JPS6213029A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS6213029A JPS6213029A JP15342985A JP15342985A JPS6213029A JP S6213029 A JPS6213029 A JP S6213029A JP 15342985 A JP15342985 A JP 15342985A JP 15342985 A JP15342985 A JP 15342985A JP S6213029 A JPS6213029 A JP S6213029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resist
- device substrate
- periphery
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
〔従来の技術〕
第３図は従来のレジスト塗布方法の一例を説明するため
のレジスト塗布装置の側断面図である。
のレジスト塗布装置の側断面図である。
第３図において、１は半導体装置基板、２は半導体装置
形成層、３はレジスト、４はレジスト供給ノズル、５は
前記半導体装置基板１のホルダを示す。
形成層、３はレジスト、４はレジスト供給ノズル、５は
前記半導体装置基板１のホルダを示す。
従来のレジスト塗布装置は上記のように構成されている
ので、半導体装置基板１は真空チャック等によりホルダ
５に取り付けられた後、レジスト供給ノズル４から定量
、例えば４〜５ｃｃ のレジスト３を供給し、ホルダ５
の高速回転により、第４図に示すよ５に半導体装置基板
１上に均一な厚さでレジスト層３Ａを形成させるもので
ある。なお、第５図はくり返しレジスト層３Ａ’ｊｋ形
成し、パターン形成を行う場合を示している。この場合
１、ホルダ５の回転数を変えることｋよって、レジスト
層３Ａの厚さを変えることが可能であり、通常、４００
Ｏｒ、ｐ−ｍで０．６μｍ程度の膜厚を得ることがで
きる。
ので、半導体装置基板１は真空チャック等によりホルダ
５に取り付けられた後、レジスト供給ノズル４から定量
、例えば４〜５ｃｃ のレジスト３を供給し、ホルダ５
の高速回転により、第４図に示すよ５に半導体装置基板
１上に均一な厚さでレジスト層３Ａを形成させるもので
ある。なお、第５図はくり返しレジスト層３Ａ’ｊｋ形
成し、パターン形成を行う場合を示している。この場合
１、ホルダ５の回転数を変えることｋよって、レジスト
層３Ａの厚さを変えることが可能であり、通常、４００
Ｏｒ、ｐ−ｍで０．６μｍ程度の膜厚を得ることがで
きる。
しかし、このレジスト層３Ａの膜厚は半導体装置基板１
の中央部１ｍの値であり、周辺部１ｂではレジスト層３
Ａの膜厚の盛り上りが生じる。
の中央部１ｍの値であり、周辺部１ｂではレジスト層３
Ａの膜厚の盛り上りが生じる。
従来のレジスト塗布方法は以上のように行われるので、
ホルダ５０回転数をあげても、またレジスト３の組成を
変えても、第４図、第５図に示すように半導体装置基板
１の中央部１ａと周辺部１ｂとではレジスト層３Ａの厚
さの不均一性が生じ、ガラスマスク基板７Ｖｃ形成させ
た半導体装置パターン６の転写後、寸法精度のばらつき
を生じ、これが半導体装置の特性、歩留りに大きく影響
し、またレジスト層３Ａがガラスマスク基板？ＶＣ附着
し、マスクの汚れの原因となる等の問題点があった〇 この発明は、上記の問題点を解消するためＫなされたも
ので、半導体装置基板の周辺部のレジストに不活性ガス
を吹き付けてレジストの厚さを均一にすることができる
レジスト塗布方法を得ることを目的とする。
ホルダ５０回転数をあげても、またレジスト３の組成を
変えても、第４図、第５図に示すように半導体装置基板
１の中央部１ａと周辺部１ｂとではレジスト層３Ａの厚
さの不均一性が生じ、ガラスマスク基板７Ｖｃ形成させ
た半導体装置パターン６の転写後、寸法精度のばらつき
を生じ、これが半導体装置の特性、歩留りに大きく影響
し、またレジスト層３Ａがガラスマスク基板？ＶＣ附着
し、マスクの汚れの原因となる等の問題点があった〇 この発明は、上記の問題点を解消するためＫなされたも
ので、半導体装置基板の周辺部のレジストに不活性ガス
を吹き付けてレジストの厚さを均一にすることができる
レジスト塗布方法を得ることを目的とする。
この発明Ｋかかるレジスト塗布方法は、半導体装置基板
の周辺部に向けて加圧ガスを吹き付けるものである。
の周辺部に向けて加圧ガスを吹き付けるものである。
この発明においては、噴出する加圧ガスを吹き付けるこ
とにより、半導体装置基板の周辺部に厚（なった分のレ
ジストを外に飛散させとり除いてレジスト層全体の厚さ
を均一にする。
とにより、半導体装置基板の周辺部に厚（なった分のレ
ジストを外に飛散させとり除いてレジスト層全体の厚さ
を均一にする。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置基板とガ
ス噴出ノズルとの関係を示す図、第２図はこの発明によ
る半導体装置の製造方法を説明する図であり、第３図〜
第５図と同一符号は同一部分を示し、８は加圧噴出され
るチッ素等の不活性のガス、９は前記加圧されたガス８
を噴出させるガス噴出ノズルであり、半導体装置基板１
の周辺部１ｂＫ相対する位置に複数個設けたものである
。
ス噴出ノズルとの関係を示す図、第２図はこの発明によ
る半導体装置の製造方法を説明する図であり、第３図〜
第５図と同一符号は同一部分を示し、８は加圧噴出され
るチッ素等の不活性のガス、９は前記加圧されたガス８
を噴出させるガス噴出ノズルであり、半導体装置基板１
の周辺部１ｂＫ相対する位置に複数個設けたものである
。
なお、ガス噴出ノズル９を半導体装置基板１に対し垂直
方向に設けた場合には、噴出するガス８によって周辺部
１ｂの厚いレジスト３が半導体装置基板１の内側に飛散
して不均一になるので、垂直よりも半導体装置基板１の
中央部１ａ側から周辺部１ｂ方向に向けて所要の角度を
つけて設置する。
方向に設けた場合には、噴出するガス８によって周辺部
１ｂの厚いレジスト３が半導体装置基板１の内側に飛散
して不均一になるので、垂直よりも半導体装置基板１の
中央部１ａ側から周辺部１ｂ方向に向けて所要の角度を
つけて設置する。
次にこの装置の動作について説明する。
レジスト塗布においては、高速回転によるピン塗布が一
般的であるが、前述のように周辺部１ｂに膜厚の厚い部
分ができる。
般的であるが、前述のように周辺部１ｂに膜厚の厚い部
分ができる。
レジストは一般に揮発性の有機溶剤が含まれているので
時間がたつと固形化する。したがって、レジスト３のス
ピンコードのシーケンスが終了する直前に加圧されたガ
ス８を中央部１ａから周辺部１ｂＫ向けて細いガス噴出
ノズル９から噴出させることにより１周辺部１ｂＫ蓄積
されるレジストを半導体装置基板１の外へ飛散させ１周
辺部１ｂでの膜厚の増加を阻止することができる。
時間がたつと固形化する。したがって、レジスト３のス
ピンコードのシーケンスが終了する直前に加圧されたガ
ス８を中央部１ａから周辺部１ｂＫ向けて細いガス噴出
ノズル９から噴出させることにより１周辺部１ｂＫ蓄積
されるレジストを半導体装置基板１の外へ飛散させ１周
辺部１ｂでの膜厚の増加を阻止することができる。
なお上記実施例では半導体装置基板１について説明した
が、ホトマスク製作におけるレジスト塗布装置であって
もよく、上記実施例と同様の効果が得られる。
が、ホトマスク製作におけるレジスト塗布装置であって
もよく、上記実施例と同様の効果が得られる。
マタンジスト塗布にかかわらず、すべての回転塗布にお
いて同様の効果が得られる。
いて同様の効果が得られる。
またガス噴出ノズル９から噴出するガス８は不活性ガス
であればよ（、塗布するものによっては常温に限定され
ることな（、ガス噴出ノズル９を冷却もしくは温めるこ
とによって、ガス８の温度を変化させても良い。
であればよ（、塗布するものによっては常温に限定され
ることな（、ガス噴出ノズル９を冷却もしくは温めるこ
とによって、ガス８の温度を変化させても良い。
この発明は以上説明したとおり、半導体装置基板の周辺
部に向けて加圧ガスを吹き付けるので、レジストの膜厚
を均一にすることができ、半導体装置を高品質、高歩留
りで生産でき、ホトマスクの汚れも防ぐことができる利
点がある。
部に向けて加圧ガスを吹き付けるので、レジストの膜厚
を均一にすることができ、半導体装置を高品質、高歩留
りで生産でき、ホトマスクの汚れも防ぐことができる利
点がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す側断面図、第２図は
この発明による半導体装置の製造方法を説明する図、第
３図は従来のレジスト塗布方法の一例を説明するための
レジスト塗布装置の側断面図、第４図は従来のレジスト
塗布方法により形成されたレジスト層を示す側断面図、
第５図は同じ〈従来の方法による半導体装置の製造方法
を説明する図である。 図において、１は半導体装置基板、１ａは中央部、１ｂ
は周辺部、２は半導体装置形成層、３はレジスト、３Ａ
はレジスト層、８はガス、９はガス噴出ノズルである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第２図 ａ 第３図
この発明による半導体装置の製造方法を説明する図、第
３図は従来のレジスト塗布方法の一例を説明するための
レジスト塗布装置の側断面図、第４図は従来のレジスト
塗布方法により形成されたレジスト層を示す側断面図、
第５図は同じ〈従来の方法による半導体装置の製造方法
を説明する図である。 図において、１は半導体装置基板、１ａは中央部、１ｂ
は周辺部、２は半導体装置形成層、３はレジスト、３Ａ
はレジスト層、８はガス、９はガス噴出ノズルである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第２図 ａ 第３図
Claims (1)
- 半導体装置を製造する工程のうち感光性樹脂を半導体装
置基板を高速に回転させることによつて塗布するレジス
ト塗布方法において、前記半導体装置基板の周辺部に向
けて加圧ガスをガス噴出ノズルにより吹きつけ、前記半
導体装置基板の周辺部に蓄積されるレジストを外に飛散
させることを特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15342985A JPS6213029A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15342985A JPS6213029A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213029A true JPS6213029A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15562320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15342985A Pending JPS6213029A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011036847A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 塗膜形成法およびスピンコータ |
| WO2016152308A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 塗布方法 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15342985A patent/JPS6213029A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011036847A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 塗膜形成法およびスピンコータ |
| WO2016152308A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 塗布方法 |
| JP2016182531A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 塗布方法 |
| US10569297B2 (en) | 2015-03-25 | 2020-02-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Coating method |
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