理装置
JP2019204892A (ja) 液処理装置、液処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP3963792B2 (ja) 現像方法および現像装置
TWI682452B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
CN115365084A (zh) 涂布处理方法及涂布处理装置
CN113731673A (zh) 周缘部涂布装置及周缘部涂布方法
JP2007189253A (ja) 現像方法および現像装置
JP2007189252A (ja) 現像方法および現像装置
JP2007189251A (ja) 現像方法および現像装置
KR20090012471A (ko) 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant